1.本发明涉及电路板加工制造技术领域,尤其是涉及一种植球
邦定焊盘的加工方法。
背景技术:
2.对于部分邦定产品,由于邦定区域因空间有限,邦定焊盘设计尺寸一般焊盘宽度和焊盘间距在4mil/4mil及以下,该
位置焊盘需要进行植球邦定,而植球金丝直径20-30um,按照邦定原理,植球球径大于等于金丝直径的3倍,即球径60-90um。按照植球原理,植球位置焊盘尺寸应大于球径,即邦定焊盘顶层尺寸大于等于70um。
3.多个焊盘并齐排列设计,按常规补偿理念及思路,工程cam补偿蚀刻焊盘时会统一补偿值。例如,线宽间距4mil/4mil,根据蚀刻能力需要对焊盘补偿1.2mil,正常蚀刻后焊盘尺寸一般在3.2-3.6mil,符合设计要求。然而当两端最外位置的焊盘
距离周边大铜皮或距离相邻焊盘间距大于并列焊盘间距时,蚀刻后两端靠外位置的焊盘因药水咬蚀导致尺寸偏小,超出管控下限,焊盘尺寸不合格,影响邦定植球效果。
技术实现要素:
4.本发明的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一,为此,本发明提出一种植球邦定焊盘的加工方法,能够保证两端开外位置的焊盘蚀刻后尺寸足够大,满足植球邦定的要求。
5.根据本发明实施例的植球邦定焊盘的加工方法,包括:
6.步骤1:在邦定区域设计焊盘,多个焊盘沿左右方向等间距设置,各个焊盘之间的间距为4mil;
7.步骤2:测量各个焊盘边缘到相邻
导体之间的距离,若检测到焊盘边缘到相邻导体之间的距离大于4mil,则对该焊盘进行单个补偿。
8.根据本发明实施例的植球邦定焊盘的加工方法,至少具有如下有益效果:各个焊盘之间的间距均为4mil,而位于最外侧的焊盘,其外侧边缘距离相邻导体的距离大于4mil,该位置的铜被咬蚀量比其它位置要大,因此该位置在整体补偿的基础上向左加大0.5-1.0mil,由此即使该位置的铜被咬蚀量比其它位置要大,最终形成焊盘的尺寸依然与位于中间位置的焊盘尺寸一致,确保此焊盘的尺寸大于等于70um。
9.根据本发明的一些实施例,在步骤1中,设计焊盘时需要根据蚀刻能力对焊盘进行整体补偿。
10.根据本发明的一些实施例,整体补偿的补偿量为1.2mil。
11.根据本发明的一些实施例,在步骤2中,测量各个焊盘边缘到相邻导体之间的距离包括:检测各个焊盘左侧边缘到相邻导体之间的距离,若检测到焊盘左侧边缘到相邻导体之间的距离大于4mil,则对该焊盘的左侧在整体补偿的基础上进行单个补偿。
12.根据本发明的一些实施例,单个补偿的补偿量为0.5-1.0mil。
13.根据本发明的一些实施例,在步骤2中,测量各个焊盘边缘到相邻导体之间的距离包括:检测各个焊盘右侧边缘到相邻导体之间的距离,若检测到焊盘右侧边缘到相邻导体之间的距离大于4mil,则对该焊盘的右侧在整体补偿的基础上进行单个补偿。
14.根据本发明的一些实施例,单个补偿的补偿量为0.5-1.0mil。
15.本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
16.下面结合附图和实施例对本发明进一步地说明:
17.图1是本发明实施例的植球邦定焊盘的加工方法;
18.图2是焊盘分布的结构示意图。
19.附图标记说明:
20.焊盘100。
具体实施方式
21.本部分将详细描述本发明的具体实施例,本发明之较佳实施例在附图中示出,附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述,使人能够直观地、形象地理解本发明的每个技术特征和整体技术方案,但其不能理解为对本发明保护范围的限制。
22.在本发明的描述中,需要理解的是,涉及到方位描述,例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
23.在本发明的描述中,若干的含义是一个或者多个,多个的含义是两个以上,大于、小于、超过等理解为不包括本数,以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
24.本发明的描述中,除非另有明确的限定,设置、安装、连接等词语应做广义理解,所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。
25.参考图1和图2描述根据本发明实施例的植球邦定焊盘的加工方法。
26.如图1和图2所示,根据本发明实施例的植球邦定焊盘的加工方法包括:
27.步骤1:在邦定区域设计焊盘100,多个焊盘100沿左右方向等间距设置,各个焊盘100之间的间距为4mil;
28.步骤2:测量各个焊盘边缘到相邻导体之间的距离,若检测到焊盘边缘到相邻导体之间的距离大于4mil,则对该焊盘100进行单个补偿。
