一种存储芯片测试座及测试装置的制作方法

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1.本实用新型涉及一种存储芯片测试技术领域，特别是涉及一种存储芯片测试座及测试装置。

背景技术：

2.ic芯片（integrated circuit集成电路）是将大量的微电子元器件集成在一起，形成一块芯片。存储芯片是具有存储功能的ic芯片（如内存芯片，又被人叫做“内存颗粒”），存储芯片是存储器件中最核心的部件，存储芯片的质量可以直接关系到存储设备的性能。所以存储芯片在出厂前要经过严格的检测。
3.一方面现有技术中对存储芯片的测试包括手动测试和自动化测试，目前手动测试占据测试的主流，但是手动测试的效率低，而且需要培养大量的专业测试人员，在人力成本的消耗方面比较高。存储芯片的自动化测试是未来发展的主要方向，只有采用自动化的测试，存储芯片才能实现规模化生产、才能有效的控制生产成本，提高企业的核心竞争力。另一方面存储芯片一般通过测试治具在常温下对其进行测试,而对于存储芯片来说大部分缺陷需要在高温下才能够被发现。
4.鉴于上述情况，有必要开发一种既能符合自动化存储芯片测试的需求又具备提供高温测试环境的存储芯片测试座。

技术实现要素：

5.针对以上现有技术的不足，本实用新型公开了两种技术方案，第一种技术方案为一种存储芯片测试座，本技术方案包含与传统结构不一样的芯片压件，所述的芯片压件结构可以应用在自动化存储芯片测试机台中，实现存储芯片的自动化装载与压合。本技术方案还包含高温测试模块，所述的高温测试模块可以为存储芯片提供高温测试环境，而且所述的高温测试环境可被自动化控温；本实用新型的第二种技术方案提供一种应用第一种技术方案的测试装置，所述的测试装置包含第一种技术方案的所有技术效果。
6.本实用新型的第一种技术方案具体如下：
7.一种存储芯片测试座,包含芯片座与芯片压件,所述的芯片压件与所述的芯片座分离设置，所述的芯片座用于容置存储芯片，所述的芯片压件用于压紧容置于所述的芯片座中的存储芯片。
8.本技术方案中，所述的芯片压件为多层结构，包含第一压件层、设置在所述第一压件层下部的凸出部与设置在所述第一压件层上部的第二压件层。
9.在更优的技术方案中,所述的存储芯片测试座包含高温测试模块，所述的高温测试模块由温控单元、加热单元与测温单元组成。
10.具体地，所述的加热单元电性连接所述的温控单元，用于给存储芯片加热。
11.所述的测温单元电性连接所述的温控单元，用于测量所述存储芯片的温度并把所测量的温度反馈给所述的温控单元。
12.所述的温控单元用于设定所述存储芯片的测试温度以及根据所述测温单元反馈的存储芯片温度来控制所述加热单元工作。
13.在更优的技术方案中,所述的第一压件层包含加热体，所述的加热体的内部设置所述的加热单元，或所述的加热体的表面设置所述的加热单元。
14.进一步地,所述的凸出部的数量为至少两个，设置在所述加热体的下端。
15.在更优的技术方案中, 所述的第一压件层还包含保温层，所述的保温层设置在所述的加热体侧面裸露的部分。
16.进一步地,所述的第二压件层包含隔热层与装配层，所述的隔热层设置在所述的加热体之上，所述的装配层设置在所述的隔热层之上。
17.在更优的技术方案中,所述的第二压件层还包含缓冲层，所述的缓冲层设置在所述的隔热层与装配层之间。
18.进一步地,所述的缓冲层包含弹性元件，所述的弹性元件设置在所述的隔热层与装配层之间。
19.进一步地,所述的弹性元件为弹簧。
20.进一步地,所述的测温单元设置在所述加热体的表面、所述加热体的内部、所述的凸出部的表面或所述的凸出部的内部。
21.所述的温控单元为温控表，设置在所述存储芯片测试座的外部。
22.所述的加热单元为电热丝、电热棒或加热片。
23.所述的测温单元为温度传感器，所述的温度传感器为热电阻、热电偶或热敏电阻中的一种或多种。
24.本实用新型的第二种技术方案为包含第一种技术方案的一种测试装置。
25.本实用新型一种存储芯片测试座及测试装置，本技术方案包含存储芯片测试座，所述的存储芯片测试座包含与现有技术不一样的芯片压件结构，所述的芯片压件结构可以应用在自动化存储芯片测试机台中，实现存储芯片的自动化装载与压合，从而增加自动化存储芯片测试的自动化程度。本实用新型还包含高温测试模块，为存储芯片提供一个高温测试的环境，而且所述的高温测试环境可被自动化精准控温，解决了半导体芯片高温测试困难的问题。
