一种界面原位诱导层及其光伏器件的制备方法

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1.本发明属于光伏电池技术领域，具体涉及到一种界面原位诱导层及其光伏器件的制备方法。

背景技术：

2.有机-无机杂化金属卤化钙钛矿太阳能电池(pscs)具有制备工艺简单、成本低、效率高等特点，近年pscs的功率转换效率(pce)已经从3.8％提高到如今的25.7％，远低于其肖克利-奎瑟(shockley
–
queisser，s-q)极限最大理论效率(》30％)，还有这很大的发展空间。
3.由于低温溶液法制备过程远离热力学平衡，导致所制备的多晶钙钛矿薄膜在埋底界面不可避免的产生大量缺陷，具体表现为，(1)结晶过程中，卤素离子发生迁移、扩散，导致晶格扭曲，造成偏析、晶粒尺寸不均一等现象；(2)退火过程中，被顶部先形核的晶体外壳捕获的二甲基亚砜溶剂(dmso)溶剂最终会逃逸薄膜，导致pb
2+
无法配位，产生体积塌陷，在空穴传输层/钙钛矿界面附近的钙钛矿薄膜中留下了孔洞，加速了薄膜在光照下的降解。上述缺陷导致在埋底界面处的缺陷密度要比薄膜内部及顶部界面高1-2个数量级，产生严重的载流子非辐射复合，即电子-空穴对在缺陷态能级的辅助下进行的复合，并通过晶格振动的形式将复合能量以声子散发出去产生能量损失，造成开路电压(voc)、短路电流密度(jsc)、填充因子(ff)下降，最终导致器件效率与稳定性的降低，限制了光伏器件的商业化进程。
4.使用界面工程调控是调整能级排列、提高器件稳定性的常用手段。在倒置(p-i-n)钙钛矿太阳能电池中，钙钛矿与空穴传输层基底之间的界面改性较少，研究者使用peai作为极性有机盐部分保留在顶部，导致ptaa的表面能增加，钙钛矿溶液更好地扩散以形成高质量薄膜。将三羟甲基丙烷-三(2-甲-1-氮丙啶丙酸酯)(sac-100)沉积在niox上可以抑制ni
3+
与mai之间的反应，从而提高导电性和减少界面缺陷，优化了能级排列，降低voc损失并增强器件稳定性。以上所述调控方式均可以优化钙钛矿结晶取向，获得缺陷态密度低、均匀平整的钙钛矿薄膜，但目前所使用的材料大多调控基底，对钙钛矿底部结晶情况或两者协同调控关注较少。

技术实现要素：

5.本部分的目的在于概述本发明的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本技术的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本发明的范围。
6.鉴于上述和/或现有技术中存在的问题，提出了本发明。
7.因此，本发明的目的是，克服现有技术中的不足，提供一种含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法。
8.为解决上述技术问题，本发明提供了如下技术方案：包括，在基底上制作第一电极
层，在第一电极层上制作第一传输层，在第一传输层上使用共振型分子溶液制作界面层，在界面层上使用低温溶液退火工艺制备光活性层，在光活性层上依次制作第二传输层和阻挡层；在阻挡层上制作第二电极层。
9.作为本发明所述的一种优选方案，其中：所述第一电极层为金属氧化物阳极层，所述第一传输层为空穴传输层，所述界面层为埋底界面原位诱导层，所述光活性层为钙钛矿活性层，所述第二传输层为电子传输层，所述阻挡层为空穴阻挡层，所述第二电极层为金属阴极层。
10.作为本发明所述的一种优选方案，其中：所述基底材料为透明玻璃；所述金属氧化物阳极层材料为ito或fto中的一种，所述空穴传输层材料为p型有机半导体材料，所述埋底界面原位诱导层材料为n-(2-吡啶基)-三甲基乙酰胺，所述钙钛矿活性层材料为(cs
0.05
fa
0.81
ma
0.14
)pb(i
0.86
br
0.14
)3，所述电子传输层材料为n型材料，所述空穴阻挡层材料为lif；所述金属阴极层材料为高导电率金属材料。
