玻璃间隔件的制造方法、玻璃间隔件和硬盘驱动器装置与流程

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1.本发明涉及在硬盘驱动器装置内以与磁盘接触的方式设置的环形状的玻璃间隔件的制造方法、玻璃间隔件以及具备该玻璃间隔件的硬盘驱动器装置。

背景技术：

2.伴随着近年来的云计算的拓展，在面向云的数据中心为了存储容量的大容量化而使用了大量的硬盘驱动器装置(以下，也称为hdd装置)。
3.在hdd装置中，在hdd装置内的磁盘彼此之间设置有用于将磁盘彼此分离地保持的环状的间隔件。该间隔件以使得磁盘彼此不接触、磁盘彼此高精度地在规定的位置分离地配置的方式发挥作用。作为该间隔件的材料，以往使用制造成本低的金属材料。
4.然而，在使用玻璃基板作为磁盘用的基板的情况下，间隔件与磁盘相互接触，因此伴随着hdd装置内的温度的变化，在金属制间隔件与玻璃制磁盘之间产生热膨胀差，磁盘发生挠曲，其结果，磁头的上浮性恶化。从硬盘装置的读取、写入的观点出发，不希望磁头的上浮性发生恶化。因此，近年来，针对使用玻璃基板作为磁盘用基板的情况，正在研究使用玻璃制间隔件(以下，称为玻璃间隔件)。
5.但是，由于玻璃通常为绝缘体，因此容易因高速旋转的磁盘和玻璃间隔件与空气的摩擦等而在磁盘或玻璃间隔件上积存静电。若磁盘、间隔件带电，则除了容易吸附异物、微粒之外，由于积存的静电向磁头的放电而有时会导致磁头的记录元件、再生元件被破坏，因此不优选。
6.与此相对，已知有至少在玻璃间隔件的与磁盘的抵接面和内周面覆盖有膜厚0.1～3μm的导电性陶瓷膜的玻璃间隔件(专利文献1)。
7.由此，能够高效地释放磁盘所带的静电，几乎不会使抵接面磨损。
8.在先技术文献
9.专利文献
10.专利文献1：日本特开平9-44969号公报

技术实现要素：

11.发明所要解决的课题
12.但是，在使用玻璃或陶瓷等脆性材料作为间隔件主体的材料的情况下，即使在间隔件主体的表面形成导电性的覆膜，也会出现间隔件主体的脆性材料的一部分成为微粒而发生扬尘的情况。
13.于是，本发明的目的在于，提供一种为了抑制hdd装置内的磁盘所携带的磁头的静电的放电而能够抑制磁盘、玻璃间隔件的带电，进而抑制扬尘的玻璃间隔件、使用该玻璃间隔件的硬盘驱动器装置以及玻璃间隔件的制造方法。
14.用于解决课题的手段
15.本发明的一个方式是在硬盘驱动器装置内以与磁盘接触的方式设置的环形状的
玻璃间隔件的制造方法。
16.所述玻璃间隔件通过在玻璃间隔件主体上形成膜而构成。
17.该玻璃间隔件的制造方法包括在所述玻璃间隔件主体的表面形成所述膜的处理，在所述处理中，一边使所述玻璃间隔件主体的外周端面沿周向旋转，一边使所述玻璃间隔件主体通过所述膜的成分的喷雾状态的场所，由此形成所述膜。
18.本发明的一个方式优选构成为，使与所述环形状的所述玻璃间隔件主体的孔间隙配合的旋转轴穿过所述孔，使所述孔的内周端面的一部分与所述旋转轴接触，使所述旋转轴旋转，由此使所述外周端面旋转。
19.本发明的一个方式优选构成为，所述旋转轴以一边旋转一边向一个方向移动的方式设置在移动机构上。
20.本发明的一个方式优选构成为，通过从所述玻璃间隔件主体的搬运路径的两侧喷雾散布所述膜的成分，从而形成所述喷雾状态的场所。
21.本发明的一个方式优选构成为，所述处理包括对形成于所述玻璃间隔件主体的所述膜进行加热。
