序号 | 大陆术语 | 英文 | 定义 | 台湾地区 术语 |
一、基本术语 | ||||
1-01 | 半导体 | semiconductor | 两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝缘体之间的一种材料，这种材料中的载流子浓度随外部条件改变而变化。 | 半導體 |
1-02 | 半导体器件 | semiconductor device | 其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件。 | 半導體元件 |
1-03 | [半导体]二极管 | (semiconductor) diode | 具有非对称的电压电流特性的两引出端半导体器件。 | (半導體)二極體 |
1-04 | 发光二极管； LED | light-emitting diode | 当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导体二极管。 | 發光二極體 |
1-05 | 固态照明 | solid state lighting | 固態照明 | |
1-06 | 半导体照明 | semiconductor lighting | 采用LED作为光源的照明方式。 | 半導體照明 |
1-07 | 衬底 | substrate | 用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单晶片。 | 基板 |
1-08 | 外延片 | epitaxial wafer | 用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片。 | 磊晶片 |
1-09 | 发光二极管芯片 | light-emitting diode chip | 具有PN结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体晶片。 | 發光二極體晶片(粒) |
1-10 | LED模块 | LED module | 由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元。 | LED模組 |
1-12 | LED组件 | LED discreteness | 由LED或LED模块和电子元器件组合在一起，具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元。 | LED元組件 |
1-13 | 内量子效率 | inner quantum efficiency | 有源区产生的光子数与所注入有源区的电子-空穴对数之比。 | 內部量子效率 |
1-14 | 出光效率 | light extraction efficiency | 逸出LED结构的光子数与有源区产生的光子数之比。 | 出光效率 |
1-15 | 注入效率 | Injection efficiency | 注入LED的电子-空穴对数与注入有源区的电子-空穴对数之比。 | 注入效率 |
1-16 | 外量子效率 | outer quantum efficiency | 逸出LED结构的光子数与注入LED的电子-空穴对数之比，等于内量子效率与出光效率和注入效率的乘积。 | 外部量子效率 |
二、LED类型 | ||||
2-01 | 单光LED | monochromatic light LED | 发出单一颜光的LED，有红、绿、蓝、黄、紫等。 | 單LED |
2-02 | 白光LED | white light LED | 白光LED | |
2-03 | 直插式LED； DIP LED | Dual In-line Package LED | 带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的LED。 | 砲彈型封裝LED |
2-04 | 贴片式LED； SMD LED | Surface Mounted Devices LED | 正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工艺的LED。 | 表面封裝型LED |
2-05 | 小功率LED | low power LED | 单芯片工作电流在100mA（含100mA）以下的发光二极管。 | 小功率LED |
2-06 | 功率LED | power LED | 工作电流在100mA以上的发光二极管。 | 高功率LED |
2-07 | LED数码管 | LED nixietube | 采用LED显示数字或字符的器件或模块。 | LED尼士管 |
2-08 | LED显示器 | LED displayer | 采用LED显示数字、符号或图形的器件或模块。 | LED顯示器 |