11.作为本发明所述的一种优选方案，其中：所述p型有机半导体材料为聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]，所述n型材料包括[6,6]-苯基-c61-丁酸异甲酯、pc
71
bm、浴铜灵、c
60
中的一种或多种，所述导电率高的金属材料为cu、au、ag、al中的一种或多种。
[0012]
本发明的再一目的是，克服现有技术中的不足，提供一种界面原位诱导层的制备方法。
[0013]
作为本发明所述的一种优选方案，其中：包括，将n-(2-吡啶基)-三甲基乙酰胺溶于有机溶剂中搅拌制得界面诱导层溶液，将其在空穴传输层上旋涂，旋涂结束后将其置于热台上进行退火反应，即得可诱导后续沉积的钙钛矿活性层取向结晶的界面原位诱导层。
[0014]
作为本发明所述的一种优选方案，其中：所述有机溶剂包括异丙醇、n,n-二甲基甲酰胺、氯苯、甲苯中的一种或多种。
[0015]
作为本发明所述的一种优选方案，其中：所述搅拌，其中搅拌温度为60℃，搅拌时间为12h。
[0016]
作为本发明所述的一种优选方案，其中：所述界面诱导层溶液，其中，所述n-(2-吡啶基)-三甲基乙酰胺的浓度为1～30mg/ml。
[0017]
作为本发明所述的一种优选方案，其中：所述旋涂，其中，旋涂速度为2000～6000r/min。
[0018]
作为本发明所述的一种优选方案，其中：所述退火反应，其中，反应温度为70～120℃，反应时间为5～30min。
[0019]
本发明有益效果：
[0020]
(1)本发明提出的通过在光伏器件中添加界面原位诱导层的钙钛矿优先取向诱导结晶策略，可以在埋底界面结晶前进行诱导，且改善了ptaa的疏水性，有利于制备具有优先取向、缺陷态密度低、平整致密、粗糙度低的高质量钙钛矿晶体薄膜。
[0021]
(2)本发明所使用的共振型分子—npp分子能够有效地交联ptaa，形成π～π堆积，空穴传输层与钙钛矿活性层的接触质量得到改善，载流子的提取效率增大；npp分子本身的共振结构使其能提供路易斯酸碱基团，还能在钙钛矿生长过程中从底部界面提前与未配位的缺陷，例如与未配位的pb
2+
进行键合，降低缺陷态密度，减缓晶格畸变，并对钙钛矿薄膜的垂直取向结晶起到模板诱导作用。
[0022]
(3)本发明采用的钙钛矿结晶调控策略，无需使用额外器皿或设备，工艺简单且经济，可实现大面积、柔性钙钛矿薄膜的制备，有助于促进钙钛矿光伏器件的多样性以及商业化应用。
附图说明
[0023]
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：
[0024]
图1为本发明光伏器件的制备流程示意图；
[0025]
图2为本发明实施例2制得的钙钛矿活性层的原子力显微镜图；
[0026]
图3为本发明实施例1钙钛矿活性层的原子力显微镜图；
[0027]
图4为本发明实施例2制得的钙钛矿活性层的扫描电子显微镜图；
[0028]
图5是本发明实施例1钙钛矿活性层的扫描电子显微镜图；
[0029]
图6为本发明实施例1与实施例2制得的钙钛矿活性层吸光度对比曲线图；
[0030]
图7为本发明实施例1与实施例2制得的钙钛矿活性层x射线衍射测试图；
[0031]
图8为本发明实施例1与实施例2制得的光伏器件暗电流对比曲线图；
[0032]
图9为本发明实施例1与实施例2制得的光伏器件的但载流子器件的空间点和限制电流测试图；
[0033]
图10为本发明实施例1与实施例2制得的光伏器件的光照稳定性变化曲线图；
[0034]
图11为本发明实施例1与实施例2、实施例3制得的光伏器件的j-v对比曲线图；
[0035]
图12为本发明实施例1与实施例4制得的光伏器件的j-v对比曲线图；
[0036]
图13为本发明实施例1与实施例5制得的光伏器件的j-v对比曲线图；
[0037]
图14为本发明实施例1与实施例6制得的光伏器件的j-v对比曲线图。
具体实施方式
[0038]
