红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法[发明专利]

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专利名称:红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
专利类型:发明专利
玻璃钢全向天线发明人:赵勇明,董建荣,李奎龙,孙玉润,曾徐路,于淑珍,赵春雨,杨辉
申请号:CN201310351168.2
申请日:20130813
公开号:CN103401144A
公开日:
勒夫波
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20131120
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区,所述有源区包括量子阱结构,所述量子阱结构中势阱层的材料为InGaAsBi,所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAsBi,其中m=0.48~0,n=0.04~0.34;x=0.48~0.54,y=0.04~0。本发明采用InGaAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料,基于晶格匹配生长,能够兼容DBR、DFB及垂直腔面发射激光器等其它类型激光器结构,且激光器采用无Al结构提高了器件的性能及寿命。本发明还提供了半导体激光器及其制作方法。
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
国籍:CN
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代理机构:深圳市铭粤知识产权代理有限公司
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本文发布于:2023-05-15 03:47:19,感谢您对本站的认可!

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