分割方法与流程

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1.本公开实施例涉及分割方法，特别涉及封装的分割方法。

背景技术：

2.在集成电路的封装中，可以将多个装置裸晶(device dies)接合到再分布结构(redistribution structure)。然后将装置裸晶模制在模塑料(molding compound)中，以形成重构晶圆(reconstructed wafer)。为了将重构晶圆中的所得封装彼此分离，可以通过激光预切割来执行预切割工艺。然后执行分割工艺(singulation process)，以形成离散封装(discrete packages)。

技术实现要素：

3.本公开的一些实施例提供一种分割方法包括：形成一互连组件，包括：多个介电层，其中介电层包括一有机介电材料；以及多个再分布线，延伸到介电层中；将一第一封装组件和一第二封装组件接合到互连组件；将第一封装组件和第二封装组件封装在一密封剂中；使用一刀片预切割互连组件以形成一沟槽，其中沟槽穿透互连组件，并部分地延伸到密封剂中；以及执行一分割工艺，以将第一封装组件和第二封装组件分别分离成一第一封装和一第二封装。
4.本公开的另一些实施例提供一种分割方法，包括：在一载体上形成多个有机层；在有机层中形成多个再分布线；在再分布线上附接一顶部裸晶；将一底部填充物分配到再分布线和顶部裸晶之间的一间隙中；在底部填充物和有机层上施加一模塑料；从有机层分离载体；以及用一刀片预切割有机层和模塑料。
5.本公开的又一些实施例提供一种分割方法，包括：在一模塑料中模制一第一装置裸晶和一第二装置裸晶，其中模塑料包括一第一基底材料和混合在第一基底材料中的多个第一填料颗粒；使用一刀片进行一预切割工艺，其中刀片穿透与模塑料接合的多个聚合物层，并且延伸到模塑料中，并且刀片切割一些第一填料颗粒以形成多个部分颗粒；在预切割工艺之后，锯切穿过模塑料以将第一装置裸晶和第二装置裸晶分离成一第一封装和一第二封装；将第一封装结合到一封装组件；以及将一底部填充物施加到第一封装和封装组件之间的一间隙中，其中底部填充物包括一第二基底材料和混合在第二基底材料中的多个第二填料颗粒，并且其中底部填充物与模塑料物理接触。
附图说明
6.当与附图一起阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。值得注意的是，根据行业的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为了讨论的清晰，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。
7.图1至图11示出了根据一些实施例的封装形成中的中间阶段的剖视图。
8.图12至图14示出了根据一些实施例的封装形成中的中间阶段的剖视图。
9.图15至图17示出了根据一些实施例的封装形成中的中间阶段的剖视图。
10.图18示出了根据一些实施例的封装的一部分的放大视图。
11.图19示出了根据一些实施例的预切割工艺，其中在同一划线(scribe line)中执行两个预切割。
12.图20示出了根据一些实施例的用于形成封装的工艺流程。
13.附图标记说明：
14.20 载体
15.22 离型膜
16.24 介电层
17.24-1 第一介电层
18.24-2 介电层
19.24-3 介电层
20.24-4 介电层
21.26 再分布线
22.26-1 再分布线
23.26-2 再分布线
24.26-3 再分布线
25.32 导电连接器
26.34 再分布结构
27.36 封装组件
28.38 封装组件
29.39 导电连接器
30.40 底部填充物
31.42 密封剂
32.42a 基底材料
33.42b 填料颗粒
34.44 重构晶圆
35.44
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离散封装
36.45 载体
37.46 离型膜
38.54 沟槽
39.54bs 平底