2-09 | LED背光源 | LED backlight | 采用LED作光源，为被动显示提供光源的LED器件或模块。 | LED背光源 |
三、外延（工艺） | ||||
3-01 | 外延 | epitaxy | 用气相、液相或分子束等方法在衬底上生长单晶材料的工艺。在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶材料，称同质外延；在衬底上生长与衬底组分不同的单晶材料，称异质外延。 | 磊晶 |
3-02 | 量子阱 | quantum well | 组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成载流子势垒或势阱，并且具有量子效应的材料结构。 | 量子井 |
3-03 | 单量子阱 | single quantum well | 只有一个量子阱的材料结构。 | 單層量子井 |
3-04 | 多量子阱 | multi-quantum well | 包含多个单量子阱的材料结构。 | 多層量子井 |
3-05 | 金属有机化学汽相沉积； MOCVD | metal organic chemical vapor deposition | 金属有机化合物和非金属氢化物的汽相源经热分解合成反应外延生长单晶材料的方法。 | 有機金屬化合物半導體磊晶技術 |
3-06 | 超晶格 | super lattice | 两种（或两种以上）组分（或导电类型）不同、厚度极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期材料结构，其薄层厚度远大于材料的晶格常数，但接近于或小于电子的平均自由程（或其德布洛意波长）。 | 超晶格 |
3-07 | 异质结 | heterogeneous structure | 由两种或两种以上不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构。 | 異質接面 |
3-08 | 单异质结 | single heterojunction | 由两种不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构。 | 單異質接面 |
3-09 | 双异质结 | double heterojunction | 包含两个异质结的异质结构。 | 雙異質接面 |
3-10 | 图形化衬底 | graphical substrate | 在外延生长前，采用蚀刻的方法，在表面形成一定图案的衬底。 | 圖形化基板 |
四、芯片（工艺） | ||||
4-01 | 湿法蚀刻 | wet etching | 将晶片浸没于化学溶液中，通过化学反应去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。 | 濕式蝕刻 |
4-02 | 干法蚀刻 | dry etching | 将晶片置于等离子气体中，通过气体放电去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。 | 乾式蝕刻 |
4-03 | 曝光 | exposure | 利用光学的方法，对涂布在晶片表面的光刻胶进行光化学反应的过程。 | 曝光 |
4-04 | 烘胶 | baking | 在一定的温度下，使光刻胶固化的过程。 | 烘烤 |
4-05 | 蒸镀 | evaporation | 将原材料通过某种方法变成蒸汽，使其在真空状态下沉积在待镀材料表面。 | 蒸鍍 |
4-06 | 激光剥离 | laser lift-off | 利用激光照射在芯片上，使外延层和衬底界面处熔化，从而将二种材料分离的方法。 | 雷射剝離 |
4-07 | 欧姆接触 | ohmic contact | 电压-电流特性遵从欧姆定律的非整流性的电和机械接触。 | 歐姆接觸 |
4-08 | 氧化铟锡电极 | Indium Tin Oxide electrode ITO | 蒸镀在芯片表面的一种化学成分为氧化铟锡的透明导电膜，以形成欧姆接触，有利于电流扩展及透光。 | 氧化銦錫電極 |
4-09 | 衬底转移； 金属键合 | substrate transfer metal bonding | <芯片制造>将外延材料的外延层键合到其它衬底材料上并将原来的衬底去除的方法。 | 基板黏合 |
4-10 | 金属反射层 | reflective metal electrode | 在LED芯片表面蒸镀一层金属，形成一种可提高外量子效率的光反射层。 | 金屬反射層 |
4-11 | 同侧电极结构 | lateral electrode structure | P、N电极在芯片的上面，使部分电流横向流过外延层的一种电极结构。 | 同側電極結構 |
4-12 | 垂直电极结构 | vertical electrode structure | P、N电极分别在芯片的上下二端，使电流垂直流过外延层的一种电极结构。 | 垂直電極結構 |
