一种功率放大器芯片的防过载结构的制作方法

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1.本实用新型涉及电子产品领域，具体为一种功率放大器芯片的防过载结构。

背景技术：

2.功率放大器是指在给定失真率条件下，能产生最大功率输出以驱动某一负载，功率放大器工作时是通过一个芯片进行处理控制，众所周知芯片在进行使用时会产生大量的热量，当芯片单位时间内处理信息过多，芯片负荷超过额定负载时，会产生电流过大以及设备发热的过载情况，引起芯片烧毁的可能，从而造成极大的财产损失。

技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种功率放大器芯片的防过载结构，以解决上述背景技术中提出的问题。
4.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种功率放大器芯片的防过载结构，所述防过载结构包括：
5.壳体，所述壳体上端一侧竖直对称设有若干散热片，且壳体两侧对称设有若干针脚；
6.散热组件，所述散热组件插接若干散热片之间设置，且散热组件包括分流管和若干散热管；
7.动力管，所述动力管通过膨胀组件与分流管相连接，且膨胀组件包括膨胀管；
8.电连接组件，所述电连接组件对称设于壳体内两侧，且电连接组件包括两个连接条；
9.推动组件，所述推动组件设于膨胀管和两个连接条之间，且推动组件包括推杆和受压块。
10.优选的，若干所述散热管分别插接分流管一侧，若干散热管分别插接相邻两散热片之间设置，壳体上端分流管一侧竖直对称设有两个卡板，分流管一侧设有进液头，且进液头插接两卡板之间设置。
11.优选的，所述膨胀管为高弹性耐磨胶管，膨胀管两侧分别通过管接头插接分流管的进液头和动力管一侧设置。
12.优选的，所述壳体内两侧对称开设有活动槽，两个连接条分别水平插接置于活动槽内，活动槽内一侧中心水平设有导向杆，导向杆一侧插接连接条设置，且导向杆均套接设有第一弹簧。
13.优选的，所述连接条均贯穿开设有若干接电槽，若干针脚分别贯穿壳体位于活动槽一侧水平插接置于活动槽内，针脚置于活动槽内一侧贯穿分别贯穿插接若干接电槽设置，接电槽内一侧均设有接电块，接电块为u形结构设置，接电块的u形槽内两侧中心对称设有凸条，针脚置于接电槽内上下两侧对称开设有凹槽，且接电块与针脚交错设置。
14.优选的，所述壳体的活动槽内一侧开设有控制槽，连接条一侧贯穿插接置于控制
槽内设置，控制槽内上端均贯穿壳体开设有条形槽，连接条置于控制槽内一侧上端竖直设有安装块，安装块贯穿插接条形槽设置，且受压块水平设于安装块贯穿条形槽上端。
15.优选的，所述壳体上端靠近膨胀管两侧均对称设有两个定位板，推杆水平贯穿插接两个定位板设置，推杆贯穿定位板一侧设有推块，推块一侧与受压块一侧相接触，且受压块靠近推块一侧面为倾斜面设置。
16.优选的，所述推杆置于两个定位板之间均通过限位块套接设有第二弹簧，且推杆贯穿膨胀管一侧定位板设有接触板。
17.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
18.通过在芯片的外壳上方铺设有若干散热管和散热片，在芯片正常使用时对芯片进行高效散热，提高芯片的使用寿命，然后将芯片的针脚通过连接条的接电块与芯片进行电性连接，在芯片温度越来越高时，膨胀管进行膨胀，从而通过推杆和受压块对连接条进行推动作用，使接电块脱离针脚，断开芯片接电工作。
附图说明
19.图1为本实用新型结构示意图；
