基于字线启动电压的动态控制的存储器子系统管理的制作方法

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1.本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及基于由固件动态控制的字线启动电压(wslv)的存储器子系统管理。

背景技术：

2.存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。
附图说明
3.根据下文给出的具体实施方式并且根据本公开的一些实施例的附图将更加充分地理解本公开。
4.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
5.图2说明根据本公开的一些实施例的含有识别存储器装置的多个存储器区段的标志的固件记录的实例数据结构。
6.图3是根据本公开的实施例的鉴于所执行的写入操作管理固件记录的实例方法的流程图。
7.图4是根据本公开的实施例的在执行写入操作之前修改固件记录的实例方法的流程图。
8.图5是根据本公开的实施例的展示用于优化固件记录的管理的各种操作的实例方法的流程图。
9.图6是本公开的实施例可于其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
10.本公开的各方面是针对基于字线启动电压(wlsv)的动态控制的存储器子系统管理。存储器子系统可以为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的组合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含存储数据的一或多个组件(例如存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处，且可请求从存储器子系统检索数据。
11.存储器子系统可以包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力被供应到存储器装置时需要数据的保持。非易失性存储器装置的一个实例为与非(nand)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置为具有一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，nand装置)，每一平面由一组物理块组成。每一块由页集合组成。每个页由一组存储器单元(“单元”)组成。单元是存储信息的电子电路。取决于单元类型，单元可存储一或多个二进制信息位，且具有与所存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可以由二进制值(例如，“0”和“1”)或此类值的组合表示。
12.存储器装置可由布置成二维网格的位组成。存储器单元蚀刻到列(下文也称为位线)和行(下文也称为字线)的阵列中的硅晶片上。字线(wl)可指存储器装置的存储器单元的一或多个行，所述一或多个行与一或多个位线一起使用以产生存储器单元中的每一者的地址。位线和字线的相交点构成存储器单元的地址。下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单元，并且可以包含存储器单元的组、字线组、字线或个别存储器单元。可以将一或多个块分组在一起以形成存储器装置的平面，以便允许在每一平面上进行并发操作。存储器装置可以包含执行两个或更多个存储器平面的并发存储器页存取的电路系统。例如，存储器装置可包含用于存储器装置的每个平面的相应存取线驱动器电路和电力电路以促进对包含不同页类型的两个或更多个存储器平面的页进行并发存取。
13.用于存储器管理的现有技术中的一者为动态字线启动电压(dwlsv)操作。在于存储器装置层级控制的自动化动态字线启动电压(adwlsv)操作中，页映射与存储器装置的存储器单元的特定块相关联。存储器装置可施加递增电压的自动序列中的一或多者以确定最低电压(例如，字线启动电压)，字线的第一页可在所述最低电压下以有效数据编程。同一字线的其它页可由针对字线的第一页确定的字线启动电压编程。
14.在一些实施例中，编程操作并不写入特定块中的所有字线，此举使特定块成为开放块。“开放”块可指存储器单元的物理块，其中所述块的页尚未被完全写入。在一些实施例中，所述块可保持开放，直到所述块的最后页经编程为止。在对块的最后页编程之后，关闭所述块。当块被关闭时，可释放特定块的wlsv条目(即，wlsv的值)，且使其可用于另一块。因此，重要的是跟踪存储器子系统中的开放和关闭块以便增大总体编程效率，如由编程时间(t
prog
)所指示。
15.通常，每裸片分配仅一个dwslv存储元件(用户可存取的寄存器)以存储wlsv信息。这在存储器装置可保持跟踪的裸片中的开放块的最大数目方面造成相当大的限制，因为可随着开放块的数目增大而快速地耗尽用于wlsv信息的可用空间。额外逻辑电路和存储元件将需要并入于存储器装置中，以便以较大规模执行adwlsv，其中可跟踪大量开放块。
