一种改善化学抛光层间均匀性的方法及其应用与实现其的系统及控制方法与流程

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1.本发明属于化学抛光技术领域,涉及一种改善化学抛光层间均匀性的方法及其应用与实现其的系统及控制方法。


背景技术:



2.铝合金阳极的生产包括除油、腐蚀、抛光、除灰及阳极氧化等工序,其中抛光工序以对设备要求较低的化学抛光为主,但化学抛光却是铝合金阳极制程中较难控制的一环,为更好地为后续工序做好基础,需要严格要求经化学抛光后的抛光件应具有整体均匀一致的光泽度和粗糙度;为达到此目的,相关技术人员从不同方面对抛光均匀性的提升做出了尝试和探索。
3103572296a公开了一种化学抛光液所述抛光液包括磷酸、磷酸、缓蚀剂和增稠剂;所述缓蚀剂与增稠剂的重量比为1:(1~30),使用该发明提供的化学抛光液可以在抛光过程中对工件达到抛光的效果,当工件完成抛光后提到空气中时,工件表面抛光后的新鲜金属表面均匀吸附了抛光液,但是由于该抛光液的水粘性大,且吸附性强,阻止了空气的进入,所以延长了空停时间,有效防止了抛光过程中对铝合金表面产品的过腐蚀及过氧化,从而避免了异的产生;但缓蚀剂和增稠剂的使用增加了成本,且需要增加额外的清洗步骤,以防止缓蚀剂和增稠剂对后续工序造成影响。
4112210779a公开了一种双梯度抛光的方法,包括对铝合金工件表面进行转速以及抛光时间梯度增加的多步机械抛光,对机械抛光之后的铝合金工件依次进行脱脂处理、碱洗处理和中和处理以及对铝合金工件表面进行抛光液中的硫酸含量以及抛光时间梯度增加的多步化学抛光的步骤;通过在机械和化学抛光中进行多梯度的设置,可以得到区域间光泽度均匀性好的抛光产品;该发明需要将机械抛光与化学抛光相配合,使得工序繁琐,时间消耗及成本增加。
5112430816a公开了一种可随温度调节反应时间的铝合金化学抛光装置,包括主箱体,主箱体内设有开口向右的工作腔,工作腔下侧连通设有化学试剂腔,化学试剂腔左侧设有滑块腔,工作腔上侧连通设有升降杆腔,升降杆腔上侧设有换向腔,换向腔右侧连通设有右换向板腔,换向腔左侧连通设有换向轴腔,该装置通过托块的升降来自动完成抛光的过程,避免人工的操作不当,同时还可通过记忆金属对化学试剂腔内的温度进行感知,然后通过滑块来调节取出铝合金棒的时间,使铝合金棒化学抛光的时更加准确的被控制,进而避免过腐蚀,提高均匀性;但所述设备结构复杂,操作繁琐,设备成本高,不利于企业进行大规模生产。
6.为了适应铝合金阳极的大规模、快速制造,目前常采用plc控制的天车系统进行工业化、自动化生产,通常将待处理件通过挂具承载于可移动和/或升降的天车上,再依次进入相关工序进行处理。但是,当使用天车进行自动化的化学抛光时,现有的天车升降方式存在固有的缺点,会导致在挂具不同层之间的产品产生较大的外观均匀性的差异,其原因在
于,现有技术所控制的升降过程会使挂具的上层产品相对于中下层产品的有效反应时间过长,反应程度更深,最终导致上层产品出光更强,不同层之间产品的抛光均匀性不一致,达不到客户要求及出货标准,且每批次会产生约3~6%的报废产品,大大增加了生产成本,降低了生产效率。目前,没有针对此问题的有效改善措施,因而造成了大量的损失,缩减了厂商的经济效益。
7.综上所述,尚需要开发一种新的技术方案,以解决大规模生产时,挂具不同层之间产品光泽性差异的问题。


技术实现要素:



8.鉴于现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种改善化学抛光层间均匀性的方法及其应用与实现其的系统及控制方法,所述改善化学抛光层间均匀性的方法使包含至少两层待抛光件的挂具缓慢浸入抛光液进行抛光,抛光结束后快速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件;其中,所述缓慢浸入的速度为8~10.5秒/层,所述快速提拉的速度为3~4.6秒/层。通过将特定的缓慢浸入速度与特定的快速提拉速度进行搭配,可以平衡挂具不同层之间产品的有效反应时间及反应程度,最终减小层与层之间的差异,使各层产品的光泽度更加均匀一致。
9.为达此目的,本发明采用以下技术方案:
10.第一方面,本发明提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法将纵向排布的至少两层的待抛光件缓慢浸入抛光液进行抛光,抛光结束后经快速提拉脱离所述抛光液,得到抛光件;其中,所述缓慢浸入的速度为8~10.5秒/层,所述快速提拉的速度为3~4.6秒/层。
11.本发明所述改善化学抛光层间均匀性是指纵向排布的至少两层的待抛光件完成整个抛光过程后,所得每一层的抛光件与其它层的抛光件相比,整体均匀性尤其是光泽度均匀性的差异减小。
12.化学抛光的出光效果受两个过程的综合影响,一是抛光件在抛光液内的处理过程,二是抛光件从抛光液中脱离后暴露于空气中时,由于温度仍然较高且表面有残留的抛光液,因此反应并不会立即停止。在控制多层挂具的升降进行化学抛光时,纵向多层排布的抛光件在浸入和脱离抛光液时均存在先后顺序,因而会产生与抛光液接触及空气暴露时间长短的差异,进而影响了不同层之间的抛光效果。通常,在多层的待抛光件降入抛光液时,下层产品先与抛光液反应实现抛光,下层产品出光比上层高,出光效果由下到上递减分布;当使其上升并从抛光液脱离时,上层产品先与空气接触,上层产品出光比下层高,出光效果由下到上递增分布,且脱离抛光液后在空气中暴露的过程相较于处于抛光液中的过程来说,对光泽度的影响更为深刻,即空气中停留时间越长的部分,反应越剧烈,出光越快。因此,本发明提出了缓降快升的技术方案,通过大量的实验探索发现,将缓降速度控制在8~10.5秒/层,并将快速提拉的速度控制在3~4.6秒/层,两者相互配合,有利于减小温度和时间差带来的层间影响,进而减小不同层间的光泽差异,提高不同层抛光件的光泽均匀性,使得同批次的良品率大大提高,制程能力提升20~30%,并能使单槽(2500l)每天少产生约1500片的报废件。
13.本发明所述缓慢浸入的速度为8~10.5秒/层,例如8秒/层、8.2秒/层、8.4秒/层、
8.6秒/层、8.8秒/层、9秒/层、9.2秒/层、9.4秒/层、9.6秒/层、9.8秒/层、10秒/层、10.2秒/层、10.4秒/层或10.5秒/层等;所述快速提拉的速度为3~4.6秒/层,例如3秒/层、3.2秒/层、3.4秒/层、3.6秒/层、3.8秒/层、4秒/层、4.2秒/层、4.4秒/层或4.6秒/层等,但并不仅限于所列举的数值,上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
14.以下作为本发明优选的技术方案,但不作为本发明提供的技术方案的限制,通过以下技术方案,可以更好地达到和实现本发明的技术目的和有益效果。
15.作为本发明优选的技术方案,所述缓慢浸入及所述快速提拉均为匀速运动。
16.作为本发明优选的技术方案,所述挂具中每层的垂直高度为20~30cm,例如20cm、21cm、22cm、23cm、24cm、25cm、26cm、27cm、28cm、29cm或30cm等,但并不限于所列举的数值,上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
17.作为本发明优选的技术方案,所述挂具的层数为2~5层,例如2层、3层、4层、5层。
18.需要说明的是,挂具的层数越多时,为减小层间差异,所述缓慢浸入的速度及所述快速提拉的速度均应适当减小,相应地选取优选范围内较小的数值。由于实际生产的具体情况不同,本领域的技术人员可以根据设备的规格对层数进行增加和拓展,当挂具的层数大于5层时,每增加一层所对应的缓慢浸入的速度相对于前一层应减少2.4%,但不得低于8秒/层;快速提拉的速度相对于前一层应减少3%,但不得低于3秒/层。
19.优选地,所述抛光液包括磷酸和/或硫酸。
20.优选地,所述抛光液还包括化抛添加剂。
21.优选地,所述进行抛光的温度为70~80℃,例如70℃、71℃、72℃、73℃、74℃、75℃、76℃、77℃、78℃、79℃或80℃等,但并不限于所列举的数值,上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
22.优选地,所述进行抛光的时间为100~300s,例如100s、120s、140s、160s、180s、200s、220s、240s、260s、280s或300s等,但并不限于所列举的数值,上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
23.作为本发明优选的技术方案,当所述挂具为3层时,所述缓慢浸入的速度为10秒/层。
24.优选地,当所述挂具为3层时,所述快速提拉的速度为4.3秒/层。
25.作为本发明优选的技术方案,当所述挂具为4层时,所述缓慢浸入的速度为8.5秒/层。
26.优选地,当所述挂具为4层时,所述快速提拉的速度为3.3秒/层。
27.第二方面,本发明提供了一种根据第一方面所述方法的应用,所述应用包括铝合金阳极的生产。
28.第三方面,本发明提供了一种实现第一方面所述方法的系统,所述系统包括化抛槽、设置于所述化抛槽上方的带有飞靶的天车、设置于所述化抛槽与所述天车之间的定位桩以及与所述天车及所述定位桩电性连接的自动控制单元。
29.作为本发明优选的技术方案,所述自动控制单元包括电性相连的主服务器以及plc,所述主服务器用于存储数据及收发指令,所述plc用于控制所述天车的移动和升降操作。
30.第四方面,本发明提供了一种第三方面所述系统的控制方法,所述控制方法包括
如下步骤:
31.(1)将待抛光件装载于至少两层的挂具中,并将所述挂具连接于天车的飞靶;启动自动控制单元控制天车,使所述飞靶移动到指定的化抛槽的上方,再控制所述飞靶按照设定的缓慢浸入的速度匀速下降,当所述挂具中的所有抛光件浸入抛光液时,所述飞靶停至定位桩;
32.(2)当步骤(1)中所述飞靶停至定位桩时,开始计时,进行抛光;
33.(3)当步骤(2)中所述抛光结束时,所述自动控制单元控制天车,使所述飞靶离开定位桩,并按照设定的快速提拉的速度匀速上升,当所述挂具中的所有抛光件脱离抛光液并完全离开化抛槽时,移动所述飞靶进入下一道工序。
34.与现有技术方案相比,本发明至少具有以下有益效果:
35.本发明通过将特定的缓慢浸入速度与特定的快速提拉速度进行搭配,可以平衡挂具不同层之间产品的有效反应时间及反应程度,最终减小层与层之间的出光差异,使各层产品的光泽度更加均匀一致;使用本发明的方法可以使得同批次的良品率大大提高,制程能力提升20~30%,并能使单槽(2500l)每天少产生约1500片的报废件。
附图说明
36.图1是本发明所述实现改善化学抛光层间均匀性的方法的系统的俯视示意图;
37.图2是本发明所述实现改善化学抛光层间均匀性的方法的系统的侧视示意图;
38.图中:1-化抛槽,2-天车,3-飞靶,4-挂具,5-定位桩;
39.图3是本发明实施例1所得抛光件沿挂具高度的均匀性-等高线分布图;
40.图4是本发明实施例1所得抛光件按挂具层数的均匀性的正态分布图。
具体实施方式
41.下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了,所述实施例仅仅是帮助理解本发明,不应视为对本发明的具体限制。
42.图1及图2为本发明所述实现改善化学抛光层间均匀性的方法的系统的示意图,从图中可以看出,所述系统包括化抛槽1、设置于所述化抛槽1上方的带有飞靶3的天车2、设置于所述化抛槽1与所述天车2之间的定位桩5以及与所述天车2及所述定位桩5电性连接的自动控制单元(未示出),若干挂具4分为纵向的多层依次连接于所述飞靶3,所述挂具4上负载有待抛光件。
43.以下实施例及对比例使用的挂具中每层的垂直高度均为21cm;抛光件均为同样尺寸规格的抛光件,具体地,当所述天车将飞靶移动到化抛槽的正上方时,所述挂具由下到上每一层中的抛光件的最下端与抛光液面之间的垂直距离为:第一层29cm、第二层50cm、第三层71cm、第四层92cm,以此类推。
44.实施例1
45.本实施例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有3层待抛光件的挂具,以10秒/层的速度匀速浸入抛光液,于75℃进行抛光200s,抛光结束后以4.3秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
46.实施例2
47.本实施例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有4层待抛光件的挂具,以8.5秒/层的速度匀速浸入抛光液,于73℃进行抛光240s,抛光结束后以3.3秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
48.实施例3
49.本实施例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有2层待抛光件的挂具,以10.5秒/层的速度匀速浸入抛光液,于80℃进行抛光100s,抛光结束后以4.6秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
50.实施例4
51.本实施例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有5层待抛光件的挂具,以8秒/层的速度匀速浸入抛光液,于70℃进行抛光300s,抛光结束后以3秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
52.实施例5
53.本实施例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有6层待抛光件的挂具,以8秒/层的速度匀速浸入抛光液,于77℃进行抛光160s,抛光结束后以3秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
54.实施例6
55.本实施例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有7层待抛光件的挂具,以8秒/层的速度匀速浸入抛光液,于78℃进行抛光180s,抛光结束后以3秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
56.对比例1
57.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有3层待抛光件的挂具,以3.3秒/层的速度匀速浸入抛光液,于75℃进行抛光200s,抛光结束后以4.3秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
58.对比例2
59.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有3层待抛光件的挂具,以10秒/层的速度匀速浸入抛光液,于75℃进行抛光200s,抛光结束后以5.3秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
60.对比例3
61.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有3层待抛光件的挂具,以3.3秒/层的速度匀速浸入抛光液,于75℃进行抛光200s,抛光结束后以5.3秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使
其脱离所述抛光液,得到抛光件。
62.对比例4
63.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有3层待抛光件的挂具,以12秒/层的速度匀速浸入抛光液,于75℃进行抛光200s,抛光结束后以4.3秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
