一种电子元件的银回收工艺的制作方法

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1.本发明涉及电子元件金属回收技术领域，具体涉及一种电子元件的银回收工艺。

背景技术：

2.随着世界电子信息的快速发展，电子产品涉及越来越广泛，用量也越来越大，而且更新也越来越快，导致市场上的废旧电子产品越来越多。这些废旧线路板以及芯片中包含金、银、钯等贵重金属，对其进行回收是市场的需要同时也是环境的需要。银是各种电子器件当中不可缺少的组成部分，而它的商业价格并不高，故在回收废弃线路板中的银的过程中一次性提高其回收率是减少生产成本的重要途径。
3.目前，处理废弃线路板以及废气手机中的芯片的处理方法主要是经过分离、破碎、富集和提纯等几个阶段。
4.中国专利cn108950217a公开了一种从废旧印刷线路板中回收金和银的方法，其将废旧线路板破碎后经过高温熔炼后再用硝酸以及王水分别浸出银和金。然而，熔融物料中包含金银元素，同时也包含铜以及大量的铁、镍、锡等贱金属，仅用硝酸以及王水来浸出其，只会根据金属活泼性来进行溶解，金银的溶解效果并不理想。
5.中国专利cn102952947b公开了一种废旧电路板中稀贵金属的综合回收方法，其首先是通过低温培烧，再通过氨浸、硝酸浸、盐酸与次氯酸钠综合浸以及so2置换金粉等工艺实现生产。然而，废旧电路板中的金银在破碎过程中，并不能与非金属分开，通过静电分选后含有金属的部分同时含有大量的非金属，在200-300℃下培烧会产生大量二噁英；并且使用的危险化学品包含氨水、盐酸、硫酸、硝酸、二氧化硫、锌粉等，其存储和使用都存在很大的综合危险隐患，导致生产成本过高，不适宜于工业化生产。

技术实现要素：

6.本发明的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种电子元件的银回收工艺，该电子元件的银回收工艺能够快速、高效地浸出富集银的浸出液，有效提高银的回收率，其回收工艺过程具有环保的优点，且其回收的银粉具有品质好和纯度高的优点。
7.为实现上述目的，本发明提供以下技术方案：
8.提供一种电子元件的银回收工艺，包括以下步骤：将电子元件进行预处理，获取含有银离子的氯化浸出物，
9.对所述氯化浸出物中的银进行回收，其包括：
10.s1、向所述氯化浸出物加入适量纯水和适量双氧水并加热至30℃～35℃，充分搅拌以清洗所述氯化浸出物，清洗后过滤，得到一次清洗渣；
11.s2、向所述一次清洗渣加入纯水，再次充分搅拌以清洗所述一次清洗渣，清洗后过滤，得到二次清洗渣；
12.s3、向所述二次清洗渣加入纯水，持续搅拌，得到混合物料，将所述混合料加热至30℃～35℃，调节所述混合物料的ph至8～9，向所述混合物料加入亚硫酸钠，使亚硫酸钠与
所述混合物料产生络合反应，将反应后的混合物料过滤，得到配合物滤液，所述配合物滤液为富集银离子的浸出液；
13.s4、将s3获得的浸出液加入电积槽并进行电积还原处理，将还原处理后的浸出液过滤，过滤后得到的固体物为银粉。
14.在一些实施方式中，所述预处理包括以下步骤：将电子元件粉碎，制得电子元件粉末；
15.将所述电子元件粉末加入含有适量硫酸溶液与适量双氧水的混合溶液中，使所述电子元件分粉末与所述混合溶液充分反应，反应后，加入适量氯化钠并充分搅拌，得到第一固液物料；
16.将所述第一固液物料过滤，得到第一滤液和第一固体物料；
17.以氯化浸出的方式溶解所述第一固体物料中的金，得到第二固液物料；
18.将所述第二固液物料过滤，得到第二滤液和第二固体物料，所述第二固体物料为氯化浸出物。
