一种像素电路、像素电路的驱动方法、显示面板及装置与流程

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1.本技术涉及显示领域，特别涉及一种像素电路、像素电路的驱动方法、显示面板及装置。

背景技术：

2.屏下摄像技术(camera under panel，cup)是在不影响显示面板显示效果的情况下，将前置摄像头隐藏在显示面板之下。在显示面板的cup区域设置有像素电路，通过特殊的像素电路设计，可以提升显示面板的cup区域的透光率，让外部光线透过cup区域直达摄像头内部，从而提升成像质量。像素电路包括多个薄膜晶体管(thin film transistor，tft)，在现有技术中，tft常常使用低温多晶硅(low temperature poly-silicon，ltps)晶体管，ltps的透光率较低，无法满足cup区域较高透光率的需求。

技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术的目的在于提供一种像素电路、像素电路的驱动方法、显示面板及装置，能够提升cup区域的透光率，提高显示面板及成像质量。其具体方案如下：
4.第一方面，本技术提供了一种像素电路，包括驱动模块、数据写入模块、阈值补偿模块、第一复位模块、电源写入模块、发光控制模块、发光模块及存储模块；其中，
5.所述电源写入模块、所述驱动模块、所述发光控制模块及所述发光模块依次串联在第一电源线及第二电源线之间，所述电源写入模块连接所述驱动模块的第一端，所述发光控制模块连接所述驱动模块的第二端；
6.所述数据写入模块包括第一子模块和第二子模块，所述第一子模块和所述第二子模块串联在所述驱动模块的第一端及数据信号线之间，所述第一子模块和所述第二子模块的至少一个包括铟镓锌氧化物晶体管；
7.所述阈值补偿模块连接在所述驱动模块的控制端和所述驱动模块的第二端之间；
8.所述第一复位模块连接所述驱动模块的第二端，用于通过所述阈值补偿模块对所述驱动模块的控制端复位；
9.所述存储模块连接在所述驱动模块的控制端与所述第一电源线之间；
10.所述电源写入模块、所述发光控制模块、所述第二子模块及所述阈值补偿模块的控制端与发光控制信号线电连接，所述第一子模块及所述第一复位模块的控制端均与扫描信号线电连接。
11.第二方面，本技术实施例还提供了一种像素电路的驱动方法，用于驱动所述的像素电路，所述驱动方法包括：
12.在复位阶段，控制所述第一复位模块和所述阈值补偿模块导通，以对所述驱动模块的控制端进行复位；
13.在数据写入阶段，控制所述数据写入模块及所述阈值补偿模块导通，所述数据信号线的数据信号写入所述驱动模块的控制端，且所述阈值补偿模块对写入所述驱动模块的
控制端的数据电压进行阈值补偿；
14.在发光阶段，控制所述电源写入模块及所述发光控制模块导通，所述驱动模块产生驱动电流并传输至所述发光模块，以控制所述发光模块发光。
15.第三方面，本技术实施例还提供了一种显示面板，包括所述的像素电路，所述像素电路设置于所述显示面板的显示区域。
16.第四方面，本技术实施例还提供了一种显示装置，包括所述的显示面板。
17.本技术实施例提供了一种像素电路、像素电路的驱动方法、显示面板及装置，像素电路包括驱动模块、数据写入模块、阈值补偿模块、第一复位模块、电源写入模块、发光控制模块、发光模块及存储模块，其中，电源写入模块、驱动模块、发光控制模块及发光模块依次串联在第一电源线及第二电源线之间，电源写入模块连接驱动模块的第一端，发光控制模块连接驱动模块的第二端，数据写入模块包括第一子模块和第二子模块，第一子模块和第二子模块串联在驱动模块的第一端及数据信号线之间，第一子模块和第二子模块的至少一个包括铟镓锌氧化物晶体管，铟镓锌氧化物晶体管是一种ltpo晶体管，ltpo的透光率高于ltps的透光率，铟镓锌氧化物为透明结构，对可见光的敏感性较低，铟镓锌氧化物的透光率高于ltps的透光率，可以提高亮度，阈值补偿模块连接在驱动模块的控制端和驱动模块的第二端之间，第一复位模块连接驱动模块的第二端，用于通过阈值补偿模块对驱动模块的控制端复位，存储模块连接在驱动模块的控制端与第一电源线之间，电源写入模块、发光控制模块、第二子模块及阈值补偿模块的控制端与发光控制信号线电连接，第一子模块及第一复位模块的控制端均与扫描信号线电连接。可见，在数据写入模块中包括铟镓锌氧化物晶体管，可以提高数据写入模块的透光率，进而提高像素电路的透光率，能够提升cup区域的透光率，提高显示面板及成像质量。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
