1.本发明属于电池技术领域，涉及一种高镍
正极材料，尤其涉及一种高镍正极材料及其制备方法与应用。
背景技术：
2.锂离子电池具备能量密度高、使用寿命长以及工作电压稳定的优势，在储能领域占据主导地位，并成功应用于便携式消费电子产品和新能源汽车等诸多领域。随着新能源动力汽车产业的迅速发展，市场对于动力电池续航能力提出了更高的需求，因此，需要提升锂离子电池的能量密度满足市场要求。正极材料的结构优化对于提高电池能量密度起着至关重要的作用，开发具备高安全性、高容量以及高稳定性等优势的正极材料，能够有效促进锂离子电池的进一步发展和应用。
3.在锂离子电池正极材料中，lini
1-x-y
co
x
mnyo2(ncm)和lini
1-x-y
co
x
alyo2(nca)凭借其低成本和高比容量等优点被认为是动力电池的理想正极材料。目前，提高ncm和nca放电容量的有效途径是提高镍含量的占比，但是过高的镍含量会降低正极材料的循环稳定性，尤其是镍含量超过80％的高镍正极材料在循环时，由于机械应力变化会产生微裂纹，导致结构破坏，从而进一步增大了与电解液的接触面积，加剧了副反应的发生；通过在正极材料颗粒表面进行涂层包覆改性，可有效缓解高镍正极材料结构的不稳定性，从而达到兼顾高镍正极材料高容量与高循环稳定性的目的。
4.但是，目前常规的包覆涂层如氧化物、氟化物以及碳材料等，室温离子电导率较低，锂离子迁移势垒高，一定程度上影响了锂离子的脱嵌，对于正极材料性能的提升有限，并且都集中于固相法(共沉淀法)和液相法(溶胶凝胶法)进行包覆，难以保证包覆均匀性以及包覆层的厚度，还会对正极材料造成破坏，涂层质量欠佳。
5.基于以上研究，需要提供一种高镍正极材料，
所述高镍正极材料表面的包覆层不仅包覆均匀，且室温离子电导率高，能够明显提升高镍正极材料的结构稳定性，从而显著提升了高镍正极材料的循环性能。
技术实现要素：
6.本发明的目的在于提供一种高镍正极材料及其制备方法与应用，所述高镍正极材料表面包覆lzsp固态电解质层，其表现出更低的锂离子迁移势垒和较高的室温离子电导率，能够显著提升高镍正极材料的结构稳定性，从而提升了电池的循环稳定性和倍率性能。
7.为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
8.第一方面，本发明提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料包括内核和包覆层，所述包覆层包括lzsp，所述lzsp的化学式为li3zr2si2po
12
。
9.本发明所述高镍正极材料表面包覆特定的lzsp固态电解质层，其在提供机械保护，以及隔绝与电解液接触的同时，相比如氧化物、氟化物或碳材料等其他包覆涂层，表现出更低的锂离子迁移势垒，并且具备较高的室温离子电导率，能够高达3.5ms/cm，应用于锂
离子电池中时，能够提升电池的循环稳定性和倍率性能。
10.优选地，所述包覆层的厚度为10-50nm，例如可以是10nm、20nm、30nm、40nm或50nm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
11.优选地，所述内核包括lini
x
co
ym1-x-y
o2，其中，0.6≤x＜1，例如可以是0.6、0.7、0.8或0.9，0.01≤y＜0.20，例如可以是0.01、0.05、0.1、0.15或0.19，m包括mn和/或al。
12.第二方面，本发明提供了一种如第一方面所述的高镍正极材料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
13.(1)将内核置于ald反应腔中，向ald反应腔中通入锂源气相
前驱体、锆源气相前驱体、硅磷一体源气相前驱体和水蒸气；
14.(2)步骤(1)通入所述水蒸气后进行吹扫，完成包覆层的一次沉积过程，循环一次沉积过程，得到所述高镍正极材料。
15.本发明采用原子层沉积方法进行包覆lzsp固态电解质层，能够保证固态电解质层均匀致密地沉积在内核颗粒表面，使lzsp固态电解质层的厚度可控，可达到纳米级别，并且制备过程中自动化程度高，可控性高，有效防止了正极活性材料与电解液接触的同时，原子层沉积使包覆层与内核结合紧密，保证了锂离子在界面处较高的脱嵌速率；同时，本发明采用硅磷一体源气相前驱体进行沉积，不仅能够简化沉积流程，降低成本，还能促进lzsp的生成，保证lzsp的纯度，减少了杂质的引入，保证了包覆层的室温离子电导率。