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合说明书实施例对本发明的具体实施方式做详细的说明。
[0039]
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
[0040]
其次，此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
[0041]
本发明中所涉及原料无特殊说明均为普通市售。
[0042]
本发明中所涉及化学物质的全称以及缩写对应如表1所示：
[0043]
表1化学物质对应全称及缩写
[0044]
缩写全称ptaa聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]
nppn-(2-吡啶基)-三甲基乙酰胺fai甲脒碘化胺mabr甲基溴化胺pbbr2溴化铅pbi2碘化铅pc61bm[6,6]-苯基-c61-丁酸异甲酯c60富勒烯lif氟化锂cu铜dmfn,n-二甲基甲酰胺dmso二甲基亚砜tol甲苯cb氯苯ea乙酸乙酯ipa异丙醇
[0045]
实施例1
[0046]
参见图1，展示了本发明中光伏器件的制备流程示意图，本实施例提供了一种用掺杂sem-hcl的钙钛矿活性层制备光伏器件的方法。
[0047]
s1：以透明玻璃为基底，在基底上制作第一电极层；
[0048]
进一步的，第一电极层为金属氧化物阳极层，所用材料为ito；
[0049]
将ito导电玻璃先后用ito洗液、去离子水、丙酮、乙醇超声清洗,然后在100℃的烘箱干燥10min,最后使用紫外臭氧清洗15分钟，即得到第一电极层。
[0050]
s2：在第一电极层上制作第一传输层；
[0051]
进一步的，第一传输层为空穴传输层，所用材料为聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](ptaa)；
[0052]
将ptaa溶于甲苯(tol)中制得浓度为4mg/ml的溶液用于旋涂空使用旋涂仪在ito导电玻璃上旋涂ptaa溶液，以4000rpm的转速旋涂30s，旋涂结束后在100℃热台退火20min；即得到第一传输层。
[0053]
s3：在第一传输层上制作界面层；
[0054]
进一步的，界面层为埋底界面原位诱导层，所用材料为n-(2-吡啶基)-三甲基乙酰胺(npp)；
[0055]
将npp溶于异丙醇(ipa)中，浓度为15mg/ml，于60℃下搅拌12小时，获得npp溶液，溶液以4000转/分钟的转速旋涂在ptaa上，在100℃条件下的热台上退火15分钟，即得到界面层。
[0056]
s4：在界面层上制作光活性层；
[0057]
进一步的，光活性层为钙钛矿活性层，材料为(cs
0.05
fa
0.81
ma
0.14
)pb(i
0.86
br
0.14
)3[0058]
将228.072mg的fai、26.208mg的mabr、92.484mg的pbbr2和648.072mg的pbi2溶于1.2ml的体积比为4:1的dmf和dmso混合溶液中，制得浓度为1.38m的钙钛矿前驱体溶液，采用一步旋涂法在npp基底上制备钙钛矿活性层，具体制备的流程如下：转速1000rpm，旋涂时
间为55s，在旋涂钙钛矿溶液之后40s滴加反溶剂ea，促进钙钛矿的快速形核并良好地附着在基底，反应结束即得钙钛矿活性层。
[0059]
s5：在钙钛矿光活性层上依次制作第二传输层和阻挡层；
[0060]
进一步的，第二传输层为电子传输层，所用材料为[6,6]-苯基-c61-丁酸异甲酯(pc
61
bm)、富勒烯(c
60
)；阻挡层为空穴阻挡层，所用材料为氟化锂(lif)；
[0061]
将pc
61
bm溶于cb中制得浓度为20mg/ml的pc
61
bm溶液用于旋涂电子传输层，pc
61
bm的旋涂速度为2000rpm，旋涂时间为1min；再利用真空蒸镀设备在pc
61
bm上蒸镀c
60
构筑电子传输层，蒸镀速率为0.6a/hz；在电子传输层上蒸镀bcp作为空穴阻挡层，蒸镀速率为0.08a/hz，蒸镀过程保证的气压环境小于5