40.54sw 侧壁
41.56 刀片
42.60 重铸层
43.60a 部分
44.60b 部分
45.61 划线
46.64 导电连接器
47.66 焊接区域
48.68 刀片
49.70 封装组件
50.72 底部填充物
51.72a 基底材料
52.72b 填料颗粒
53.74 封装
54.76 部分
55.200 工艺流程
56.202 工艺
57.204 工艺
58.206 工艺
59.208 工艺
60.210 工艺
61.212 工艺
62.214 工艺
63.216 工艺
64.218 工艺
65.220 工艺
66.222 工艺
67.224 工艺
68.226 工艺
具体实施方式
69.以下公开提供了许多不同的实施例或示例，用于实现本公开的不同特征。下面描述组件和布置的具体示例以简化本公开。当然，这些仅仅是示例并且不旨在进行限制。例如，在下面的描述中，在第二特征之上或上形成第一特征可以包括第一特征和第二特征直接接触地形成的实施例，并且还可以包括额外特征可以在第一特征和第二特征之间形成的实施例，使得第一特征和第二特征可以不直接接触。此外，本公开可以在各种示例中重复参考数字及/或字母。这种重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身并不规定所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。
70.此外，为了便于描述，这里可以使用诸如“下伏”、“下方”、“下”、“上覆”、“上”等空间相关术语来描述如图中所示一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。除了图中描绘的方向之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用或操作中的不同方向。此装置可以用其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，并且本文使用的空间相对描述符同样可以对应地解释。
71.提供了一种预切割封装的方法和其所得到的封装。根据本公开的一些实施例，一种封装工艺包括形成可以包括一有机材料的一再分布结构，将装置裸晶接合在再分布结构上，封装装置裸晶以形成一重构晶圆，以及使用一刀片预切割重构晶圆。然后执行锯切工艺
portions)(金属线部分)。根据一些实施例，再分布线26-2的形成可以包括沉积延伸到导通孔开口中的毯式金属种晶层(blanket metal seed layer)、以及形成和图案化电镀掩模(例如光刻胶)，其中在电镀掩模中形成开口，并直接形成在导通孔开口上。然后执行电镀工艺，以电镀金属材料，此金属材料完全填充导通孔开口，并且具有一些部分高于介电层24-2的顶表面。然后去除电镀掩模，随后进行蚀刻工艺，以去除金属种晶层的暴露部分，此金属种晶层先前被电镀掩模覆盖。金属种晶层和电镀金属材料的剩余部分是再分布线26-2。再分布线26-2包括再分布线(也称为迹线、迹线部分)和导通孔部分(也称为导通孔)。迹线部分在介电层24-2之上，而导通孔部分在介电层24-2中。每个导通孔可以具有锥形轮廓(tapered profile)，其中上部比对应的下部宽。
78.金属种晶层和镀层材料可以由相同材料或不同材料形成。例如，金属种晶层可以包括钛层和钛层上方的铜层。再分布线26-2中的电镀金属材料可以包括金属或金属合金，包括铜、铝、钨等、或其合金。
79.在形成再分布线26-2之后，可以有更多的介电层和对应的再分布线形成，其中上部再分布线在对应的下部再分布线之上，并落在对应的下部再分布线上。例如，图2示出介电层24-3和24-4、以及再分布线26-3做为一示例。可以理解，可以形成更多的介电层和再分布线。介电层24-3和24-4的材料可以选自与介电层24-1和24-2相同(或不同)的候选材料组。例如，介电层24-3和24-4可以由有机材料形成，有机材料可以是诸如聚酰亚胺、聚苯并恶唑(pbo)、聚苯并恶唑(pbo)等的聚合物。再分布线26-3也可以由与再分布线26-1和26-2类似的材料并使用类似的形成工艺形成。