16.优选地，步骤(1)所述通入为依次通入。
17.本发明所述沉积过程中依次通入锂源气相前驱体、锆源气相前驱体、硅磷一体源气相前驱体和水蒸气，提升了原子层沉积效果，保证了lzsp的物相结构，提升了lzsp的结晶度，减少了杂质的引入，若气相前驱体一同通入，或者通入顺序改变，都会对lzsp的物相造成影响，使高镍正极材料的稳定性下降。
18.本发明向所述ald腔中通入气体前先抽真空。
19.优选地，步骤(1)所述通入锂源气相前驱体后，进行吹扫，再通入锆源气相前驱体。
20.优选地，步骤(1)通入所述锆源气相前驱体后，进行吹扫，再通入硅磷一体源气相前驱体。
21.优选地，步骤(1)通入所述硅磷一体源气相前驱体后，进行吹扫，再通入水蒸气。
22.本发明每次通入气相前驱体后均进行了吹扫，能够提升沉积的均匀性，保证了沉积效果，提升了包覆层的均匀性，若将所有参与反应的气体通入后再进行吹扫，或通入某种前驱体后未进行吹扫，则均会使包覆层的均匀性下降。
23.优选地，所述吹扫采用的吹扫气体包括氮气。
24.优选地，所述吹扫的气体流量为75-100sccm，例如可以是75sccm、80sccm、90sccm、95sccm或100sccm，时间为20-40s，例如可以是20s、25s、30s、35s或40s，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
25.本发明所述吹扫气体的流量会对沉积结果造成影响，使包覆的均匀性以及包覆层的结合强度降低，若吹扫气体的流量过大，则会造成不必要的损失，若吹扫气体的流量过小，则无法将前驱体源吹扫干净，造成残留，干扰后续涂层的形成。
26.优选地，步骤(1)所述ald反应腔的温度为200-250℃，例如可以是200℃、205℃、210℃、215℃、220℃、225℃、230℃、235℃、240℃、245℃或250℃，但不限于所列举的数值，
数值范围内其它未列举的数值同样适用。
27.本发明所述反应腔的温度会影响lzsp的生成，若反应腔的温度过高，则颗粒表面的沉积层会发生热分解；若反应腔的温度过低，则前驱体源之间反应活性低，甚至无法生成理想的涂层物质。
28.优选地，步骤(1)所述锂源气相前驱体的通入时间为3-5s，例如可以是3s、3.5s、4s、4.5s或5s，通入流量为30-50sccm，例如可以是30sccm、35sccm、40sccm、45sccm或50sccm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
29.优选地，步骤(1)所述锂源气相前驱体采用锂源在160-180℃下加热得到，例如可以是160℃、165℃、170℃、175℃或180℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
30.优选地，所述锂源包括叔丁醇锂和/或乙酰乙酸锂。
31.优选地，步骤(1)所述锆源气相前驱体的通入时间为1-3s，例如可以是1s、1.5s、2s、2.5s或3s，通入流量为30-50sccm，例如可以是30sccm、35sccm、40sccm、45sccm或50sccm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
32.优选地，步骤(1)所述锆源气相前驱体采用锆源在80-100℃下加热得到，例如可以是80℃、85℃、90℃、95℃或100℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
33.优选地，所述锆源包括四(二甲氨基)锆和/或叔丁醇锆。
34.优选地，步骤(1)所述水蒸气的通入时间为0.5-2s，例如可以是0.5s、1s、1.5s或2s，通入流量为30-50sccm，例如可以是30sccm、35sccm、40sccm、45sccm或50sccm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
35.本发明所述水蒸气参与lzsp的反应，需在反应腔室内通入合理时间的水蒸气才能生成稳定的材料，由于水会对高镍材料的稳定性造成影响，因此通入水蒸气的时间应在合理的范围内。