26.本实用新型公开的测试装置包含上述的存储芯片测试座，所以所述的测试装置拥有上面描述的技术效果。
附图说明
27.图1本实用新型一种存储芯片测试座的一种实施例结构示意图。
28.图2本实用新型一种存储芯片测试座中芯片座的结构示意图。
29.图3本实用新型一种存储芯片测试座中高温测试模块的结构示意图。
30.图4本实用新型一种存储芯片测试座中第一压件层的一种实施例结构示意图。
31.图5本实用新型一种存储芯片测试座的一种实施例结构示意图。
32.图6本实用新型一种存储芯片测试座的一种实施例中芯片压件的结构示意图。
33.图7本实用新型一种存储芯片测试座的一种实施例中芯片压件的仰视图。
34.下面结合附图对本实用新型做进一步详细的说明。
35.为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明的省略是可以理解的。相同或相似的标号对应相同或相似的部件。
36.现有技术中对存储芯片（比如内存芯片）的测试还是以手动测试为主的，不管在哪个领域手动的操作就意味着效率低、成本高（比如需要培养大量的专业测试人员，在人力成本的消耗方面比较高）。而在存储芯片测试领域手动测试的上述问题尤其凸出。存储芯片的自动化测试是未来发展的主要方向，只有采用自动化的测试，存储芯片才能实现规模化生产、才能有效的控制生产成本，提高企业的核心竞争力。
37.另一方面存储芯片一般通过测试治具在常温下对其进行测试,而对于存储芯片来说大部分缺陷需要在高温下才能够被发现。
38.鉴于上述情况，有必要开发一种既能符合自动化存储芯片测试的需求又具备提供高温测试环境的存储芯片测试座，此点是本领域技术人员重点关注与需要解决的问题。
39.本实用新型公开的技术方案包含存储芯片测试座，所述的存储芯片测试座包含与现有技术不一样的芯片压件结构，所述的芯片压件结构可以应用在自动化存储芯片测试机台中，实现存储芯片的自动化装载与压合，从而增加自动化存储芯片测试的自动化程度。
40.本实用新型还包含高温测试模块，为存储芯片提供一个高温测试的环境，而且所述的高温测试环境可被自动化精准控温，解决了半导体芯片高温测试困难的问题。
41.所以本实用新型很好的解决上述提到的问题。
42.本实用新型的具体实施例如下：
43.实施例1
44.本实施例一种存储芯片测试座1,包含芯片座20与芯片压件10,所述的芯片压件10与所述的芯片座20分离设置，所述的芯片座20用于容置存储芯片，所述的芯片压件10用于压紧容置于所述的芯片座20中的存储芯片。需要指出的是，芯片座20上设置有多个容置存储芯片的芯片测试位21，每个芯片测试位21可定位容置一个存储芯片。
45.本实施例中，所述的芯片压件10为多层结构，包含第一压件层11、设置在所述第一压件层11下部的凸出部40与设置在所述第一压件层11上部的第二压件层12。
46.本技术方案中所述的凸出部40的数量为至少两个，而本实施例中凸出部40的数量优选为4个。4个所述的凸出部40对应芯片座20上的四个芯片测试位21，如图2所示。
47.芯片压件10与芯片座20分离设置，本实施例中，当四个芯片测试位21被置放好待测存储芯片后，芯片压件10自动移至芯片座20上方并向下压紧，凸出部40刚好压在测试位21中的待测存储芯片上，之后整个存储芯片测试机台开始测试工作。
48.实施例2
49.本实施例与实施例1的不同之处在于,所述的存储芯片测试座1包含高温测试模块30，所述的高温测试模块30由温控单元301、加热单元302与测温单元303组成，如图3所示。
50.本实施例中，所述的加热单元302电性连接所述的温控单元301，用于给存储芯片加热。
51.所述的测温单元303电性连接所述的温控单元301，用于测量所述存储芯片的温度并把所测量的温度反馈给所述的温控单元301。
52.所述的温控单元301用于设定所述存储芯片的测试温度以及根据所述测温单元
303反馈的存储芯片温度来控制所述加热单元302工作。比如存储芯片需要在85℃下进行高温测试，那么就需要在温控单元301上设定85℃，之后加热单元302开始加热，当温控单元301反馈给温控单元301的温度到达85℃时，温控单元301控制温控单元301停止工作。当温控单元301反馈给温控单元301的温度掉落85℃时，温控单元301控制温控单元301开始工作。
53.本实施例中，所述的温控单元301优选为温控表，设置在所述存储芯片测试座的外部。需要指出的是，所述的温控表优选为智能温控表，也可以为普通的温控表，或为一个现有技术中的能满足需求的温控电路模块等。
