1.本实用新型涉及背光技术领域,更具体地说,涉及背光架构及具有其的显示装置。
背景技术:
2.本部分的描述仅提供与本实用新型公开相关的背景信息,而不构成现有技术。
3.传统背光架构的出光受灯珠的角度限制,目前灯珠角度最大只能做到120
°
左右,在单位od值(混光距离)的情况下,若要保证背光架构的发光灯板的整体出光的均匀性,就需要增加灯珠的数量,最大的pitch(灯珠间距):od(混光距离)只能做到接近1:2,由此会增加背光架构的整体成本,不仅如此,目前市场上为了增大出光角度通常选择在发光
元件上点胶的形式,该种方式不利于散热从而影响发光元件的使用寿命。
4.应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本实用新型的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现要素:
5.本实用新型要解决的技术问题是提供一种背光架构及显示装置,不仅能够节省成本而且能够极大地提高发光元件的使用寿命。
6.为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种背光架构,包括发光单元,
所述发光单元包括基板以及贴合安装于所述基板上的至少一个发光元件,还包括与所述发光元件一一对应设置的透明
透镜,每个所述透镜粘接安装于所述基板上并且罩于对应的发光元件的上方,所述透镜从下至上依次开设有用于容置所述发光元件的容置槽和与所述容置槽连通且用于对容置槽内的发光元件发出光束进行扩散的半椭球形内腔,所述透镜的顶面截面呈半球形或半椭圆形。
7.进一步的,所述透镜通过点胶或通过胶水固化安装于所述基板上。
8.进一步的,所述透镜的高度为3-6mm。
9.进一步的,所述发光元件发出的光束经所述透镜后扩散至170-180
°
。
10.进一步的,所述透镜材质为pe、pc或亚克力中的任意一种。
11.进一步的,所述发光元件为led灯珠或led发光芯片。
12.进一步的,沿发光元件的光传输方向还依次设置扩散膜/板以及至少一层
棱镜膜,所述棱镜膜的棱镜转角为70
±5°
。
13.进一步的,所述发光元件为led发光芯片,并且当所述led发光芯片为蓝光芯片时,所述扩散膜/板与所述棱镜膜之间还设置有量子点膜。
14.进一步的,所述基板的材质为mcpcb材料、fr4材料、bt料以及玻璃基板中的任意一种。
15.一种显示装置,包括显示面板和上述的背光架构,所述显示面板安装于所述背光架构的出光侧。
16.借由以上的技术方案,本实用新型的有益效果如下:
17.1、本实用新型通过设置透明透镜罩于发光元件的上方,由此能够避免传统的通过在发光元件上点胶的方式对发光元件寿命的影响,通过设置本技术的透镜能够实现出光角度在170-180
°
的范围,而无需在同od值的情况下为达到同样的出光均匀度来增加发光元件的数量,从而能够有效的节省成本。
18.2、本技术通过设置该透镜,并且沿光路的传输方向依次设置扩散膜/板、量子点膜和棱镜膜,能够使本技术的背光架构实现在同等od值的情况下,极大地增强发光元件出光后整板的均匀度,有效的消除灯影,可以使同等面积的基板上的发光元件之间的间距放大,从而可以减少发光单元内发光元件的设置。
19.3、通过设置带增光作用的棱镜膜,使得在发光单元发出的光在经过棱镜膜后,只有入射光在某一角度范围内的光才能通过折射作用出射,其余的光因不满足折射条件而被棱镜膜边缘反射回发光单元,再由发光单元内的反射片作用而重新出射,这样,发光源中的光线在棱镜膜结构的作用下,不断的循环使用,原本向各个方向的光线在通过棱镜膜后,被控制在70
±5°
的范围内,从而达到轴向亮度增强的效果。
附图说明
20.图1是本实用新型传统背光架构的示意图;
21.图2是本实用新型的背光架构图;
22.图3是本实用新型透镜的机构示意图。
23.其中:
24.1、发光单元;101、基板;102、发光元件;2、od值;3、扩散膜/板;4、量子点膜;5、棱镜膜;6、透镜;601、容置槽;602、半椭球形内腔。
具体实施方式
25.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
26.需要说明的是,在本实用新型的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的和区别类似的对象,两者之间并不存在先后顺序,也不能理解为指示或暗示相对重要性。此外,在本实用新型的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
27.参见附图1-3,本说明一较佳实施例所述的一种背光架构,沿光传输方向依次设置有发光单元1、扩散膜/板3以及至少一层棱镜膜5,该发光单元1包括基板101以及贴合安装在所述基板101上的至少一个发光元件102,本技术的发光元件102为led灯珠或led发光芯片,具体的当发光元件102为led发光芯片并且为发蓝光的led发光芯片的时候,本技术的背光架构还设置有一量子点膜4,该量子点膜4设置在扩散膜/板3与所述棱镜膜5之间,本技术的棱镜膜5的棱镜转角为70