×
10-4
pa，蒸镀完成后即得电子传输层以及阻挡层。
[0062]
s6：在阻挡层上制作第二电极层；
[0063]
进一步的，第二电极层为金属阴极制备，所用材料为金属cu；
[0064]
利用真空蒸镀设备在空穴阻挡层上蒸镀金属cu阴极材料，形成金属阴极层，蒸镀速率为10a/hz，蒸镀过程保证的气压环境小于5
×
10-4
pa；
[0065]
以上制得光伏电池的基底的厚度为1～2mm，金属氧化物阳极层的厚度为80～110nm，空穴传输层的厚度为15～30nm，钙钛矿活性层的厚度为150-250nm，电子传输层的厚度为400～600nm，金属阴极层的厚度为80～120nm。
[0066]
实施例2
[0067]
参见图2～10，为本发明的另一个实施例，为验证本发明的有益效果，本实施例提供了一种不包含埋底界面诱导层制备的光伏器件与本发明实施例1制得的光伏器件进行对比测试，以科学论证的手段对比试验结果，以验证本方法所具有的真实效果。
[0068]
本实施例与实施例1不同之处在于：
[0069]
无步骤s3：直接在在第一传输层上制作光活性层，制得的光伏器件不含有界面原位诱导层。
[0070]
其余步骤以及制备工艺均与实施例1相同，制得标准光伏器件。
[0071]
可见图2、图3，为本发明实施例1、实施例2制得的钙钛矿薄膜形貌图，可以看出，基于本发明钙钛矿优先取向诱导结晶策略所制备的钙钛矿活性层，具有较为平整的表面形貌与更低的表面粗糙度。
[0072]
可见图4、图5，为本发明实施例1、实施例2制得的钙钛矿活性层，可以看出，本发明实施1制得的活性层晶粒平均尺寸增加，表面富集pb减少。
[0073]
可见图6，实施例的钙钛矿薄膜光吸收能力得到提高，说明晶体薄膜质量更好，这将有助于更多光生载流子的产生。通过图7可知，相对于实施例2，实施例1薄膜的结晶取向得到优化。通过图8可知，实施例1相较于实施例2的标准器件，具有更低的漏电流，这表明实施例1制得的光伏器件的界面接触性质得到提高，有助于载流子的长距离传输。
[0074]
通过图9可知，实施例1制得的光伏器件的缺陷态密度更低，表明钙钛矿晶体生长得到优化，薄膜质量更高。将实施例1制备的器件与实施例2制备的器件进行性能对照。
[0075]
通过图10可知，实施例1制得的光伏器件相较于实施例2的标准器件，在一个标准太阳光强照射下，经过2360h还能保持大于100％的初始效率，器件光照稳定性得到显著提高。以上表征证明，实施例中的器件相较于对比例中的器件，其综合光电性能与稳定性有显著提高。实施例的结晶生长过程中，npp层作为埋底界面诱导层起到了多种作用，能够通过π
～π堆积有效地交联ptaa，形成刚性结构的同时优化了能级排列，有利于空穴载流子的提取和传输；并在钙钛矿底部界面提前与未配位的pb
2+
进行键合，对钙钛矿薄膜进行原位诱导，诱导钙钛矿优先取向结晶，降低缺陷态密度，减缓晶格畸变。
[0076]
实施例3
[0077]
参见图11，为验证本发明的有益效果，本实施例提供了一种不同材料制备的埋底界面诱导层得到的光伏器件与本发明实施例1制得的光伏器件进行对比测试，以科学论证的手段对比试验结果，以验证本方法所具有的真实效果。
[0078]
本实施例与实施例1不同之处在于：
[0079]
调整步骤s3制备界面原位诱导层时所用材料分别为3-氯-2-肼基砒啶(cph)、2-氯-3-吡啶甲醇(cpm)、2-氯烟酰胺(cpc)：分别将cph、cpm、cpc溶于ipa中，浓度为15mg/ml，于60℃下搅拌12小时。
[0080]
其余步骤以及制备工艺均与实施例1相同。
[0081]
将制得的光伏电器与实施例1制得的光伏电器进行性能对比，结果如表2以及图11所示。
[0082]
表2不同材料制备的界面层制得光伏器件的性能对照表
[0083] voc/vjsc/macm-2