22.本发明的一个方式优选构成为，所述膜的表面的算术平均粗糙度ra为1μm以下。
23.本发明的一个方式优选构成为，所述膜的22[℃]时的表面电阻率为10-4
～106[ω/sq]。
[0024]
所述膜例如包含氧化锡、氧化锌和氧化钛中的任一种。
[0025]
本发明的另一个方式是一种用于在硬盘驱动器装置用间隔件的表面形成膜的装置，其中，该装置包括壳体，该壳体至少具有驱动马达和喷雾口，并内置有在一对移动机构上架设旋转轴的间隔件搬运单元。
[0026]
本发明的另一个方式是在硬盘驱动器装置内以与磁盘接触的方式设置的环形状的玻璃间隔件。该玻璃间隔件的包含主表面和端面的整个表面被包含氧化锡、氧化锌和氧化钛中的任意1种的膜覆盖，所述玻璃间隔件的所述端面上的所述膜的厚度比所述玻璃间隔件的所述主表面上的所述膜的厚度厚。
[0027]
本发明的另一个方式优选构成为，所述玻璃间隔件的整个表面上的所述膜的最大膜厚与最小膜厚之差小于所述最大膜厚的一半。
[0028]
本发明的另一个方式优选构成为，所述玻璃间隔件的整个表面被厚度小于100nm的所述膜覆盖。
[0029]
本发明的另一个方式优选构成为，所述玻璃间隔件的端面的算术平均粗糙度ra大于所述玻璃间隔件的主表面的算术平均粗糙度ra。
[0030]
本发明的一个方式优选构成为，所述膜的22[℃]时的表面电阻率为10-4
～106[ω/sq]。
[0031]
本发明的另一个方式是一种硬盘驱动器装置，其包括所述玻璃间隔件和所述磁盘。
[0032]
发明效果
[0033]
根据所述的玻璃间隔件、硬盘驱动器装置和玻璃间隔件的制造方法，能够抑制磁盘和玻璃间隔件的带电，抑制扬尘。
附图说明
[0034]
图1是一个实施方式的间隔件的外观立体图。
[0035]
图2是说明一个实施方式的间隔件和磁盘的配置的图。
[0036]
图3是说明组装有一个实施方式的间隔件的hdd装置的结构的一例的主要部分剖视图。
[0037]
图4是一个实施方式的玻璃间隔件的一例的剖视图。
[0038]
图5是说明一个实施方式的玻璃间隔件的制造方法中的膜的形成的一例的图。
[0039]
图6是说明在一个实施方式的玻璃间隔件的制造方法中使用的间隔件搬运单元的一例的图。
具体实施方式
[0040]
下面，对本发明的玻璃间隔件、硬盘驱动器装置和玻璃间隔件的制造方法进行详细说明。
[0041]
图1是一个实施方式的玻璃间隔件(以下，有时简称为间隔件)1的外观立体图，图2是说明间隔件1和磁盘5的配置的图。图3是说明组装有间隔件1的hdd装置的结构的一例的主要部分剖视图。图4是间隔件1的一例的剖视图。
[0042]
如图2所示，间隔件1以磁盘5与间隔件1交替重叠的方式被组装于hdd装置。如图3所示，多片磁盘5隔着间隔件1嵌插于与马达12连接而旋转的主轴14，进而在该多片磁盘5之上借助顶部夹具16而利用螺钉固定，由此以规定间隔将多片磁盘5安装起来。
[0043]
如图2所示，以间隔件1位于2个磁盘5之间的方式交替地配置间隔件1和磁盘5，并且将相邻的磁盘5之间的间隙保持为规定的距离。此外，在以下的实施方式中说明的间隔件1以在2个磁盘5之间与磁盘5接触的方式设置的间隔件为对象，但作为本发明的对象的间隔件也包括仅与最上层或者最下层的磁盘5接触的间隔件。另外，根据hdd装置的规格，有时也不设置仅与最上层或最下层的磁盘5接触的间隔件1。