19.图1示出了本技术实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
20.图2示出了本技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
21.图3为本技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
22.图4示出了本技术实施例提供的一种像素电路的驱动方法的流程示意图；
23.图5为本技术实施例提供的一种像素电路的时序示意图；
24.图6为本技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
25.图7为本技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
26.图8为本技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
27.图9为本技术实施例中一种显示面板的俯视示意图；
28.图10为本技术实施例还提供了一种显示装置。
具体实施方式
29.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。
30.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
31.正如背景技术中的描述，在现有技术中，tft常常使用低温多晶硅晶体管，ltps的透光率较低，无法满足cup区域较高透光率的需求。
32.基于以上技术问题，本技术实施例提供了一种像素电路、像素电路的驱动方法、显示面板及装置，像素电路包括驱动模块、数据写入模块、阈值补偿模块、第一复位模块、电源写入模块、发光控制模块、发光模块及存储模块，其中，电源写入模块、驱动模块、发光控制模块及发光模块依次串联在第一电源线及第二电源线之间，电源写入模块连接驱动模块的第一端，发光控制模块连接驱动模块的第二端，数据写入模块包括第一子模块和第二子模块，第一子模块和第二子模块串联在驱动模块的第一端及数据信号线之间，第一子模块和第二子模块的至少一个包括铟镓锌氧化物晶体管，铟镓锌氧化物晶体管是一种ltpo晶体管，ltpo的透光率高于ltps的透光率，铟镓锌氧化物为透明结构，对可见光的敏感性较低，铟镓锌氧化物的透光率高于ltps的透光率，可以提高亮度，阈值补偿模块连接在驱动模块的控制端和驱动模块的第二端之间，第一复位模块连接驱动模块的第二端，用于通过阈值补偿模块对驱动模块的控制端复位，存储模块连接在驱动模块的控制端与第一电源线之间，电源写入模块、发光控制模块、第二子模块及阈值补偿模块的控制端与发光控制信号线电连接，第一子模块及第一复位模块的控制端均与扫描信号线电连接。可见，在数据写入模块中包括铟镓锌氧化物晶体管，可以提高数据写入模块的透光率，进而提高像素电路的透光率，能够提升cup区域的透光率，提高显示面板及成像质量。
33.为了便于理解，下面结合附图对本技术实施例提供的一种像素电路、像素电路的驱动方法、显示面板及装置进行详细的说明。
34.参考图1所示，为本技术实施例提供的一种像素电路的结构示意图，包括驱动模块100、数据写入模块200、阈值补偿模块300、第一复位模块400、电源写入模块500、发光控制模块600、发光模块700及存储模块800，其中，电源写入模块500、驱动模块100、发光控制模块600及发光模块700依次串联在第一电源线pvdd及第二电源线pvee之间。电源写入模块500连接驱动模块100的第一端，用于将第一电源线pvdd的电压传输至驱动模块100的第一端，发光控制模块600连接驱动模块100的第二端，用于将驱动模块100的第二端输出的驱动电流传输至发光模块700，使发光模块700发光。电源写入模块500和发光控制模块600的控制端均与发光控制信号线emit电连接。