64.对比例5
65.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有3层待抛光件的挂具,以10秒/层的速度匀速浸入抛光液,于75℃进行抛光200s,抛光结束后以2.5秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
66.对比例6
67.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有3层待抛光件的挂具,以12秒/层的速度匀速浸入抛光液,于75℃进行抛光200s,抛光结束后以2.5秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
68.对比例7
69.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有4层待抛光件的挂具,以7秒/层的速度匀速浸入抛光液,于73℃进行抛光240s,抛光结束后以3.3秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
70.对比例8
71.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有4层待抛光件的挂具,以8.5秒/层的速度匀速浸入抛光液,于73℃进行抛光240s,抛光结束后以5秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
72.对比例9
73.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有4层待抛光件的挂具,以7秒/层的速度匀速浸入抛光液,于73℃进行抛光240s,抛光结束后以5秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
74.对比例10
75.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有4层待抛光件的挂具,以11秒/层的速度匀速浸入抛光液,于73℃进行抛光240s,抛光结束后以3.3秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
76.对比例11
77.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有4层待抛光件的挂具,以8.5秒/层的速度匀
速浸入抛光液,于73℃进行抛光240s,抛光结束后以2.8秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
78.对比例12
79.本对比例提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法,所述方法使用的抛光液含有磷酸、硫酸及化抛添加剂;所述方法使负载有4层待抛光件的挂具,以11秒/层的速度匀速浸入抛光液,于73℃进行抛光240s,抛光结束后以2.8秒/层的速度匀速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件。
80.使用光泽机对实施例1所得所有的抛光件进行测试,并绘制以挂具的纵向高度为函数的光泽度等高线图以及根据挂具层数的光泽度正态分布直方图,分别如图3及图4所示,从图3中可以看出横坐标为挂具从左向右排布顺序,纵坐标代表层次,可以看出光泽分布均匀;图4中上规格限、下规格限代表在制作过程中的光泽管控范围,对图4中的结果进行分析及统计,如表1所示,可以看出调整到最佳参数光泽是均匀分布的,集中性较好,上下层次之间差异减少。
81.表1
[0082][0083]
注:表1中索引列的各个项目代表process capability index,即,工序能力指数;
[0084]
其中,cp表示不考虑偏移(均值是规格中心值)时的短期过程能力指数,cp反映的是能够达到的过程能力的最高水平,除非进行剔除普通原因的系统措施;
[0085]
cpk代表考虑偏移(均值不是规格中心值)时的短期过程能力指数,cpk反映实际的过程能力,提高的途径是减少偏移,往往是采取一些剔除特殊原因的局部措施即可提高cpk值;
[0086]
在表一中,如果cp数值越大标示制程能力越好,制作产品良率越高;本技术中改善光泽的效果最终是为了提高制程能力;
[0087]
cpl测量过程均值趋近规格下限的程度;
[0088]
cpu测量过程均值趋近规格上限的程度;
[0089]
cpm是值关键线路法,是一种计划管理。
[0090]
对其他实施例及对比例中所得抛光件也进行了同样的测试,取总体sigma能力中的95%上限的cp与cpk值进行比较,并将合计的期望总体百分比不合格率作为废品率,以上结果如表2所示。
[0091]
表2
[0092][0093]
由表2可以看出:
[0094]
缓慢浸入和快速脱离的快慢都直接影响了cp能力和良品率(100%-废品率),在将两者的速度调整到最佳的参数后,cp/cpk能力也达到制程能力最优状态。即,本发明通过将特定的缓慢浸入速度与特定的快速提拉速度进行搭配,可以平衡挂具不同层之间产品的有效反应时间及反应程度,最终减小层与层之间的差异,使各层产品的光泽度更加均匀一致。
[0095]
本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征,但本发明并不局限于上述详细结构特征,即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
[0096]
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
[0097]
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
[0098]
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。