19.在一些实施方式中，所述电子元件的粉碎步骤包括：将电子元件于150℃～170℃下进行热处理，使含贵金属的芯片脱离，将所述芯片通过机械粉碎为≤5mm的碎片，将所述碎片研磨为粒径小于100目的电子元件粉末。
20.在一些实施方式中，将所述第一滤液投入铜旋流电积设备，回收电积铜管。
21.在一些实施方式中，向所述第二滤液加入饱和亚硫酸钠溶液直至所述第二滤液电位达到180mv～210mv，使所述第二滤液与所述亚硫酸钠溶液充分反应，得到还原金粉。
22.在一些实施方式中，所述s1中，所述双氧水的浓度为1％～5％，所述双氧水以5ml/min～20ml/min的速度持续加入到所述纯水中，所述氯化浸出物与纯水和双氧水的固液比保持为1:3～5；
23.在一些实施方式中，所述s2中，一次清洗渣与纯水的固液比为1:3～5。
24.在一些实施方式中，所述s3中，将所述配合物滤液循环浸出，循环浸出的步骤包括：
25.将所述配合物滤液与下一批次的清洗渣充分混合，得到循环物料，该清洗渣是依次经过s1、s2处理后的二次清洗渣；
26.将循环物料的温度控制为30℃～35℃，加入亚硫酸钠，将循环物料的ph值调节为8～9，然后过滤，得到循环浸出滤液；
27.将所述循环浸出滤液重复所述循环浸出的步骤，直至循环浸出滤液中银离子饱和，最后获得的循环浸出滤液为富集银的浸出液。
28.在一些实施方式中，所述s3中，所述亚硫酸钠的纯度大于95％，每升所述混合物料加入所述亚硫酸钠的量为190g～200g；
29.循环浸出步骤中，所述亚硫酸钠的加入量为上一批次亚硫酸钠加入量的3％～5％。
30.在一些实施方式中，所述s4中，先将所述浸出液真空抽滤后再投入所述电积槽。
31.在一些实施方式中，所述电积槽的电流密度为200-300ma/m2，电压为3-5v，电积模式为连续电积。
32.本发明一种电子元件的银回收工艺的有益效果:
33.(1)本发明电子元件的银回收工艺，其先将电子元件预处理，获得富集有银的氯化浸出物，再将该氯化浸出物的银通过亚硫酸钠浸出的方式得到ag(so3)
23-配合物，将ag(so3)
23-配合物再经过电积回收银，整个银回收工艺为全湿法，并且通过电积回收银，银还原过程不涉及化学物品，具有环保、生产成本降低的优点，适用于工业化生产。
34.(2)本发明电子元件的银回收工艺，其收回氯化浸出物的银的步骤中，先对氯化浸出物进行除氯处理，使得氯化浸出物的氯含量降低，通过降低氯化浸出物中氯含量从而降低氯离子对亚硫酸钠浸出银的影响，提高氯化浸出物中的银浸出率，继而有效地提高回收率；其中，本发明先通过一次清洗，以双氧水还原氯，并通过加热方式使得氯挥发，再通过二次清洗，将多余的双氧水去除，这样既能高效地除氯，又能避免双氧水对氯化浸出物产生影响。
附图说明
35.图1是实施例的电子元件的银回收工艺的流程示意图。
36.图2是实施例的电积回收银的工作状态示意图。
具体实施方式
37.下面将参照附图更详细地描述本发明的优选实施方式。虽然附图中显示了本发明的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本发明更加透彻和完整，并且能够将本发明的范围完整地传达给本领域的技术人员。
38.在本发明使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“该”旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
39.应当理解，尽管在本发明可能采用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本发明范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