[0044]
如图1所示，间隔件1呈环形状，具备外周端面2、内周端面3以及彼此相对的主表面4。
[0045]
内周端面3是与主轴14接触的面，并且是包围内径比主轴14的外径稍大的孔的壁面。
[0046]
圆环形状的间隔件1的尺寸根据所搭载的hdd的规格而适当变更即可，但若是面向公称3.5英寸型的hdd装置，则外径例如为30～34mm，内径例如为24～26mm，半径方向的宽度例如为2～5mm，厚度例如为0.5～3mm。另外，也可以在外周端面2和内周端面3与主表面4的连接部适当地设置倒角面。倒角面的截面形状可以是直线形状也可以是圆弧形状。关于倒角面的尺寸，半径方向、板厚方向的宽度例如为0.01～0.5mm。
[0047]
主表面4是与磁盘5接触的相互平行的2个面。间隔件1与磁盘5紧贴并通过摩擦力固定磁盘5。这样，由于间隔件1与磁盘5相互接触，所以随着hdd装置内的温度的变化，在间隔件1与磁盘5之间热膨胀产生差异而产生位置偏移并发生摩擦。由此，作为绝缘体的玻璃容易产生静电。另外，由于高速旋转的间隔件1与空气的摩擦，容易在间隔件1上产生静电。在间隔件1产生这样的静电，若间隔件1带电，则除了容易吸附异物、微粒之外，由于积存的静电向磁头的放电而有时会导致磁头的记录元件、再生元件被破坏，因此不希望出现静电。
另外，也存在玻璃的一部分从间隔件1的表面成为微粒而扬尘的情况。由于扬尘，微粒在hdd装置的密闭空间内浮游，附着于磁盘5的主表面，成为磁头从磁盘5的读出、向磁盘5的写入的障碍，所以不希望产生扬尘。这样的扬尘特别容易从间隔件1的外周端面产生。这是因为，外周端面在hdd装置的运转中始终暴露，并且接近磁盘5的主表面。另外，存在将间隔件1安装于主轴时发生摩擦而在间隔件1的内周端面发生扬尘的情况。这些扬尘有可能在更换磁盘5的作业即再加工时转移附着到磁盘5的主表面，因此是不希望出现的情况。
[0048]
因此，为了使静电难以积存，防止产生扬尘，间隔件1的整个表面被包含氧化锡或氧化锌的导电性的膜22覆盖。即，如图4所示，间隔件1具有呈环形状的玻璃间隔件主体(以下，称为间隔件主体)20和膜22。膜22例如可以是包含氧化锡(sno2)或氧化锌(zno)的导电膜。另外，膜22也可以是包含氧化钛的膜。也可以是在氧化锡中掺杂了氟的fto、在氧化锌中掺杂了氧化铝(al2o3)的azo。覆盖间隔件1的整个表面的膜22的厚度优选小于100nm。
[0049]
以往，在成膜时使用溅射法等pvd(物理气相沉积：physical vapor deposition)、cvd(化学气相沉积：chemical vapor deposition)或者喷雾法等。但是，在以一般方式使用这些成膜方法的情况下，存在无法从根本上对保持间隔件的保持部件(支承部件)与间隔件接触的部分进行成膜的问题。因此，为了利用保持部件进行保持，间隔件的表面的一部分无法成膜而露出，因此存在玻璃的碎片从露出部分成为微粒而产生扬尘的情况。另外，为了完全消除露出部分，也可以将由保持部件保持的同时成膜的间隔件从成膜装置取出，在由保持部件保持成膜的区域的状态下进行第二次成膜。但是，由于进行2次成膜，因此在与保持部件接触的部位和除此以外的部位会产生约2倍的膜厚不均，而且存在成膜工序变得繁杂、成本增加的问题。
[0050]
在本实施方式中，在不使用上述那样的以往的保持部件的情况下，利用含有氧化锡的膜22覆盖间隔件1的整个表面。
