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  • 高志翔同志简介【模板】
    索爱z610高志翔同志简介高志翔,男,1980年12生,工学博士,**大学物理与电子科学学院副教授,硕士生导师,新能源材料与器件专业学术带头人,“三晋英才”拔尖骨干人才,**市新的阶层联谊会理事,中国博士科技联合会理事。在科研建设上,带领科研团队在光电功能材料与器件、柔性电子器件、石墨烯太阳能电池及二维材料与柔性薄膜的制备领域苦心经营,潜心发展,努力解决新能源领域的重点和难点课题,实现科研创新和发
    时间:2023-11-21  热度:34℃
  • HV的结构与原理–DDDMOSorLDMOS?
    HV的结构与原理–DDDMOSorLDMOS?从基础的器件讲起吧,前面的器件部分都是讲的普通的LV器件,结构比较简单源(S)、栅(G)、漏(D)和衬底(B)四个端子,配合LDD和Spacer防止短沟道效应,差不多就可以讲完了。然而,这些普通的器件只能撑比较低的电压,比如1.8V/3.3V/5V(取决于你的technology-node)。而到了高电压驱动的时候,我们的结构必须要有所改变才能满足高压
    时间:2023-11-19  热度:27℃
  • 中电军工企业及其下属单位
    领域基础性、前沿性技术创新的开放式研究机构;对接国家、军队、社会技术创新需求的重要渠道;推进科技机制体 制改革吉林工程技术师范学院学报应用为目标,集激光与红外于一体,材料器件、整机应用配套的综合性军工Ⅰ类骨干研究所国防科技信息中心模最大、体系完备的以研制微波电真空器件为主的国家骨干研究所,设有完备的器件和基础研究室、机械加工厂和科研条件机械工业第四设计研究院海洋信息化系统为中心,为各方用户提供海洋
    时间:2023-11-18  热度:26℃
  • 高压SiC功率半导体器件的发展现状与解决措施
    智能控制技术今 日 自 动 化2020.7  今日自动化 | 15Intelligent control technologyAutomation Today2020年第7期2020 No.7本文分析的半导体材料碳化硅在进行相关产品的制造以及实际使用期间存在较为明显的特性,例如击穿场强高饱和、电子漂移速率快以及诱导率高等等。而这些数据可以满足现代功率期间在大功率场合高频高温工作状态下的应
    时间:2023-11-18  热度:31℃
  • HaloLDD多晶硅TFT载流子效应研究
    图 1 器件结构 Fig.1 Structure  of  the  device空穴陷阱密度:电子陷阱密度:软 件 天 地《微计算机信息》( 测控自动化) 2009 年第 25 卷第 7-1 期文章编号:1008-0570(2009)07-1-0238-02Halo LDD 多晶硅 TFT 载流子效应研究Study on hot carriers effect of
    时间:2023-11-18  热度:43℃
  • 肌电信号采集系统与计算机的串口通信
    技术创新中文核心期刊《微计算机信息》(测控自动化)2006年第22卷第1-1期网络与接口肌电信号采集系统与计算机的串口通信SerialCommunicationbetweenAcquisitionSystemofEMGandComputer(东北大学)师硕李锡杰王旭Shi,ShuoLi,XijieWang,Xu摘要:肌电信号是在皮肤表面记录下来的神经和肌肉的系统活动时的生物电信号,有很好的临床价值
    时间:2023-11-18  热度:49℃
  • 一文读懂紫外深紫外LED封装技术与工艺
    ⼀⽂读懂紫外深紫外LED封装技术与⼯艺当前,新型冠状病毒仍在持续,对产业及企业造成了⼀定程度的影响,也牵动着各⾏各业⼈们的⼼。在此形势下,中国半导体照明⽹、极智头条,在国家半导体照明⼯程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下,开启疫情期间知识分享,帮助企业解答疑惑。助⼒我们LED照明企业和产业共克时艰!本期,我们邀请到华中科技⼤学教授陈明祥带来了“紫外/深紫外 LED 封装技术研发
    时间:2023-11-18  热度:37℃
  • 氮化铝陶瓷基板的性能参数和应用范围
    氮化铝陶瓷基板的性能参数和应⽤范围氮化铝陶瓷基板在⾼功率器件、半导体、⼤功率模组等领域⼴泛应⽤,就因为氮化铝陶瓷基板的优越特性,今天⼩编就来阐述⼀下氮化铝陶瓷基板的性能参数和应⽤范围。⼀,氮化铝陶瓷基板的基础特性和性能参数1,氮化铝陶瓷基板特性氮化铝陶瓷基板导热率很⾼,是氧化铝陶瓷基板导热率的5倍,晶体是AIN,硬度强,绝缘性好,耐⾼温和耐腐蚀。宫古海峡2,氮化铝陶瓷基板热导率(导热系数)氮化铝陶
    时间:2023-11-18  热度:36℃
  • 氮化硅陶瓷基板作为半导体的行标
    氮化硅陶瓷基板作为半导体的行标氮化硅陶瓷基板作为半导体的行标导语:在半导体行业中,氮化硅陶瓷基板起着重要的作用。作为半导体器件的基础材料,氮化硅陶瓷基板不仅具有良好的化学稳定性和机械强度,还具备优异的导热性能和绝缘性能。本文将从多个角度全面评估氮化硅陶瓷基板作为半导体的行标,帮助读者深入理解这一话题。一、氮化硅陶瓷基板的优势1. 化学稳定性氮化硅陶瓷基板由于其化学结构的特殊性,具有出的化学稳定性
    时间:2023-11-18  热度:35℃
  • DBC陶瓷基板的覆铜技术和应用都有哪些?
