工艺流程的变更方法、对变更的工艺流程进行监控的方法

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及工艺流程的变更方法及对变更 的工艺流程进行监控的方法。

在集成电路的生产制造中，每一个晶片(Wafer)从原料最终形成产品都 需要经过成百乃至上千道工序，晶片所经过的所有工序组成了工艺流程。在 正常情况下，晶片按照预先设定好的工艺流程一步一步地执行每一道工序， 也就是说，预先设定好了工艺流程中每一道工序的内容，每一道工序的内容 还包括具体的工艺参数，还预先设定好了每一道工序执行的时间顺序，工艺 流程驱动引擎根据预先设定好的工艺流程，控制晶片依次执行每一道工序。

但随着集成电路制程的复杂化，工艺制造的不断更新，工程变更在集成 电路的生产过程中会频繁发生。这些变更对集成电路制程的改善，半导体工 艺良率的提升及生产效率的提高有着决定的意义。

工程变更主要涉及工艺流程的改变，包括工艺变更(process engineering  change)，和程序(procedure)或者OI的变更。在很多情况下，晶片需要根据工 程师的要求在工艺流程中的某一道工序或某几道工序上按照变更后的工艺参 数进行处理。

一种工艺流程的变更方法包括：当执行到某道工序时，将一组晶片分为 若干批(Lot)，人为地选择几批按照原工艺参数进行制造，而其他批按照变更 后的工艺参数进行制造。现有技术还包括对变更的工艺流程进行监控的方法， 包括对变更后的工艺参数进行验证，以确保产品良率的提高。

但是，半导体的工艺流程及其复杂，变更各种参数或者制程的方式比较 粗放，现有技术仅人为地选批对晶片进行工艺流程的变更，再通过对变更的 工艺流程的检测结果进行验证及再变更，以获得预期效果。这种分批变更方 式很难兼顾选批中晶片所涉及的工序及工序之间的影响范围，人为地对晶片 进行选批变更，很大程度上会提高工艺流程的变更重复率和变更成本，特别 是错误的变更还会降低产品的良率，导致生产效率的低下。

本发明技术方案所解决的技术问题为：如何降低工艺流程的变更重复率 和变更成本。

为了解决上述技术问题，本发明技术方案提供了一种工艺流程的变更方 法，基于至少一次变更申请，包括：

对晶片组进行预分批，以得到若干晶片批次；

根据当前的变更申请选择可适用所述变更申请的晶片批次，所述晶片批 次的晶片包括基准晶片；

从所选择的可适用所述变更申请的晶片批次中选择除所述基准晶片以外 的变更晶片，以获取晶片组分批结果；

基于所述晶片组分批结果执行所述工艺流程。

可选的，所述晶片批次包括第一变更等级的晶片批次及第二变更等级的 晶片批次；所述第一变更等级的晶片批次仅可同时适用一次变更申请，所述 第二变更等级的晶片批次可同时适用多次变更申请。

可选的，所述根据当前的变更申请选择可适用所述变更申请的晶片批次 包括：

查进行中的变更申请单；

检测本次晶片批次是否可适用所述进行中的变更申请单：

当所述本次晶片批次为第一变更等级的晶片批次，检查本次晶片批次是 否已被应用于其他变更申请单中：若是则更换下一晶片批次继续检测或等待 本次晶片批次在其他变更申请单中应用完毕，若否则选择本次晶片批次为所 述可适用所述变更申请的晶片批次；

当所述本次晶片批次为第二变更等级的晶片批次，选择本次晶片批次为 所述可适用所述变更申请的晶片批次。

为了解决上述技术问题，本发明技术方案还提供了一种工艺流程的变更 方法，基于至少一次变更申请，包括：

对晶片组进行预分批，以得到若干晶片批次；

根据当前的变更申请选择可适用所述变更申请的晶片批次，所述晶片批 次的晶片包括基准晶片和可适用所述变更申请的晶片；

从所选择的可适用所述变更申请的晶片批次的可适用所述变更申请的晶 片中选择变更晶片，以获取晶片组分批结果；

基于所述晶片组分批结果执行所述工艺流程。

可选的，所述晶片批次包括第一变更等级的晶片批次及第二变更等级的 晶片批次；所述第一变更等级的晶片批次仅可同时适用一次变更申请，所述 第二变更等级的晶片批次可同时适用多次变更申请；