80.参考图3，在形成诸如介电层24-2的顶部介电层之后，形成导电连接器32。对应的工艺在图20所示的工艺流程200中被示为工艺208。导电连接器32可以包括或由金属垫(metal pads)、金属柱(metal pillars)、凸块下金属(under-bump-metallurgies，ubm)、微凸块(micro-bumps)、焊接区域(solder regions)、及/或类似物形成。导电连接器32的形成也可以类似于再分布线26-2的形成，包括图案化顶部介电层以暴露下面的再分布线、形成金属种晶层、形成图案化电镀掩模、执行一或多个电镀工艺、去除电镀掩模、和蚀刻金属种晶层。当导电连接器32包括焊接区域时，焊接区域可以在用于形成金属柱的电镀工艺之后被电镀，电镀在金属柱上，然后回流(reflowed)。
81.在整个描述中，包括24-1至24-4的介电层统称为介电层24，而包括再分布线26-1、26-2和再分布线26-3的再分布线统称为再分布线26。介电层24、再分布线26、和导电连接器32共同形成再分布结构34，其可替代地称为互连组件(interconnect component)34或有机中介层(organic interposer)34。
82.图4示出了封装组件(package components)36与互连组件34的接合。对应的工艺被示出为如图20所示的工艺流程200中的工艺210。根据一些实施例，可以通过焊接区域38(solder regions)将作为互连组件34的表面特征的导电连接器39接合到导电连接器32。导电连接器39可以是凸块下金属、金属柱、接合垫等。根据替代实施例，导电连接器39是金属柱，并且导电连接器39通过直接的金属对金属接合(metal-to-metal bonding)而接合到导电连接器32，在它们之间没有焊接区域。
83.根据一些实施例，封装组件36包括多个组封装组件，这些组彼此相同。每个组可以是单组件组(single-component group)或多组件组(multi-component group)。例如，图4
示出了一个示例，其中每组包括两个封装组件36。根据一些实施例，封装组件36包括逻辑裸晶(logic die)，其可以是中央处理单元(central processing unit，cpu)裸晶、图形处理单元(graphic processing unit，gpu)裸晶、移动应用裸晶(mobile application die)、微控制单元(micro control unit，mcu)裸晶、输入输出(input-output，io)裸晶、基频(baseband，bb)裸晶、应用处理器(applicationprocessor，ap)裸晶等。封装组件36还可以包括存储器裸晶(memory dies)，例如动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)裸晶、静态随机存取存储器(static random access memory，sram)裸晶等。存储器裸晶可以是离散存储器裸晶(discrete memory dies)、或者可以是包括多个多个堆叠的存储器裸晶的裸晶堆叠的形式。封装组件36还可以包括片上系统(system-on-chip，soc)裸晶。
84.参考图5，底部填充物40被分配(dispensed)到封装组件36和互连组件34之间的间隙(gaps)中。对应的工艺被图示为如图20所示的工艺流程200中的工艺212。底部填充物40也可以被分配到属于同一组封装组件的相邻的封装组件36之间。根据一些实施例，底部填充物40包括基底材料(base material)和混合在基底材料中的填料颗粒(fillerparticles)。基底材料可以是树脂、环氧树脂及/或聚合物。一些示例基底材料包括环氧胺(epoxy-amine)、环氧酸酐(epoxy anhydride)、环氧苯酚(epoxy phenol)等、或其组合。填料颗粒可以由介电材料形成，并且可以包括二氧化硅、氧化铝、氮化硼等，其可以是球形颗粒的形式。底部填充物40以可流动的形式分配，然后固化。根据替代实施例，底部填充物40由非导电膜(non-conductive film)所形成，其首先分配在互连组件34上，并且封装组件36压靠(pressed against)在互连组件34上，使得封装组件36中的导电连接器穿透非导电膜，以接触导电连接器32。
