1范围
本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等 本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件
ASTM F42-02半导体材料导电率类型的测试方法
ASTM F26半导体材料晶向测试方法
ASTM F84直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法
ASTM F1391-93太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法
ASTM F121-83太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法
ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法
3 术语和定义
TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况； TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mm处4点和中心点）；一江春水向东流任正非
位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；
位错密度：单位体积内位错线的总长度(cm/cm3)，通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；
崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；探索与创新
裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；
四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条
4 分类
单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125′125Ⅰ(mm)、125′125Ⅱ(mm)、156′156(mm)。
5 技术要求
外观
V给
见附录表格中检验要求。
外形尺寸
方片TV为200±20 um,测试点为中心点；
方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点；
硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%；
相邻C段的垂直度：90o±；
其他尺寸要求见表1。
表1单晶硅片尺寸要求
谐波电流规格 （mm） | 尺寸（mm） |
A（边长） | B（直径） | C（直线段长） | D（弧长投影） |
Max. | Min. | Max. | Min. | Max. | 经济犯罪侦查Min. | Max. | Min. |
125′125Ⅰ | | | | | | | | |
125′125Ⅱ | | | | | | | | |
156′156 | | | | | | | | |
注1：A、B、C、D分别参见图1。 |
| | | 椭偏仪 | | | | | |
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