概述
该LM5116是一个同步降压控制器，适用于高输入电压或宽输入电压的环境中。其控制方式是电流模式控制，该控制方式是利用一个模拟出来的电流斜坡。电流模式控制提供了固有的线路前馈，以周期电流限制和易于循环的环路补偿。电流模式控制提供固有的线性前馈，周期性循环的电流限制以及环路补偿。仿真控制斜坡的使用可以减少脉宽调制电路的噪声灵敏度，是高输入电压应用中实现小占空比的可靠控制所必需的。其工作频率可编程，从50kHz 至1MHz。LM5116是驱动外部高边和低边的NMOS电源开关，这两个MOS管有自适应的死区时间控制。可由用户选择二极管仿真的模式使芯片在轻负载时能够提高不连续工作模式的效率。低静态关断电流就能使芯片不工作，并消耗总输入电流中的10μA。其它特点包括一个高压偏置调节器、能自动切换到外部偏置以提高效率、热关断、频率同步、周期性限流、以及自适应线性欠压锁定。该芯片选用TSSOP-20的封装，具有一个额外的焊盘以增加散热，这种封装方式在大功率模式下是十分有效的。 特
仿峰值电流模式
输入电压范围可达100V
低关断电流
能驱动标准或逻辑级的MOS管
栅极驱动电流可高达3.5A
自由运行或同步操作到1MHz
可选择的二极管仿真模式
输出电压范围1.215V——80V
电压基准精度为1.5%
可编程限流
可编程软启动
可编程的线性欠压锁定
自动切换到外部偏置电压
TSSOP-20EP裸露焊盘
热关断
典型电路
引脚描述
引脚名称描述
1 VIN 芯片电源电压，输入电压
2 UVLO 如果UVLO引脚的电压低于1.215V，调节器会进入待机模式（VCC调
节器工作，开关驱动电路不工作）。如果UVLO引脚电压高于1.215V，
这个调节器正常工作。可以通过外部分压器来设置欠压关断的阈值。当
EN引脚为高时，这个引脚存在一个固定的5μA上拉电流。在工作在电
流限制模式时，UVLO会每隔256个时钟周期被拉到地。
3 RT/SYNC 内部晶振可以通过一个该引脚和地之间的电阻来设置。推荐的频率范围
为50kHz至1MHz。内部振荡器可通过耦合一个交流上升沿到这个节点
来同步至外部时钟。
4 EN 如果EN引脚低于0.5V，调节器会进入低功耗模式，并从VIN获取少于
10μA的电流。在正常工作状态，EN电压必须拉到3.3V。
5 RAMP 斜坡控制信号。在该引脚和地之间的外部电容可以设置用于电流模式控
制的斜坡坡度。
6 AGND 模拟地
7 SS 一个外部电容和内部10μA的电流源可以设置误差放大器参考电压上升
沿的软启动时间常数。在VCC<4.5V或UVLO<1.215V或EN低电平或热
关断时SS引脚保持在低电平。
8 FB 稳压输出端的反馈信号。这个引脚和内部误差放大器的反相输入端相连。
调节阀值是1.215V。
9 COMP 内部误差放大器的输出端。这个环路补偿网络必须连接在该引脚和FB引
脚之间。
10 VOUT 输出检测器。直接和输出电平相连。
11 DEMB 二极管仿真模式下低边MOS管源极电平的监控器。在启动进入预偏置负
载时，将该引脚连接在CGS和地的连接点。在完全同步工作时，用一个
外部串联电阻将DEMB和地相连，使二极管仿真阈值提高到低边开关管
开启电压以上。
12 CS 电流检测放大器的输入。连接到电流检测电阻器的顶部，如果用低边
MOS管的R DS(ON)作为电流检测电阻，则连接到MOS管的漏极。
13 CSG 电流检测放大器的输入。连接到检测电阻的底部，如果用低边MOS管的
R DS(ON)作为电流检测电阻，则连接到MOS管的源极。
14 PGND 电源地。
15 LO 通过一条短且低感的路径连接到低边同步管的栅极。
16 VCC 通过一个尽量靠近控制器的低ESR/ESL的电容实现局部解耦。
17 VCCX 可选择的外部VCC电压输入引脚。如果VCCX>4.5V，VCCX在内部连
接到VCC，此时内部VCC调节器不起作用。若VCCX不使用，要接地。
18 HB 为自举高边栅极驱动器提供驱动电压。和自举二极管的阴极以及自举电
容的正端相连。自举电容提供改变高边MOS管栅极的电流，因此必须放
置在尽量靠近控制器的位置。
19 HO 通过一条短且低感的路径连接到高边同步管的栅极。
20 SW 开关节点，连接到自举电容的负端以及高边MOS管的源极。
EP EP 裸焊盘。焊锡到地平面。
绝对最大额定值
VIN to GND -0.3V to 100V
VCC, VCCX, UVLO to GND（不能超过VIN电平）-0.3 to 16V
SW, CS to GND -3.0 to 100V
HB to SW -0.3 to 16V
HO to SW -0.3 to HB+0.3V
VOUT to GND -0.3 to 100V
CSG to GND -1V to 1V
LO to GND -0.3 to VCC+0.3V
SS to GND -0.3 to 7V
FB to GND -0.3 to 7V
DEMB to GND -0.3 to VCC
RT to GND -0.3 to 7V
EN to GND -0.3 to 100V
ESD Rating
2 kV
HBM（LO、HO、HB的等级在1kV，VIN的等级在1.5kV，
其他都在2kV)
Storage Temperature Range -55°C to +150°C
Junction Temperature +150°C
工作范围(RAMP和COMP是输出引脚，因此它们没有被指定外部电压应用指标)
VIN 6V to 100V
VCC, VCCX 4.75V to 15V
HB to SW 4.75V to 15V
DEMB to GND -0.3V to 2V
Junction Temperature -40°C to +125°C
电气特性