16.本公开的各方面通过以下操作解决以上和其它缺陷：通过手动地或半自动地配置存储器子系统控制器的固件将动态字线启动电压(dwlsv)操作从在存储器装置层级执行移到在存储器子系统控制器层级执行，以确定用于特定字线的第一页的适当字线启动电压。固件控制的dwslv操作简称为“手动”dwslv或mdwlsv，但术语“手动”涵盖结合用户对固件的手动配置的某一程度的自动操作。因此，短语“手动”或“半自动”常常在说明书中使用。由于mdwlsv不限于每裸片仅一个存储元件存储wlsv记录，所以涉及跟踪大量(例如，数百个)开放块的大规模dwlsv操作是可行的。通过将dwlsv操作移到固件，存储器装置设计可保持不变，而正跟踪的开放块的数目可从单位数增大到数百或甚至数千。
17.在存储器子系统控制器层级而非存储器装置层级处控制dwlsv操作的优点包含但不限于较短的总体编程时间(t
prog
)，即较少编程时间损失，而不必改变存储器装置层级处的存储容量。此外，还可针对多平面编程操作执行mdwlsv，其中可并行地(例如，同时地)写入裸片的多个平面，从而进一步增大编程效率。
18.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一
或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或此类的组合。
19.存储器子系统110可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的组合。存储装置的实例包含固态驱动器(ssd)、快闪驱动器、通用串行总线(usb)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(emmc)驱动器、通用快闪存储(ufs)驱动器、安全数字(sd)卡和硬盘驱动器(hdd)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)，和各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(nvdimm)。
20.计算系统100可以是计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、运载工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、支持物联网(iot)的装置、嵌入式计算机(例如，包含在运载工具、工业设备或联网市售装置中的计算机)，或包含存储器和处理装置的此类计算装置。
21.计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的多个存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文所使用，“耦合到”或“与...耦合”通常是指组件之间的连接，其可以是间接通信连接或直接通信连接(例如，没有中间组件)，无论是有线还是无线的，包含例如电连接、光学连接、磁连接等的连接。
22.主机系统120可包含处理器芯片组和由所述处理器芯片组执行的软件堆栈。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存器、存储器控制器(例如，nvdimm控制器)，和存储协议控制器(例如，pcie控制器、sata控制器)。主机系统120使用存储器子系统110，以例如将数据写入到存储器子系统110以及从存储器子系统110读取数据。
23.主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(sata)接口、外围组件互连高速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、光纤通道、串行连接的scsi(sas)、双数据速率(ddr)存储器总线、小型计算机系统接口(scsi)、双列直插式存储器模块(dimm)接口(例如，支持双数据速率(ddr)的dimm套接接口)等。物理主机接口可用来在主机系统120与存储器子系统110之间发射数据。在存储器子系统110通过物理主机接口(例如，pcie总线)与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用nvm高速(nvme)接口来存取组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传送控制、地址、数据和其它信号的接口。图1说明存储器子系统110以作为实例。一般来说，主机系统120可经由同一通信连接、多个单独通信连接和/或通信连接的组合存取多个存储器子系统。
24.存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可以是但不限于随机存取存储器(ram)，例如动态随机存取存储器(dram)和同步动态随机存取存储器(sdram)。
25.非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(nand)型快闪存储器和就地写入存储器，例如三维交叉点(“3d交叉点”)存储器装置，其是非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器单元的交叉点阵列可以结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列基于体电阻的改变来执行位存储。另外，与许多基于闪存的存储器对比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。nand类型快闪存储器包含例如二维nand(2d nand)和三维nand(3d nand)。
