小学管理规程
公司成立于2015年12月，是中国大陆规模最大的半导体硅片制造企业之一，也是中国大陆率先实现12英寸半导体硅片规模化生产和销售的企业。公司的发展历程可以从两个方面着眼：从整体角度看，作为控股型企业，公司通过外延并购进行扩张，于2016-2019年先后收购并整合上海新昇、Okmetic、新傲科技三家子公司，并于2020年在科创版成功上市；
公司主要产品为半导体硅片，产品类型涵盖12英寸抛光片及外延片、8英寸及以下抛光片、外延片以及8英寸及以下的SOI硅片。产品主要应用于存储芯片、图像处理芯片、通用处理器芯片、功率器件、传感器、射频芯片、模拟芯片、分立器件等领域。 从客户来看，公司客户包含台积电、联电、格罗方德、意法半导体、Towerjazz等国际芯片厂商，以及中芯国际、华虹宏力、华力微电子、长江存储、武汉新芯、长鑫存储、华润微 等国内所有主要芯片制造企业。
增资鑫华半导体，推动上游原材料国产化：2022年1月28号，公司发布公告，拟以人民币0.32亿元增资鑫华半导体。本次增资完成后，公司将持有鑫华半导体1.0323%的股权。鑫华半导体是国内目前系统掌握高纯半导体级多晶硅提纯技术、并成功量产形成下游批量销售的企业之一，近年来，公司对鑫华半导体的电子级多晶硅材料进行了生产与使用论证，并取得了一定的进展。公司本次参与鑫华半导体的增资，将可实现进一步培育国产电子级多晶硅供应商，推动公司国产化原材料的应用。
公司股东国盛集团、产业投资基金、嘉定开发集团、新微集团等均有国资直接或间接持股，截至2021年上半年，公司国资持股比例合计超过50%。其中，国盛集团和产业投资基金持股比例均为20.84%，为公司并列第一大股东，二者不存在一致行动关系，故公司没有实际控制人。公司与中科院微系统保持紧密合作关系。微系统所既是公司股东新微集团的控股股东，也是公司子公司新傲科技的发起人。公司与微系统所联合成立了高端硅基材料技术研发中心，并且共同承担了多项研究课题，公司研发团队中亦有部分人才来自微系统所。
1.2.财务分析：12英寸营收占比快速提高，各项费用率逐步下降
从公司产品结构来看，8英寸硅片是目前收入主要来源，销量稳步增长，12英寸占比迅速提高。根据公司公告，2021年，8英寸以下半导体硅片（含SOI硅片）收入14.21亿元，同比增长15.78%，占营收比57.59%，主要是由于2021年上半年市场需求增加，同时Okmetic和新傲科技产能较上年同期有所提升，因此200mm及以下半导体硅片（含SOI硅片）销量持续增加。12英寸半导体硅片收入6.88亿元，同比提高117.94%，占营收比27.91%，12英寸占比持续提高，主要由于市场需求增加以及上海新昇的产能逐步扩大，产品规格档次较上年同期进一步提升。
公司8英寸硅片盈利能力比较稳定，12英寸硅片毛利率明显改善。2019-2021年，公司8英寸硅片毛利率分别为24.44%、21.76%、21.48%，12英寸硅片毛利率分别为-47.96%、-34.82%、-6.17%，公司300mm半导体硅片毛利率总体呈上升趋势，但是毛利率持续为负，主要原因为半导体硅片属于技术、资金和人力多重密集型行业，由于300mm半导体硅片生产设备价格较高，公司生产设备、厂房购建需要投入大量资金，目前产能还处于快速提升阶段。2021年，公司12英寸硅片毛利率-6.17%，呈现明显改善趋势。
费用方面，销售费用稳中有升，研发费用和财务费用略有降低，管理费用有所升高，随着
硫脲的缓蚀研究公司收入规模的增长，整体费用率呈现下降趋势，2021年，公司销售、管理、研发、财务费用率分别为2.84%、14.16%、5.10%、1.92%，同比分别-15.78pct、-12.43pct、-54.61pct、-29.46pct，各项费用占收入比例明显下降。
2.硅片为芯片制造核心材料，持续受益下游需求成长
2.1.硅片是芯片制造的核心原材料，技术壁垒高
硅片是半导体制造核心原材料：半导体硅片是生产集成电路、分立器件、传感器等半导体产品的关键材料，是半导体产业链基础性的一环，其核心工艺包括单晶工艺、成型工艺、抛光工艺、外延工艺等，技术专业化程度颇高。通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件，目前90%以上的半导体产品使用硅基材料制造。半导体硅片行业属于技术密集型行业，具有研发投入高、研发周期长、研发风险大的特点。
