一种用于flash读保护改变的测试电路及方法与流程

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1.本发明涉及一种用于flash读保护改变的测试电路及方法，属于芯片测试技术领域。

背景技术：

2.flash是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据。flash在电子以及半导体领域内往往表示flash memory的意思，即平时所说的“闪存”。flash存储器又称闪存，它结合了rom和ram的长处，不仅具备电子可擦除可编程（eeprom）的性能，还可以快速读取数据（nvram的优势），使数据不会因为断电而丢失。
3.在实际发布的产品中，例如：在stm32芯片的内部flash存储了控制程序，如果不作任何保护措施的话，可以使用下载器直接把内部flash的内容读取回来，得到bin或hex文件格式的代码拷贝，别有用心的厂商即可利用该代码文件山寨产品。为此，stm32芯片提供了多种方式保护内部flash的程序不被非法读取，但在默认情况下该保护功能是不开启的，若要开启该功能，需要改写内部flash选项字节(option bytes)中的配置。
4.芯片的flash的读保护等级分为无保护、只读保护和禁止调试，芯片的flash的读保护等级发生改变，会引起mass erase，即此时写入flash主体部分的程序内容会全部被擦除，以达到保护用户代码安全的目的，这样发生读保护等级改变之后，由于测试程序被全部擦除了，所以这样后面用于验证flash发生mass erase的程序就无法继续执行了。此外，改变读保护等级的方式是通过修改寄存器flash_obr的读保护选项字节，并且需要调用系统函数system reset，使得程序重启之后才会生效，这里的问题就是程序重启之后，程序会重新从第一行开始执行，如果不做处理，程序就会进入不断重启的死循环。

技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种用于flash读保护改变的测试电路及方法，旨在解决flash读保护等级改变引起程序擦除而无法测试的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于flash读保护改变的测试电路，包括芯片、上位机和程序下载器，芯片内包括flash模块和sram模块，所述芯片电源引脚连接相应电压电源，所述芯片gnd引脚接地，所述芯片boot0和boot1接上拉电阻连接至电源，所述程序下载器一端连接芯片jtag串口，程序下载器另一端连接上位机。
7.本发明还公开了一种用于flash读保护改变的测试方法，采用上述的用于flash读保护改变的测试电路，具体包括以下步骤：（1）完成上述测试电路的硬件连接工作；（2）将测试flash的程序通过下载器烧录到芯片的sram里，并从sram启动；（3）判断flash寄存器flash_obr是否为初始值，若是，则向flash中写入内容，并对flash寄存器flash_obr写入标记值，重启程序，让标记值生效，若不是，则执行下一步骤；（4）判断flash寄存器flash_obr是否为写入的标记值，若是，修改 flash中读保护
位的值，重启程序，让读保护状态改变生效，若不是，则执行下一步骤；（5）判断flash读保护位的值是否为步骤（4）中修改的值，若是，则通过测试程序对步骤（3）中写入flash的内容进行检测，若不是，则说明flash的读保护无法开启，则无法对flash读保护状态改变进行测试；（6）通过测试程序判断步骤（3）中写入flash的内容是否被擦除，若是，则验证了芯片flash读保护等级的改变会引起程序擦除，若不是，则说明芯片flash读保护等级的改变不会引起程序擦除。
8.进一步地，上述用于flash读保护改变的测试方法，其中：所述重启程序通过调用芯片程序函数system reset执行。
9.进一步地，上述用于flash读保护改变的测试方法，其中：所述步骤（3）中向flash中写入内容具体为向flash主体部分写入内容。
10.进一步地，上述用于flash读保护改变的测试方法，其中：所述步骤（3）中对flash寄存器flash_obr写入标记值，具体步骤为向flash寄存器flash_obr中data部分写入数据，从而实现修改寄存器flash_obr的值。
11.本发明的有益效果是：本发明将测试程序不烧录到flash主体而将程序烧录到芯片自带的sram里，并从sram启动，避免将flash中的测试程序擦除；此外，本发明通过在flash寄存器flash_obr写入标记位用来记录发生了程序重启，当下次程序重新开始运行时，跳过这一部分，从而避免进入不断重启的死循环。
附图说明
12.图1是本发明的测试电路示意图；图2是本发明的测试方法流程路。
具体实施方式
13.为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，配合附图详细说明如下。
14.请同时参考图1和图2，下面将结合附图对本发明实施例的用于flash读保护改变的测试电路及方法作详细说明。
15.如图1所示，芯片的连接电路为芯片电源引脚连接相应电压的电源，芯片gnd引脚接地，芯片boot0和boot1接上拉电阻连接至电源，将程序下载器一端连接芯片jtag串口，程序下载器另一端连接上位机。
16.上述硬件连接完成后即可执行后续相应软件部分操作。针对现有技术中的问题，解决方法如下：针对flash程序被擦除的问题，可将测试程序不烧录到flash主体，通过电路设置将boot0和boot1设置成高电平，将程序烧录到芯片自带的sram里，并从sram启动，这样发生mass erase（程序擦除）的时候，不会将测试程序擦除；针对程序无限重启的问题，由于mass erase只擦除flash主体部分的内容，不会擦除flash寄存器option byte的内容，所以在option byte当中的一些位写入标记位用来记录发生了system reset（重启程序），当下次程序重新开始运行时，跳过这一部分，从而避免进入不断重启的死循环。
17.如图2所示，具体的步骤如下：（1）完成上述测试电路的硬件连接工作；（2）将测试flash的程序通过下载器烧录到芯片的sram里，并从sram启动；
（3）判断flash寄存器flash_obr是否为初始值，若是，则向flash中写入内容，并对flash寄存器flash_obr写入标记值，重启程序让标记值生效，若不是，则执行下一步骤；（4）判断flash寄存器flash_obr是否为写入的标记值，若是，修改 flash中读保护位的值，开启flash读保护，重启程序，让读保护状态改变生效，由于改变了flash中读保护位的值，因此，寄存器flash_obr的值也随之发生改变，当程序重启后再次运行到步骤（4）时，寄存器flash_obr发生改变从而与写入的标记值不同，这样一来，当判断flash寄存器flash_obr的值并非写入的标记值，即执行下一步骤，即可跳出重启程序的循环；（5）判断flash读保护位的值是否为步骤（4）中修改的值，若是，则通过测试程序对步骤（3）中写入flash的内容进行检测，若不是，则说明flash的读保护无法开启，则无法验证flash读保护状态改变时是否会引起mass erase；（6）通过测试程序判断步骤（3）中写入flash的内容是否被擦除，若是，则验证了芯片flash读保护等级的改变会引起mass erase，若不是，则说明芯片flash读保护等级的改变不会引起mass erase。
18.具体地，上述步骤中，重启程序可通过调用芯片程序函数system reset执行。所述步骤（3）中向flash中写入内容为向flash主体部分写入内容；所述步骤（3）中对flash寄存器flash_obr写入标记值，具体步骤为向flash寄存器flash_obr中data部分写入数据，从而实现修改寄存器flash_obr的值。
19.通过以上描述可以看出，本发明将测试程序不烧录到flash主体而将程序烧录到芯片自带的sram里，并从sram启动，避免将flash中的测试程序擦除；此外，本发明通过在flash寄存器flash_obr写入标记位用来记录发生了程序重启，当下次程序重新开始运行时，跳过这一部分，从而避免进入不断重启的死循环。
20.当然，以上只是本发明的典型实例，除此之外，本发明还可以有其它多种具体实施方式，凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。