35.数据写入模块200可以包括第一子模块201和第二子模块202，第一子模块201和第二子模块202串联在驱动模块100的第一端及数据信号线vdata之间，第一子模块201的控制端可以与扫描信号线scan电连接，第二子模块202的控制端可以与发光控制信号线emit电连接，数据写入模块200用于将数据信号线vdata上的数据电压传输至驱动模块100的第一端，第一子模块201和第二子模块202的连接位置在此不做具体限定，比如，第一子模块201的一端可以连接数据信号线vdata，另一端可以连接第二子模块202，还比如，第二子模块
202的一端可以连接数据信号线vdata，另一端可以连接第一子模块201。
36.第一子模块201和第二子模块202的至少一个可以包括铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，igzo)晶体管，具体地，可以第一子模块201为igzo晶体管，也可以第二子模块202为igzo晶体管，还可以第一子模块201和第二子模块202均为igzo晶体管。igzo晶体管是一种低温多晶氧化物ltpo晶体管，ltpo的透光率高于ltps的透光率，铟镓锌氧化物晶体管的有源层材料为铟镓锌氧化物，铟镓锌氧化物为透明结构，对可见光的敏感性较低，igzo的透光率高于ltps的透光率，这样可以提高数据写入模块200的透光率，进而提高像素电路的透光率，能够提升cup区域的透光率，提高显示面板及成像质量。
37.阈值补偿模块300可以连接在驱动模块100的控制端和驱动模块100的第二端之间，用于对驱动模块100的阈值电压进行补偿，使驱动模块100产生的驱动电流免受驱动模块100的阈值电压的影响，提高显示面板的显示均一性。阈值补偿模块300的控制端可以与发光控制信号线emit电连接。
38.第一复位模块400连接驱动模块100的第二端，用于通过阈值补偿模块300对驱动模块100的控制端复位，第一复位模块400的控制端可以与扫描信号线scan电连接，第一复位模块400的一端与参考信号线vref连接，在第一复位模块400和阈值补偿模块300导通时，参考信号线vref的电压传输至驱动模块100的控制端，以对驱动模块100的控制复位。
39.第一复位模块400位于节点n3和阈值补偿模块300之间，使得连接节点n1的分支减小，相比于现有技术中，阈值补偿模块300和第一复位模块400可双向向节点n1漏流，本技术可以减小阈值补偿模块300和第一复位模块400流向节点n1的漏电流，可以稳定节点n1的电位，从而改善显示面板在低灰阶或低刷新率下较易出现闪烁的问题。
40.存储模块800连接在驱动模块100的控制端与第一电源线pvdd之间，用于存储写至驱动模块100的控制端的电荷。
41.具体地，第一电源线pvdd可用于传输正电压，例如第一电源线pvdd上传输的电压可以为+4.6v，第二电源线pvee可用于传输负电压，例如第二电源线pvee上传输的电压可以为-2.5v，扫描信号线scan用于传输扫描信号，发光控制信号线emit用于传输发光控制信号，扫描信号和发光控制信号可以为脉冲信号，扫描信号和发光控制信号的高电平可以为+7v，低电平可以为-7v，参考信号线vref用于传输负电压，例如参考信号线vref上的电压可以为-3.5v。上述数值仅是一些示例，并不用于限定本技术。
42.参考图2所示，为本技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，像素电路还可以包括第二复位模块900，位于发光模块700的第一电极和参考信号线vref之间，第二复位模块900的控制端与扫描信号线scan电连接，第二复位模块900用于对发光模块700的第一电极进行复位，第一电极用于连接发光控制模块600。
43.具体地，在像素电路的工作过程中，第一复位模块400和第二复位模块900的状态相同。也就是说，在同一时刻，第一复位模块400为导通状态时，第二复位模块900也为导通状态，第一复位模块400为截止状态时，第二复位模块900也为截止状态。第一复位模块400在发光阶段之前对驱动模块100的控制端进行复位，在第二复位模块900的状态和第一复位模块400的状态相同的情况下，可保证在发光阶段之前，第二复位模块900能够对发光模块700的第一电极进行复位。