硅片制备流程复杂，技术难度高。半导体产业使用的是单晶硅片，其生产流程为，首先从硅矿中制备多晶硅，多晶硅在单晶炉内的培育生长生成单晶硅棒，单晶硅棒经过切割、倒角、研磨、刻蚀、抛光、清洗等环节，得到硅片成品。制备过程的技术重难点包括硅片纯
度、氧含量、表面颗粒、晶体缺陷、表面/体金属含量、翘曲度、平整度、体电阻率等参数的控制。最终产出的硅片需要达到高纯度、低杂质含量、高平坦度的要求，并且具有特定的电学性能。
单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的，目前制备单晶硅的方法主要有直拉法 （CZ法）和悬浮区熔法（FZ法）；该技术的重点在于保证拉制出的硅锭保持极高纯度水平（纯度至少为99.9999999%）的同时，有效控制晶体缺陷的密度。直拉法：在一个直筒型的热系统用石墨电阻加热，将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度，然后将籽晶插入熔体表面进行熔接，同时转动籽晶，再反转坩埚，籽晶缓慢向上提升，经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程，得到单晶硅。
悬浮区熔法的原理是将圆柱形硅棒固定于垂直方向，利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区，这两个棒朝相反方向旋转；然后将在多晶棒与籽晶间只靠表面张力形成的熔区沿棒长逐步向上移动进行单晶生长，单晶棒的直径主要由顶部和底部的相对旋转速率控制。相比悬浮区熔法，直拉法成本更低，生长速率较快，更适合大尺英寸（12英寸）单晶硅棒的拉制，目前约85%单晶硅片皆由直拉法制成，主要应用在逻辑，
存储器芯片中。悬浮区熔法很适合制作电力电子器件（因为产出的硅片电阻率较高），悬浮区熔法制备的单晶硅占有的市场份额较小（约15%）。
按单晶硅棒后续处理的不同工艺，硅片可分为抛光片、外延片、SOI硅片等。
抛光片（PW）：由单晶硅棒经过切割、研磨、抛光等工艺而产出。抛光片应用广泛，目前半导体行业所使用的硅片70%都为抛光片，既可直接用于制作存储芯片与功率器件等半导体器件，又可作为外延片、SOI片的衬底材料。
外延片（EW）：以抛光片为衬底，沿着原来的结晶方向生长出一层新单晶层（外延层）而产出，即外延片=衬底+外延层。随着半导体制造工艺的进步，外延片应用增加，占比逐渐上升，28nm以上的制程都需要使用外延技术，故未来外延片将占据主流。外延片被大规模应用于对稳定性、缺陷密度、高电压及电流耐受性等有高要求的半导体器件中，主要包括MOSFET、晶体管等功率器件，以及CIS、PMIC等模拟器件，终端应用包括汽车、高端装备制造、能源管理、通信、消费电子等。
金长城国际广告绝缘体上硅（SOI）：在两个抛光片之间夹一层具有高电绝缘性的氧化物层，再将其粘合
在一起而产出。SOI共有三层结构：底层起支撑作用；顶层用于蚀刻电路；氧化层起到保护芯片上的晶体管，减小晶体管的静电电容，加快晶体管的状态切换，提高器件运行速度等作用。SOI具有寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强等优点，适用于耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片上，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子芯片、传感器以及星载芯片等。
cla共轭亚油酸2.2大尺英寸化、制程升级为行业趋势，12英寸硅片占比持续提高
硅片大尺英寸化是大势所趋，12英寸占比有望持续提高。硅片尺英寸越大，在单片硅片上制造的芯片数量就越多，同时硅片圆形边缘的相对损失越小，有利于降低单位芯片的成本。并且芯片制造时遇到硅片缺陷的概率变低，可提高芯片良率。从2008年起，12英寸硅片市场份额超过8英寸硅片成为主流。2020年全球12英寸硅片出货面积达到84.76亿平方英寸，占全年市场出货总面积的69.15%。目前，12寸硅片已成为业界主流，ICMtia预测，2021年12英寸出货面积将占总面积的75%以上。而6/8寸硅片的需求比例被进一步压缩。根据SUMCO，全球12英寸硅片2021年四季度的出货量超过了750万片/月，8英寸出货量约600万片/月。未来，随着落后产能的不断退出，小尺英寸硅片产能将逐步转向8英寸转移，而8英寸产能将逐步转向12英寸，大尺英寸硅片的占比将持续上升。条形码标签