4-13 | 承载基板 | support substrate | <芯片制造>用来承载外延层或芯片，并提供电极接触的一种材料。 | 承載基板 |
4-14 | 表面粗化 | surface roughening | 在LED外延片或芯片表面形成可以提高芯片出光效率和外量子效率的粗糙表面结构。 | 表面粗化 |
4-15 | 正装芯片 | normal chip | 发光二极管芯片电极在出光面上，衬底材料与支架焊接在一起的一种芯片结构。 | 傳統晶片 |
4-16 | 倒装芯片 | flip chip | 发光二极管芯片电极倒扣焊接在承载基板上，形成一种芯片衬底（或靠原衬底面）朝上、引出电极在承载基板上的芯片结构。 | 覆晶晶片 |
4-17 | 芯片分选 | chip sorting | 按不同参数（例如电压、电流、波长、光强等）对芯片进行分档测试选择。 | 晶片分級 |
4-18 | 内陷电极 | recessed electrode | 电极镶嵌在LED芯片外延层刻槽中。 | 嵌入電極 |
4-19 | 互补电极 | complementary electrode | 在LED芯片垂直结构中，为避免底部所发光被顶部N电极吸收，在N电极正下方电极区域制作一个高阻层，使电流分布在N电极投影以外的互补区域。 | 互補電極 |
4-20 | N面出光 | light extraction from N side | 发光二极管有源区发出的光从LED芯片的N面取出。 | N極出光 |
4-21 | 侧面钝化 | lateral passivation | 在LED芯片侧面镀上保护层，使芯片避免沾污、保护芯片稳定性和可靠性。 | 側面鈍化 |
五、封装 | ||||
5-01 | 支架； 框架 | leadframe | 提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组零件。 | 支架 |
5-02 | 点胶 | coat | 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。 | 點膠 |
5-03 | 装架 | die attachment (die bond) | 将LED芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的PCB或LED支架相应的位置上。 | 固晶 |
5-04 | 烧结 | sinter | 通过高温加热，使银胶固化。 | 固化 |
5-05 | 引线键合； 压焊 | wire bonding | 为了形成欧姆接触用金属引线连接LED芯片电极与支架（框架）的引出端。 | 打線 |
5-06 | LED 封装 | LED package | 将LED芯片和焊线包封起来，并提供电连接、出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺寸。 | LED封裝 |
5-07 | 灌封 | embedding | 采用模条灌装成型的封装方式。 | 嵌入 |
5-08 | 塑封 | moulding | 采用模压成型的封装方式。 | 模具成型 |
5-09 | 点胶封装 | coating package | 采用点胶成型的封装方式，也称软包封。 | 點膠封裝 |
5-10 | 热沉 | heat sink | 与功率芯片粘接在一起的可以传导热量的金属或其它材料的导热体。 | 散熱片 |
5-12 | 共晶焊 | eutectic bonding | 在LED芯片与支架或热沉中间放置一种合金焊料（例如金或铅锡等），通过加温加压使之共熔的一种焊接方法。 | 共金結合 |
5-13 | 透明介质 | transparent medium | 无透明的一种导电或非导电的胶状材料。 | 透明介質 |
5-14 | 固化 | cure | 通过高温加热，使封装环氧固化。 | 固化 |
5-15 | 切筋 | dam-bar cut | 切断LED支架的连筋。 | 切腳 |
5-16 | 气泡 | air bladder | LED封装体内存在的任何局部空隙。 | 氣泡 |
5-17 | 黑点 | stain | 外来异物在LED封装体中所形成的点状体。 | 黑點 |
5-18 | 划痕 | nick | LED封装体表面上的机械划伤、压伤和外界杂质所引起的无序凹坑。 | 刮痕 |
5-19 | 变 | discoloration | LED封装体及支架镀层上的任何颜变化。 | 變 |
六、光度量术语 | ||||
6-01 | 可见光 | visible light | 能直接引起视觉的光学辐射。其波长范围一般在380－780nm。 | 可見光 |
6-02 | 辐射通量； 辐射功率 Фe；Ф；P | radiant flux radiant power | 以辐射形式发射、传播或接收的功率，单位为W。 | 輻射通量;輻射功率 |