技术特征:


1.一种改善化学抛光层间均匀性的方法,其特征在于,所述方法将纵向排布的至少两层的待抛光件缓慢浸入抛光液进行抛光,抛光结束后经快速提拉脱离所述抛光液,得到抛光件;其中,所述缓慢浸入的速度为8~10.5秒/层,所述快速提拉的速度为3~4.6秒/层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述缓慢浸入及所述快速提拉均为匀速运动。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述挂具中每层的垂直高度为20~30cm。4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法,其特征在于,所述挂具的层数为2~5层;优选地,所述抛光液包括磷酸和/或硫酸;优选地,所述抛光液还包括化抛添加剂;优选地,所述进行抛光的温度为70~80℃;优选地,所述进行抛光的时间为100~300s。5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法,其特征在于,当所述挂具为3层时,所述缓慢浸入的速度为10秒/层;优选地,当所述挂具为3层时,所述快速提拉的速度为4.3秒/层。6.根据权利要求1-5任意一项所述的方法,其特征在于,当所述挂具为4层时,所述缓慢浸入的速度为8.5秒/层;优选地,当所述挂具为4层时,所述快速提拉的速度为3.3秒/层。7.一种根据权利要求1-6任意一项所述方法的应用,其特征在于,所述应用包括铝合金阳极的生产。8.一种实现权利要求1-6任意一项所述方法的系统,其特征在于,所述系统包括化抛槽、设置于所述化抛槽上方的带有飞靶的天车、设置于所述化抛槽与所述天车之间的定位桩以及与所述天车及所述定位桩电性连接的自动控制单元。9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述自动控制单元包括电性相连的主服务器以及plc,所述主服务器用于存储数据及收发指令,所述plc用于控制所述天车的移动和升降操作。10.一种权利要求8或9所述系统的控制方法,其特征在于,所述控制方法包括如下步骤:(1)将待抛光件装载于至少两层的挂具中,并将所述挂具连接于天车的飞靶;启动自动控制单元控制天车,使所述飞靶移动到指定的化抛槽的上方,再控制所述飞靶按照设定的缓慢浸入的速度匀速下降,当所述挂具中的所有抛光件浸入抛光液时,所述飞靶停至定位桩;(2)当步骤(1)中所述飞靶停至定位桩时,开始计时,进行抛光;(3)当步骤(2)中所述抛光结束时,所述自动控制单元控制天车,使所述飞靶离开定位桩,并按照设定的快速提拉的速度匀速上升,当所述挂具中的所有抛光件脱离抛光液并完全离开化抛槽时,移动所述飞靶进入下一道工序。

技术总结


本发明提供了一种改善化学抛光层间均匀性的方法及其应用与实现其的系统及控制方法,所述改善化学抛光层间均匀性的方法使包含至少两层待抛光件的挂具缓慢浸入抛光液进行抛光,抛光结束后快速提拉所述挂具,使其脱离所述抛光液,得到抛光件;其中,所述缓慢浸入的速度为8~10.5秒/层,所述快速提拉的速度为3~4.6秒/层。通过将特定的缓慢浸入速度与特定的快速提拉速度进行搭配,可以平衡挂具不同层之间产品的有效反应时间及反应程度,最终减小层与层之间的差异,使各层产品的光泽度更加均匀一致,大大提高良品率,并能使制程能力提升20~30%,每天可减少产生约1500片的报废件。每天可减少产生约1500片的报废件。每天可减少产生约1500片的报废件。


技术研发人员:

王正祥 杨新煌 殷石见

受保护的技术使用者:

立铠精密科技(盐城)有限公司

技术研发日:

2022.08.30

技术公布日:

2022/11/25

本文发布于:2022-11-26 20:51:16,感谢您对本站的认可!

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