29.如图1和图2所示,由于邦定产品的邦定区域空间有限,因此邦定焊盘100的设计焊盘100宽度为4mil,邦定焊盘100的设计焊盘100间距为4mil。由于焊盘100需要植球邦定,而植球金丝直径20-30um,按照邦定原理及要素,植球球径大于等于金丝直径的3倍,因此植球球径60-90um。按照植球原理及要素,植球位置焊盘100尺寸应大于球径,即邦定焊盘100顶
层尺寸大于等于70um。
30.设计焊盘100时需要根据蚀刻能力对焊盘100进行整体补偿,即工程cam补偿蚀刻焊盘100时会统一补偿值,焊盘100的宽度和间距均为4mil,根据蚀刻能力需要对焊盘100补偿1.2mil,位于中间位置的焊盘100正常蚀刻后焊盘100尺寸一般在3.2-3.6mil。
31.邦定区域的多个焊盘100沿左右方向等间距排列设计,各个焊盘100之间的间距为4mil,测量各个焊盘边缘到相邻导体之间的距离,邦定区域由于布线要求,有部分焊盘100周围无辅助铜,与其它导体距离较远,蚀刻线路时该位置药水交换比其它区域要快,该位置铜被咬蚀量比其它位置要大,对该位置的焊盘100需要进行单个补偿。即对于焊盘边缘到相邻导体的距离大于4mil的焊盘100,对该焊盘100焊盘边缘到相邻导体的距离大于4mil的一侧在原有补偿的基础上再加大0.5-1.0mil。
32.如图2所示,多个焊盘100沿左右方向等间距排列,各个焊盘100之间的间距均为4mil,而位于最左侧的焊盘100,其左侧边缘距离相邻导体的距离大于4mil,该位置的铜被咬蚀量比其它位置要大,因此该位置在整体补偿的基础上向左加大0.5-1.0mil,由此即使该位置的铜被咬蚀量比其它位置要大,最终形成焊盘100的尺寸依然与位于中间位置的焊盘100尺寸一致,确保此焊盘100的尺寸大于等于70um。位于最右侧的焊盘100,其右侧边缘距离相邻导体的距离大于4mil,该位置的铜被咬蚀量比其它位置要大,因此该位置在整体补偿的基础上向右加大0.5-1.0mil,由此即使该位置的铜被咬蚀量比其它位置要大,最终形成焊盘100的尺寸依然与位于中间位置的焊盘100尺寸一致,确保此焊盘100的尺寸大于等于70um。从而保证所有焊盘100的尺寸均大于等于70um,满足植球邦定的需求。
33.上面结合附图对本发明实施例作了详细说明,但是本发明不限于上述实施例,在技术领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。
技术特征:
1.一种植球邦定焊盘的加工方法,其特征在于,包括:步骤1:在邦定区域设计焊盘,多个焊盘沿左右方向等间距设置,各个焊盘之间的间距为4mil;步骤2:测量各个焊盘边缘到相邻导体之间的距离,若检测到焊盘边缘到相邻导体之间的距离大于4mil,则对该焊盘进行单个补偿。2.根据权利要求1所述的植球邦定焊盘的加工方法,其特征在于,在步骤1中,设计焊盘时需要根据蚀刻能力对焊盘进行整体补偿。3.根据权利要求2所述的植球邦定焊盘的加工方法,其特征在于,整体补偿的补偿量为1.2mil。4.根据权利要求3所述的植球邦定焊盘的加工方法,其特征在于,在步骤2中,测量各个焊盘边缘到相邻导体之间的距离包括:检测各个焊盘左侧边缘到相邻导体之间的距离,若检测到焊盘左侧边缘到相邻导体之间的距离大于4mil,则对该焊盘的左侧在整体补偿的基础上进行单个补偿。5.根据权利要求4所述的植球邦定焊盘的加工方法,其特征在于,单个补偿的补偿量为0.5-1.0mil。6.根据权利要求3所述的植球邦定焊盘的加工方法,其特征在于,在步骤2中,测量各个焊盘边缘到相邻导体之间的距离包括:检测各个焊盘右侧边缘到相邻导体之间的距离,若检测到焊盘右侧边缘到相邻导体之间的距离大于4mil,则对该焊盘的右侧在整体补偿的基础上进行单个补偿。7.根据权利要求6所述的植球邦定焊盘的加工方法,其特征在于,单个补偿的补偿量为0.5-1.0mil。
技术总结
本发明公开了一种植球邦定焊盘的加工方法,属于电路板加工制造技术领域,本植球邦定焊盘的加工方法包括:在邦定区域设计焊盘,多个焊盘沿左右方向等间距设置,各个焊盘之间的间距为4mil;测量各个焊盘边缘到相邻导体之间的距离,若检测到焊盘边缘到相邻导体之间的距离大于4mil,则对该焊盘进行单个补偿。各个焊盘之间的间距均为4mil,而位于最外侧的焊盘,其外侧边缘距离相邻导体的距离大于4mil,该位置的铜被咬蚀量比其它位置要大,因此该位置在整体补偿的基础上向左加大0.5-1.0mil,由此即使该位置的铜被咬蚀量比其它位置要大,最终形成焊盘的尺寸依然与位于中间位置的焊盘尺寸一致,确保此焊盘的尺寸大于等于70um。确保此焊盘的尺寸大于等于70um。确保此焊盘的尺寸大于等于70um。
技术研发人员:
刘江 荀宗献 黄德业 关志锋
受保护的技术使用者:
广州杰赛电子科技有限公司 中电科普天科技股份有限公司
技术研发日:
2022.12.22
技术公布日:
2023/3/3