6-03 | 光通量 Фv；Ф | luminous flux | 从辐射通量导出的量，该量是根据辐射对CIE标准光度观测者的作用来评价的。对于明视觉： 式中:是辐射通量的光谱分布；是光谱光视效率。 单位为lm 注1：Km值(明视觉)和Km’值(暗视觉)参见GB/T 2900.65-2004 定义845-01-56。 注2：LED的光通量通常以它们所属种类的组来表示。 | 光通量 |
6-04 | 总光通量 Ф | total luminous flux | 总光通量是在光源立体角4π范围内累积的光通量之和。 式中I为发光强度；Ω为光源立体角范围。 | 總光通量 |
6-05 | 辐射能量 Qе；Q | radiant energy | 在给定的持续时间Δt内，辐射通量Фe的时间积分，单位为J。 | 輻射能 |
6-06 | 光量 Qv；Q | quantity of light | 在给定的持续时间Δt内，光通量Фv的时间积分，单位为lm/s。 | 總光量 |
6-07 | 辐射强度 Ie；I | radiant intensity | 离开辐射源的，在包含给定方向的立体角元dΩ内传播的辐射能量dФe除以该立体角元，单位为W／sr。 | 輻射強度 |
6-08 | 发光强度 IV；I | luminous intensity | 离开光源的，在包含给定方向的立体角元dΩ内传播的光通量dФv除以该立体角元，单位：cd=lm/sr | 光強度 |
6-09 | 平均发光强度 ILED Ae、ILED Av、ILED Be、ILED Bv | averaged luminous Intensity | 光源在一定的立体角内发射的光（或辐射）通量与该立体角的比，可表示为: 注：CIE推荐标准条件A（探测器面积1cm2，光源到探测器间距316mm，对应立体角为0.001Ω）和B（探测器面积1cm2，光源到探测器间距100mm，对应立体角为0.01Ω）分别来测量远场和近场条件下的平均LED发光强度,可以分别用符号ILED Ae、ILED Av、ILED Be、ILED Bv来表示。 | 平均光強度 |
6-10 | 辐射亮度 | radiance | 给定点的辐射束元在给定方向上的辐射强度，与辐射束元垂直于指定方向上的面积之比。其数值与辐射面的性质有关，并且随方向而变化，单位为W/(m2.sr)。 | 輻射率(輻射亮度) |
6-11 | 光亮度 LV | luminance | 给定点的光束元在给定方向上的发光强度，与光束元垂直于指定方向上的面积之比。单位为cd/m2。 | 輝度 |
6-12 | 辐射照度 Ee；E | irradiance | 包含该点的面元上所接收的辐射通量与该点面元面积之比。单位为W/m2。 | 輻射照度 |
6-13 | 光照度 ；E | illuminance | 包含该点的面元上所接收的光通量，与该点面元面积之比。单位为lx或lm/m2。 | 照度 |
6-14 | 平均照度 Eo | average illuminance | 被照表面接收到的光通量与接收面积的比值，单位为lx或lm/m2。 | 平均照度 |
6-15 | 辐射出射度 M e；M | radiant Exitance | 离开包含该点面元的辐射通量，与该点面元面积之比。单位：W/m2。 | 輻射發散度(輻射出射度) |
6-16 | 流明 lm | lumen | 光通量的SI单位：由一个发光强度为1cd的均匀点光源在单位立体角（球面度）内发射的光通量。（第9届国际度量大会，1948年）。 等效定义：频率为540×1012赫兹、辐射通量为1/683瓦特的单辐射束的光通量。 | 流明 |
6-17 | 辐射效率 ηe | radiant efficiency | 辐射源发射的辐射功率Фe与其消耗的电功率P的比值。 | 輻射效率 |
6-18 | 发光效能； 光源的光视效能 ηV | luminous efficacy luminous efficacy of a source | 光源发射的光通量ФV与其消耗的电功率P的比值，单位为lm/W。 | 發光效率 |
6-18 | 辐射的光视效能 K | luminous efficacy of radiation | 光源发射的光通量ФV与其发射的辐射功率Фe的比值，单位为lm/W。 | 視效函數(光見度) |
6-20 | 眩光 | glare | 由于光亮度的分布或范围不恰当，或对比度太强，而引起不舒适感或分辨细节或物体的能力减弱的视觉条件。 | 眩光 |
6-21 | 光轴 | optical axis | 关于主辐射能分布中心的一条直线。 注：除非另有规定，光轴即为最大辐射能的方向。 | 光軸 |
6-22 | 半强度角 θ1/2 | half-intensity angle | 发光强度值为光轴向强度值一半时光束方向与光轴向（法向）的夹角。 | 半功率發射角(半強度角) |