所述第二变更等级的晶片批次中除所述基准晶片以外晶片包括第一变更 等级的晶片和第二变更等级的晶片，所述第一变更等级的晶片仅可同时适用 一次变更申请，所述第二变更等级的晶片可同时适用多次变更申请。

可选的，所述根据当前的变更申请选择可适用所述变更申请的晶片批次 包括：

查进行中的变更申请单；

检测本次晶片批次是否可适用所述进行中的变更申请单：

当所述本次晶片批次为第一变更等级的晶片批次，检查本次晶片批次是 否已被应用于其他变更申请单中：若是则更换下一晶片批次继续检测或等待 本次晶片批次在其他变更申请单中应用完毕，若否则选择本次晶片批次为所 述可适用所述变更申请的晶片批次；

当所述本次晶片批次为第二变更等级的晶片批次，选择本次晶片批次为 所述可适用所述变更申请的晶片批次。

可选的，当所述可适用所述变更申请的晶片批次为第一变更等级的晶片 批次，所述可适用所述变更申请的晶片为该晶片批次中除所述基准晶片以外 的晶片；

当所述可适用所述变更申请的晶片批次为第二变更等级的晶片批次：

若该晶片批次中除所述基准晶片以外晶片为第一变更等级的晶片，则所 述可适用所述变更申请的晶片为除所述基准晶片以外、未被应用于其他变更 申请的晶片；

若该晶片批次中除所述基准晶片以外晶片为第二变更等级的晶片，则所 述可适用所述变更申请的晶片为除所述基准晶片以外的晶片。

为了解决上述技术问题，本发明技术方案还提供了一种工艺流程的变更 方法，基于至少一次变更申请，包括：

对晶片组进行预分批，以得到若干晶片批次；

所述晶片批次的类型包括第一变更等级的晶片批次、第二变更等级的晶 片批次及第三变更等级的晶片批次，基于所述晶片批次的类型从可适用所述 变更申请的晶片批次中选择变更晶片，以获取晶片组分批结果；

基于所述晶片组分批结果执行所述工艺流程。

为了解决上述技术问题，本发明技术方案还提供了对变更的工艺流程进 行监控的方法，包括：

基于如上所述的工艺流程的变更方法执行工艺流程；

获取所述工艺流程执行过程中晶片组分批结果及与所述晶片批次中的基 准晶片和变更晶片相关信息；

将所述基准晶片的参数变化与变更晶片的参数变化进行比较，以对所述 变更的工艺流程进行监测。

本发明技术方案的有益效果至少包括：

本发明技术方案通过对选择适用于当前变更申请的晶片批次，进行变更 晶片的选择，并以此获取晶片组的分批结果，基于所述分批结果来执行工艺 流程，从而完成工艺流程的变更。不同于现有技术，本发明技术方案的晶片 批次并非人为选择，而是基于当前变更申请进行选择的，其可避免与其他变 更申请的变更冲突，降低对工艺流程的影响力，其次，本发明技术方案的分 批结果还包括变更晶片的信息，提高了信息传递的有效性；基于上述，本发 明技术方案既保证了工艺流程的变更过程不会受到其他变更的影响，又保证 了工艺变更过程最大效率的利用，能够降低变更重复率和变更成本，提供产 品的生产效率。

在可选方案中，本发明技术方案还提供了一种晶片批次的分类方式，以 供系统区分和选择可适用所述变更申请的晶片批次。基于上述晶片批次的分 类方式，能够快速决策可适用所述变更申请的晶片批次，并且可以赋予晶片 批次以充分利用率，确保工艺流程的有效运行。