[0051]
覆盖间隔件1的整个表面的膜22的厚度优选为200nm以下，更优选小于100nm。若厚度超过200nm，则有可能制造成本变得过大。另外，若厚度为100nm以上，则膜22的表面凹凸变大，膜22的凸部分在与磁盘5接触时被按压，该凸部的一部分有可能从膜22的表面脱离而成为微粒，从而产生扬尘。产生的微粒在再加工时有可能转移附着到磁盘的主表面，因此不希望出现这种情况。
[0052]
另外，间隔件1的外周端面2和内周端面3上的膜22的厚度优选比间隔件1的主表面4上的膜22的厚度厚。外周端面2上的膜22露出于hdd装置的密闭空间，因此必须抑制从外周端面2产生的扬尘。因此，使外周端面2上的膜22的厚度比间隔件1的主表面4上的膜22的厚度厚，以使间隔件主体20的玻璃不露出于密闭空间。另一方面，内周端面3上的膜22与主轴14摩擦，因此容易产生扬尘。因此，使内周端面3上的膜22的厚度比间隔件1的主表面4上的膜22的厚度厚。例如，间隔件1的主表面4上的膜22的厚度可以设为30nm以上190nm以下，但更优选设为30nm以上90nm以下。另外，外周端面2和内周端面3上的膜22的厚度例如可以设为40nm以上且200nm以下，但更优选设为40nm以上且小于100nm。
[0053]
根据一个实施方式，间隔件1的外周端面2和内周端面3的算术平均粗糙度ra优选大于间隔件1的主表面4的算术平均粗糙度ra。通过增大间隔件1的外周端面2和内周端面3的算术平均粗糙度ra，能够提高膜22的密合性。由此，即使使端面的膜22的膜厚比主表面的膜的厚度厚，也难以产生膜的应力引起的膜剥落。例如，通过对形成膜之前的间隔件1的主
表面4进行研磨，能够使间隔件1的主表面4的算术平均粗糙度ra比外周端面2和内周端面3的算术平均粗糙度ra小。间隔件1的主表面4的算术平均粗糙度ra优选为1.0μm以下。另外，间隔件1的外周端面2和内周端面3的算术平均粗糙度ra优选为0.5μm以上。
[0054]
另外，根据一个实施方式，间隔件1的整个表面上的膜22的最大膜厚与最小膜厚之差优选小于最大膜厚的一半。另外，该差更优选小于所述最大膜厚的4分之1。在间隔件1的表面不存在由于保持夹具等的保持而造成膜22的膜厚极薄的部位的情况下，能够根据间隔件1的主表面、内周端面和外周端面的各个面的膜厚计算出该差。各面的膜厚例如可设为各面的中央部的膜厚。由此，能够减小间隔件1的整个表面的膜22的膜厚的偏差，因此能够防止在形成规定的膜厚时在表面的一部分膜厚变得极薄而无法抑制扬尘的情况。
[0055]
具备这样的膜22的间隔件1的制造包括在成为间隔件1的基础的环形状的间隔件主体20的表面形成膜22的处理。在此时的处理中，一边使间隔件主体20的外周端面2沿周向旋转，一边使间隔件主体20通过膜22的成分的喷雾状态的场所，由此形成膜22。图5是说明一个实施方式的间隔件1的制造方法中的膜的形成的一例的图。
[0056]
这样，通过一边使间隔件主体20的外周端面2沿周向旋转，一边使间隔件主体20通过膜22的成分的喷雾状态23的场所，由此能够高效且均匀地在间隔件主体20的整个表面形成膜22。以往，在利用保持部件保持间隔件主体20的外侧端面的情况下，在保持部分不形成膜22。在形成了膜22之后，虽然也能够将保持部分改变为其他部位而进行第2次的膜22的形成，但膜22的厚度会产生不均。与此相对，在本发明的膜的形成方法中，无需改变保持部件的握持，能够通过1次成膜处理均匀地形成膜22。