6-23 | 立体角 | solid angle | 以立体角的顶点为球心，以r为半径作一个球面，则此立体角为其边界在此球面上所截的面积dS与半径r的平方之比。 | 立體角 |
6-24 | 光出射度 | luminous exitance | 离开表面一点处的面元的光通量除以该面元的面积。 | 光束發散度 (光出射度) |
6-25 | 峰值发射波长 λp | peak emission wavelength | 辐射功率最大值所对应的波长。 | 峰值波長 |
6-26 | 中心波长 | centre wavelength | 光谱带宽两端点处波长和的中心处波长定义为，计算式为： 注:在有些应用中用表示最大强度十分之一处对应的两个波长构成的光谱带宽。 | 中心波長 |
6-27 | 重心波长 | centroid wavelength | 光谱分布的重心波长表示的是“质量中心的波长”，按下式计算： 当测量计算不同LED的典型光谱分布的重心波长时，其结果可能受到相对光谱曲线渐小尾部的微小值的很大影响，此处测量的不确定性由于受到杂散辐射、噪声和放大器偏置的影响而增加。 | 重心波長 |
6-28 | 光谱辐射带宽 Δλ | spectral radiation bandwidth | 光谱辐射功率等于或大于最大值的一半时的波长间隔。 | 光譜頻帶寬度(光譜輻射帶寬) |
6-29 | 光谱功率分布 P (λ) | spectral power distribution | 光源辐射功率按波长的分布，称为光谱功率分布。以任意单位表示的光谱功率分布，称为相对光谱功率分布。 | 光譜功率分佈 |
6-30 | 辐射通量密度 | radiant Flux Density | 通过单位面积的辐射通量，单位为W/m2。 | 輻射通量密度 |
6-31 | 发光效率 | luminescent efficiency | 光源消耗每一瓦电能所发出的光。单位为流明每瓦（lm/w）。 | 發光效率 |
6-32 | 光通量效率 ηV | luminous flux efficiency; or Luminous efficiency | 器件发射的光通量ФV与器件的电功率（正向电流IF乘以正向电压VF）的比值。 | 光通量效率 |
七、度量术语 | ||||
7-01 | 显指数 | colour rendering index | 光源显性的度量。以被测光源下物体的颜和参照光源下物体的颜的相符程度来表示。国际照明委员会CIE把太阳的显指数定为100。 | 演指數 |
7-02 | 显性 | color-rendering properties | 光源显现被照物体真实颜的能力。物体的真实颜是指在参照照明体（通常为完全辐射体）下所呈现的颜。 | 演性 |
7-03 | 温 Tc | colour temperature | 当光源的品是与某一温度下完全辐射体的品相同时，该完全辐射体的绝对温度为此光源的温，单位为K。 | 溫 |
7-04 | 相关温 | correlated colour temperature | 黑体轨迹上，和某一光源的品坐标相距最近的那个黑体的绝对温度，即为该光源的相关温。 | 相關溫 |
7-05 | 主波长 | dominant wavelength | 为25℃环境温度下一单刺激的波长，该单刺激与规定的非彩刺激按适当比例相加混合，以与所考虑的刺激相匹配。 对于LED，参考刺激应为坐标XE=0.3333，YE=0.3333的光源E。 | 主發光波長(主波長) |
7-06 | 品坐标 | chromaticity coordinates | 一组三刺激值中的每一个值与它们的总和之比。 注1：由于三个品坐标之和等于1，所以知道其中两个便能确定品。 注2：在CIE标准度系统中，坐标用符号x、y、z表示。 | 度座標 |
7-07 | 饱和度 | color saturation | 饱和度也称为纯度，是指彩的纯洁性。在x-y度图中，光谱轨迹所代表的各种波长的单光，其纯度最高，饱和度规定为100%。度图内各点所代表的某一颜，被认为是由某一波长的单光和白光混合而成，越靠近白点，所混白越多，其饱和度也越低。 | 飽和度 |
7-08 | 差 | color difference | 定量表示的知觉差别。用E表示。 | 差 |
7-09 | 容差 | color tolerance | 试验与规定之间差的容许范围。 | 容差 |
八、热、电测量术语 | ||||
8-01 | 结温 | junction temperature | LED器件中主要发热部分的半导体结的温度。 | 接面溫度 |
8-02 | 额定结温 | rated junction temperature | LED正常工作时所允许的最高结温。在此温度下，一切有关的额定值和特性都能得到保证。 | 額定接面溫度 |
8-03 | 管壳温度 | case temperature | LED工作时管壳规定点的温度。 | 外殼溫度 |
