abs-210专利类型：发明专利
金属导电膜发明人：晏恒峰，程樗元，雷志辉，李海洋申请号：CN202210571637.0
申请日：20220525
公开号：CN114664654A
公开日：
20220624
淤泥固化剂
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体光刻方法，包括步骤S01，在硅片上制备SiO2膜，将SiO2膜厚度均匀性控制在10%以内；步骤S02，在SiO2膜上选定破膜区；通过激光脉冲在破膜区的SiO2膜上先切割出深槽，然后对整个SiO2膜进行化学蚀刻工艺处理，使SiO2膜厚度整体下降，直至深槽底部的SiO2膜被去除，到达硅片表面；步骤S03，在硅片上获得SiO2膜的图案。简化芯片制造过程，降低成本，更加环保便捷。 申请人：常州英诺激光科技有限公司
地址：213000 江苏省常州市武进区常武中路18-69号常州科教城英诺激光大厦3楼
国籍：CN
代理机构：常州市权航专利代理有限公司
圆钢加工代理人：赵慧
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