40.实施例1
41.银是各种电子器件当中不可缺少的组成部分，而它的商业价格并不高，故在回收废弃线路板中的银的过程中一次性提高其回收率是减少生产成本的重要途径。
42.现有技术先将废旧线路板破碎后经过高温熔炼后再用硝酸以及王水分别浸出银和金。然而，熔融物料中包含金银元素，同时也包含铜以及大量的铁、镍、锡等贱金属，仅用硝酸以及王水来浸出其，只会根据金属活泼性来进行溶解，金银的溶解效果并不理想。
43.现有技术还首先是通过低温培烧，再通过氨浸、硝酸浸、盐酸与次氯酸钠综合浸以及so2置换金粉等工艺实现生产。然而，废旧电路板中的金银在破碎过程中，并不能与非金属分开，通过静电分选后含有金属的部分同时含有大量的非金属，在200-300℃下培烧会产
生大量二噁英；并且使用的危险化学品包含氨水、盐酸、硫酸、硝酸、二氧化硫、锌粉等，其存储和使用都存在很大的综合危险隐患，导致生产成本过高，不适宜于工业化生产。
44.针对上述问题，本实施例公开了电子元件的银回收工艺，图1所示，包括以下步骤:
45.将电子元件粉碎，得到电子元件粉末；
46.将所述电子元件粉末加入含有适量硫酸溶液与适量双氧水的混合溶液中，示例性地，硫酸溶液的浓度为1.5ml/l，双氧水以20ml/min的量持续加入到所述硫酸溶液中，混合溶液的固液比为1:10，实际应用中，还能根据实际情况调节所述硫酸溶液与适量双氧水的用量，只要使得电子元件粉末发生溶解即可，此处不作限制。使所述电子元件分粉末与所述混合溶液充分反应，反应后，加入适量氯化钠，并充分搅拌，得到第一固液物料。示例性地，每立方所述混合溶液中加入100公斤氯化钠，实际应用中，还能根据实际情况调节所述氯化钠的用量，只要使得混合溶液中的银离子沉淀即可，此处不作限制。
47.向所述电子元件粉末加入硫酸和双氧水，反应后，在该反应过程中硫酸和双氧水浸出了电子元件中的铜、铁、镍、锡等金属，加入氯化钠，氯化钠沉淀浸出液中的银，使得银与前述的电子元件中的铜、铁、镍、锡分离，得到第一固液物料。
48.将所述第一固液物料过滤，得到第一滤液和第一固体物料；
49.以氯化浸出的方式溶解所述第一固体物料中的金，得到第二固液物料，其中，氯化浸出的方式是例如使用盐酸作为氯化剂作浸出剂，使第一固体物料中的金可溶性金属氯化物形态转入溶液中，实现金与银分离，进一步富集银；
50.将所述第二固液物料过滤，得到第二滤液和第二固体物料，所述第二固体物料为氯化浸出物；
51.回收所述氯化浸出物中的银，其包括:
52.s1、向所述氯化浸出物加入适量纯水和适量双氧水并加热至30℃～35℃，优选为32℃，充分搅拌以清洗所述氯化浸出物，搅拌时间为0.5h，搅拌速率60r/min-80r/min，搅拌参数只要使得物料充分混合即可，此处搅拌参数能根据实际进行调节，清洗后过滤，得到一次清洗渣；
53.s2、向所述一次清洗渣加入纯水，再次充分搅拌以清洗所述一次清洗渣，搅拌时间为0.5h，搅拌速率60r/min-80r/min，只要使得物料充分混合即可，此处搅拌参数能根据实际进行调节。将清洗后的物料过滤，得到二次清洗渣；
54.s3、向所述二次清洗渣加入纯水，持续搅拌，搅拌速率50-70r/min，得到混合物料，将所述混合料加热至30℃～35℃，优选为32℃，调节所述混合物料的ph为8～9，向所述混合物料加入亚硫酸钠，使亚硫酸钠与混合物料中的银进行络合反应，将反应后的混合物料过滤，得到配合物滤液，所述配合物滤液为富集银离子的浸出液；
55.s4、将s3获得的浸出液加入电积槽并进行电积还原处理，将还原处理后的浸出液过滤，过滤后得到的固体物为银粉。