8-04 | 热阻 | thermal resistance | 器件的有效温度与外部规定参考点温度之差除以器件中的稳态功率耗散所得的商。 | 熱阻 |
8-05 | 结-管壳热阻 Rth（J-C） | thermal resistance from junction to case | LED PN结到管壳之间的热阻。 | 接面-外殼溫度 |
8-06 | 结-环境热阻 Rth（J-A） | thermal resistance from junction to ambient | LED PN结到环境之间的热阻。它提供在最少热流失的特殊环境里结到环境的热阻值。 | 接面-環境熱阻 |
8-07 | 静电放电； ESD | electrostatic discharge | 具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移。 | 靜電放電 |
8-08 | 静电放电电压敏感值 | voltage | 使器件失效的静电放电电压值。 | ESD失效電壓 |
8-09 | 静电放电耐受电压 | withstand voltage | 使器件不失效的最大静电放电电压值。 | ESD承受電壓 |
8-10 | 人体模式静电放电； HBM | human body model | 采用电阻电容组成的放电网络模拟人体指尖的静电放电。 | 人體放電模式 |
8-11 | 机器模式静电放电； MM | machine model | 采用200pF电容和零欧姆串联电阻组成放电网络模拟来自机器的静电放电。 | 機器放電模式 |
8-12 | 总电容 | capacitance | 在规定正向偏压和规定频率下，LED两端的电容。 | 總電容 |
8-13 | 寿命 | life time | LED在规定工作条件下光输出功率或光通量衰减到初始值50%或70%时的工作时间。单位为小时（h）。 | 壽命 |
8-14 | 正向电流 IF | forward current | 发光二极管正常发光时，流过LED器件的电流。 | 順向電流 |
8-15 | 正向电压 VF | forward voltage | 通过LED器件的正向电流IF为规定值时，在两极间产生的电压降。 | 順向電壓 |
8-16 | 反向电流 IR | reverse current | 加在LED器件两端的反向电压为确定值时，流过LED器件的电流。 | 逆向電流 |
8-17 | 反向电压 VR | reverse voltage | LED器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。 | 逆向電壓 |
8-18 | 最大正向电流 IFM | maximum forward current | 允许通过LED的最大的正向直流电流。 | 最大順向電流 |
8-19 | 最大正向峰值电流 IFPM | forward Peak-current | 允许加于LED两端正向脉冲电流的最大值。 | 最大順向峰值電流 |
8-20 | 击穿电压 VBR | breakdown voltage | 允许加于LED两端的最大反向电压。 | 擊穿電壓 |
8-21 | 额定功耗 Pm | rated power consumption | 允许加于LED两端电功率的最大值。 | 額定功率 |
8-22 | 电压-电流特性 | voltage-current characteristic | 发光二极管的电压与电流的函数关系曲线。 | 電壓-電流特性 |
8-23 | 响应时间 | response time | LED开通时间、关断时间、上升时间、下降时间和开通或关断的延迟时间的总称。主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。 | 反應時間(回應時間) |
8-24 | 扩散电流 | diffusion current | LED热平衡状态遭到破坏，因浓度差引起载流子的扩散运动，产生的电流。 | 擴散電流 |
8-25 | 漂移电流 | drift current | LED在外加电场作用下，载流子将在热骚动状态下做漂移运动，产生的电流。 | 飄移電流 |
8-26 | 势垒电容 | barrier capacitance | 在LED的PN结上的电压有一小的变化，即V＋△V,相应产生的贮存电荷量变化为Q-△Q。当△V足够小，可近似认为△Q与△V呈线性关系时，定义势垒电容CT:: | 隔離電容(障壁電容) |
8-27 | 扩散电容 | diffusion capacitance | 当外加正向电压时，注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流越大，积累的电荷就越多。这样所产生的电容就是扩散电容。 | 擴散電容 |
