㈠、目的和原理：
利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用，
去除硅片在多线切割锯切片时
产生的表面损伤层，同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构。 解释：①现有多晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片，金刚砂硬度很高，会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去 除，会影响太阳电池的填充因子。
②氢氧化钠俗称烧碱，是在国民经济生产中大量应用化工产品。由电解食盐水而得，价格比较便宜，每500克6元。化学反应方程式 鹿鼎记2攻略为：↑+↑+=+222222H Cl NaOH O H NaCl 电解
。分析纯氢氧化锂、氢氧化钾也可以与硅起反应，但价格较贵。如氢氧化锂每500克23元，用于
镉-镍电池电解液中。
↑
+=++23222a 2H SiO N O H NaOH Si 加热
③碱性腐蚀优点是反应生成物无毒，不污染空气和环境。不像HF-HNO 3酸性系统会生成有毒的NO x 气体污染大气。另外，碱性系统与硅反应，基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀，可以保证一
定的平行度。 ㈡、步骤：
面产生出部分反射率较低的织构表面。如果含有[100]晶向的晶粒，就可以长出金字塔体状的绒面。第五步是通过盐酸中和残余的氢氧化钠，化学反应方程式为：O H NaCl NaOH HCl 2+=+。第七步络合掉硅片表面的二氧化硅层，化学反应方程式为：
O H SiF H HF SiO 26222][6+=+。
2. 我们就粗抛作过实验，投入50片硅片：
a ． 在20%NaOH 溶液中，温度为80℃，反应了10分钟，硅片厚
度平均去掉了32μm 。
b ． 在15%NaOH 溶液中，温度为80℃，反应了10分钟，硅片厚
度平均去掉了25μm （此数据来源于小片实验）。 硅片粗抛是放热反应且反应激烈，反应速度与温度上升有点正反馈的态势：温度高，浓度高反应就会更激烈。新硅片由
于表面粗糙，表面积大一些反应也会激烈一些。
c．由于每次投片量较大，125×125可投300片，103×103可投400片，因而反应会很激烈，通过积累可以求出在受控条
件下最佳浓度和时间。
d．硅片去掉20~25μm的厚度，硅片损伤层也就去除干净了，这也可以作为检验标准。
e．本反应以125×125的硅片计，每一片每次反应去掉25μm 的厚度为准，每片将消耗0.9克硅，也将消耗2.6克氢氧化
卫慧作品钠，300片硅片将消耗780克氢氧化钠，加上溶液加热蒸气
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带走一部分氢氧化钠，先加上1000克氢氧化钠为宜。
f．同理，如 e那样每次生成832克硅酸钠，反应槽内的溶剂以170千克计，一旦溶液出现明显白絮状硅酸钠，就应更
换氢氧化钠溶液。
什么是以火灭火g．工序3中利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，用2%氢氧化钠溶液在多晶硅表面产生反射率较低织构表面，在[100]晶
向的晶粒表面上会腐蚀出金字塔体的绒面来。多晶硅总会存
在着[100]晶向的晶粒，只是多少而已。
h．溶液配比方法是采取重量百分比法，如20%氢氧化钠溶液是1000ml纯水中加200克氢氧化钠。
农业科技网络书屋㈢、注意事项：
1．在工序1和3中氢氧化钠溶液与硅片反应时会有碱蒸气产生，故设备运行时请关闭有机玻璃门。
2．盐酸是挥发性强酸，不不要去闻其味道。
3．会腐蚀玻璃，故不与玻璃器械接触，也不要去闻的味道。
4．如果酸或碱不小心溅入眼内或溅到脸上，请立即打开洗脸洗眼池上盖冲洗。
制绒工艺