44.在本技术实施例中，在像素电路的工作过程中，第二子模块202、阈值补偿模块300
为导通状态时，电源写入模块500和发光控制模块600为截止状态，第二子模块、阈值补偿模块300为截止状态时，电源写入模块500和发光控制模块600为导通状态。
45.具体地，由于第二子模块202、阈值补偿模块300、电源写入模块500以及发光控制模块600的控制端均与发光控制信号线emit电连接，而第二子模块202和阈值补偿模块300是用于将数据信号线vdata的数据电压写入驱动模块100的控制端，且对驱动模块100的阈值电压进行补偿，电源写入模块500以及发光控制模块600是用于控制驱动模块100产生驱动电流，只有数据电压写入驱动模块100的控制端之后，驱动模块100才能产生驱动电流，因此，在本技术实施例中，将第二子模块201和阈值补偿模块300的状态设置为与电源写入模块500和发光控制模块600的状态相反，可保证像素电路的正常工作。
46.而且，在像素电路的工作过程中，第一复位模块400为导通状态时，第一子模块201为截止状态，第一复位模块400为截止状态时，第一子模块201为导通状态。由于第一复位模块400以及第一子模块201的控制端均与扫描信号线scan电连接，第一子模块201是用于将数据信号线vdata的数据电压写入驱动模块100的控制端的，第一复位模块400是用于对驱动模块100的控制端进行复位的，应当是在对驱动模块100的控制端进行复位之后，在进行数据信号的写入，因此本技术实施例中将第一复位模块400的状态设置为与第一子模块201的状态相反，同样可保证像素电路的正常工作。
47.在本技术实施例中，参考图3所示，为本技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，第二复位模块900可以包括第一晶体管m1，电源写入模块500可以包括第二晶体管m2，驱动模块100包括第三晶体管m3，阈值补偿模块300包括第四晶体管m4，第一复位模块400包括第五晶体管m5，发光控制模块600包括第六晶体管m6，第一子模块201包括第七晶体管m7，第二子模块202包括第八晶体管m8，发光模块700包括发光二极管d，存储模块800包括存储电容。
48.第七晶体管m7与第八晶体管m8串联在数据信号线vdata与第三晶体管m3的第一极之间，比如，第七晶体管m7的第一极连接数据信号线vdata，第七晶体管m7的第二极连接第八晶体管m8的第一极，第八晶体管m8的第二极连接第三晶体管m3的第一极，还比如，第八晶体管m8的第一极连接数据信号线vdata，第八晶体管m8的第二极连接第七晶体管m7的第一极，第七晶体管m7的第二极连接第三晶体管m3的第一极。第七晶体管m7的控制端可以与扫描信号线scan电连接，第八晶体管m8的控制端可以与发光控制信号线emit电连接。
49.第二晶体管m2的第一极与第一电源线pvdd连接，第二晶体管m2的第二极与第三晶体管m3的第一极连接，第三晶体管m3的第二极与第六晶体管m6的第一极连接，第六晶体管m6的第二极和发光二极管d的第一电极连接，发光二极管d的第二电极连接第二电源线pvee。发光二极管d可以为有机发光二极管，当然，发光二极管d也可以为其它类型的发光二极管，发光二极管d的第一电极可以为阳极，发光二极管d的第二电极可以为阴极。
50.存储电容的第一极与第一电源线pvdd连接，存储电容的第二极与第三晶体管m3的控制端即栅极连接，第四晶体管m4的第一极连接第三晶体管m3的栅极，第四晶体管m4的第二极连接第三晶体管m3的第二极，第五晶体管m5的第一极连接第三晶体管m3的第二极，第五晶体管m5的第二极与参考信号线vref电连接。
51.第一晶体管m1的第一极与参考信号线vref连接，第一晶体管m1的第二极与发光模块700的第一电极电连接。
52.在本技术实施例中，第一晶体管m1可以为n型晶体管，具体地，第一晶体管m1可以为铟镓锌氧化物晶体管，这样，igzo的透光率高于ltps的透光率，可以提高第二复位模块900的透光率，提高像素电路的透光率，提高显示面板及成像质量。此外，igzo相比于ltps具有较大的开关比，电子迁移率低，关态电流低，功耗低，可以减小第一晶体管m1在开关切换时的漏电流，保持节点n6的电位，还不会影响发光模块700发光时的电子迁移率，同时降低了功耗。