36.本发明所述水蒸气由纯水加热至98-105℃得到，例如可以是98℃、100℃或105℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
37.优选地，步骤(1)所述硅磷一体源气相前驱体的通入时间为1-3s，例如可以是1s、1.5s、2s、2.5s或3s，通入流量为30-50sccm，例如可以是30sccm、35sccm、40sccm、45sccm或50sccm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
38.优选地，步骤(1)所述硅磷一体源气相前驱体采用硅磷一体源在140-160℃下加热得到，例如可以是140℃、145℃、150℃、155℃或160℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
39.优选地，所述硅磷一体源包括三(三甲基硅基)磷。
40.作为本发明所述制备方法的优选技术方案，所述制备方法包括如下步骤：
41.(1)将锂源在160-180℃下加热，得到锂源气相前驱体；将锆源在80-100℃下加热，得到锆源气相前驱体；将硅磷一体源在140-160℃下加热，得到硅磷一体源气相前驱体；
42.(2)将内核置于温度为200-250℃的ald反应腔中，向ald反应腔中先以30-50sccm的流量通入锂源气相前驱体3-5s，再以75-100sccm的流量通入氮气进行吹扫20-40s；
43.(3)步骤(2)所述吹扫结束后，以30-50sccm的流量通入锆源气相前驱体1-3s，再以
75-100sccm的流量通入氮气进行吹扫20-40s；
44.(4)步骤(3)所述吹扫结束后，以30-50sccm的流量通入硅磷一体源气相前驱体1-3s，再以75-100sccm的流量通入氮气进行吹扫20-40s；
45.(5)步骤(4)所述吹扫结束后，以30-50sccm的流量通入水蒸气0.5-2s，再以75-100sccm的流量通入氮气进行吹扫20-40s，完成包覆层的一次沉积过程，循环一次沉积过程，得到所述高镍正极材料。
46.第三方面，本发明提供了一种锂离子电池，所述锂离子电池包括如第一方面所述的高镍正极材料。
47.相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
48.本发明通过在高镍正极材料表面包覆lzsp固态电解质层，解决了正极材料循环过程中易与电解液发生反应，造成表面结构降解的问题，同时利用lzsp的高离子电导率，在充放电过程中为锂离子传输提供了快速通道；此外，本发明采用原子层沉积技术进行包覆lzsp，实现了超薄涂层的纳米级包覆，在进行正极材料表面机械保护的同时，不影响锂离子在界面处的脱嵌，并且由于是原位沉积，lzsp与正极材料颗粒表面的结合力加强，循环过程中不易脱落，提升了电池的循环性能和倍率性能。
具体实施方式
49.下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
50.实施例1
51.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料的内核为lini
0.8
co
0.1
mn
0.1
o2，包覆层为li3zr2si2po
12
，所述包覆层的厚度为25nm；
52.所述高镍正极材料的制备方法包括如下步骤：
53.(1)将叔丁醇锂在170℃下加热，得到叔丁醇锂气相前驱体；将叔丁醇锆在90℃下加热，得到叔丁醇锆气相前驱体；将三(三甲基硅基)磷在150℃下加热，得到三(三甲基硅基)磷气相前驱体；将纯水加热至100℃，得到水蒸气；
54.(2)将内核置于温度为225℃的ald反应腔中，抽真空，然后向ald反应腔中以40sccm的流量通入叔丁醇锂气相前驱体4s，再以90sccm的流量通入氮气进行吹扫30s；
55.(3)步骤(2)所述吹扫结束后，以40sccm的流量通入叔丁醇锆气相前驱体2s，再以90sccm的流量通入氮气进行吹扫30s；
56.(4)步骤(3)所述吹扫结束后，以40sccm的流量通入三(三甲基硅基)磷气相前驱体2s，再以90sccm的流量通入氮气进行吹扫30s；
57.(5)步骤(4)所述吹扫结束后，以40sccm的流量通入水蒸气1s，再以90sccm的流量通入氮气进行吹扫30s，完成包覆层的一次沉积过程，循环一次沉积过程至沉积所得包覆层为25nm，得到所述高镍正极材料。