技术特征：

1.一种用于flash读保护改变的测试电路，其特征在于：包括芯片、上位机和程序下载器，芯片内包括flash模块和sram模块，所述芯片电源引脚连接相应电压电源，所述芯片gnd引脚接地，所述芯片boot0和boot1接上拉电阻连接至电源，所述程序下载器一端连接芯片jtag串口，程序下载器另一端连接上位机。2.一种用于flash读保护改变的测试方法，其特征在于，采用权利要求1中所述的用于flash读保护改变的测试电路，具体包括以下步骤：（1）完成上述测试电路的硬件连接工作；（2）将测试flash的程序通过下载器烧录到芯片的sram里，并从sram启动；（3）判断flash寄存器flash_obr是否为初始值，若是，则向flash中写入内容，并对flash寄存器flash_obr写入标记值，重启程序，让标记值生效，若不是，则执行下一步骤；（4）判断flash寄存器flash_obr是否为写入的标记值，若是，修改 flash中读保护位的值，重启程序，让读保护状态改变生效，若不是，则执行下一步骤；（5）判断flash读保护位的值是否为步骤（4）中修改的值，若是，则通过测试程序对步骤（3）中写入flash的内容进行检测，若不是，则说明flash的读保护无法开启，则无法对flash读保护状态改变进行测试；（6）通过测试程序判断步骤（3）中写入flash的内容是否被擦除，若是，则验证了芯片flash读保护等级的改变会引起程序擦除，若不是，则说明芯片flash读保护等级的改变不会引起程序擦除。3.根据权利要求2所述的一种用于flash读保护改变的测试方法，其特征在于：所述重启程序通过调用芯片程序函数system reset执行。4.根据权利要求2所述的一种用于flash读保护改变的测试方法，其特征在于：所述步骤（3）中向flash中写入内容具体为向flash主体部分写入内容。5.根据权利要求2所述的一种用于flash读保护改变的测试方法，其特征在于：所述步骤（3）中对flash寄存器flash_obr写入标记值，具体步骤为向flash寄存器flash_obr中data部分写入数据，从而实现修改寄存器flash_obr的值。

技术总结

本发明公开了一种用于flash读保护改变的测试电路及方法，包括以下步骤：（1）完成测试电路连接工作；（2）将测试程序烧录到SRAM里并启动；（3）判断寄存器FLASH_OBR是否为初始值，若是，则向flash中写入内容，并写入标记值重启程序；（4）判断寄存器是否为写入的标记值，若是则修改读保护位的值重启程序；（5）判断读保护位的值是否为修改值，若是，对写入内容进行检测；（6）判断写入内容是否被擦除，若是，则验证了flash读保护等级改变会引起程序擦除。本发明将测试程序烧录到芯片自带的SRAM里，并从SRAM启动，避免将flash中的测试程序擦除，且通过对寄存器写入标记值可避免程序进入不断重启的死循环。死循环。死循环。