1.硅的主要性质：原子序数：14、现对原子质量：、晶体结构：金刚石结构、熔点：、颜：银白。
2.硅片按生产工艺分为：切割片、研磨片、化腐片和抛光片。 3.硅片加工第一道工序：定向、滚磨开方。
4.滚磨开方的设备：单晶切方滚磨机、带锯、线锯。
5.硅单晶主参考面方位的确定方法：光图定向法和晶棱连线法。
6.硅单晶定向切割可分为：多线切割和内圆切割。
7.硅片的研磨方式有：单面研磨和双面研磨。
8.硅片抛光的方法分为：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光、最常用的方法是化学机械抛光。
9.吸附分为：化学吸附和物理吸附。
10.环境洁净度等级标准：美国联邦标准。
11.硅片表面污染类型：有机杂质玷污、颗粒类杂质玷污和金属杂质玷污。
12.化学试剂按纯度分为：优级纯、分析纯、化学纯。
13.超声波清洗系统的组成：超声波电源、清洗槽和换能器。
14.纯水制备系统的组成：预处理系统、初级处理系统和顾客价值精处理系统。
15.硅片电学参数：导电类型、电阻率、电阻率变化及电阻率条纹。
16.硅晶体两种切割工艺比较：
内圆切割：内圆刀片、一片一片切割、刀缝、品种变换简单方便、灵活，风险低、效率低、原料损耗高、硅片体型变大、加工参数一致性差。
线切割：钢丝切割线、整锭同时切割、线缝、效率高、原料损耗小、硅片体型变小、加工参数一致性好、风险高。
17.硅单晶内圆切割与多线切割的工艺过程：
内圆切割：
。
多线切割：。
18.磨削液的作用：冷却、排渣、润滑、swimovate防锈。 19.研磨工艺过程：。
20.研磨前为什么要进行厚度分选？
答：经切割的硅片厚度较分散，为使研磨后的硅片厚度较一致，并且总厚度变化TTV小，需要对切割后的硅片进行厚度分选，将厚度一致的硅片放在同盘进行研磨。
21.硅边缘倒角的目的、形状、工艺过程。
答：硅片倒角的目的为了有效的释放内部应力、以减少后续的加工损伤；
倒角形状：圆弧形、梯形；
工艺过程：。
22.硅片热处理的作用、范围、工艺条件、步骤。
答：
作用：
◆消除氧的施主效应；
◆释放应力；
范围：直拉非重掺硅片；
工艺条件：
◆温度：左右；
◆时间：。
步骤：。
23.硅片化学减薄的作用与意义、方法、工艺过程
答：
作用与意义：
◆使硅片表面洁净；
◆提高抛光效率；
◆消除硅片内应力；
方法：酸腐蚀、碱腐蚀；
工艺过程：。
24.抛光布垫技术要求、作用及存放。
答：
技术要求：
质地柔软；
吸水量大；
耐磨、耐化学腐蚀。
作用：存储及运输抛光液；
存放：
环境要求：
环境温度：世说新语言语；大学生村官调研报告
相对湿度：左右；
洁净等级：级。
平放存储；
避免过期存放而变质失效。
25.硅片抛光方式，工艺过程。
答：
方式：碱性二氧化硅抛光；
工艺过程：。
26.碱性二氧化硅抛光方法与原理。
答：
◆碱对硅的腐蚀反应；
◆胶粒见的吸附作用；
腾飞电开水器◆抛光衬垫与硅片的机械摩擦作用；
◆碱的络合作用。
27.抛光速率的影响因素。
答：
抛光压力：在其他条件不变时，随着压力的提高，抛光速率也随之上升，但在实际生产中，当压力到达临界点时，若继续提高压力，抛光效率不但不会弄上升，反而会下降。
抛光温度：温度越高，化学反应速率越快，抛光速率越高；
PH值：抛光速率与PH值成指数函数关系，提高PH值，可以加快硅片与抛光液的化学反应速率，提高抛光速率；
硅片晶体结构：不同型号、不同晶向及不同电阻率的硅片，其面密度及原子、结合力都不同，因此抛光过程中的化学腐蚀速率有所不同；
摩擦力：，为摩擦系数，为抛光压力。
28.抛光前为什么要进行厚度分选？
答：为了保证抛光后硅片的几何特性，需进行厚度分选，然后分档装片加工。
29.硅片切割片、研磨片、抛光片清洗过程。
答：
切割片：。
研磨片：。
抛光片：。
30.硅片检验的内容、方法、意义。
答：
内容：电学参数、结晶学参数、几何参数和表面洁净度参数；
方法：接触式和非接触式；
意义：预防，把关。
31.硅片检验的环境条件：
答：
环境温度：
相对湿度：
电源：和，交流电；
环境洁净度：级
光源：
高强度狭束光源：离光源处光照度e学论坛；
大面积散射光源：检测面上光照度为。
32.当你领到一批硅片时，应如何实施研磨。
答：