26.存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列。一种类型的存储器单元，例如，单层级单元(slc)，可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元，例如多层级单元(mlc)、三层级单元(tlc)、四层级单元(qlc)和五层级单元(plc)每单元可存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列，例如slc、mlc、tlc、qlc、plc或这种些的任何组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的slc部分，以及mlc部分、tlc部分、qlc部分或plc部分。存储器装置130的存储器单元可分组为页，所述页可指用于存储数据的存储器装置的逻辑单元。对于一些类型的存储器(例如，nand)，页可进行分组以形成块。
27.虽然描述了非易失性存储器组件，例如3d交叉点非易失性存储器单元阵列和nand型快闪存储器(例如，2d nand、3d nand)，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器，例如只读存储器(rom)、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(fetram)、铁电随机存取存储器(feram)、磁随机存取存储器(mram)、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻性随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、“或非”(nor)快闪存储器或电可擦除可编程只读存储器(eeprom)。
28.存储器子系统控制器115(为简单起见，控制器115)可与存储器装置130通信以进行操作，例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据和其它此类操作。存储器子系统控制器115可以包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(即，硬译码)逻辑的数字电路系统以执行本文所描述的操作。存储器子系统控制器115可为微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)等)或其它合适的处理器。
29.存储器子系统控制器115可以包含处理装置，其包含经配置以执行存储在本地存储器119中的指令的一或多个处理器(例如，处理器117)。在所说明的实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含经配置以存储指令的嵌入式存储器，所述指令用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处理存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流程以及例程。
30.在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、所提取的数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(rom)。虽然图1中的实例存储器子系统110已说明为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含存储器子系统控制器115，而是可替代地依赖于外部控制(例如，由外部主机或由与存储器子系统分离的处理器或控制器提供)。
31.通常，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作，且可将所述命令或操作转换为指令或适当命令来实现对存储器装置130的所要存取。存储器子系统控制器115可负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测及错误校正码(ecc)操作、加密操作、高速缓存操作，及与存储器装置130相关联的逻辑地址(如，逻辑块地址(lba)、名称空间)与物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。存储器子系统控制器115可进一步包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可将从主机系统接收到的命令转换成存取存储器装置130的命令指令，并且将与存储器装置130相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。
32.存储器子系统110还可包含未说明的额外电路或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可以包含高速缓存或缓冲器(例如，dram)和地址电路系统(例如，行解码器和列解码器)，其可从存储器子系统控制器115接收地址且对地址进行解码以存取存储器装置130。
