失效分析项目

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失效分析项目
项目参考标准检测目的
光学显微镜检测
观察样品外观,表面形状、芯片裂缝、沾污、划伤、
氧化层缺陷及金属层腐蚀等,测量尺寸及观察功能。X-RAY检测观察焊线,装片,空洞等
*超声波扫描显微镜
检测
JEDEC J-STD-035-1999 用来检测界面分层,塑封体的空洞、芯片裂缝等JUNO测试机检测
二、三极管;数字晶体管;稳压管等半导体器件的电
性测试自动牙刷
*半导体特性图示仪
uvlo电路>羟乙基纤维素钠
检测GB/T 13973-2012
安全带插扣确认失效模式和失效管脚定位,识别部分失效机理,
ca1703与失效管与与同批次好品曲线有任何差异需要引起
注意。
封装级定位(TDR)检测TDR是通过测量反射波的电压幅度,从而计算出阻抗的变化; 同时,只要测量出反射点到发射点的时间值,就可计算出传输路径中阻抗变化点的位置。主要用来失效点定位、阻抗测量、OS测试等等。
封装开封检测
亿万像素LASER开封:用来减薄塑封体的厚度、保留管脚
手工开封:用湿法开帽暴露内部芯片、内引线和压区芯片探针台检测探针测试芯片,观察芯片的电参数或特性曲线
封装弹坑测试去除焊线及压区金属层,观察压区情况
封装截面分析检测-离子研磨系统对样品截取适当的观察面观察焊点结合情况,分层,void等
扫描式电子显微镜检测JY-T 010-1996
观察芯片表面金属引线的短路、开路、电迁移、氧化
层的针孔和受腐蚀的情况,还可用来观察硅片的层
错、位错及作为图形线条的尺寸测量等。
EDX确认样品表面成分。
芯片去层(RIE)检测主要用于解决芯片多层结构下层的可观察性和可测试性。

本文发布于:2023-06-18 22:26:34,感谢您对本站的认可!

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