85.接下来，如图6所示，封装组件36被封装在密封剂(encapsulant)42中。对应的工艺在图20所示的工艺流程200中被示为工艺214。密封剂42可以包括模塑料、模塑底部填充物(molding underfill)、环氧树脂及/或树脂。模塑料可以包括基底材料(图18中的42a)(其可以是聚合物、树脂、环氧树脂等)、以及在基底材料42a中的填料颗粒42b。填料颗粒42b可以是sio2、al2o3、二氧化硅等的介电质颗粒，并且可以具有球形形状。此外，球形填料颗粒可以具有相同或不同的直径。在底部填充物40和密封剂42之间可能存在可区分的界面(distinguishable interface)。
86.在随后的工艺中，执行诸如化学机械抛光(chemical mechanical polish，cmp)工艺或机械研磨工艺(mechanical grinding process)的平坦化工艺，以研磨密封剂42。封装组件36可能由于平坦化工艺而暴露。例如，当封装组件36包括半导体基板时，可以暴露半导体基板。在整个描述中，离型膜22上的结构(包括再分布组件34、封装组件36、底部填充物40和密封剂42)被称为重构晶圆44。
87.图7示出载体切换工艺(carrier switch process)。对应的工艺在如图20所示的工艺流程200中被示为工艺216。首先，将第二载体45黏附到重构晶圆44的与载体20相反的一侧。离型膜46(其也可以包括诸如光热转换(lthc)之类的热离型膜)用于将载体45黏附到重构晶圆44。然后将重构晶圆44从载体20上剥离，例如，通过投射穿透载体20的紫外光或激光束，紫外光或激光束被投射到离型膜22上。离型膜22在紫外光或激光束的热量下分解。然后可以从载体20移除重构晶圆44。
88.图8示出导电连接器64和焊接区域66的形成。对应的工艺在如图20所示的工艺流程200中被示为工艺218。根据一些实施例，形成工艺包括图案化互连组件34中的顶部介电层(例如介电层24-1)以露出部分再分布线的下层部分(例如再分布线26-1)，沉积金属种晶层，形成图案化的电镀掩模(例如光刻胶)，并电镀导电连接器64。当要形成焊接区域66时，也可以电镀焊接区域66。然后去除图案化的电镀掩模，随后进行蚀刻工艺以去除金属种晶层的暴露部分。可以执行回流工艺，以回流焊接区域66。
89.图9示出互连组件34和密封剂42的一些顶部的预切割。对应的工艺被图示为如图20所示的工艺流程200中的工艺220。因此通过预切割工艺形成沟槽54。沟槽54穿透互连组件34中的介电层24，并延伸到密封剂42的顶部。沟槽54形成在重构晶圆44的对应划线61内。当从重构晶圆44的上视图中观察时，形成有多个沟槽54，第一多个沟槽54平行于第一方向，第二多个沟槽54平行于垂直于第一方向的第二方向。
90.根据一些实施例，使用刀片56执行预切割，其具有根据沟槽54的期望形状设计的切割表面(cutting surface)。例如，在如图9所示的示例中，每个沟槽54具有浅的u形，包括相对的侧壁、以及连接到相对的直侧壁的弯曲底面。侧壁可以是直的，并且可以是垂直的或倾斜的。侧壁也可以连续且平滑地弯曲。当侧壁为垂直且笔直时，垂直且笔直的侧壁为介电层24的侧壁的上部，而介电层24的侧壁的下部为弯曲的。根据一些实施例，当介电层24的侧壁的面向沟槽54的顶部部分是垂直且笔直的时。弯曲的底面可以是圆形的，并且可以适合圆的一部分。根据一些实施例，弯曲的底面在介电层24中开始弯曲，并且弯曲延伸到密封剂42中。根据替代实施例，当侧壁是直的时，直的侧壁延伸到密封剂42中。光滑且连续的侧壁和底表面可以防止应力集中到互连组件34和密封剂42之间的界面。这反过来又降低了剥离(peeling)的可能性，这将在随后的段落中讨论。