58.实施例2
59.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料的内核为lini
0.85
co
0.05
mn
0.1
o2，包覆层为li3zr2si2po
12
，所述包覆层的厚度为50nm；
60.所述高镍正极材料的制备方法包括如下步骤：
61.(1)将乙酰乙酸锂在160℃下加热，得到乙酰乙酸锂气相前驱体；将四(二甲氨基)锆在100℃下加热，得到四(二甲氨基)锆气相前驱体；将三(三甲基硅基)磷在160℃下加热，得到三(三甲基硅基)磷气相前驱体；将纯水加热至100℃，得到水蒸气；
62.(2)将内核置于温度为250℃的ald反应腔中，抽真空，然后向ald反应腔中以50sccm的流量通入乙酰乙酸锂气相前驱体5s，再以75sccm的流量通入氮气进行吹扫40s；
63.(3)步骤(2)所述吹扫结束后，以30sccm的流量通入四(二甲氨基)锆气相前驱体5s，再以100sccm的流量通入氮气进行吹扫20s；
64.(4)步骤(3)所述吹扫结束后，以50sccm的流量通入三(三甲基硅基)磷气相前驱体2s，再以75sccm的流量通入氮气进行吹扫40s；
65.(5)步骤(4)所述吹扫结束后，以50sccm的流量通入水蒸气0.5s，再以100sccm的流量通入氮气进行吹扫40s，完成包覆层的一次沉积过程，循环一次沉积过程至沉积所得包覆层为50nm，得到所述高镍正极材料。
66.实施例3
67.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料的内核为lini
0.8
co
0.1
al
0.1
o2，包覆层为li3zr2si2po
12
，所述包覆层的厚度为10nm；
68.所述高镍正极材料的制备方法包括如下步骤：
69.(1)将叔丁醇锂在180℃下加热，得到叔丁醇锂气相前驱体；将叔丁醇锆在80℃下加热，得到叔丁醇锆气相前驱体；将三(三甲基硅基)磷在140℃下加热，得到三(三甲基硅基)磷气相前驱体；将纯水加热至105℃，得到水蒸气；
70.(2)将内核置于温度为200℃的ald反应腔中，抽真空，然后向ald反应腔中以30sccm的流量通入叔丁醇锂气相前驱体5s，再以100sccm的流量通入氮气进行吹扫20s；
71.(3)步骤(2)所述吹扫结束后，以50sccm的流量通入叔丁醇锆气相前驱体2s，再以100sccm的流量通入氮气进行吹扫40s；
72.(4)步骤(3)所述吹扫结束后，以30sccm的流量通入三(三甲基硅基)磷气相前驱体5s，再以100sccm的流量通入氮气进行吹扫20s；
73.(5)步骤(4)所述吹扫结束后，以30sccm的流量通入水蒸气2s，再以90sccm的流量通入氮气进行吹扫30s，完成包覆层的一次沉积过程，循环一次沉积过程至沉积所得包覆层为10nm，得到所述高镍正极材料。
74.实施例4
75.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料除了制备方法中，步骤(2)所述ald反应腔的温度为190℃，使得到的高镍正极材料相应变化以外，其余均与实施例1相同。
76.实施例5
77.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料除了制备方法中，步骤(2)所述ald反应腔的温度为260℃，使得到的高镍正极材料相应变化以外，其余均与实施例1相同。
78.实施例6
79.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料除了制备方法中氮气进行吹扫的流量均为65sccm，使得到的高镍正极材料相应变化以外，其余均与实施例1相同。
80.实施例7
81.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料除了制备方法中氮气进行吹扫的流量均为110sccm，使得到的高镍正极材料相应变化以外，其余均与实施例1相同。
82.实施例8
83.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料除了制备方法中叔丁醇锂气相前驱体、叔丁醇锆气相前驱体、三(三甲基硅基)磷气相前驱体和水蒸气一起通入至ald反应腔中，然后在通入上述气体结束后，以90sccm的流量通入氮气进行吹扫30s，使得到的高镍正极材料相应变化以外，其余均与实施例1相同。