[0057]
作为膜22的形成方法的一个实施方式，优选相对于环形状的间隔件主体20的孔间隙配合(loose fit)、即，使相对于孔的内径而言外径较小的旋转轴50穿过孔，使孔的内周面(间隔件主体20的内周端面)的一部分与旋转轴50接触而使旋转轴50旋转，由此使外周端面2旋转。在该方法中，通过旋转轴50的旋转的带动而使间隔件主体20旋转。因此，只要以旋转轴50与间隔件主体20的内周端面产生适度的摩擦的方式适当设计旋转轴50的表面粗糙度和材料即可。另外，也可以在旋转轴50的表面设置凹部(槽)、凸部，以使得在带动旋转过程中在旋转轴的轴向上不会发生位置偏移。通过设置凹部、凸部，从而容易增加安装于1根旋转轴的环状间隔件主体的数量，因此能够提高生产效率。通过在喷雾状态23中使间隔件主体20旋转，能够使膜22的成分高效地附着于间隔件主体20的整个表面(主表面4、外周端面2和内周端面3)。
[0058]
根据一个实施方式，旋转轴50优选以一边旋转一边向一个方向移动的方式设置在移动机构52上。通过该间隔件搬运单元，能够在将间隔件主体20在喷雾状态23中旋转及搬运的同时，在间隔件主体20的整个表面形成膜22。
[0059]
例如如图6所示，移动机构52具有卷绕成螺旋状的一对旋转部件54和未图示的驱动马达。图6是说明在一个实施方式的玻璃间隔件的制造方法中使用的间隔件搬运单元的一例的图。
[0060]
图6所示的旋转部件54通过驱动马达的驱动而旋转，由此使得架设于两侧的旋转部件54上的旋转轴50一边旋转一边在x方向上移动。因此，旋转部件54沿着间隔件主体20的搬运路径而被配置。
[0061]
根据一个实施方式，在多个部位设置喷雾状态23的场所，一边利用移动机构52搬
运间隔件主体20，一边使其通过喷雾状态23的各场所，由此能够在间隔件主体20的整个表面可靠地形成膜22。
[0062]
根据一个实施方式，喷雾状态23的场所优选通过将膜22的成分从以包围间隔件主体20的搬运路径的方式设置的多个喷雾口进行喷雾散布而形成。例如，多个喷雾口能够设置在搬运路径的两侧、左右、上下、上下左右等。另外，也可以沿着间隔件主体20的搬运路径设置多个喷雾口。通过将这些设置方式适当组合，能够抑制膜22的厚度不均。
[0063]
形成膜22的处理也可以包括在膜22的形成中和/或形成后，使用加热单元对形成于间隔件主体20的膜22进行加热。另外，也可以在膜22的形成前预先加热间隔件主体20，利用其余热对膜22进行加热。即，能够适当组合膜22的形成前、形成中、形成后的加热来加热膜22。例如，在微小液滴飞散的喷雾状态23中，微小液滴附着于间隔件主体20的表面而形成液体状态的膜22的情况下，通过对该膜22进行加热处理，引起化学反应而使膜22固化。膜22优选为导电性的氧化物或陶瓷。例如，在形成氧化锡作为膜22的情况下，形成在乙醇等溶剂中溶解有二乙酸二丁基锡、二甲基二氯化锡等锡有机化合物的液体的喷雾状态23，在该喷雾状态23下在间隔件主体20的表面形成膜22，之后，例如以400～600℃进行加热，形成氧化锡。另外，如上所述，也可以在加热间隔件主体20之后和/或加热的同时进行所述喷雾。作为加热单元，可以使用各种加热器、加热板等以往公知的加热装置。
[0064]