91.由于使用刀片56来执行预切割，而不是使用激光，这没有形成重铸层。例如，图9示出如果使用激光进行预切割将形成的重铸层60(用虚线示出)。如果使用激光，由于互连组件34的介电层24由无机材料形成，由于激光的热量，介电层24的一些边缘部分可能熔化。熔融部分向下流动以覆盖密封剂42的某些部分。由于介电层24和密封剂42的有机材料之间的显着差异，重铸层很可能从密封剂42上剥离。因此，使用刀片而不是使用激光，不会形成重铸层，并且避免了分层(delamination)。
92.由于使用刀片的物理切割，密封剂42中的一些填料颗粒也可能被部分去除。例如，图18示出了密封剂42的一部分。在通过预切割工艺产生的密封剂42的表面(例如图示的曲面)处，可以是球形颗粒的填料颗粒42b的一些部分被去除，并且剩余的填料颗粒42b可以是部分颗粒。已经被切割的填料颗粒42b的暴露表面变成平坦的、实质上平坦的、或略微弯曲的，以适合刀片56的形状。
93.返回参考图9，根据一些实施例，在要分离的两个相邻封装组件之间，执行单一预切割工艺(single precutting process)。因此，在每条划线61中存在单一沟槽54。根据替代实施例，在每条划线61中形成两个沟槽54，其中每条沟槽54通过一个预切割工艺形成。例如，图19示出了彼此相邻且在同一划线61中形成的两个沟槽54。两个沟槽54彼此分离，并且介电层24的一部分留在其间。
94.根据一些实施例，可以执行两步预切割工艺(two-step precutting process)。如图9所示，在使用刀片56进行预切割之前，可以执行激光预切割，以切割介电层24，在此期间
产生重铸层60。然后可以执行使用刀片56的预切割工艺(下文称为刀片预切割(blade precutting)，以去除重铸层，并且加深、加宽、及/或重塑沟槽54，使得沟槽54可以具有期望的形状。由于重铸层60的性质与介电层24的性质相同或相似，重铸层60对介电层24具有良好的黏附性，并且不太可能从介电层24剥离。因此，根据一些实施例，刀片预切割可以去除与密封剂42接触的重铸层60的部分60a，但使介电层24的侧壁上的重铸层60的一些部分60b完好无损。被重铸层60覆盖的密封剂42的整个表面因此被重新暴露。介电层24的侧壁的一些部分也可以在刀片预切割之后重新暴露。根据替代实施例，刀片预切割可以去除整个重铸层60，并且在刀片预切割之后没有留下重铸层60。两步预切割工艺可以降低互连组件34和密封剂42之间分层(此分层是由重铸层引起的)的可能性。另一方面，激光预切割降低了介电层24和密封剂42上的应力，并且降低了介电层24和密封剂42之间分层的可能性。
95.图10示出重构晶圆44的分割，从而形成了多个离散封装(discrete packages)44
′
。对应的工艺在图20所示的工艺流程200中被示为工艺222。可以使用刀片68执行分割工艺。锯口(kerf)穿过密封剂42，并与介电层24间隔开。因此，刀片68不会对介电层24施加力，并且分割工艺不会导致介电层24从密封剂42分层。根据替代实施例，可以使用激光束来执行分割工艺。在如图19所示的实施例中，分割工艺还去除了两个相邻沟槽54之间的介电层24部分。
96.根据其中使用刀片执行预切割工艺和分割工艺两者的一些实施例，可以使用单一工具来执行预切工艺和分割工艺两者。
97.图11示出将封装44
′
接合到另一个封装组件70上以形成封装74。对应的工艺被示为如图20所示的工艺流程200中的工艺224。封装组件70可以包括封装基板、印刷电路板、封装、中介层等。根据一些实施例，接合包括焊料接合，其中使用焊接区域66。根据替代实施例，可以采用直接金属对金属接合(direct metal-to-metal bonding)。
98.然后将底部填充物72施加到封装44
′
