BJT-清华大学半导体物理与器件

阅读： 评论：0

Bipolar Junction

Transistors

双极型晶体管

1

4

第一首七言诗集成电路中的

声带小节

npn-BJT

杂质分布特点：•两头大，中间小•发射区掺杂浓度比基区高很多

•四层结构•A E < A C

本征晶体管非本征晶体管•埋层

•隔离：采用pn 结

5

双极晶体管的四个工作区

遗作惨剧1里香9正向有源区（正向放大模式，有源模式）

南方少儿频道——发射结正偏，集电结反偏9反向有源区（反向放大模式）

——发射结反偏，集电结正偏

Saturation

Cutoff

盖革计数管Active Inverted

V CB  (pnp )V BC  (npn )

V EB  (pnp ) V BE  (npn )

9截止区——两个结都反偏9饱和区——两个结都正偏x12

本文发布于:2023-07-06 10:50:55，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://patent.en369.cn/xueshu/178013.html

版权声明：本站内容均来自互联网，仅供演示用，请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系，我们将在24小时内删除。

上一篇：微热干燥机技术参数

下一篇：四年级英语下册 期中冲刺满分最后一卷 译林版(三起)

标签：晶体管   有源   模式   反向