33.在一些实施例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，其与存储器子系统控制器115结合操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器子系统110为受管理存储器装置，其为具有在裸片上的控制逻辑(例如，本地控制器132)和用于同一存储器装置封装内的媒体管理的控制器(例如，存储器子系统控制器115)的原始存储器装置130。受管理存储器装置的实例是受管理nand(mnand)装置。
34.存储器子系统110包含dwlsv管理器113，其可手动地或半自动地控制wlsv以编程存储器装置中的开放块。存储器子系统控制器115可包含由dwlsv管理器113存取的固件(f/w)记录114。如图2中所示，固件记录114可具有存储于其中的识别标志(例如，块索引、页索引、平面索引、平面掩码信息)等。在一些实施例中，固件记录114可为dwlsv管理器113的一部分。在一些实施例中，固件记录114可为本地存储器119的一部分。在一些实施例中，dwlsv管理器113的至少一部分是主机系统110、应用程序或操作系统的一部分。有可能的是，在一些实施例中，本地媒体控制器135包含dwlsv管理器113的至少一部分，且经配置以执行本文中所描述的功能性，但本公开的目标中的一者是在固件层级而非存储器装置级处控制dwslv操作，且因此本地媒体控制器135可不具有dwlsv管理器113的任何部分。
35.图2说明根据本公开的一些实施例的含有识别存储器装置的多个存储器区段的标志的固件记录(例如，固件记录114)的实例数据结构200。术语“存储器区段”涵盖存储器块或存储器块内的子块。存储器区段可包含多个存储器页。存储器块的物理单元可分布在一或多个平面当中。固件记录114还可存储平面掩码信息。固件记录114的平面掩码识别平面和那些平面的存储器块的状态(例如，良好或不良)。作为一实例，如果平面掩码是4b'0000，那么“4b'”识别4个位用于描述块的四个平面。“0000”表示平面和所述平面的块的状态。最低有效位(lsb)(最右位置)表示平面0，第2lsb(第二最右位置)表示平面1，第二最高有效位(msb)(第二最左位置)表示平面2，且msb(最左位置)表示平面3。在一些实施例中，所述平面中的多于一者可为同一裸片的平面。“0”表示良好块。“1”表示不良块。不良块是不再用于存储信息的块。“0000”表示平面0到3的所有块为良好块。“0001”表示平面1到3的块是良好块，且平面0的块是不良块。
36.在图2中所示的数据结构200中，固件记录114的实例标记为依据逻辑单元号(lun)的固件dwlsv列表。所述列表的每一条目具有多个识别标志，例如块索引、平面索引、页索引、wlsv值和平面掩码信息。每一条目在固件dwlsv列表中称为“时隙”。时隙编号为0、1、...、7。尽管在图中展示八个时隙，但时隙的数目可为可由系统设计支持的任何任意数目。在图2中展示的实例中，针对特定lun的当前编程请求指定块索引、平面索引和页索引。基于固件的dwslv管理器113确定哪一时隙具有开放块(例如，在所展示的实例中的时隙2)，检索存储在存储器装置中的用于所述时隙的wlsv信息。在管理固件dwlsv列表(即，清除或更新，如下文相对于流程图所论述)之后，可在存储器装置处更新wlsv值以匹配在固件处所存储的wlsv值。
37.图3是根据本公开的实施例的鉴于所执行的写入操作管理固件记录的实例方法的流程图。方法300可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路、专门逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路，等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法300由图1的dwlsv管理器113执行。尽管以特定顺序或次序来展示，但是除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所说明实施例仅为实例，且所说明过程可以不同次序进行，且一些过程可并行地进行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。
38.在操作305处，处理逻辑接收在存储器装置处执行写入操作的请求。应注意，“写入”操作有时也称为“编程”操作。如上文所提及，存储器装置具有多个区段(例如，块)，每一区段含有多个页。应注意，块可具有多个子块，其中子块可指使用一些共同参数编程的页的集合。举例来说，页的集合可与具有预定(或所检索)wlsv的同一字线相关联。
39.在操作310处，处理逻辑从存储器装置检索用于存储器装置的特定区段的当前wlsv信息。可基于区段是否具有额外容量((“开放块”)来写入更多数据来选择区段。