56.上述电子元件的银回收工艺，其先将电子元件通过硫酸和双氧水处理，浸出了电子元件中的铜、铁、镍、锡等金属，获得富集了金和银的固体物料，即第一固体物料；进一步将第一固体物料通过氯化浸出的方式来浸出金，获得富集有银的氯化浸出物，再将该氯化浸出物的银通过亚硫酸钠浸出的方式得到ag(so3)
23-配合物，将ag(so3)
23-配合物再经过电积回收银，整个银回收工艺为全湿法，并且通过电积回收银，银还原过程不涉及化学物品，
具有环保、生产成本降低的优点，适用于工业化生产。并且，其收回氯化浸出物的银的步骤中，先对氯化浸出物进行除氯处理，使得氯化浸出物的氯含量降低，通过降低氯化浸出物中氯含量从而降低氯离子对亚硫酸钠浸出银的影响，提高氯化浸出物中的银浸出率，继而有效地提高回收率；其中，本发明先通过一次清洗，以双氧水还原氯，并通过加热方式使得氯挥发，再通过二次清洗，将多余的双氧水去除，这样既能高效地除氯，又能避免双氧水对氯化浸出物产生影响。
57.本实施例中，所述s1中，所述双氧水的浓度为1％～5％，优选为3％，所述双氧水以5ml/min～20ml/min的速度，优选为10ml/min持的速度续加入到所述纯水中，所述氯化浸出物与纯水和双氧水的固液比保持为1:3～5，优选为1:4。该固液比能根据实际情况进行调整，只要能够清洗氯化浸出物中氯物质即可，此处不作限制。
58.所述s2中，一次清洗渣与纯水的固液比为1:3～5，优选为1:4。该固液比能根据实际情况进行调整，只要能够清洗氯化浸出物中氯物质即可，此处不作限制。
59.本实施例中，所述s3中，所述亚硫酸钠的纯度大于95％，每升所述混合物料加入所述亚硫酸钠的量为190g～200g，优选195g，该亚硫酸钠的加入量能保证较好还原效果，当然，亚硫酸钠的加入能根据实际情况进行调整，此处不作限制。
60.本实施例中，采用板框压滤机以压滤的方式进行过滤。板框压滤机能加快并且保证过滤效果，利于提高生产效率。
61.本实施例中，所述s4中，先将所述浸出液置于经过滤布型号为840a的丙纶的真空过滤器抽滤，再将抽滤后的浸出液投入所述电积槽，这样能初步过滤浸出液中含有固体杂质。
62.电极槽中设有阴极板和阳极板，阴极板和阳极板能使富集了银的浸出液还原，解决了亚硫酸银络合离子还原银的过程需要使用甲醛、甲酸、水合肼等有害化学品。
63.实施例2
64.便于理解，以下提供了电子元件的银回收工艺的一个实施例进行说明，在实际应用中，所述电子元件的粉碎步骤包括：将电子元件于150℃～170℃下进行热处理，使含贵金属的芯片脱离，将所述芯片通过机械粉碎为≤5mm的碎片，将所述碎片研磨为粒径小于100目的电子元件粉末。
65.通过热处理方式去除部分非金属物质，便于快速回收金属。将收集的芯片再通过粉碎，便于在粉碎物质中回收金属。
66.其他操作方式与实施例1相同，此处不再赘述。
67.实施例3
68.便于理解，以下提供了电子元件的银回收工艺的一个实施例进行说明，在实际应用中，将所述第一滤液投入铜旋流电积设备，回收电积铜管。
69.上述的铜旋流电积设备市面上常见的电解铜旋流设备，其利用电解技术回收铜，避免大量铜污泥产生及排放，起到环保作用。
70.其他操作方式与实施例1相同，此处不再赘述。
71.实施例4
72.便于理解，以下提供了电子元件的银回收工艺的一个实施例进行说明，在实际应用中向所述第二滤液加入饱和亚硫酸钠溶液直至所述第二滤液电位达到180mv～210mv，优
选为200mv，使所述第二滤液与所述亚硫酸钠溶液充分反应，得到还原金粉。
73.第二滤液有浸出金，亚硫酸钠溶液能将第二滤液中的金还原，获得粗金粉。
74.其他操作方式与实施例1相同，此处不再赘述。
75.实施例5