20.图2为本实用新型针脚连接结构示意图；
21.图3为本实用新型连接条结构示意图；
22.图4为本实用新型图1的a部位示意图；
23.图5为本实用新型图1的b部位示意图。
24.图中：壳体1、散热片2、分流管3、散热管4、动力管5、膨胀管6、连接条7、推杆8、受压块9、卡板10、活动槽11、导向杆12、接电槽13、针脚14、接电块15、安装块16、推块17。
具体实施方式
25.下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
26.请参阅图1-5，本实用新型提供一种功率放大器芯片的防过载结构：防过载结构包括：
27.壳体1，壳体1上端一侧竖直对称设有若干散热片2，且壳体1两侧对称设有若干针脚14；
28.散热组件，散热组件插接若干散热片2之间设置，且散热组件包括分流管 3和若干散热管4，若干散热管4分别插接分流管3一侧，若干散热管4分别插接相邻两散热片2之间设置，壳体1上端分流管3一侧竖直对称设有两个卡板 10，分流管3一侧设有进液头，且进液头插接两卡板10之间设置；
29.动力管5，动力管5通过膨胀组件与分流管3相连接，且膨胀组件包括膨胀管6，膨胀管6为高弹性耐磨胶管，膨胀管6两侧分别通过管接头插接分流管3的进液头和动力管5一侧设置；
30.电连接组件，电连接组件对称设于壳体1内两侧，且电连接组件包括两个连接条7，壳体1内两侧对称开设有活动槽11，两个连接条7分别水平插接置于活动槽11内，活动槽11
内一侧中心水平设有导向杆12，导向杆12一侧插接连接条7设置，且导向杆12均套接设有第一弹簧，连接条7均贯穿开设有若干接电槽13，若干针脚14分别贯穿壳体1位于活动槽11一侧水平插接置于活动槽11内，针脚14置于活动槽11内一侧贯穿分别贯穿插接若干接电槽13设置，接电槽13内一侧均设有接电块15，接电块15为u形结构设置，接电块 15的u形槽内两侧中心对称设有凸条，针脚14置于接电槽13内上下两侧对称开设有凹槽，且接电块15与针脚14交错设置；
31.推动组件，推动组件设于膨胀管6和两个连接条7之间，且推动组件包括推杆8和受压块9，壳体1的活动槽11内一侧开设有控制槽，连接条7一侧贯穿插接置于控制槽内设置，控制槽内上端均贯穿壳体1开设有条形槽，连接条 7置于控制槽内一侧上端竖直设有安装块16，安装块16贯穿插接条形槽设置，且受压块9水平设于安装块16贯穿条形槽上端，壳体1上端靠近膨胀管6两侧均对称设有两个定位板，推杆8水平贯穿插接两个定位板设置，推杆8贯穿定位板一侧设有推块17，推块17一侧与受压块9一侧相接触，且受压块9靠近推块17一侧面为倾斜面设置，推杆8置于两个定位板之间均通过限位块套接设有第二弹簧，且推杆8贯穿膨胀管6一侧定位板设有接触板。
32.工作原理：使用时将动力管5在现有技术中成熟的液冷驱动装置作用下对分流管3和散热管4进行水循环加强散热，当芯片处理能力即将到达额定负荷时，芯片温度到达一定程度，现有技术中芯片温度传感器对液压装置进行转接控制加快液体流动量和速度，进而在卡板10对膨胀管6和分流管3连接处的卡接作用下，液体在膨胀管6内逐渐汇聚(液体流量和速度增加，但是液体通过管径未变)，从而膨胀管6膨胀，通过接触板对两个推杆8进行推动，进而控制推块17对受压块9进行推动，受压块9对连接条7进行推动，由于针脚14 是固定设置，接电块15与针脚14交错脱离，完成芯片断电。
33.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：