并且，作为示例，如图6所示的间隔件搬运单元不限于用于玻璃制间隔件，也可以用于任何间隔件的表面的膜形成。因此，图6举例示出的将间隔件搬运单元内置于至少具有驱动马达、喷雾口以及根据情况设置的加热单元的壳体内的、用于形成膜的装置能够在由任意材料制造的硬盘驱动器装置用间隔件的表面形成膜。
[0065]
膜22的表面的算术平均粗糙度ra优选为1μm以下。
[0066]
膜22的22[℃]时的表面电阻率优选为10-4
～106[ω/sq]。通过使用这样的材料，即使间隔件1或者磁盘5带电，但由于间隔件1的表面电阻率小，因此能够使电荷从间隔件1经由主轴14、或者从磁盘5经由间隔件1和主轴14向间隔件1和磁盘5的外部流动，能够抑制间隔件1和磁盘5的带电。表面电阻率例如可以使用四探针法的电阻率计来测定。
[0067]
膜22的材料例如是包含氧化锡的含锡陶瓷或包含氧化锌的含锌陶瓷。另外，也可以使用包含氧化钛的材料。进而，也可以使用在这些物质中掺杂了氟或氧化铝的材料。由这些材料形成的膜22具有导电性，因此能够使具有膜22的间隔件1的22[℃]时的表面电阻率为10-4
～106[ω/sq]。
[0068]
这样，在间隔件1的制造方法中，一边使间隔件主体20的外周端面沿周向旋转，一边使间隔件主体20通过膜22的成分的喷雾状态的场所，从而形成膜22。由此，能够在间隔件主体20的整个表面形成膜22，能够均匀地形成膜22。另外，由于表面整体被膜22覆盖，因此不存在玻璃露出的部分，能够抑制扬尘的产生。而且，由于能够在大气压下进行处理，因此与pvd、cvd等相比，能够以低成本形成膜22。
[0069]
另外，上述间隔件1的制造方法并不限定于一边使上述间隔件主体20的外周端面沿周向旋转一边使该间隔件主体20通过喷雾状态23的场所来形成膜22的方法，也可以使用其他制造方法。例如，也可以将间隔件主体20载置于加热板等台上，一边适当改变载置方法、喷雾的方法，一边进行多次喷雾，由此在整个表面形成膜22。
[0070]
实施例1
[0071]
准备外径32mm、内径25mm、厚度2mm的玻璃制间隔件。玻璃制间隔件的主表面、内周端面和外周端面的算术平均粗糙度ra分别为0.3μm、0.8μm、0.8μm。
[0072]
膜的形成装置是内置有具备旋转轴和驱动马达的一对旋转部件(螺旋状)的长方体型的壳体(腔室)构造，在上下表面以规定间隔设置有多个喷雾喷嘴和灯加热器。喷雾喷嘴和灯加热器设置成即使搬运玻璃制间隔件也能够充分成膜。使玻璃制间隔件穿过壳体内的旋转轴，将旋转轴架设在一对旋转部件上。以将玻璃制间隔件加热至400℃的方式设定灯加热器的输出，在壳体内的特定区域每隔5秒钟喷雾二乙酸二丁基锡的乙醇溶液，在壳体内的一部分形成喷雾状态。接着，将玻璃制间隔件的x方向(参照图6)的搬运速度设定为10cm/分钟，以使工件以3rpm旋转的方式设定驱动马达等条件。于是，旋转轴一边在旋转部件上旋转一边移动而在喷雾状态中通过。这样，在喷雾状态下对玻璃制间隔件进行加热、搬运，同时在其表面形成膜。形成于玻璃制间隔件的主表面、内周端面和外周端面上的氧化锡膜的厚度分别为70nm、82nm、90nm。这里，端面的膜厚比主表面的膜厚厚。另外，由于最大膜厚与最小膜厚之差为20nm，最大膜厚为90nm，因此可知间隔件1的整个表面上的膜22的最大膜厚与最小膜厚之差满足小于最大膜厚的一半及小于最大膜厚的1/4，膜厚偏差非常小。另外，这些面的算术平均粗糙度ra分别为0.3μm、0.8μm、0.8μm。氧化锡膜形成后的玻璃制间隔件的表面电阻率在22[℃]时处于10-4