54.本技术方案中的加热单元302为电热丝、电热棒或加热片，而本实施例中的加热单元302优选为电热棒。
55.本技术方案中的测温单元303为温度传感器，而本实施例中的温度传感器可以为热电阻、热电偶或热敏电阻，本实施例优先选用热电偶。需要指出的是，所述的温度传感器也可以是热电阻、热电偶或热敏电阻中的几种组合，比如高温测试模块30具有多个测温单元303，那么这几个测温单元303可以是相同类型的温度传感器也可以是不同的温度传感器。
56.本实施例如图4所示，所述的第一压件层11包含加热体111，所述的加热体111为金属导热材料，如铜、铁、不锈钢等。
57.本实施例如图4所示，所述的第一压件层11包含加热体111，所述的加热体111为金属导热材料，如铜、铁、不锈钢等。
58.本实施例中，加热单元302设置在加热体111上，具体来说，加热单元302可以设置在加热体111的内部，也可以设置在加热体111的表面（比如设置在加热体111的侧面等）。
59.本实施例中,所述的凸出部40具体设置在所述加热体111的下端。
60.本实施例如图4所示，所述的第一压件层11还包含保温层112，所述的保温层112设置在所述的加热体111侧面裸露的部分。保温层112的设置是为了阻止加热体111的热量损失，节省能源与成本。
61.本实施例中的保温层112优选为碳纤维板保温材料，也可以为现有技术中其他可满足本技术方案的温材料，关于此点本实施例不再赘述。
62.从单纯的技术方案来说，所述的第一压件层11也可以不用设置保温层112，无保温层112本实用新型依然可以完成上述的技术效果。
63.本技术方案中的测温单元303设置在所述加热体111的表面、所述加热体111的内部、所述的凸出部40的表面或所述的凸出部40的内部。本实施例中，测温单元303优选地设置在凸出部40的内部，如图7所示；或测温单元303设置在所述加热体111的侧面，如图4与图7所示；或一个测温单元303设置在凸出部40的内部，另一个测温单元303设置在所述加热体111的侧面，如图7所示。
64.实施例3
65.本实施例与实施例1、实施例2的不同之处在于,所述的第二压件层12包含隔热层121与装配层122，所述的隔热层121设置在所述的加热体111之上，所述的装配层122设置在所述的隔热层111之上，具体如图1所示。
66.本实施例中，所述的隔热层121优选为螺钉连接所述加热体111,也可以为现有技
术中的其他连接方式,本实施例不再赘述。
67.所述的隔热层121优选为碳纤维板保温材料，也可以为现有技术中其他可满足本技术方案的温材料，关于此点本实施例不再赘述。
68.本实施例中，所述的装配层122上设置有装配孔1221，数量优选为3个，装配层122通过所述的装配孔1221安装在存储芯片测试机台上。
69.实施例4
70.本实施例与实施例1、实施例2、实施例3的不同之处在于,所述的第二压件层12还包含缓冲层123，所述的缓冲层123设置在所述的隔热层121与装配层122之间，具体如图5与图6所示。
71.本实施例中,所述的缓冲层123包含弹性元件1231，所述的弹性元件1231设置在所述的隔热层121与装配层122之间。
72.本实施例需要指出的是，缓冲层123是隔热层121与装配层122被弹性元件1231隔开的一条缝隙结构（如图5与图6所示），缓冲层123的厚度随着弹性元件1231的弹性变化而变化。当所述的存储芯片测试座1工作时，芯片压件10压向芯片座20中的存储芯片，缓冲层123减缓了芯片压件10压向存储芯片的力度，从而有利于保护存储芯片以及更好的压紧所述的存储芯片。
73.本实施例中, 所述的弹性元件1231数量优选为两个，均匀设置在隔热层121与装配层122之间。弹性元件1231也可以多于两个，本实施例并不对弹性元件1231的数量做过多的限定。
74.本实施例中, 所述的弹性元件1231为弹簧，所述的弹簧优选为螺旋弹簧，也可以为钢板弹簧或波形弹簧等，关于此点本实施例不再赘述。
75.实施例5
76.本实施例为应用实施例1、实施例2、实施例3或实施例4中一个实施例的一种测试装置，所述的测试装置可以实现实施例1、实施例2、实施例3或实施例4所描述的技术效果。
77.显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。