1.一种功率放大器芯片的防过载结构，其特征在于：所述防过载结构包括：壳体(1)，所述壳体(1)上端一侧竖直对称设有若干散热片(2)，且壳体(1)两侧对称设有若干针脚(14)；散热组件，所述散热组件插接若干散热片(2)之间设置，且散热组件包括分流管(3)和若干散热管(4)；动力管(5)，所述动力管(5)通过膨胀组件与分流管(3)相连接，且膨胀组件包括膨胀管(6)；电连接组件，所述电连接组件对称设于壳体(1)内两侧，且电连接组件包括两个连接条(7)；推动组件，所述推动组件设于膨胀管(6)和两个连接条(7)之间，且推动组件包括推杆(8)和受压块(9)。2.根据权利要求1所述的一种功率放大器芯片的防过载结构，其特征在于：若干所述散热管(4)分别插接分流管(3)一侧，若干散热管(4)分别插接相邻两散热片(2)之间设置，壳体(1)上端分流管(3)一侧竖直对称设有两个卡板(10)，分流管(3)一侧设有进液头，且进液头插接两卡板(10)之间设置。3.根据权利要求2所述的一种功率放大器芯片的防过载结构，其特征在于：所述膨胀管(6)为高弹性耐磨胶管，膨胀管(6)两侧分别通过管接头插接分流管(3)的进液头和动力管(5)一侧设置。4.根据权利要求3所述的一种功率放大器芯片的防过载结构，其特征在于：所述壳体(1)内两侧对称开设有活动槽(11)，两个连接条(7)分别水平插接置于活动槽(11)内，活动槽(11)内一侧中心水平设有导向杆(12)，导向杆(12)一侧插接连接条(7)设置，且导向杆(12)均套接设有第一弹簧。5.根据权利要求4所述的一种功率放大器芯片的防过载结构，其特征在于：所述连接条(7)均贯穿开设有若干接电槽(13)，若干针脚(14)分别贯穿壳体(1)位于活动槽(11)一侧水平插接置于活动槽(11)内，针脚(14)置于活动槽(11)内一侧贯穿分别贯穿插接若干接电槽(13)设置，接电槽(13)内一侧均设有接电块(15)，接电块(15)为u形结构设置，接电块(15)的u形槽内两侧中心对称设有凸条，针脚(14)置于接电槽(13)内上下两侧对称开设有凹槽，且接电块(15)与针脚(14)交错设置。6.根据权利要求5所述的一种功率放大器芯片的防过载结构，其特征在于：所述壳体(1)的活动槽(11)内一侧开设有控制槽，连接条(7)一侧贯穿插接置于控制槽内设置，控制槽内上端均贯穿壳体(1)开设有条形槽，连接条(7)置于控制槽内一侧上端竖直设有安装块(16)，安装块(16)贯穿插接条形槽设置，且受压块(9)水平设于安装块(16)贯穿条形槽上端。7.根据权利要求6所述的一种功率放大器芯片的防过载结构，其特征在于：所述壳体(1)上端靠近膨胀管(6)两侧均对称设有两个定位板，推杆(8)水平贯穿插接两个定位板设置，推杆(8)贯穿定位板一侧设有推块(17)，推块(17)一侧与受压块(9)一侧相接触，且受压块(9)靠近推块(17)一侧面为倾斜面设置。8.根据权利要求7所述的一种功率放大器芯片的防过载结构，其特征在于：所述推杆(8)置于两个定位板之间均通过限位块套接设有第二弹簧，且推杆(8)贯穿膨胀管(6)一侧
定位板设有接触板。

技术总结

本实用新型涉及电子产品领域，具体为一种功率放大器芯片的防过载结构，包括壳体、散热组件、动力管、电连接组件、推动组件，壳体上端一侧竖直对称设有若干散热片，且壳体两侧对称设有若干针脚，散热组件插接若干散热片之间设置，且散热组件包括分流管和若干散热管，动力管通过膨胀组件与分流管相连接，通过在芯片的外壳上方铺设有若干散热管和散热片，在芯片正常使用时对芯片进行高效散热，提高芯片的使用寿命，然后将芯片的针脚通过连接条的接电块与芯片进行电性连接，在芯片温度越来越高时，膨胀管进行膨胀，从而通过推杆和受压块对连接条进行推动作用，使接电块脱离针脚，断开芯片接电工作。电工作。电工作。