和封装组件70之间的间隙中。对应的工艺被图示为如图20所示的工艺流程200中的工艺226。根据一些实施例，底部填充物72包括基底材料72a(图18)和填料颗粒72b混合在基底材料72a中。基底材料72a可以包括树脂、环氧树脂、及/或聚合物。一些示例基底材料包括环氧胺、环氧酸酐、环氧苯酚等、或其组合。填料颗粒72b由介电材料形成，并且可以包括二氧化硅、氧化铝、氮化硼等，其可以是球形颗粒的形式。底部填充物72以可流动的形式分配，然后固化(cured)。
99.图18示出如图11所示的封装74的部分76的放大图。根据一些实施例，密封剂42包括与底部填充物72物理接触的基底材料42a和填料颗粒42b。底部填充物72也可以包括基底材料72a和填料颗粒72b。切割表面(cut surface)处的一些填料颗粒42b(在预切割工艺和分割工艺中切割)可以是部分颗粒(partial particles)，并且部分颗粒42b的实质上平坦(或略微弯曲)的表面物理接触基板72a和圆形表面根据一些实施例，底部填充物72接触介电层24的整个侧壁。根据替代实施例，其中在使用刀片进行切割(以下称为刀片切割)之前，执行激光预切割，并且刀片切割去除部分重铸层60，重铸层60可以留在介电层24的部分表面上，但不在密封剂42上延伸。重铸层60可以与介电层24区分开来因为它已经熔化并凝固(solidified)了。
100.图12至图14和图15至图17示出根据本公开的一些实施例的封装形成中的中间阶段的剖视图。除非另有说明，否则这些实施例中的组件的材料和形成工艺与前述图1至图11
所示实施例中的相同组件用相同的附图标记表示基本相同。因此，关于图12至图14和图15至图17中所示的组件的形成工艺和材料的细节可以在前述实施例的讨论中到。
101.图12至图14的实施例的初始步骤与图1至图8所示的基本相同。接下来，参照图12，执行预切割工艺，以形成沟槽54。根据这些实施例的沟槽54具有v形剖面的形状。这可以通过使用具有v形切削刃的刀片56来实现。预切割可与图9所示基本相同，在此不再赘述。沟槽54的侧壁54sw可以是直边或略微弯曲的。根据一些实施例，v形沟槽54也可以在图19所示的实施例中采用，从而在同一划线61中形成两个v形沟槽54。根据替代实施例，可以执行激光预切割，其中形成重铸层60，然后进行刀片切割工艺以扩大及/或加宽沟槽54，并去除重铸层60的全部或部分。因此，如图12所示，根据一些实施例，重铸层60的一些部分60b可以留在介电层24的侧壁上，但与密封剂42间隔开。重铸层60的部分60a被去除。根据其他实施例，去除所有重铸层60。
102.图13示出分割工艺，其中将重构晶圆44分割成多个离散封装44
′
。锯口与介电层24隔开，因此刀片56不会在介电层24上施加力。图14说明了封装44
′
与封装组件70的结合以形成封装74。前面的段落，也可以反映封装74的部分76的一些细节。部分76的放大图类似于图18中所示的，除了介电层24和密封剂42的边缘是直的和倾斜的。图18中的部分球形填充物部分42b将具有平坦表面，这些平坦表面被对齐以形成密封剂42的直(和倾斜)边缘的一部分，并且直边缘与底部填充物72接触。类似地，底部填充物72具有基底材料72a和球形颗粒72b，其等与密封剂42的基底材料42a和部分颗粒42b物理接触。
103.图15至图17示出根据又一替代实施例的封装形成中的一些中间阶段。图15至图17的实施例的初始步骤与图1至图8所示的基本相同。接下来，参照图15，执行预切割工艺以形成沟槽54。根据这些实施例的沟槽54具有剖面呈深u形。沟槽54可以具有垂直且直的侧壁54sw和平底54bs，平底54bs通过弯曲拐角连接到垂直的侧壁54sw。沟槽54的形状可以通过使用具有u形切削刃的刀片56来实现。预切割可与图9所示基本相同，在此不再赘述。根据一些实施例，在图19所示的实施例中可以采用u形沟槽54，从而在同一划线61中形成两个深u形沟槽54。
104.根据替代实施例，执行两步预切割工艺，其中可以首先执行激光预切割工艺，其形成如使用虚线所示的重铸层60。然后进行刀片预切割工艺，以扩大、加宽、及/或重塑沟槽54，并去除重铸层60的全部或一些部分。例如，根据一些实施例，重铸层60的部分60a被去除，而重铸层60的一些部分60b可以留在介电层24的侧壁上。根据其他实施例，整个重铸层60被去除。
