退火对双有源层TFT性能的影响

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注塑工艺

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王琪，男，北京交通大学硕士研究生，研究方向光电子材料与器件。

基金项目：国家自然科学基金（51772019， 51372016）资助项目

本文针对氧化物薄膜晶体管在工业应用过程中的退火温度较高、性能不足等问题，提出了双有源层氧化物薄膜晶体

管的解决方案。在液晶显示、平板显示行业起到有效的指导作用。惠普nc4400

杨白冰模式如本课题在工业中得到实现，

双有源层氧化物薄膜晶体管的结构

图2 IZO：Li薄膜的XPS图谱

续增大，源漏电流趋于稳定，器件呈现出良好的饱和特性。图3 不同退火温度下器件的输出特性曲线

网闸

能，而当温度进一步升高时，过高的温度导致薄膜的缺陷增仰光大学

图4 不同退火温度下器件的转移特性曲线黄纪宪

本文发布于:2023-08-16 09:33:30，感谢您对本站的认可！

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