特征
内置软启动：4ms
优化的Hiccup Mode 设计，以提高效率和降
低待机功耗
正常工作时无音频噪声设计 固定工作频率：50KHz 内置斜波补偿电路 低的启动电流和工作电流 内置前沿消隐电路 欠压锁定保护 过载保护(OLP) 过压保护(OVP) 保护解除后自动恢复功能
应用
电池充电器
数码相机、摄像机适配器
VCR, SVR, DVD & DVCD 播放器电源
机顶盒电源
个人电脑、服务器辅助电源 开放式开关电源
概要
CRE635X 集成了专门的电流模式PWM 控制器和高压功率MOSFET ，适用于24W 以内的高性能、低待机功耗、低成本的离线式反激开关电源中。CRE635X 具有软启动的功能。为了保证芯片正常工作特针对各种故障设计了一系列完善的具有可恢复功能的保护措施，包括VDD 欠压 锁定保护（UVLO ）、过压保护（OVP ）及箝位、逐周期电流限制（OCP ）、过载保护（OLP ）和图腾柱输出驱动高箝位等。芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易地获得良好的EMI 性能。CRE635X 具有 DIP-8L & SOP-8L 两种封装可供选择。
内部方框图
管脚定义（DIP-8L & SOP-8L）
典型应用
管脚说明
GND 地。
FB 反馈输入引脚。PWM控制器的占空比由此引脚上的反馈电压和SENSE引脚上 的检测电压共同决定。 VDD-G 内部栅极驱动电源输入。
SENSE 电流采样输入。
VDD 芯片电源。
Drain 高压MOSFET漏极。此引脚连接在变压器初级侧线圈一端。线圈另一端接整 流输入电容阳极。
绝对最大额定值
漏极电压（关闭状态） -0.3V to 600V
VDD电压-0.3V to 30V
VDD-G输入电压-0.3V to 30V
VDD箝位连续电流10 mA
FB输入电压-0.3V to 7V
Sense输入电压-0.3V to 7V
最小/最大工作结温度T j-20。。to 150。。
最小/最大存储温度T stg-55°C to 160。
引线温度（焊接，10秒） 260。
说明： 1. 超出上表所列的极限参数范围，可能会造成器件的永久性损坏；
2. 长时间工作在极限状态时，可能影响器件的可靠性。
CRE635X系列输出功率列表
230VAC±15% 85-265VAC 型号工作模式封装
开放式开放式
CRE6353 内置1AMOS SOP-8 10W 7.4W CRE6354 内置1AMOS DIP-8L 15W 7.5W CRE6358 内置2AMOS DIP-8L 21W 12W CRE6359 内置3AMOS DIP-8L 28W 18W CRE6359A 内置4AMOS DIP-8L 35W 24W
说明： 1.最大的连续输出功率是在漏极输入端增加足够的散热面积的开放式设计，环境温度为50℃测得。
电气特性
(无特别说明, VDD = 16V，Ta=25°C)
符号 参数 测试条件 最小典型 最大 单位VDD供电部分
I startup VDD启动电流VDD=14.1V，测试流入
VDD端口的漏电流
3 20 uA
I_VDD
(Operation)
工作电流 V fb=3V 2 mA UVLO(ON) VDD进入欠压锁定的阈值8.5 9 9.5 V UVLO(OFF) VDD退出欠压锁定的阈值14.214.8 16 V OVP(ON) VDD过压保护阈值CS=0V, FB=3V 升高
VDD电压，直到Gate
关闭
27 28.5 30 V
VDD_Clamp VDD箝位电压I dd_ 10mA 30 V 反馈输入部分
工作原理
CRE635X系列产品是小功率离线反激式开关电源功率转换器。对于宽范围输入，输出功率覆盖24W 以内。为了降低系统待机功耗，满足国际节能标准，特别设计了Hiccup Mode控制。
启动电流和启动控制
CRE635X的启动电流设计的比较低，因此当VDD 电压被充到UVLO（OFF），可迅速的启动。为了