在本发明的另一种技术方案中，本发明技术方案的晶片批次和变更晶片 分别是根据当前变更申请进行选择的，不仅防止了晶片批次的执行冲突，还 从变更晶片上，更细致地区分了工艺流程的变更内容，进一步降低变更晶片 所带来的工艺影响，提高产生的生成效率，降低生成成本。

在可选方案中，本发明技术方案还提供了一种基于晶片批次和晶片的分 类方式，以供系统区分和选择可适用所述变更申请的晶片批次、以及区分和 选择可适用所述变更申请的变更晶片。基于上述晶片批次和晶片的分类方式， 能够快速决策可适用所述变更申请的晶片批次和可适用所述变更申请的变更 晶片，并且细致地落实每片晶片的利用，最大化地利用空余批次及晶片进行 工艺流程的变更，并最小化地减少变更晶片对其他工艺流程的执行影响，确 保工艺流程的有效运行。

此外，在基于获取的分批结果进行工艺流程时，还依据所述分批结果重 新进行了晶片批次的搬运，更新工艺参数的晶片批次得到了重新分配，从而 保证工艺流程能够严格的按照所述分批结果进行执行分批，完成相关工艺流 程的变更，确保工艺流程的变更能够有效执行。

本发明技术方案还通过工艺流程变更的执行过程中晶片组分批结果及与 所述晶片批次中的基准晶片和变更晶片相关信息，及时准确地进行工艺流程 的变更分析，并将分析结果反馈给变更系统，实现对变更的工艺流程的监控， 有利于变更工艺流程的信息获取及改进。所述分析结果是基于基准晶片和变 更晶片相关信息的，能够获取变更晶片的参数改变对工艺流程的整体影响力。 此外，还可以结合工艺流程执行过程中的WAT测试数据和CP测试数据对变 更的工艺流程执行情况进行综合评判，获得工艺流程的变更结论，有利于减 少工艺流程的变更次数、节约变更成本，从而提高产品的生产效率。

图1是本发明技术方案提供的一种工艺流程的变更方法的流程示意图；

图2是选择可适用所述变更申请的晶片批次一种方法流程示意图；

图3是变更晶片的选择菜单的一种示意图；

图4是变更晶片的选择菜单的另一种示意图；

图5是基于所述晶片组分批结果执行所述工艺流程的一种方法流程示意 图；

图6是对制造机台分配晶片批次的分配菜单的一种示意图；

图7是对制造机台分配晶片批次的分配菜单的另一种示意图；

图8基于所述晶片组分批结果执行所述工艺流程的另一种方法流程示意 图；

图9是本发明技术方案提供的另一种工艺流程的变更方法的流程示意图；

图10是选择变更晶片的一种方法流程示意图；

图11是本发明技术方案提供的又一种工艺流程的变更方法的流程示意 图；

图12是本发明技术方案提供的一种对变更的工艺流程进行监控的方法的 流程示意图；

图13是基于分配数据样例的数据表的一种示意图；

图14是本发明技术方案提供的一种工艺流程的变更系统的结构示意图；

图15是本发明技术方案提供的一种系统的结构示意图。

为了使本发明的目的、特征和效果能够更加明显易懂，下面结合附图对 本发明的具体实施方式做详细说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发 明还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施，因此本发明不受下面公开 的具体实施例的限制。

实施例1

一种工艺流程的变更方法，基于至少一次变更申请，如图1所示，包括：

步骤S100，对晶片组进行预分批。

对晶片进行预分批的结果是得到若干晶片批次。晶片批次是由一个或多 个晶片合并成的，用以通过一连串制造机台的制程，最后制作为集成电路。 每一台制造机台通常会被分配到指定的晶片批次，执行一道单一的晶片制造 作业。比如，一个特定的制造机台上可在晶片上执行薄膜(layering)作业、 图案化(patterning)作业、掺杂(doping)作业或热处理(thermal treatment) 作业。每一台制造机台根据已定义的作业程序执行晶片制造作业。本实施例 所指工艺流程，可以包括上述制造作业的执行。