8-28 | 微变电阻 | tiny change of resistor | 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比 | 微變電阻 |
九、材料 | ||||
9-01 | LED用荧光粉 | phosphor for LED | 指可以被发光二极管（LED芯片）发出的光激发而发出可见光的无机粉末材料。 | 半導體發光二極體用螢光粉 |
9-02 | 光谱功率分布 | Spectral power distribution | 光源辐射功率按波长的分布，称为光谱功率分布。以任意单位表示的光谱功率分布，称为相对光谱功率分布。 | 光譜功率分佈 |
9-03 | 相对亮度 Br | relative brightness | 在规定的激发条件下，荧光粉试样与同牌号标准样品的亮度之比。 | 相對亮度 |
9-04 | 激发波长 λex | excitation wavelength | 激发荧光粉发光的光源的波长，单位为nm。 | 激發波長 |
9-05 | 激发光谱 | excitation spectrum | 指荧光粉发出的光的某一谱线或谱带的强度或发光效率随激发波长（或频率）的变化。 | 激發光譜 |
9-06 | 发射光谱 | emission spectrum | 荧光粉发光的强度按波长或频率的分布曲线，称为发射光谱。 | 發射光譜 |
9-07 | 发射主峰 λem | main emission peak | 荧光粉发射光谱中强度最大的波长，单位为nm。 | 主峰值波長 |
9-08 | 半宽度； FWHM | Full Width at Half Maximum | 光谱曲线峰值的一半处的总宽度，单位为nm。 | 光譜頻帶寬度 |
9-09 | 能量（功率）效率 ηp | energy efficiency | 荧光粉的发射荧光能量（功率）与所吸收的激发能量（功率）之比。 | 能量(功率)效率 |
9-10 | 量子效率 ηq | quantum efficiency | 发射的荧光光子数与所吸收的激发光子数之比。 | 量子效率 |
9-11 | 流明效率 ηl | luminous efficiency | 发光的流明数与激发能量之比，称为流明效率。它和能量效率的关系如下： 式中：常数683是光功率的最大流明当量。 ——光谱功率分布，lm/W； ——光谱光视效率，见GB 3102.6-93中的6-37.2。 | 發光效率 |
9-12 | 劣化； 退化 | deterioration | 指荧光粉在半导体发光二极管中使用时发光强度随时间逐渐降低的现象。 | 劣化 |
9-13 | 红比 R | red ratio | 红比为光源所发射的光谱红部分（600～780nm）占可见光部分（380～780nm）的百分比。 | 紅比 |
9-14 | 体 | body color | 在自然光下，直接观察荧光粉时所看到的荧光粉的颜。 | 體 |
9-15 | 机械杂质 | mechanical impurity | 在自然光下，直接观察荧光粉时所看到的不同于粉体的其它夹杂物。 | 機械雜質 |
9-16 | 比表面积 | Specific surface area | 荧光粉颗粒的表面积与其质量（或体积）之比。单位为cm2/g（或cm-1） | 比表面積 |
9-17 | 密度； ρ | density | 单位体积荧光粉的质量，也称真密度。单位为g/cm3 | 密度 |
9-18 | 松装密度； ρa | apparent density | 在指定的条件下荧光粉自由降落至充满单位体积的质量，即单位体积松装荧光粉的质量。单位为g/cm3 | 視密度 |
9-19 | 粒度分布 | particle size distribution | 荧光粉试样按粒度不同分为若干等级，每一级粉末（按质量、数量或体积）所占的百分率。 | 粒徑分佈 |
9-20 | 中心粒径； d50 | medium particle diameter | 荧光粉试样粒径累积分布中对应于50%的颗粒数、体积或质量的粒径。单位为μm。指对应于体积（与质量相关）的中心粒径。 | 中心粒徑 |
9-21 | 平均粒径 dm | mean diameter | 粒径测量结果的算术平均值。单位为μm。 | 平均粒徑 |
9-22 | 热稳定性 | thermal stability | 热稳定性表示荧光粉在半导体发光二极管中工作时对热的稳定性，包括发光亮度、激发光谱、发射光谱及品坐标等。 | 熱穩定性 |
9-23 | 化学稳定性 | chemical stability | 在存放或使用过程中，荧光粉对空气等周围环境及树脂等封装材料的稳定性。 | 化學穩定性 |
9-24 | pH值 | pH value | 荧光粉在一定体积去离子水中的酸碱度。 | pH值 |
9-25 | 电导率 δ | conductivity | 荧光粉在一定体积去离子水中可溶性杂质离子浓度高低的度量。单位为μS/cm。 | 電導率 |