减小损耗且保证可靠的启动，启动电阻可以采用一个更大的值。对于宽范围输入电压（85V~265V）AC/DC 适配器设计，一个2 M4, 1/8 W 的启动电阻和10uF/50V 的VDD电容可以提供快速启动和低功耗设计方案。
工作电流
CRE635X的工作电流较低，仅2mA（典型），
低的工作电流和Hiccup Mode 特征共同使电源
获得良好的工作效率。
软启动
CRE635X内部设计有4ms 的软启动时间，以减少电源启动期间电压应力。软启动在电源启动瞬
间工作。只要VDD 电压达到UVLO（OFF），峰
值电流从0 到最大值用时4ms 逐渐增加。无论何
种保护导致的再次启动，都必将是软启动。优化的Hiccup Mode控制
在轻载或者空载情况下，开关电源的大多数损耗来源于功率MOSFET 的开关损耗，变压器铁损和缓冲电路的损耗。功率损失的程度正比于开关频率。较低的开关频率可以降低功率损耗，达到节能的目的。CRE635X 的开关频率可根据开关电源空载或者轻载的情况进行内部调节。在空载或者轻载的情况下减小开关频率，可以提高转换效率。在轻载或者空载情况下，FB 端电压下降到Hiccup Mode 阈值电压，电源进入HiccupMode 工作状态。当VDD 电压下降到预定的阈值时，栅极驱动被激活，FB 控制开关打开，以降低开关损耗，极大的减小待机功耗。开关频率控制在任何负载情况下都不会进入
音频范围，杜绝音频噪声。
频率抖动改善EMI性能
CRE635X具有频率抖动功能（随机开关频率调
整），开关频率调整分散了谐波干扰能量。扩展
的频谱降低了窄带EMI，因此简化了系统设计。
正常振荡频率
CRE635X内部设计有固定的50KHz 的标准开关
频率，无需外部电容电阻等设定频率元器件，有
效地简化了PCB 设计。
电流采样和前沿消隐
CRE635X采用电流模式PWM 控制技术，具有逐周期电流限制功能。由于缓冲二极管反向恢复电流和内部功率MOSFET 栅极浪涌电流，会在MOSFET 导通瞬间的开关电流上引起脉冲电流，开关电流通过感应电阻被转变为电压反馈到SENSE 端口。MOSFET 导通瞬间的脉冲电流可能会引起错误的控制。内部前沿消隐电路就是为了屏蔽SENSE 端口在MOSFET 导通瞬间的感
应电压脉冲，防止错误的控制。这样就可以为系统节省一个外部的RC 网络。在前沿消隐时间内，电流限制比较器禁止关闭内部功率MOSFET。PWM 的占空比由SENSE 电压和FB 电压共同
控制。
内部斜波补偿
内置的斜波补偿电路增加控制PWM 信号的SENSE 端口感应电压斜率。这极大的改善了系统工作在CCM 模式的闭环稳定性，防止次谐波振荡，减小输出纹波电压。
驱动
CRE635X内置功率MOSFET 是通过一个专用的栅极驱动控制。太弱的栅极驱动能力将导致高的传导和开关损耗。太强的栅极驱动EMI特性较差。内置的Totem Pole 栅极驱动设计可以很好的解决驱动强度和死区控制时间。这个专用的控制原理更容易实现系统低损耗和良好的EMI特性设计。除此之外，栅极的驱动强度也可以通过调整VDD 和VDDG 之间的电阻实现。可以很好的控制漏极的下降沿。使得系统的EMI设计具有很大的灵活性。
保护控制
CRE635X为了确保系统的正常工作内置了多重保护措施。当这些保护措施一旦被触发，将关断功率MOSFET。这些保护措施包括逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD欠压锁定（UVLO）保护、过压保护（OVP）和VDD 箝位功能。逐周期电流限制（OCP）带有线电压补偿，可实现宽输入电压范围（85V~265V）时恒定功率输出控制。当FB 端电压超过过载限制阈值
TD_PL（典型50ms）时间后，控制电路关闭开关管，该状态一直保持。直到VDD 电压下降到UVLO（ON）阈值后，进入重启序列。VDD 电压由变压器辅助绕组提供。当VDD 电压超过过压保护（OVP）阈值时，CRE635X将关闭输出，该状态一直保持。直到VDD 电压下降到UVLO （ON）阈值后，进入重启序列。当VDD 电压超过VDD 箝位阈值时，内部VDD 箝位电路将VDD 箝位在30V，以保护VDD 端口。此时CRE635X 的输出仍然是关闭的。