105.图16示出分割工艺，其中将重构晶圆44分割成多个离散封装44
′
。锯口与介电层24隔开，使得没有力施加在介电层24上，其让介电层24易于剥落。图17示出了封装44
′
与封装组件70的结合以形成封装74。已经讨论过的图18也可以反映封装74的部分76的一些细节(图17)。除了介电层24和密封剂42的边缘是弯曲的并且更深的之外，其他细节类似于图18中所示的。由于预切割和分割工艺，部分球形填充物部分42b将具有平坦表面。底部填充物72包括基板72a和球形颗粒72b，它们与密封剂42的基底材料42a和部分颗粒42b物理接触。
106.再次参考图18，如果执行两步切割工艺(激光预切割然后是刀片预切割工艺)，重铸层60的一部分可以留在最终封装中，以将底部填充物72与介电层24分离。没有重铸层留在底部填充物72和密封剂42之间。根据本公开的其他实施例，介电层24的整个侧壁与底部
填充物72没有接触，并且在最终封装中没有留下重铸层。
107.在上述实施例中，根据本公开的一些实施例讨论了一些工艺和特征以形成三维(three-dimensional，3d)封装。也可以包括其他特征和工艺。例如，可以包括测试结构以帮助对三维封装或三维集成电路装置进行验证测试。测试结构可以包括例如形成在再分布层中或基板上的测试垫，其允许测试三维封装或三维集成电路装置、使用探针及/或探针卡等。验证测试可以在中间结构以及最终结构上执行。此外，本文所公开的结构和方法可以与结合已知良好裸晶(known good dies)的中间验证的测试方法结合使用，以提高产量并降低成本。
108.本公开的实施例具有一些有利特征。通过使用刀片而不是激光来执行预切割工艺，不会形成有机材料的重铸层。重铸层对诸如模塑料之类的密封剂的黏附性较差。因此，如果在模塑料上形成重铸层，则会导致底部填充物从模塑料上分层。通过使用刀片进行重铸层，底部填充物可以与模塑料直接接触，并且不太可能发生分层。
109.根据本公开的一些实施例，一种分割方法包括：形成一互连组件，包括：多个介电层，其中介电层包括一有机介电材料；以及多个再分布线，延伸到介电层中；将一第一封装组件和一第二封装组件接合到互连组件；将第一封装组件和第二封装组件封装在一密封剂中；使用一刀片预切割互连组件以形成一沟槽，其中沟槽穿透互连组件，并部分地延伸到密封剂中；以及执行一分割工艺，以将第一封装组件和第二封装组件分别分离成一第一封装和一第二封装。
110.在一些实施例中，通过预切割形成的沟槽的一剖面为u形。在一些实施例中，通过预切割形成的沟槽的一剖面为v形。在一些实施例中，在分割工艺中，对应的锯口将介电层的最近边缘间隔开。在一些实施例中，分割工艺是使用一额外的刀片来执行的。在一些实施例中，分割工艺是使用激光来执行的。在一些实施例中，有机介电材料包括聚酰亚胺。在一些实施例中，分割方法还包括：在使用刀片进行预切割之前，使用激光执行一额外的预切割工艺。在一些实施例中，分割方法还包括：将第一封装与一封装基板接合；以及在第一封装和封装基板之间分配一底部填充物，其中底部填充物物理接触密封剂的一表面，其中表面由预切割产生。
111.根据本公开的一些实施例，一种分割方法，包括：在一载体上形成多个有机层；在有机层中形成多个再分布线；在再分布线上附接一顶部裸晶；将一底部填充物分配到再分布线和顶部裸晶之间的一间隙中；在底部填充物和有机层上施加一模塑料；从有机层分离载体；以及用一刀片预切割有机层和模塑料。
112.在一些实施例中，形成一u形沟槽以延伸到有机层和模塑料中。在一些实施例中，形成一v形沟槽以延伸到有机层和模塑料中。在一些实施例中，有机层包括聚酰亚胺。在一些实施例中，分割方法还包括在预切割之后，对模塑料进行分割。在一些实施例中，分割是使用一额外的刀片执行的，并且在整个分割中，额外的刀片与有机层间隔开。在一些实施例中，分割是使用激光来执行的。