ff/％pce/％标准器件1.0919.9677.9117.04npp1.1121.4881.5019.46cph1.0519.4971.9914.83cpm1.0920.4676.3817.16cpc1.1020.1876.1316.90
[0084]
实施例4
[0085]
参见图12，为验证本发明的有益效果，本实施例提供了一种不同有机溶剂制备的埋底界面诱导层制得的光伏器件与本发明实施例1制得的光伏器件进行对比测试，以科学论证的手段对比试验结果，以验证本方法所具有的真实效果。
[0086]
本实施例与实施例1不同之处在于：
[0087]
步骤s3制备界面原位诱导层时所用有机溶剂分别为甲苯(tol)、n,n-二甲基甲酰胺(dmf)：将npp溶于tol中，浓度为15mg/ml。
[0088]
其余步骤以及制备工艺均与实施例1相同。
[0089]
将制得的光伏电器与实施例1制得的光伏电器进行性能对比，结果如表3以及图12所示。
[0090]
表3不同有机溶剂制备的界面层制得光伏器件的性能对照表
[0091] voc/vjsc/macm-2
ff/％pce/％npp/tol1.0620.5577.3816.94npp/ipa1.1121.4881.5019.46npp/dmf1.0920.6680.0218.09
[0092]
实施例5
[0093]
参见图13，为验证本发明的有益效果，本实施例提供了一种不同退火条件制备的埋底界面诱导层得到的光伏器件与本发明实施例1制得的光伏器件进行对比测试，以科学
论证的手段对比试验结果，以验证本方法所具有的真实效果。
[0094]
本实施例与实施例1不同之处在于：
[0095]
调整步骤s3制备界面原位诱导层的退火时间分别为5、10、15、20分钟：在100℃条件下的热台上分别退火5、10、15、20分钟，即得到界面层。
[0096]
其余步骤以及制备工艺均与实施例1相同。
[0097]
将制得的光伏电器与实施例1制得的光伏电器进行性能对比，结果如表4以及图13所示。
[0098]
表4不同退火时间制备的界面层制得光伏器件的性能对照表
[0099] voc/vjsc/macm-2
ff/％pce/％5min1.0720.8478.0517.5510min1.0921.1879.2418.4115min1.1021.6279.5519.0020min1.0821.5479.2815.56
[0100]
实施例6
[0101]
参见图14，为验证本发明的有益效果，本实施例提供了一种不同npp浓度制备的埋底界面诱导层得到的光伏器件与本发明实施例1制得的光伏器件进行对比测试，以科学论证的手段对比试验结果，以验证本方法所具有的真实效果。
[0102]
本实施例与实施例1不同之处在于：
[0103]
调整步骤s3制备界面原位诱导层时npp溶液的浓度分别为1mg/ml和30mg/ml：将npp溶于ipa中，浓度分别为1mg/ml和30mg/ml。
[0104]
其余步骤以及制备工艺均与实施例1相同。
[0105]
如表2～表4以及图11～图14所示，为了验证本发明的有益效果，调整了制备界面层的各参数，可以看出，实施例1制得的光伏器件的开路电压为1.11v，短路电流密度为21.48ma/cm2，填充因子为81.50％，光电转换效率pce为19.46％。而实施例2中的器件开路电压为1.09v，短路电流密度为19.96ma/cm2，填充因子为77.91％，效率为仅为17.04％。
[0106]
且，通过对比可以看出，只有界面层材料选用npp分子以及有机溶剂选择ipa时，得到的光伏器件性能最好，这是由于本发明所使用的共振型分子—npp分子能够有效地交联ptaa，形成π～π堆积，空穴传输层与钙钛矿活性层的接触质量得到改善，载流子的提取效率增大。同时，npp分子本身的共振结构使其能提供路易斯酸碱基团，还能在钙钛矿生长过程中从底部界面提前与未配位的缺陷，例如与未配位的pb
2+
进行键合，降低缺陷态密度，减缓晶格畸变，并对钙钛矿薄膜的垂直取向结晶起到模板诱导作用。
[0107]