～106[ω/sq]的范围内。
[0073]
实施例2
[0074]
使用与上述实施例相同大小的玻璃制间隔件，与上述实施例同样地反复在玻璃制间隔件上形成膜。通过减小喷雾状态中的x方向的搬运速度，形成厚度比实施例1大的膜。形成于玻璃制间隔件的主表面、内周端面和外周端面上的氧化锡膜的厚度分别为140nm、170nm、188nm。这里，端面的膜厚比主表面的膜厚厚。另外，可知间隔件1的整个表面上的膜22的最大膜厚与最小膜厚之差满足小于最大膜厚的一半，膜厚偏差小。另外，这些面的算术平均粗糙度ra分别为0.4μm、0.9μm、1.0μm。
[0075]
实施例3
[0076]
使用与上述实施例相同大小的玻璃制间隔件，与上述实施例同样地反复在玻璃制间隔件上形成膜。通过增大喷雾状态中的x方向的搬运速度，形成厚度比实施例1小的膜。形成于玻璃制间隔件的主表面、内周端面和外周端面上的氧化锡膜的厚度分别为40nm、47nm、51nm。这里，端面的膜厚比主表面的膜厚厚。另外，可知间隔件1的整个表面上的膜22的最大膜厚与最小膜厚之差满足小于最大膜厚的一半及小于最大膜厚的1/4，膜厚偏差非常小。另外，这些面的算术平均粗糙度ra分别为0.3μm、0.8μm、0.8μm。
[0077]
参考例
[0078]
将与实施例1相同的玻璃制间隔件载置于加热板上，升温至400℃。在维持该温度的状态下，从上方以使主表面的膜厚成为70nm的方式喷雾二乙酸二丁基锡的乙醇溶液。接着，将玻璃制间隔件翻过来载置于加热板上，升温至400℃后，同样地喷雾二乙酸二丁基锡的乙醇溶液。在得到的玻璃制间隔件的主表面、内周端面和外周端面上形成的氧化锡膜的厚度分别为70nm、140nm、140nm，虽然端面的膜厚比主表面的膜厚厚，但最大膜厚与最小膜厚之差不满足小于最大膜厚的一半。即，可知间隔件1的整个表面上的膜22的膜厚偏差非常大。另外，这些面的算术平均粗糙度ra分别为0.3μm、0.9μm、0.9μm。
[0079]
表1
[0080] 实施例1实施例2实施例3参考例主表面的膜厚701404070内周端面的膜厚8217047140外周端面的膜厚9018851140最大值－最小值20481170最大值/2459425.570
[0081]
单位：nm
[0082]
如图3所示，将2个实施例1中制作的间隔件夹在3片磁盘(主表面粗糙度ra为0.3nm以下)之间来制作hdd装置，进行利用磁头的信号的记录再现等动作确认，结果没有发现特别的问题。另外，对于实施例2、3和参考例中制作的间隔件，也同样地制作hdd装置并进行动作确认，结果没有发现特别的问题。
[0083]
以上，对本发明的玻璃间隔件、硬盘驱动器装置以及玻璃间隔件的制造方法进行了详细说明，但本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，当然也可以进行各种改良或变更。
[0084]
标号说明
[0085]
1：玻璃间隔件；2：外周端面；3：内周端面；4：主表面；5：磁盘；10：硬盘驱动器装置；12：马达；14：主轴；16：顶部夹具；20：间隔件主体；22：膜；23：喷雾状态；50：旋转轴；52：移动机构；54：旋转部件。

技术特征：