所述变更申请可以被一个工艺流程的管理系统或一个图形化使用界面接 收，并以变更申请单的形式实现，变更申请单中可包括变更的工艺流程的规 格、变更的工艺流程的分类等级、制造流程及机台作业等信息。变更申请可 以变更申请单的形式，请求获取变更的工艺流程所影响的晶片批次，并挑选 晶片批次中的晶片。故而，本实施例的工艺流程的变更方法还包括：

步骤S101，根据当前的变更申请选择可适用所述变更申请的晶片批次。

不同于现有技术的人为地选择适用变更申请的晶片批次，本实施例是基 于变更申请或变更申请单中的变更信息搜索可适用当前变更申请的晶片批次 的：变更信息中包括了对所述晶片批次的分类情况：

所述晶片批次包括第一变更等级的晶片批次及第二变更等级的晶片批 次：

所述第一变更等级的晶片批次仅可同时适用一次变更申请，第一变更等 级的晶片批次主要考虑到其变更影响力较大，可能对其他工艺流程的影响较 为严重，对其及其晶片进行变更操作，需要根据其是否适用于其他变更申请 或变更申请单进行确定，比如，对于已用于其他变更申请单的第一变更等级 的晶片批次，则当前变更请求不再选择，而是继续搜索其他晶片批次。

所述第二变更等级的晶片批次可同时适用多次变更申请，第二变更等级 的晶片批次主要考虑到其变更影响力相对第一变更等级比较小，对其他工艺 流程的影响并不严重，在对其进行变更操作时，可以忽略第二变更等级的晶 片批次在其他变更申请或变更申请单的使用情况，而被直接适用于本次变更 申请或变更申请单。比如，对于已用于其他变更申请单的第二变更等级的晶 片批次，则当前变更请求选择该晶片批次。

基于上述可知，对于当前变更申请或变更申请单，可依据变更信息中对 所述晶片批次的分类情况，获取可适用所述变更申请的晶片批次。

基于上述分析，参考图2，所述根据当前的变更申请选择可适用所述变更 申请的晶片批次包括：

步骤S110，查进行中的变更申请单。

步骤S120，检测本次晶片批次是否可适用所述进行中的变更申请单；其 中，当所述本次晶片批次为第一变更等级的晶片批次，则执行步骤S121；当 所述本次晶片批次为第二变更等级的晶片批次，则执行步骤S122。

步骤S121，检查本次晶片批次是否已被应用于其他变更申请单中：若是 则更换下一晶片批次继续检测或等待本次晶片批次在其他变更申请单中应用 完毕，若否则选择本次晶片批次为所述可适用所述变更申请的晶片批次。

步骤S122，当所述本次晶片批次为第二变更等级的晶片批次，选择本次 晶片批次为所述可适用所述变更申请的晶片批次。

继续参考图1，本实施例的工艺流程的变更方法还包括：

步骤S102，所述晶片批次包括基准晶片和除所述基准晶片以外的其他晶 片，从所选择的可适用所述变更申请的晶片批次中选择除所述基准晶片以外 的变更晶片。

基准晶片为晶片批次中的非可变更晶片，其在任何情况下都不被选择为 变更晶片。基准晶片是对所述变更晶片进行变更时的一种参照晶片。所述晶 片批次的基准晶片可基于随机算法从所述晶片批次中选择。

所述变更晶片可为除所述基准晶片以外的所有晶片，也可以具有片数限 制。本实施例的变更晶片基于具有片数限制，其选择片数基于输入片数。

对于变更晶片的选择，可以基于所述输入片数由系统在除所述基准晶片 以外的晶片中随机选择，也可以在除所述基准晶片以外的晶片进行人工挑选。

图3是对被选中的可适用所述变更申请的晶片批次(lot ID：E35024)， 基于输入片数(split wafer Qty：5)，随机选择(split wafer method：Automatic) 编号为“