40.在操作315处，处理逻辑执行编程操作，即将数据写入存储器装置上。在操作320处，处理逻辑将指示最后写入存储器页的信息(例如，在本地存储器119处)存储于被执行写入操作的特定存储器区段中。最后写入存储器页可指示额外数据是否可写入存储器区段中。所存储的信息可包含一或多个识别标志，例如最后写入页的块索引、平面索引和平面掩码。在一些实施例中，处理逻辑可另外保存最后写入页的wlsv。为了确定是否还保存最后写入地点的wlsv，可执行额外逻辑运算，如实例流程图400和500中所描述。
41.在操作325处，处理逻辑鉴于所执行的写入操作管理固件记录(如图1和2中所描述)。管理固件记录可涉及确定最后写入页是否为与共同字线相关联的多个页中的最后存储器页的操作。响应于确定最后写入存储器页实际上是与共同字线相关联的最后存储器页，清除用于特定存储器区段的固件条目中的wlsv。此操作节省编程时间，因为固件条目的清除指示所述块不是“开放”块，而实际上是关闭块。因此，不需要跟踪wlsv值，且可将wlsv值重复用于后续编程操作。另一方面，如果确定最后写入存储器页不为与共同字线相关联的最后存储器页，处理逻辑更新用于特定存储器区段的固件条目中的wlsv。以此方式，跟踪开放块和其wlsv。应注意，处理逻辑可检查用于特定存储器区段的存储器页的平面掩码是否与用于特定存储器区段的另一存储器页的平面掩码兼容。如果所述平面掩码是兼容的，那么可一起编程多个存储器页。
42.图4是根据本公开的实施例的在执行写入操作之前修改固件记录的实例方法的流程图。方法400可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路、专门逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路，等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法400由图1的dwlsv管理器113执行。尽管以特定顺序或次序来展示，但是除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所说明实施例仅为实例，且所说明过程可以不同次序进行，且一些过程可并行地进行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。
43.在操作405处，控制器115中的处理装置维护对应于存储器装置中的多个存储器区
段的记录(例如，图1中的固件记录114，还展示为图2中的固件dwslv列表200)。固件记录的每一条目包含与多个存储器区段中的相应存储器区段相关联的一或多个识别标志。识别标志中的至少一者为与相应存储器区段相关联的wlsv。
44.在操作410处，处理装置接收在存储器装置处执行写入操作的请求。此操作类似于方法300中的操作305。
45.在操作415处，处理逻辑检索与特定存储器区段相关联的当前wlsv信息。应注意，处理逻辑可从存储器装置检索当前wlsv信息(如在方法300中的操作310中)。在一些实施例中，处理逻辑可检索当前存储于固件记录中的wlsv信息，例如图2中所展示的固件dwslv列表200。
46.在操作420处，处理逻辑基于与特定存储器区段相关联的一或多个识别标志和从存储器装置检索的当前wlsv信息中的至少一者确定是否在执行所请求的写入操作之前修改固件记录中的特定存储器区段的对应条目。是否修改固件记录的决策涉及确定最后写入存储器页是否为与共同字线相关联的多个页中的最后存储器页。响应于确定最后写入存储器页实际上是与共同字线相关联的最后存储器页，清除用于特定存储器区段的固件条目中的wlsv(操作430)。另一方面，响应于确定最后写入存储器页并非与共同字线相关联的最后存储器页，更新用于特定存储器区段的固件条目中的wlsv(操作425)。无论如何，在写入操作之前执行固件记录的此修改(操作435)。通常，在擦除操作之前不执行mdwlsv管理，但在写入操作之前执行mdwlsv管理。
47.mdwlsv之后的后续写入操作可使用“最近最少使用”(lru)算法，以便使空间可用于与较新存储器区段相关联的较新条目。lru算法检查固件记录的条目的数目是否满足条目的阈值数目。如果条目的数目满足条目的阈值数目，那么发出命令以从固件记录移除与较早存储器区段相关联的对应条目。
48.图5是根据本公开的实施例的展示用于优化固件记录的管理的各种操作的实例方法的流程图。方法500可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专门逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路，等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法500由图1的dwlsv管理器113执行。尽管以特定顺序或次序来展示，但是除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所说明实施例仅为实例，且所说明过程可以不同次序进行，且一些过程可并行地进行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。
49.在操作505处，处理逻辑接收执行写入操作的请求。
50.在操作510处，处理逻辑检查存储器装置的块记录是否有效。如果块记录有效，那么执行后续优化操作。否则，在操作555处继续常规编程操作，而无需任何进一步优化。