1.一种在硬盘驱动器装置内以与磁盘接触的方式设置的环形状的玻璃间隔件的制造方法，其特征在于，所述玻璃间隔件通过在玻璃间隔件主体上形成膜而构成，该玻璃间隔件的制造方法包括在所述玻璃间隔件主体的表面形成所述膜的处理，在所述处理中，一边使所述玻璃间隔件主体的外周端面沿周向旋转，一边使所述玻璃间隔件主体通过所述膜的成分的喷雾状态的场所，由此形成所述膜。2.根据权利要求1所述的玻璃间隔件的制造方法，其中，使与所述环形状的所述玻璃间隔件主体的孔间隙配合的旋转轴穿过所述孔，使所述孔的内周端面的一部分与所述旋转轴接触，使所述旋转轴旋转，由此使所述外周端面旋转。3.根据权利要求2所述的玻璃间隔件的制造方法，其中，所述旋转轴以一边旋转一边向一个方向移动的方式设置在移动机构上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃间隔件的制造方法，其中，通过从所述玻璃间隔件主体的搬运路径的两侧喷雾散布所述膜的成分，从而形成所述喷雾状态的场所。5.根据权利要求1至4中任一项所述的玻璃间隔件的制造方法，其中，所述处理包括对形成于所述玻璃间隔件主体的所述膜进行加热。6.根据权利要求1至5中任一项所述的玻璃间隔件的制造方法，其中，所述膜的表面的算术平均粗糙度ra为1μm以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的玻璃间隔件的制造方法，其中，所述膜的22[℃]时的表面电阻率为10-4
～106[ω/sq]。8.根据权利要求1至7中任一项所述的玻璃间隔件的制造方法，其中，所述膜包含氧化锡、氧化锌和氧化钛中的任一种。9.一种用于在硬盘驱动器装置用间隔件的表面形成膜的装置，其中，该装置包括壳体，该壳体至少具有驱动马达和喷雾口，并内置有在一对移动机构上架设旋转轴的间隔件搬运单元。10.一种在硬盘驱动器装置内以与磁盘接触的方式设置的环形状的玻璃间隔件，其特征在于，所述玻璃间隔件的包含主表面和端面的整个表面被包含氧化锡、氧化锌和氧化钛中的任一种的膜覆盖，所述玻璃间隔件的所述端面上的所述膜的厚度比所述玻璃间隔件的所述主表面上的所述膜的厚度厚。11.根据权利要求10所述的玻璃间隔件，其中，所述玻璃间隔件的整个表面上的所述膜的最大膜厚与最小膜厚之差小于所述最大膜厚的一半。12.根据权利要求10或11所述的玻璃间隔件，其中，所述玻璃间隔件的整个表面被厚度小于100nm的所述膜覆盖。13.根据权利要求10至12中任一项所述的玻璃间隔件，其中，所述玻璃间隔件的端面的算术平均粗糙度ra大于所述玻璃间隔件的主表面的算术平均粗糙度ra。14.根据权利要求10至13中任一项所述的玻璃间隔件，其中，所述膜的22[℃]时的表面电阻率为10-4
～106[ω/sq]。15.一种硬盘驱动器装置，其包括权利要求10至14中任一项所述的玻璃间隔件和所述
磁盘。

技术总结

在硬盘驱动器装置内以与磁盘接触的方式设置的环形状的玻璃间隔件的制造方法包括在成为所述玻璃间隔件的基础的玻璃间隔件主体的表面形成膜的处理。在所述处理中，一边使所述玻璃间隔件主体的外周端面沿周向旋转，一边使所述玻璃间隔件主体通过所述膜的成分的喷雾状态的场所，由此形成所述膜。由此，能够得到玻璃间隔件的整个表面被包含氧化锡、氧化锌、氧化钛的导电性的膜覆盖的玻璃间隔件。另外，能够得到玻璃间隔件的端面的所述膜的厚度比玻璃间隔件的主表面的所述膜的厚度厚的玻璃间隔件。间隔件。间隔件。