84.实施例9
85.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料除了制备方法中先以40sccm的流量通入水蒸气1s，再进行步骤(2)-(4)中的通气，使得到的高镍正极材料相应变化以外，其余均与实施例1相同。
86.实施例10
87.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极除了制备方法中，步骤(5)所述水蒸气的通入时间为0.25s，使得到的高镍正极材料相应变化以外，其余均与实施例1相同。
88.实施例11
89.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极除了制备方法中，步骤(5)所述水蒸气的通入时间为3s，使得到的高镍正极材料相应变化以外，其余均与实施例1相同。
90.实施例12
91.本实施例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极除了制备方法中，步骤(3)所述吹扫结束后，以40sccm的流量通入硅源气相前驱体2s后，以90sccm的流量通入氮气进行吹扫30s，再以40sccm的流量通入磷源气相前驱体2s，再以90sccm的流量通入氮气进行吹扫30s，再进行步骤(5)，使得到的高镍正极材料相应变化以外，其余均与实施例1相同，其中，硅源气相前驱体为四乙氧基硅烷，磷源气相前驱体为磷酸三甲酯。
92.对比例1
93.本对比例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料的内核为lini
0.8
co
0.1
mn
0.1
o2，包覆层为lipon，所述包覆层的厚度为25nm；
94.所述高镍正极材料的制备方法采用原子层沉积，与实施例1的区别仅在于气体前驱体适应性的变为锂源气体前驱体(丁醇锂)和磷源气体前驱体(二乙基磷酸酯)以外，其余均与实施例1相同。
95.对比例2
96.本对比例提供了一种高镍正极材料，所述高镍正极材料为lini
0.8
co
0.1
mn
0.1
o2，不具备包覆层。
97.以上实施例和对比例得到的高镍正极材料制备成正极片，然后与锂负极制备成锂离子电池，测试其200圈的循环保持率，然后测试其1c的容量保持率；测试条件为：在25℃的温度下，将电池先以0.1c恒流充电至电压为4.2v，进一步以4.2v恒压充电至电流为0.05c，然后以0.1c恒流放电至电压为3.0v，此为一个充放电循环过程，按上述方法循环充放电200次，得到容量保持率；在25℃的温度下，将电池先以0.1c恒流充电至电压为4.2v，进一步以4.2v恒压充电至电流为0.05c，然后以0.1c恒流放电至电压为3.0v，然后将充放电倍率改为
1c，测试100圈循环后的容量保持率。
98.测试结果如下列表格所示：
99.表1
[0100][0101][0102]
从以上表格可以看出：
[0103]
由实施例1与对比例1-2可知，本发明包覆lzsp，相较于包覆其他物质，或者不进行包覆的情况，能够显著提升高镍正极材料的循环性能和倍率性能；由实施例1与实施例4-7可知，反应腔的温度，氮气进行吹扫的流量，会对原子层沉积过程造成影响，从而影响沉积的均匀性以及包覆层与内核的结合强度；由实施例1与实施例8可知，若将各种气体前驱体一同通入，则会影响lzsp的物相结构，从而会对电池的性能造成影响；由实施例1与实施例9可知，先通入水蒸气，再按顺序通入其他前驱体，由于高镍材料对于水敏感，同样会对沉积
效果造成影响；由实施例10-11可知，通入水蒸气的时间会影响包覆效果以及材料的稳定性，由实施例1与实施例12可知，硅磷源一体前驱体能够提升包覆效果。
[0104]
综上所述，本发明提供了一种高镍正极材料及其制备方法与应用，所述高镍正极材料表面包覆lzsp固态电解质层，其表现出更低的锂离子迁移势垒和较高的室温离子电导率，能够显著提升高镍正极材料的结构稳定性，从而提升了电池的循环稳定性和倍率性能。
[0105]
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
技术特征：