51.在操作515处，处理逻辑检查当前块是否匹配从存储器装置检索的块记录条目。如果不存在匹配，那么在操作555处继续常规编程操作而不进行优化。如果存在匹配，那么操作进行到520。
52.在操作520处，处理逻辑检查可使用共同wl编程但在多个平面当中分布的多个页的平面掩码是否匹配。如果平面掩码匹配，那么方法在操作555处继续。另一方面，如果平面掩码彼此兼容，那么所述平面掩码不必完全匹配。平面掩码的兼容性意味着每一平面信息
的块在两个掩码之间相同(如果不完全相同)。平面掩码兼容性用以迫使存储器装置重取样。可修改编程操作(例如，如果平面识别为具有“不良”块，那么可将4平面操作修改为3平面操作)以确保平面掩码兼容性。如上文所提及，固件记录114的平面掩码识别平面和那些平面的存储器块的状态(例如，良好或不良)。作为说明性实例，4b'1110、4b'1101、4b'1011与4b'0111是兼容的。然而，4b'1001、4b'1100与4b'0011不兼容。
53.在操作540处，处理逻辑检查固件条目的最后写入页是否为字线的最后页。如果其实际上是最后页，那么清除用于固件条目的wlsv值(操作545)，从而指示关闭块。如果最后写入页不是字线的最后页，那么所述块仍开放，且所述方法进行到从存储器装置检索wlsv条目(操作550)。
54.图6说明计算机系统600的实例机器，所述实例机器内可执行用于致使所述机器执行本文中所论述的方法中的任何一或多者的指令集。在一些实施例中，计算机系统600可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用来执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的dwlsv管理器113的操作)。在替代性实施例中，机器可连接(例如联网)到lan、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而以客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量进行操作。
55.所述机器可为个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、蜂窝电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够执行(循序或以其它方式)指定待由所述机器采取的动作的指令集的任何机器。另外，尽管说明单个机器，但还应认为术语“机器”包含机器的任何集合，所述集合单独地或共同地执行一(或多)个指令集以进行本文中所论述的方法中的任何一或多种。
56.实例计算机系统600包含处理装置602、主存储器604(例如，只读存储器(rom)、闪存存储器、动态随机存取存储器(dram)例如同步dram(sdram)或rdram等)、静态存储器606(例如，闪存存储器、静态随机存取存储器(sram)等)，以及数据存储系统618，其经由总线630彼此通信。
57.处理装置602表示一或多个通用处理装置，例如，微处理器、中央处理单元，或类似者。更特定来说，处理装置可以是复杂指令集计算(cisc)微处理器、精简指令集计算(risc)微处理器、超长指令字(vliw)微处理器或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置602也可以是一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、网络处理器或类似物。处理装置602经配置以执行用于执行本文中所论述的操作和步骤的指令626。计算机系统600可进一步包含网络接口装置608以经由网络620进行通信。
58.数据存储系统618可包含机器可读存储媒体624(也称为计算机可读媒体)，其上存储有一或多组指令626或体现本文中所描述的方法或功能中的任一或多种的软件。指令626还可在其由计算机系统600执行期间完全或至少部分地驻存在主存储器604内和/或处理装置602内，主存储器604和处理装置602也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体624、数据存储系统618和/或主存储器604可以对应于图1的存储器子系统110。
59.在一个实施例中，指令626包含实施对应于dwlsv管理器组件(例如，图1的dwlsv管
理器113)的功能性的指令。尽管在实例实施例中机器可读存储媒体624展示为单个媒体，但是应认为术语“机器可读存储媒体”包含存储一或多组指令的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储或编码供机器执行的指令集合且致使机器执行本公开的方法中的任何一种或多种的任何媒体。因此，术语“机器可读存储媒体”应被认为包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。
60.已在针对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示方面呈现了先前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给所属领域的其他技术人员的方式。在本文中，且一般将算法构想为产生所要结果的操作的自洽序列。操作是要求对物理量进行物理操纵的操作。通常(但未必)，这些量采用能够存储、组合、比较以及以其它方式操纵的电或磁信号的形式。已经证实，主要出于常用的原因，将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项、编号等等有时是便利的。
