一、选择题
1. 施主杂质电离后向半导体导带提供（ B ），受主杂质电离后向半导体价带提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ AB）。A. 空穴 B. 电子 2. 室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3，费米能级（B）；继续掺入浓度为1.1×1015cm-3的磷，费米能级（A）；将该半导体升温至570K，费米能级（C）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3，570K时，ni≈2×1017cm-3）A. 高于Ei B. 低于Ei C. 约等于Ei 3. 对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（C），本征流子浓度（A），多子浓度（B），少子浓度（A）。A. 变大 B. 不变 C. 变小
4. 最有效的复合中心能级位置在（ D ）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（C ）附近。A. EA B. ED C. EF D. Ei
5. 扩散系数反映了载流子在（A）作用下运动的难易程度，迁移率反映了载流子在（B ）作用下运动的难易程度。A. 浓度梯度 B. 电场 C. 光照 D.磁场
6. 最小电导率出现在（ B）型半导体。A. n B. p C. 本征
7. 电子在晶体中的共有化运动是指（C）。
A. 电子在晶体中各处出现的几率相同。 B. 电子在晶体原胞中各点出现的几率相同。
C. 电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同。D. 电子在晶体各原胞对应点的相位相同。
8. 本征半导体是指（D）的半导体。
A. 电子浓度等于本征载流子浓度 B. 电阻率最高 C. 电子浓度等于空穴浓度 D.不含杂质与缺陷
9. II-VI族化合物中的M空位Vm是（C）。
A. 点阵中的金属原子间隙 B. 一种在禁带中引入施主的点缺陷
C. 点阵中的点阵中的金属原子空位 D. 一种在禁带中引入受主的位错
10. 若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（A）。
A. 处于绝对零度 B. 不含任何杂质 C. 不含任何缺陷 D. 不含施主
11. Si中掺金的工艺主要用于制造（B）器件。
A. 高可靠性 B. 高频 C. 大功率 D. 高电压
12. 半导体的载流子扩散系数大小决定于其（D）。
A. 复合机构 B. 能带结构 C. 晶体结构 D. 散射机构
13. 公式和中的对于（A）取值相同。
A. GaAs B. GaP C. Si D. Ge
14. 若用N取代GaP中的一部分P，半导体的禁带宽度（A）；若用As则禁带宽度（C）。
A. 变大 B. 不变 C. 变小
15. GaAs的导带极值位于布里渊区（D）。
A. <100>方向边界处 B. <111>方向边界处 C. <110>方向边界处 D.中心
16. 重空穴指的是（C）。
A. 质量较大的原子形成的半导体产生的空穴 B. 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C. 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D. 自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
17. 根据费米分布函数，电子占据（）能级的几率（B）。
A. 等于空穴占据（）能级的几率 B. 等于空穴占据（）能级的几率
C. 大于电子占据的几率 D. 大于空穴占据的几率
18. 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度升高而（D）。
A. 单调上升 B. 单调下降 C. 经过一个极小值后趋近 D.经过一个极大值后趋近
19. 若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（D）。
A. 本征半导体 B. 金属 C. 化合物半导体 D. 土婆婆pk洋媳妇掺杂半导体
20. 公式中的是载流子的（C）。
A. 渡越时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散系数
21. 在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率，是因为这样的材料（D）。
A. 无杂质污染 B. 受宇宙射线辐射 C. 化学配比合理 D. 晶体完整性好
22. 在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（D）。
A. 禁带较窄 B. 禁带较宽 C. 禁带是间接跃迁型 D. 禁带是直接跃迁型
23. 若某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（C）。
A．金属． B．本征半导体
C．掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体
C．平均自由时间 D．扩散系数
24．在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。
A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大；D. 小； E. 重空穴；F. 轻空穴
25. 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ F ）。
A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质
26. 在通常情况下，GaN呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（ F ）半导体材料。
A．纤锌矿型；B. 闪锌矿型；C. 六方对称性；D.立方对称性；E.间接带隙；F. 直接带隙
27. 同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，m*/m0是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的古生物化石保护条例8/3
D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
28. 沈阳工程学院学报一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。
A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2
29. 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni >> /ND-NA/ 时，半导体具有 （ B ） 半导体的导电特性。 A. 待遇服非本征 B.本征
30.在室温下，非简并Si中电子扩散系数Dｎ与ＮＤ有如下图 （C ） 所示的最恰当的依赖关系
31.在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（ A ）移动；当掺杂浓度一定时，温度从室温逐步增加，费米能级向( C )移动。
A.Ev ； B.Ec ； C.Ei； D. EF
32. 把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（ D ）。
A.改变禁带宽度 ； B.产生复合中心 ； C.产生空穴陷阱 ； D.产生等电子陷阱。
33. 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（ C ）。
A.非平衡载流子浓度成正比 ； B.平衡载流子浓度成正比；
C.非平衡载流子浓度成反比； D.平衡载流子浓度成反比。
34. 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ B ）。
A.变大，变小 ； B.变小，变大； C.变小，变小； D.变大，变大。
35. 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（ B ）空穴的俘获率，它是（ D ）。
A.大于 ； B.等于； C.小于； D.有效的复合中心； E. 有效陷阱。
36.锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。
A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型
C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型
37. 简并半导体是指（ A ）的半导体。
铁水包
A、(EC-EF)或(EF-EV)≤0 B、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
C、(EC-EF)或(EF-EV)≥0 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
38. 在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3，则该半导体为（ B ）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。
A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-3
39.当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。
A、变化量； B、常数； C、杂质浓度； D、杂质类型；E、禁带宽度； F、温度
40. 在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级Ei； 如果增加掺杂浓度，有可能使得（ C ）进入（ A ），实现重掺杂成为简并半导体。
A、EC； B、EV； C、EF； D、Eg； E、Ei。
41.最有效的复合中心能级的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C ）附近，并且常见的是（ E ）陷阱。
A、EA B、EB C、EF D、Ei E、少子 F、多子
42. 一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，
其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。
A、1/4 B、1/e C、1/e2 D、1/2
43. 半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（ A ）。
A、散射机构； B 、复合机构； C、杂质浓度梯度； C、表面复合速度。
44.当Au掺入Si中时，它引入的杂质能级是（ A ）能级，在半导体中起的是（ C ）的作用；当B掺入Si中时，它引入的杂质能级是（ B ）能级，在半导体中起的是（ D ）的作用。
A、施主 B、受主 C、深能级 D、浅能级
45．对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流子浓度（ A ）
A. 无关； B. 成正比； C. 成反比； D. 的平方成反比
46. 3个硅样品的掺杂情况如下： 甲．含镓1×10质粒17cm；乙.含硼和磷各1×1017cm；丙.含铝
1×1015cm 这三种样品在室温下的费米能级由低到高（以EV为基准）的顺序是( B )
