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成型后造成裂缝的存在，而过慢的挤压速度又会导致材料成型后的密度比所需密度要小，不符合材料需求，造成严重后果。5 结语 融入了数控技术与高精度加工技术的数控加工技术的应用，通过数控与加工平台的紧密结合实现金属材料的自动化加工，极大地避免了人工重复操作所带来的影响，最大限度地实现了人工劳动强度的降低，促进了高质量、低成本加工的实现，在规模化金属材料的加工施工上占据绝对优势，为标准化作业提供了保障，发展前景一片大好，金属材料的加工在数控技术的应用下将会更加的精确化、规范化、标准化，未来的金属材料加工必然会更具针对性， 忧国不谋身更易操作。【参考文献】
[1]顾银娥.激光技术在金属材料加工工艺中的应用[J].信息记录材料,2018,19(02):15-16.
[2]张碧清.数控加工技术在金属材料加工中的应用[J].内燃机与配件,2019(15):97-98.
[3]王丽娟.激光技术在金属材料加工工艺中的应用研究[J].信息记录材料,2019,20(04):52-53.
作者简介：果义围(1982- )，男，汉族，河北唐山，本科，教师，中级职称，研究方向：机械制造。
MoS 2是层状、带隙可调的半导体材料，其主要成分是辉钼矿，属棕黑固体，熔点1185℃，密度4.8g/cm 3，不溶于水。近年来一些研究结果表明，MoS 2具有许多类似但却优于石墨烯的特性，如单层的MoS 2为直接能带隙的半导体且其能带隙可调，致使其在光、电性能等方面发生了巨大的变化，从而拓展了MoS 2在电子器件、催化及固体润滑等方面的应用[1-3]。MoS 2可以通过化学气相沉积法、有机热溶剂、磁控溅射法等方法来制备。1991年加拿大的BijanK.Miremad 等利用锂离子插层法制备出了MoS2纳米薄膜。1993年俄亥俄州的S.D.Walck 等人利用激光脉冲的方法制备出了多孔的MoS2薄膜[4-16]。邵红红等用磁控溅射法在GCr15钢基体制备MoS2薄膜，获得较好的摩擦学性能[11]。1 实验参数 80年代文学采用JGP450型超高真空磁控溅射设备，使用射频磁控溅射方法在硅基底上制备MoS 2薄膜，对不同退火温度下的MoS2薄膜运用光谱仪、SEM(扫描电子显微)和XRD(X 射线衍射)等分别进行了薄膜的反射性能、形貌和结构表征。 建议献血数据全国联网>神黄豆实验所使用衬底为P 型硅，衬底在溅射前经过丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗；靶材为MoS 2陶瓷靶材，靶材纯度达到99.99%；靶基距设为70mm，使用射频磁控溅射的方法上制备了MoS2薄膜，通过改变退火温度制备了系列MoS2薄膜，其他工艺参数如下：溅射温度为室温，
情报杂志>斯皮尔博格
衬底功率为80W，本底真空为4.4×10-4Pa，氩气的气体流量控制为90sccm，溅射时间为4h，溅射气压为3Pa。2 结果与讨论
2.1 扫描电镜(SEM)分析MoS 2薄膜的表面形貌
图1所示为相同放大倍数下的MoS 2薄膜SEM
图片。
图1 不同退火温度的硅衬底MoS 2薄膜SEM 图片
由上图可知，同种衬底材料在溅射功率保持80W 时，不同的退火温度会对纳米薄膜的表面结构产生较大的影响。退火温度在25℃和100℃时薄膜表面呈现圆形颗粒状，当退火温度升至300℃时出现的是针叶状，薄膜颗粒的形状变化应该是源于高温时材料的再生长，从纳米颗粒转向纳米线[11]。
2.2 X 射线衍射(XRD)分析MoS 2薄膜的微观结构
X 射线衍射是利用X 射线对待测材料进行衍射分析，从而去获得关于材料成分、内部结构等重要信息的研究途径。下图为硅衬底MoS 2薄膜在不同退火温度下的X 射线
退火温度对MoS 2纳米薄膜微特性及光学性能的影响
成 桢
(西安文理学院 应用物理研究所 陕西 西安 710065)
【摘要】本论文使用射频磁控溅射法在硅衬底上制备不同退火温度下的MoS 2薄膜，利用SEM、XRD、光谱仪等手段对薄膜的表面形貌、结构、反射率等进行表征，分析退火温度对MoS 2薄膜性能的影响。研究结果表明：退火温度对MoS 2薄膜表面形貌影响明显，不同退火温度会改变MoS 2薄膜XRD 衍射峰的位置。退火温度越高，MoS 2薄膜生长质量越好，MoS 2薄膜反射率越高。
【关键词】磁控溅射法；MoS 2薄膜；表面形貌；光学性能
【中图分类号】TB30 【文献标识码】A 【文章编号】1009-5624（2020）02-0031-03