十、LED应用产品 | ||||
10-01 | LED交通信号灯 | LED traffic sign lamp | 以LED为光源、向往来车辆和行人传递禁止、限制、要求或警告等信息的灯具。 | LED交通號誌燈 |
10-02 | LED信号灯 | LED signal light | 以LED为光源、用于发射光信号的装置。 | LED信號燈 |
10-03 | LED标志灯 | LED marker light | 以LED为光源、安装于地面或固定物体上，用来显示位置、形状、符号等信息的可视装置。 | LED標誌燈 |
10-04 | LED航标灯 | LED pharos light | 以LED为光源、安装在陆地或水上，用来协助飞机或船舶导航的信号灯。 | LED航標燈 |
10-05 | LED汽车灯 | LED motorcar lamp | 以LED为光源、安装在汽车上的灯具。 | LED汽車燈 |
10-06 | LED转向灯 | LED turning light | 安装在机动车上，用来显示车辆准备向左或向右移动的LED灯。 | LED方向燈 |
10-07 | LED前照灯 | LED head light | 以LED为光源、安装在机动车上为其前方道路或现场提供照明的聚光灯。 | LED燈 |
10-08 | LED刹车灯 | LED brake light | 以LED为光源、安装在机动车上，向后方显示该车正在减速刹车的信号灯。 | LED煞車燈 |
10-09 | LED景观灯 | LED landscape light | 以LED为光源、用于景观装饰与照明的灯具。 | LED景觀燈 |
10-10 | LED像素灯 | LED pixel lamp | 以LED为光源、用于舞台、建筑等场合，有绚丽多彩的视觉效果的灯具。 | LED顯示看板 |
10-11 | LED护栏灯 | LED flexible lamp | 以LED为光源、用于桥梁、建筑物等轮廓勾勒及图案文字显示的灯具。 | LED可撓式照明燈 |
10-12 | LED投光灯 | LED projector | 以LED为光源、借助反射或折射增加限定立体角内光强的灯具。 | LED投光燈 |
10-13 | LED灯带 | LED lighting cincture | 串联或并联连接固定成组的LED灯。 | LED燈 |
10-14 | LED泛光灯 | LED flood light | 以LED为光源、用于较大面积泛光照明的灯具。 | LED泛光燈 |
10-15 | LED壁灯 | LED wall light | 以LED为光源、安装在墙壁或固定在垂直面上的灯具。 | LED壁燈 |
10-16 | LED异形灯 | LED strange lamp | 以LED为光源、形状各异、用于装饰、点缀多彩效果的灯具。 | LED異型燈 |
10-17 | LED水底灯 | LED under-water lamp | 以LED为光源、密封良好、放入水底可正常点亮的灯具。 | LED水底燈 |
10-18 | LED地埋灯 | LED buried lamp | 以LED为光源、嵌入地面可多彩显示的灯具。 | LED地底燈 |
10-19 | LED路灯 | LED street lamp | 以LED为光源、用于街道、广场路面照明的灯具。 | LED路燈 |
10-20 | LED台灯 | LED table lamp | 以LED为光源、放置在家具上可移式灯具。 | LED檯燈 |
10-21 | LED手电筒 | LED flashlight | 以LED为光源、带有内装式电源的可移式灯具。 | LED手電筒 |
10-22 | LED投影灯 | LED projection lamp | 以LED为光源、可以将静止或动态的画面投影至屏幕上的灯具。 | LED投影燈 |
10-23 | LED闪光灯 | LED photoflash lamp | 以LED为光源、在极短时间内发出超强光的灯。 | LED閃光燈 |
10-24 | LED头灯 | LED cap lamp | 以LED为光源、配备完整电源，戴在头上的照明灯 | LED燈 |
10-25 | LED矿灯 | LED mine lamp | 以LED为光源、配备完整电源，符合矿工使用标准的照明灯具。 | LED礦燈 |
10-26 | LED防爆灯 | LED flameproof lamp | 以LED为光源、带外壳装置，用于有爆炸危险场合的灯具。 | LED防爆燈 |
10-27 | LED应急灯 | LED emergency lamp | 以LED为光源、安装在固定物体上，供正常照明失效时而采用的灯具。 | LED緊急照明燈 |
本文发布于:2023-05-09 12:57:19，感谢您对本站的认可！
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