76.便于理解，以下提供了电子元件的银回收工艺的一个实施例进行说明，在实际应用中，由于初次富集银的浸出液中银离子含量还未饱和，为节省用量，提高环保，所述s3中，将所述配合物滤液循环浸出，循环浸出的步骤包括：
77.将所述配合物滤液与下一批次的清洗渣充分混合，使得配合物滤液与该清洗渣的固液比为1:3，该固液比能根据实际情况进行调节，得到循环物料。此处加入的清洗渣是依次经过s1、s2处理后的二次清洗渣，即，新加入的清洗渣也是先降低氯含量的氯化浸出物。
78.将循环物料的温度控制为30℃～35℃，优选32℃，补充加入亚硫酸钠，此处亚硫酸钠的加入量为上一次亚硫酸钠加入量的3％～5％，然后将循环物料的ph值调节为8～9，然后过滤，得到循环浸出滤液。
79.上述循环浸出步骤利用浸出液还不饱和的特性重复使用，减少了浸出过程的用料，且能提高浸出液的银富集率。
80.所述循环浸出滤液重复所述循环浸出的步骤，直至循环浸出滤液中银离子饱和，最后获得的循环浸出滤液为富集银的浸出液。
81.根据实际生产，使用该浸出液循环浸出了4批次清洗渣，4批次的清洗渣中银含量分别由7011.14g/t降低至3143.60g/t、7449.89g/t降低至3787.04g/t、6209.24g/t降低至3225.79、5974.40g/t降低至36395.81g/t，浸出率分别为55.16％、49.17％、48.05％、43.16％，4批次银离子的浸出率分别为55.16％、49.17％、48.05％、43.16％。
82.可见，使用浸出液循环浸出，并不影响循环浸出过程中的浸出率，其有效地提高了浸出液的利用率，适用于大规模生产应用。
83.其他操作方式与实施例1相同，此处不再赘述。
84.实施例6
85.便于理解，以下提供了电子元件的银回收工艺的一个实施例进行说明，在实际应用中，图2所示，所述电积槽的电流密度为200ma/m
2-300ma/m2，电压为3v～5v，电积模式为连续电积。
86.上述电积槽的参数还能根据实际需要进行调整，只要能实现电积还原浸出液中的银即可。
87.电积完成后，图2所示，打开电积槽下端开口，电积后液会通过电积槽下端开口流到电积板上的真空过滤器滤布，而电积沉积的银粉停留在滤布上，通过人工用铲子、刷子等从滤布清除下来，并且需要电积槽进行充分清洗，防止短路。
88.其他操作方式与实施例1相同，此处不再赘述。
89.除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而
不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
90.在本技术的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
91.为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
92.此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本技术保护范围的限制。
93.以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

1.一种电子元件的银回收工艺，其特征是，包括以下步骤：将电子元件进行预处理，获取含有银离子的氯化浸出物，对所述氯化浸出物中的银进行回收，其包括：s1、向所述氯化浸出物加入适量纯水和适量双氧水并加热至30℃～35℃，充分搅拌以清洗所述氯化浸出物，清洗后过滤，得到一次清洗渣；s2、向所述一次清洗渣加入纯水，再次充分搅拌以清洗所述一次清洗渣，清洗后过滤，得到二次清洗渣；s3、向所述二次清洗渣加入纯水，持续搅拌，得到混合物料，将所述混合料加热至30℃～35℃，调节所述混合物料的ph至8～9，向所述混合物料加入亚硫酸钠，使亚硫酸钠与所述混合物料产生络合反应，将反应后的混合物料过滤，得到配合物滤液，所述配合物滤液为富集银离子的浸出液；s4、将s3获得的浸出液加入电积槽并进行电积还原处理，将还原处理后的浸出液过滤，过滤后得到的固体物为银粉。