综上，本发明提出的钙钛矿优先取向诱导结晶策略，基于级联层作用机理，借助npp中特殊基团与空穴传输层的共轭作用及对钙钛矿层的锚定作用，达到原位诱导优先取向结晶的目的。本发明与现有技术相比，所制备的钙钛矿活性层晶体的缺陷态密度减小，载流子提取和传输能力得到增强，界面非辐射复合得到抑制，最终光电转换效率以及器件稳定性有显著的提高。
[0108]
应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发
明的权利要求范围当中。

技术特征：

1.一种含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法，其特征在于：包括，在基底上制作第一电极层，在第一电极层上制作第一传输层，在第一传输层上使用共振型分子溶液制作界面层，在界面层上使用低温溶液退火工艺制备光活性层，在光活性层上依次制作第二传输层和阻挡层；在阻挡层上制作第二电极层。2.如权利要求1所述的含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法，其特征在于：所述第一电极层为金属氧化物阳极层，所述第一传输层为空穴传输层，所述界面层为埋底界面原位诱导层，所述光活性层为钙钛矿活性层，所述第二传输层为电子传输层，所述阻挡层为空穴阻挡层，所述第二电极层为金属阴极层。3.如权利要求1所述的含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法，其特征在于：所述基底材料为透明玻璃；所述金属氧化物阳极层材料为ito或fto中的一种，所述空穴传输层材料为p型有机半导体材料，所述埋底界面原位诱导层材料为n-(2-吡啶基)-三甲基乙酰胺，所述钙钛矿活性层材料为(cs
0.05
fa
0.81
ma
0.14
)pb(i
0.86
br
0.14
)3，所述电子传输层材料为n型材料，所述空穴阻挡层材料为lif；所述金属阴极层材料为高导电率金属材料。4.如权利要求1所述的含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法，其特征在于：所述p型有机半导体材料为聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]，所述n型材料包括[6,6]-苯基-c61-丁酸异甲酯、pc
71
bm、浴铜灵、c
60
中的一种或多种，所述导电率高的金属材料为cu、au、ag、al中的一种或多种。5.一种界面原位诱导层的制备方法，其特征在于：包括，将n-(2-吡啶基)-三甲基乙酰胺溶于有机溶剂中搅拌制得界面诱导层溶液，将其在空穴传输层上旋涂，旋涂结束后将其置于热台上进行退火反应，即得可诱导后续沉积的钙钛矿活性层取向结晶的界面原位诱导层。6.如权利要求5所述的界面原位诱导层的制备方法，其特征在于：所述有机溶剂包括异丙醇、n,n-二甲基甲酰胺、氯苯、甲苯中的一种或多种。7.如权利要求5或6所述的界面原位诱导层的制备方法，其特征在于：所述搅拌，其中搅拌温度为60℃，搅拌时间为12h。8.如权利要求5所述的界面原位诱导层的制备方法，其特征在于：所述界面诱导层溶液，其中，所述n-(2-吡啶基)-三甲基乙酰胺的浓度为1～30mg/ml。9.如权利要求5所述的界面原位诱导层的制备方法，其特征在于：所述旋涂，其中，旋涂速度为2000～6000r/min。10.如权利要求5所述的界面原位诱导层的制备方法，其特征在于：所述退火反应，其中，反应温度为70～120℃，反应时间为5～30min。

技术总结

本发明公开了一种界面原位诱导层及其光伏器件的制备方法，本发明提出的钙钛矿优先取向诱导结晶策略，基于级联层作用机理，借助N-(2-吡啶基)-三甲基乙酰胺中特殊基团与空穴传输层的共轭作用及对钙钛矿层的锚定作用，达到原位诱导优先取向结晶的目的。本发明制得的的钙钛矿活性层晶体的缺陷态密度减小，载流子提取和传输能力得到增强，界面非辐射复合得到抑制，最终光电转换效率以及器件稳定性有显著的提高。提高。提高。