    叶世祥DBC陶瓷基板的覆铜技术和应⽤都有哪些?沧州市光明小学DBC陶瓷基板是陶瓷板制作⼯艺中按⼯艺属性分来的陶瓷电路板,DBC就直接覆铜,是⼀种陶瓷表⾯⾦属化技术,它直接将陶瓷(三氧化⼆铝、氧化铍、AIN等)和基板铜相接。这种技术主要⽤于电⼒电⼦模块、半导体制冷和LED器件等的封装应⽤⼴泛。DBC陶瓷基板的优选材料三氧化⼆铝绝缘性好、化学稳定性好、强度⾼、⽽且价格低,是DBC技术的优选材料,但是三
    时间:2023-11-18  热度:22℃
  • 模块化多点平矩阵变换器缺点
    模块化多点平矩阵变换器的缺点1. 引言高草酸尿症模块化多点平矩阵变换器(Modular Multi-Point Flat Matrix Converter)是一种新型的电力电子装置,用于实现电力系统中的多点之间的直接能量转换。它具有模块化结构、高效率、高可靠性等优点,但同时也存在一些缺点和挑战。本文将详细介绍模块化多点平矩阵变换器的缺点,并探讨可能的解决方案。2. 缺点分析2012湖北高考一分一段
    时间:2023-11-17  热度:45℃
  • OLED存在的问题
    OLED存在的问题OLED是一种借助有机半导体功能材料、将电能直接转化为光能的技术。采用这种技术制备的有机发光显示器,因其具有结构简单、厚度小、响应速度快、功耗低、视角宽、工作温度低、可实现柔软显示的特点,被业界人士普遍认为是最有发展前景的显示技术,是国际上高技术领域的一个竞争热点。OLED具有以下优点:1)厚度可以小于1毫米,仅为LCD屏幕的1/3,并且重量也更轻;台标2)固态机构,没有液体物质
    时间:2023-11-17  热度:38℃
  • 基于PPTC过流保护器件的热分析及模拟
    基于PPTC过流保护器件的热分析及模拟(上海交通大学,上海,200030)摘要:介绍聚合物正温度系数材料(PPTC)的历史,发展和结构组成。基于PPTC过流保护器件发热理论的研究,推导PPTC保护器件各电性能参数间的理论关系;并通过EXCEL计算的简易方法,对PPTC发热动作过程进行模拟,为产品应用设计提供理论方向。关键词:聚合物正温度系数材料(PPTC);热均衡;保持电流;动作时间;RT曲线中图
    时间:2023-11-17  热度:29℃
  • 【】PBGA 封装的热应力与湿热应力分析比较
    PBGA封装的热应力与湿热应力分析比较王栋,马孝松,祝新军(桂林电子科技大学,广西 桂林 541004)摘要:塑封球栅平面阵列封装作为一种微电子封装结构形式得到了广泛的应用。本文采用有限元软件分析和计算了在潮湿环境下塑封球栅平面阵列封装的潮湿扩散分布,进而分别模拟计算了它的热应力与湿热应力,并且加以分析比较。电子元件与材料关键词:塑封球栅平面阵列封装;有限元;热应力;湿热应力Analysis an
    时间:2023-11-17  热度:37℃
  • Si键合技术研究及其应用
    Si/Ti/Au/Si键合技术研究及其应用**杨道虹**,徐晨,李兰,吴苗,沈光地(北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京100022)摘要:运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si在N2保护下及420C左右,成功地实现了Au/Si共熔键合,成品率达到90%以上。该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于Si/Si熔融键合过程中高温退火给微电子机械系统(MEMS)器件带来
    时间:2023-11-17  热度:47℃
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