1.一种高镍正极材料，其特征在于，所述高镍正极材料包括内核和包覆层，所述包覆层包括lzsp，所述lzsp的化学式为li3zr2si2po
12
。2.根据权利要求1所述高镍正极材料，其特征在于，所述包覆层的厚度为10-50nm；优选地，所述内核包括lini
x
co
y
m
1-x-y
o2，其中，0.6≤x＜1，0.01≤y＜0.20，m包括mn和/或al。3.一种如权利要求1或2所述的高镍正极材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)将内核置于ald反应腔中，向ald反应腔中通入锂源气相前驱体、锆源气相前驱体、硅磷一体源气相前驱体和水蒸气；(2)步骤(1)通入所述水蒸气后进行吹扫，完成包覆层的一次沉积过程，循环一次沉积过程，得到所述高镍正极材料。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述通入为依次通入；优选地，步骤(1)所述通入锂源气相前驱体后，进行吹扫，再通入锆源气相前驱体；优选地，步骤(1)通入所述锆源气相前驱体后，进行吹扫，再通入硅磷一体源气相前驱体；优选地，步骤(1)通入所述硅磷一体源气相前驱体后，进行吹扫，再通入水蒸气。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述吹扫采用的吹扫气体包括氮气；优选地，所述吹扫的气体流量为75-100sccm，时间为20-40s；优选地，步骤(1)所述ald反应腔的温度为200-250℃。6.根据权利要求3-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述锂源气相前驱体的通入时间为3-5s，通入流量为30-50sccm；优选地，步骤(1)所述锂源气相前驱体采用锂源在160-180℃下加热得到；优选地，所述锂源包括叔丁醇锂和/或乙酰乙酸锂。7.根据权利要求3-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述锆源气相前驱体的通入时间为1-3s，通入流量为30-50sccm；优选地，步骤(1)所述锆源气相前驱体采用锆源在80-100℃下加热得到；优选地，所述锆源包括四(二甲氨基)锆和/或叔丁醇锆；优选地，步骤(1)所述水蒸气的通入时间为0.5-2s，通入流量为30-50sccm。8.根据权利要求3-7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述硅磷一体源气相前驱体的通入时间为1-3s，通入流量为30-50sccm；优选地，步骤(1)所述硅磷一体源气相前驱体采用硅磷一体源在140-160℃下加热得到；优选地，所述硅磷一体源包括三(三甲基硅基)磷。9.根据权利要求3-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)将锂源在160-180℃下加热，得到锂源气相前驱体；将锆源在80-100℃下加热，得到锆源气相前驱体；将硅磷一体源在140-160℃下加热，得到硅磷一体源气相前驱体；(2)将内核置于温度为200-250℃的ald反应腔中，向ald反应腔中先以30-50sccm的流量通入锂源气相前驱体3-5s，再以75-100sccm的流量通入氮气进行吹扫20-40s；
(3)步骤(2)所述吹扫结束后，以30-50sccm的流量通入锆源气相前驱体1-3s，再以75-100sccm的流量通入氮气进行吹扫20-40s；(4)步骤(3)所述吹扫结束后，以30-50sccm的流量通入硅磷一体源气相前驱体1-3s，再以75-100sccm的流量通入氮气进行吹扫20-40s；(5)步骤(4)所述吹扫结束后，以30-50sccm的流量通入水蒸气0.5-2s，再以75-100sccm的流量通入氮气进行吹扫20-40s，完成包覆层的一次沉积过程，循环一次沉积过程，得到所述高镍正极材料。10.一种锂离子电池，其特征在于，所述锂离子电池包括如权利要求1或2所述的高镍正极材料。
技术总结
本发明提供了一种高镍正极材料及其制备方法与应用，所述高镍正极材料包括内核和包覆层，所述包覆层包括LZSP，所述LZSP的化学式为Li3Zr2Si2PO
技术研发人员：
王俊 华文超 张坤 许开华
受保护的技术使用者：
格林美股份有限公司
技术研发日：
2022.12.20
技术公布日：
2023/3/10
