InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法[发明专利]

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专利名称：InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法专利类型：发明专利

发明人：冯志宏，刘波，尹甲运

申请号：CN200810055348.5

申请日：20080707

公开号：CN101345192A

公开日：

t100k20090114

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法，其采用金属有机化学气相沉积外延生长系统在衬底上生长高质量AlN和AlGaN，该方法采用下述工艺步骤：(1)在衬底上直接生长InAlN缓冲层或者生长完AlN或AlGaN形核层后再生长InAlN缓冲层；(2)在InAlN缓冲层上生长高质量的AlN或AlGaN结晶层；(3)进行器件结构的多层生长。利用本方法生长AlN或AlGaN晶体时，能降低材料的位错密度，改善界面平整度，提高材料的质量；同时增大生长窗口，使材料生长更容易，进而改善日盲型的紫外探测器件的性能，大大提高我国探测器件的武器装备水平。而且探测器件也是民用火灾监测系统的主要部件。

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

皂液盒地址：050051 河北省石家庄市合作路113号179信箱

国籍：CN

代理机构：石家庄国为知识产权事务所

载荷谱仙台病毒代理人：米文智

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本文发布于:2023-07-30 08:12:00，感谢您对本站的认可！

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