2.根据权利要求1所述的电子元件的银回收工艺，其特征是，所述预处理包括以下步骤：将电子元件粉碎，制得电子元件粉末；将所述电子元件粉末加入含有适量硫酸溶液与适量双氧水的混合溶液中，使所述电子元件分粉末与所述混合溶液充分反应，反应后，加入适量氯化钠并充分搅拌，得到第一固液物料；将所述第一固液物料过滤，得到第一滤液和第一固体物料；以氯化浸出的方式溶解所述第一固体物料中的金，得到第二固液物料；将所述第二固液物料过滤，得到第二滤液和第二固体物料，所述第二固体物料为氯化浸出物。3.根据权利要求2所述的电子元件的银回收工艺，其特征是，所述电子元件的粉碎步骤包括：将电子元件于150℃～170℃下进行热处理，使含贵金属的芯片脱离，将所述芯片通过机械粉碎为≤5mm的碎片，将所述碎片研磨为粒径小于100目的电子元件粉末。4.根据权利要求2所述的电子元件的银回收工艺，其特征是，将所述第一滤液投入铜旋流电积设备，回收电积铜管。5.根据权利要求2所述的电子元件的银回收工艺，其特征是，向所述第二滤液加入饱和亚硫酸钠溶液直至所述第二滤液电位达到180mv～210mv，使所述第二滤液与所述亚硫酸钠溶液充分反应，得到还原金粉。6.根据权利要求1所述的电子元件的银回收工艺，其特征是，所述s1中，所述双氧水的浓度为1％～5％，所述双氧水以5ml/min～20ml/min的速度持续加入到所述纯水中，所述氯化浸出物与纯水和双氧水的固液比保持为1:3～5。7.根据权利要求1所述的电子元件的银回收工艺，其特征是，所述s2中，一次清洗渣与纯水的固液比为1:3～5。8.根据权利要求1所述的电子元件的银回收工艺，其特征是，所述s3中，将所述配合物滤液循环浸出，循环浸出的步骤包括：将所述配合物滤液与下一批次的清洗渣充分混合，得到循环物料，该清洗渣是依次经
过s1、s2处理后的二次清洗渣；将循环物料的温度控制为30℃～35℃，加入亚硫酸钠，将循环物料的ph值调节为8～9，然后过滤，得到循环浸出滤液；将所述循环浸出滤液重复所述循环浸出的步骤，直至循环浸出滤液中银离子饱和，最后获得的循环浸出滤液为富集银的浸出液。9.根据权利要求8所述的电子元件的银回收工艺，其特征是，所述s3中，所述亚硫酸钠的纯度大于95％，每升所述混合物料加入所述亚硫酸钠的量为190g～200g；循环浸出步骤中，所述亚硫酸钠的加入量为上一批次亚硫酸钠加入量的3％～5％。10.根据权利要求1所述的电子元件的银回收工艺，其特征是，所述s4中，先将所述浸出液真空抽滤后再投入所述电积槽。11.根据权利要求1所述的电子元件的银回收工艺，其特征是，所述电积槽的电流密度为200-300ma/m2，电压为3-5v，电积模式为连续电积。

技术总结

本发明涉及贵金属回收技术领域，具体涉及一种电子元件的银回收工艺。该银回收工艺包括回收氯化浸出物中的银，其包括：S1、将氯化浸出物进行搅拌清洗，将清洗后的物料过滤，得到一次清洗渣；S2、向一次清洗渣加入纯水，将清洗后的物料过滤，得到二次清洗渣；S3、向二次清洗渣加入纯水，将混合料加热至30℃～35℃，调节混合物料的pH为8～9，使亚硫酸钠与混合物料中的银进行络合反应，将混合物料进行过滤，得到配合物滤液，配合物滤液为富集银的浸出液；S4、将浸出液投入电积槽进行电积处理，所得的固体物为银粉，该电子元件的银回收工艺提高了银的回收效率，且具有环保、回收的银粉品质好和纯度高的优点。高的优点。高的优点。