技术特征：

1.一种存储芯片测试座,包含芯片座与芯片压件,其特征在于，所述的芯片压件与所述的芯片座分离设置，所述的芯片座用于容置存储芯片，所述的芯片压件用于压紧容置于所述的芯片座中的存储芯片；所述的芯片压件为多层结构，包含第一压件层、设置在所述第一压件层下部的凸出部与设置在所述第一压件层上部的第二压件层。2.如权利要求1所述的存储芯片测试座，其特征在于,所述的存储芯片测试座包含高温测试模块，所述的高温测试模块由温控单元、加热单元与测温单元组成；所述的加热单元电性连接所述的温控单元，用于给存储芯片加热；所述的测温单元电性连接所述的温控单元，用于测量所述存储芯片的温度并把所测量的温度反馈给所述的温控单元；所述的温控单元用于设定所述存储芯片的测试温度以及根据所述测温单元反馈的存储芯片温度来控制所述加热单元工作。3.如权利要求2所述的存储芯片测试座，其特征在于,所述的第一压件层包含加热体，所述的加热体内设置所述的加热单元，或所述的加热体的表面设置所述的加热单元。4.如权利要求3所述的存储芯片测试座，其特征在于,所述的凸出部的数量为至少两个，设置在所述加热体的下端。5.如权利要求3所述的存储芯片测试座，其特征在于, 所述的第一压件层还包含保温层，所述的保温层设置在所述的加热体侧面裸露的部分。6.如权利要求3所述的存储芯片测试座，其特征在于,所述的第二压件层包含隔热层与装配层，所述的隔热层设置在所述的加热体之上，所述的装配层设置在所述的隔热层之上。7.如权利要求6所述的存储芯片测试座，其特征在于,所述的第二压件层还包含缓冲层，所述的缓冲层设置在所述的隔热层与装配层之间。8.如权利要求7所述的存储芯片测试座，其特征在于,所述的缓冲层包含弹性元件，所述的弹性元件设置在所述的隔热层与装配层之间。9.如权利要求8所述的存储芯片测试座，其特征在于,所述的弹性元件为弹簧。10.如权利要求3所述的存储芯片测试座，其特征在于,所述的测温单元设置在所述加热体的表面、所述加热体的内部、所述的凸出部的表面或所述的凸出部的内部。11.如权利要求2所述的存储芯片测试座，其特征在于：所述的温控单元为温控表，设置在所述存储芯片测试座的外部；所述的加热单元为电热丝、电热棒或加热片；所述的测温单元为温度传感器，所述的温度传感器为热电阻、热电偶或热敏电阻中的一种或多种。12.一种测试装置，其特征在于，包含权利要求1-11任一所述存储芯片测试座。

技术总结

本实用新型公开了一种存储芯片测试座,包含芯片座与芯片压件,所述的芯片压件与所述的芯片座分离设置，所述的芯片座用于容置存储芯片，所述的芯片压件用于压紧容置于所述的芯片座中的存储芯片，所述的芯片压件为多层结构，包含第一压件层、设置在所述第一压件层下部的凸出部与设置在所述第一压件层上部的第二压件层，本实用新型公开一种与现有技术不一样的芯片压件结构，所述的芯片压件结构可以应用在自动化存储芯片测试机台中，实现存储芯片的自动化装载与压合，本实用新型还包含高温测试模块，所述的高温测试环境可被自动化精准控温，解决了半导体芯片高温测试困难的问题，本实用新型还公开一种包含上述的存储芯片测试座的测试装置。测试装置。测试装置。