±5°
。具体的,为了在同od值2的情况下,为实现同样的亮度不增加发光元件102数量的情况下,本技术的背光架构还包括与发光元件102一一对应设置的透明透镜6,每个透镜6均通过粘接方式安装在所述基板101上,为了提高发光元件102的使用
寿命,本技术的透镜6罩于发光元件102的上方,具体的,透镜6呈上下结构,透镜6的上半部分的截面呈半球形或板椭圆形,透镜6的下半部分为柱形设置,该透镜6的底壁上开设有一用于容置发光元件102的容置槽601,为便于容置槽601内的发光元件102发出的光束进行扩散以获得所需要的透镜折射发光角度,优选透镜6还设有一与容置槽601连通的半椭球形内腔602,该内腔的截面呈半椭球形。通过上述结构,发光元件102发出的光能够扩散至170-180
°
,具体的主要出光角度为160
°
,通过透镜6的左右两侧进行叠加使得整个出光增加至170-180
°
。
28.具体的,本技术的透镜6在其下表面通过点胶或胶水固化的方式安装在基板101上。本技术的透镜6的下表面至上半部分的最顶点之间的距离(也就是透镜6的高度)为3-6mm,为匹配本实施例的背光架构的混光距离优选透镜6的高度为5mm。透镜6的材质为pe、pc或亚克力中的任意一种,在本实施例中选择为透明的pe材料,在其他实施例中未透明的pc材料或者透明的亚克力材料。基板101的材质为mcpcb材料、fr4材料、bt料以及玻璃基板101中的任意一种。通过本技术的结构,能够实现在od值2一定的条件下,极大地增强出光均匀度,并且能够是现在相同的出光均匀度的情况下,有效的降低发光元件102的数量,从传统的pitch(灯珠间距):od(混光距离)>1:2,做到pitch:od<1:2以内,甚至做到1:3,从而极大地降低发光元件102的使用数量。
29.一种显示装置,包括显示面板和上述的背光架构,具体的显示面板安装在背光架构的出光侧。
30.以上所述实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例,本实用新型的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本实用新型基础上所作的等同替代或变换,均在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
技术特征:
1.一种背光架构,包括发光单元,所述发光单元包括基板以及贴合安装于所述基板上的至少一个发光元件,其特征在于,还包括与所述发光元件一一对应设置的透明透镜,每个所述透镜粘接安装于所述基板上并且罩于对应的发光元件的上方,所述透镜从下至上依次开设有用于容置所述发光元件的容置槽和与所述容置槽连通且用于对容置槽内的发光元件发出光束进行扩散的半椭球形内腔,所述透镜的顶面截面呈半球形或半椭圆形。2.根据权利要求1所述的背光架构,其特征在于,所述透镜通过点胶或通过胶水固化安装于所述基板上。3.根据权利要求1所述的背光架构,其特征在于,所述透镜的高度为3-6mm。4.根据权利要求1所述的背光架构,其特征在于,所述发光元件发出的光束经所述透镜后扩散至170-180
°
。5.根据权利要求1所述的背光架构,其特征在于,所述透镜材质为pe、pc或亚克力中的任意一种。6.根据权利要求1所述的背光架构,其特征在于,所述发光元件为led灯珠或led发光芯片。7.根据权利要求1所述的背光架构,其特征在于,沿发光元件的光传输方向还依次设置扩散膜/板以及至少一层棱镜膜,所述棱镜膜的棱镜转角为70
±5°
。8.根据权利要求7所述的背光架构,其特征在于,所述发光元件为led发光灯珠/芯片,并且当所述led发光灯珠/芯片为蓝光芯片时,所述扩散膜/板与所述棱镜膜之间还设置有量子点膜。9.根据权利要求1所述的背光架构,其特征在于,所述基板的材质为mcpcb材料、fr4材料、bt料以及玻璃基板中的任意一种。10.一种显示装置,其特征在于,包括显示面板和权利要求1-9任一项所述的背光架构,所述显示面板安装于所述背光架构的出光侧。
技术总结
本实用新型公开了一种背光架构及显示装置,包括发光单元,所述发光单元包括基板以及贴合安装于所述基板上的至少一个发光元件,还包括与发光元件一一对应设置的透明透镜,每个透镜粘接安装于基板上并且罩于对应的发光元件的上方,透镜从下至上依次开设有用于容置发光元件的容置槽和与容置槽连通且用于对容置槽内的发光元件发出光束进行扩散的半椭球形内腔,透镜的顶面截面呈半球形或半椭圆形。本实用新型至少包括以下优点:能够节省成本而且能够极大地提高发光元件的使用寿命。能够极大地提高发光元件的使用寿命。能够极大地提高发光元件的使用寿命。
技术研发人员:
景俊
受保护的技术使用者:
苏州欧依迪半导体有限公司
技术研发日:
2022.05.25
技术公布日:
2023/1/5