113.根据本公开的一些实施例，一种分割方法，包括：在一模塑料中模制一第一装置裸晶和一第二装置裸晶，其中模塑料包括一第一基底材料和混合在第一基底材料中的多个第一填料颗粒；使用一刀片进行一预切割工艺，其中刀片穿透与模塑料接合的多个聚合物层，并且延伸到模塑料中，并且刀片切割一些第一填料颗粒以形成多个部分颗粒；在预切割工
艺之后，锯切穿过模塑料以将第一装置裸晶和第二装置裸晶分离成一第一封装和一第二封装；将第一封装结合到一封装组件；以及将一底部填充物施加到第一封装和封装组件之间的一间隙中，其中底部填充物包括一第二基底材料和混合在第二基底材料中的多个第二填料颗粒，并且其中底部填充物与模塑料物理接触。
114.在一些实施例中，第一填料颗粒和第二填料颗粒是无机颗粒。在一些实施例中，第二填料颗粒与部分颗粒物理接触。在一些实施例中，预切割工艺导致一u形或v形沟槽部分地延伸到模塑料中。
115.前述概述了几个实施例的特征，以便本领域中技术人员可以更好地理解本公开的各个方面。本领域中技术人员应该理解，他们可以容易地使用本公开作为设计或修改用于执行相同目的及/或实现本文介绍的实施例的相同优点的其他工艺和结构的基础。本领域中技术人员也应该意识到，这样的等效结构并不脱离本公开的构思和范围，并且可以在不脱离本公开的构思和范围的情况下对本文进行各种改动、替换、和变更。

技术特征：

1.一种分割方法，包括：形成一互连组件，包括：多个介电层，其中该多个介电层包括一有机介电材料；以及多个再分布线，延伸到该多个介电层中；将一第一封装组件和一第二封装组件接合到该互连组件；将该第一封装组件和该第二封装组件封装在一密封剂中；使用一刀片预切割该互连组件以形成一沟槽，其中该沟槽穿透该互连组件，并部分地延伸到该密封剂中；以及执行一分割工艺，以将该第一封装组件和该第二封装组件分别分离成一第一封装和一第二封装。2.如权利要求1所述的方法，其中在该分割工艺中，对应的锯口将该多个介电层的最近边缘间隔开。3.如权利要求1所述的方法，还包括：在使用该刀片进行预切割之前，使用激光执行一额外的预切割工艺。4.如权利要求1所述的方法，还包括：将该第一封装与一封装基板接合；以及在该第一封装和该封装基板之间分配一底部填充物，其中该底部填充物物理接触该密封剂的一表面，其中该表面由该预切割产生。5.一种分割方法，包括：在一载体之上形成多个有机层；在该多个有机层中形成多个再分布线；在该多个再分布线上附接一顶部裸晶；将一底部填充物分配到该多个再分布线和该顶部裸晶之间的一间隙中；在该底部填充物和该多个有机层上施加一模塑料；从该多个有机层分离该载体；以及用一刀片预切割该多个有机层和该模塑料。6.如权利要求5所述的方法，还包括在该预切割之后，对该模塑料进行分割。7.一种分割方法，包括：在一模塑料中模制一第一装置裸晶和一第二装置裸晶，其中该模塑料包括一第一基底材料和混合在该第一基底材料中的多个第一填料颗粒；使用一刀片进行一预切割工艺，其中该刀片穿透与该模塑料接合的多个聚合物层，并且延伸到该模塑料中，并且该刀片切割一些该多个第一填料颗粒以形成多个部分颗粒；在该预切割工艺之后，锯切穿过该模塑料以将该第一装置裸晶和该第二装置裸晶分离成一第一封装和一第二封装；将该第一封装结合到一封装组件；以及将一底部填充物施加到该第一封装和该封装组件之间的一间隙中，其中该底部填充物包括一第二基底材料和混合在该第二基底材料中的多个第二填料颗粒，并且其中该底部填充物与该模塑料物理接触。8.如权利要求7所述的方法，其中该多个第一填料颗粒和该多个第二填料颗粒是无机
颗粒。9.如权利要求7所述的方法，其中该多个第二填料颗粒与该多个部分颗粒物理接触。10.如权利要求7所述的方法，其中该预切割工艺导致一u形或v形沟槽部分地延伸到该模塑料中。

技术总结

本公开提供一种方法，包括形成互连组件，互连组件包括包含有机介电材料的介电层和延伸到介电层中的再分布线。此方法还包括将第一封装组件和第二封装组件接合到互连组件、将第一封装组件和第二封装组件封装在密封剂中、以及使用刀片预切割互连组件以形成沟槽。沟槽穿透互连组件，并且部分地延伸到密封剂中。此方法还包括执行分割工艺，以将第一封装组件和第二封装组件分别分离成第一封装和第二封装。二封装组件分别分离成第一封装和第二封装。二封装组件分别分离成第一封装和第二封装。