61.然而，应牢记，所有这些和类似术语将与适当物理量相关联，且仅仅为应用于这些量的便利标记。本公开可以指将计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)数量的数据操控和变换为计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示为物理数量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。
62.本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。这一设备可以出于所需目的而专门构造，或其可包含通过存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。这种计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的盘，包含软盘、光盘、cd-rom以及磁性光盘、只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、eprom、eeprom、磁卡或光卡，或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，其各自连接到计算机系统总线。
63.本文中呈现的算法和显示器在本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可以与根据本文中的教示的程序一起使用，或可以证明构造用以执行所述方法更加专用的设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现各种这些系统的结构。另外，未参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施如本文中所描述的本公开的教示内容。
64.本公开可提供为计算机程序产品或软件，其可包含在其上存储有可用于编程计算机系统(或其它电子装置)以进行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。在一些实施例中，机器可读(例如计算机可读)媒体包含机器(例如计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、闪存存储器组件等。
65.在前述说明书中，本公开的实施例已经参照其特定实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而非限制性意义上看待说明书及图式。

技术特征：

1.一种方法，其包括：接收在存储器装置处执行写入操作的请求，其中所述存储器装置包括多个存储器区段，所述多个存储器区段中的每一者包括多个存储器页；从所述存储器装置检索与所述多个存储器区段中的特定存储器区段相关联的当前字线启动电压(wlsv)信息；对所述特定存储器区段执行所述写入操作；将指示与被执行所述写入操作的所述特定存储器区段相关联的最后写入存储器页的信息存储在存储器子系统控制器中的固件记录中；以及鉴于指示与所述所执行的写入操作相关联的所述最后写入存储器页的所述信息而管理包括多个条目的所述固件记录，其中所述固件记录的所述多个条目中的每一条目包括与相应存储器区段相关联的一或多个识别标志，所述识别标志中的至少一者是与所述相应存储器区段相关联的字线启动电压(wlsv)。2.根据权利要求1所述的方法，其中管理所述固件记录进一步包括：确定所述最后写入存储器页是否为与共同字线相关联的多个页中的最后存储器页。3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：响应于确定所述最后写入存储器页是与所述共同字线相关联的多个页中的所述最后存储器页，清除用于所述特定存储器区段的所述固件条目中的所述wlsv。4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：响应于确定所述最后写入存储器页并非与所述共同字线相关联的多个页中的所述最后存储器页，更新用于所述特定存储器区段的所述固件条目中的所述wlsv。5.根据权利要求1所述的方法，其中与所述多个所述存储器区段中的存储器区段相关联的所述识别标志包括存储器区段索引、存储器平面索引、存储器页索引、wlsv的值或平面掩码信息中的至少一者。6.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述写入操作进一步包括：识别所述特定存储器区段的多个存储器页所分布于的一或多个平面。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：检查用于所述特定存储器区段的第一存储器页的第一平面掩码是否与用于所述特定存储器区段的第二存储器页的第二平面掩码兼容。8.一种系统，其包括：存储器装置，其中所述存储器装置包括多个存储器区段，所述多个存储器区段中的每一者包括多个存储器页；以及处理装置，其在操作上耦合到所述存储器装置，执行包括以下的操作：维护对应于所述存储器装置中的所述多个存储器区段的固件记录，所述固件记录的每一条目包括与所述多个存储器区段中的相应存储器区段相关联的一或多个识别标志，所述识别标志中的至少一者为与所述相应存储器区段相关联的字线启动电压(wlsv)；接收在所述存储器装置处执行写入操作的请求；从所述存储器装置检索与所述多个存储器区段中的特定存储器区段相关联的当前wlsv信息；以及基于与所述多个存储器区段中的所述特定存储器区段相关联的所述一或多个识别标
志和从所述存储器装置检索的所述当前wlsv信息中的至少一者确定是否在执行所述写入操作之前修改所述固件记录中的所述多个存储器区段中的所述特定存储器区段的对应条目。9.根据权利要求8所述的系统，其中为确定是否修改所述特定存储器区段的所述对应条目，所述处理装置进一步执行包括以下的操作：确定所述最后写入存储器页是否为与共同字线相关联的多个页中的最后存储器页。10.根据权利要求9所述的系统，其中所述处理装置进一步执行包括以下的操作：确定修改所述固件记录中的所述特定存储器区段的所述对应条目；以及响应于确定所述最后写入存储器页是与所述共同字线相关联的多个页中的所述最后存储器页，清除用于所述特定存储器区段的所述固件条目中的所述wlsv。11.根据权利要求9所述的系统，其中所述处理装置进一步执行包括以下的操作：确定修改所述固件记录中的所述特定存储器区段的所述对应条目；以及响应于确定所述最后写入存储器页并非与所述共同字线相关联的多个页中的所述最后存储器页，更新用于所述特定存储器区段的所述固件条目中的所述wlsv。12.根据权利要求8所述的系统，其中与所述多个所述存储器区段中的存储器区段相关联的所述识别标志包括存储器区段索引、存储器平面索引、存储器页索引、wlsv的值或平面掩码信息中的至少一者。13.根据权利要求8所述的系统，其中所述处理装置进一步执行包括以下的操作：在更新所述固件记录之后执行所述写入操作。14.根据权利要求13所述的系统，其中所述处理装置进一步执行包括以下的操作：将从所述固件记录移除与较早存储器区段相关联的所述对应条目且鉴于所述写入操作而使空间可用于与待写入的较新存储器区段相关联的新条目的命令提交到所述存储器装置。15.根据权利要求14所述的系统，其中提交移除与较早存储器区段相关联的所述对应条目的所述命令进一步包括：确定所述固件记录的条目的数目是否满足条目的阈值数目；响应于确定所述固件记录的条目的所述数目满足条目的所述阈值数目，移除最近最少使用的存储器区段。16.一种包括指令的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下的操作：接收在存储器装置处执行写入操作的请求，其中所述存储器装置包括多个存储器区段，所述多个存储器区段中的每一者包括多个存储器页；从所述存储器装置检索与所述多个存储器区段中的特定存储器区段相关联的当前字线启动电压(wlsv)信息；对所述特定存储器区段执行所述写入操作；将指示与被执行所述写入操作的所述特定存储器区段相关联的最后写入存储器页的信息存储在存储器子系统控制器中的固件记录中；以及鉴于指示与所述所执行的写入操作相关联的所述最后写入存储器页的所述信息而管理包括多个条目的所述固件记录，其中所述固件记录的所述多个条目中的每一条目包括与
相应存储器区段相关联的一或多个识别标志，所述识别标志中的至少一者是与所述相应存储器区段相关联的字线启动电压(wlsv)。17.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读媒体，其中管理所述固件记录进一步包括：确定所述最后写入存储器页是否为与共同字线相关联的多个页中的最后存储器页。18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述操作进一步包括：响应于确定所述最后写入存储器页是与所述共同字线相关联的多个页中的所述最后存储器页，清除用于所述特定存储器区段的所述固件条目中的所述wlsv。19.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述操作进一步包括：响应于确定所述最后写入存储器页并非与所述共同字线相关联的多个页中的所述最后存储器页，更新用于所述特定存储器区段的所述固件条目中的所述wlsv。20.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读媒体，其中与所述多个所述存储器区段中的存储器区段相关联的所述识别标志包括存储器区段索引、存储器平面索引、存储器页索引、wlsv的值或平面掩码信息中的至少一者。

技术总结

接收在存储器装置处执行写入操作的请求。检索与多个存储器区段中的特定存储器区段相关联的当前字线启动电压(WLSV)信息。对所述特定存储器区段执行所述写入操作。在存储器子系统控制器中的固件记录中，存储指示与被执行所述写入操作的所述特定存储器区段相关联的最后写入存储器页的信息。鉴于指示与所述所执行的写入操作相关联的所述最后写入存储器页的所述信息管理所述固件记录。所述固件记录的每一条目包括与相应存储器区段相关联的一或多个识别标志，所述识别标志中的至少一者为与所述相应存储器区段相关联的字线启动电压(WLSV)。(WLSV)。(WLSV)。