53.在本技术实施例中，第二晶体管m2、第七晶体管m7、第三晶体管m3、第六晶体管m6可以为p型晶体管，第四晶体管m4、第五晶体管m5和第八晶体管m8可以为n型晶体管，p型晶体管的导通电平为低电平，截止电平为高电平。n型晶体管的导通电平为高电平，截止电平为低电平。这样，可仅需设置一条扫描信号线scan和一条发光控制信号线emit对应一个像素电路的同时，保证第八晶体管m8、第四晶体管m4的状态与第二晶体管m2、第六晶体管m6的状态相反，保证第七晶体管m7的状态与第五晶体管m5的状态相反，保证像素电路正常工作。
54.在本技术实施例中，第四晶体管m4、第五晶体管m5和第八晶体管m8为n型晶体管时，第八晶体管m8可以为铟镓锌氧化物晶体管，igzo的透光率高于ltps的透光率，这样可以提高数据写入模块200的透光率，进而提高像素电路的透光率，能够提升cup区域的透光率。第四晶体管m4和第五晶体管m5可以均为硅晶体管，第四晶体管m4和第五晶体管m5中至少一个也可以为铟镓锌氧化物晶体管，比如第五晶体管m5为铟镓锌氧化物晶体管，这样，igzo相比于ltps的电子迁移率较低，可以减小第五晶体管m5在开关切换时的漏电流，同时降低功耗。
55.在本技术的实施例中，第二晶体管m2、第七晶体管m7、第三晶体管m3、第六晶体管m6也可以为n型晶体管，此时，第四晶体管m4、第五晶体管m5和第八晶体管m8为p型晶体管，不再赘述。
56.本技术实施例提供了一种像素电路，包括驱动模块、数据写入模块、阈值补偿模块、第一复位模块、电源写入模块、发光控制模块、发光模块及存储模块，其中，电源写入模块、驱动模块、发光控制模块及发光模块依次串联在第一电源线及第二电源线之间，电源写入模块连接驱动模块的第一端，发光控制模块连接驱动模块的第二端，数据写入模块包括第一子模块和第二子模块，第一子模块和第二子模块串联在驱动模块的第一端及数据信号线之间，第一子模块和第二子模块的至少一个包括铟镓锌氧化物晶体管，铟镓锌氧化物晶体管是一种ltpo晶体管，ltpo的透光率高于ltps的透光率，铟镓锌氧化物为透明结构，对可见光的敏感性较低，铟镓锌氧化物的透光率高于ltps的透光率，可以提高亮度，阈值补偿模块连接在驱动模块的控制端和驱动模块的第二端之间，第一复位模块连接驱动模块的第二端，用于通过阈值补偿模块对驱动模块的控制端复位，存储模块连接在驱动模块的控制端与第一电源线之间，电源写入模块、发光控制模块、第二子模块及阈值补偿模块的控制端与发光控制信号线电连接，第一子模块及第一复位模块的控制端均与扫描信号线电连接。可见，在数据写入模块中包括铟镓锌氧化物晶体管，可以提高数据写入模块的透光率，进而提高像素电路的透光率，能够提升cup区域的透光率，提高显示面板及成像质量。
57.基于以上实施例提供的一种像素电路，本技术实施例还提供了一种像素电路的驱动方法，参考图4所示，为本技术实施例提供的一种像素电路的驱动方法的流程示意图，驱动方法可以包括以下步骤。
58.s101，在复位阶段，控制第一复位模块400和阈值补偿模块300导通，以对驱动模块100的控制端进行复位。
59.像素电路的工作过程包括复位阶段、数据写入阶段和发光阶段，具体地，在复位阶段，在第一复位模块400连接参考信号线vref的情况下，参考信号线vref上的电压通过第一复位模块400和阈值补偿模块300传输至驱动模块100的控制端，对驱动模块100的控制端进行复位。由于存储模块800与驱动模块100的控制端电连接，因此在复位阶段，也对存储模块800进行复位。
60.参考图5所示，为本技术实施例提供的一种像素电路的时序示意图，包括发光控制信号线emit和扫描信号线scan，可以设置第二晶体管m2、第七晶体管m7、第三晶体管m3、第六晶体管m6为p型晶体管，第四晶体管m4、第五晶体管m5、第八晶体管m8和第一晶体管m1为n型晶体管。在复位阶段，发光控制信号线emit和扫描信号线scan均为高电平，第四晶体管m4、第五晶体管m5、第八晶体管m8和第一晶体管m1为n型晶体管时，n型晶体管的导通电平为高电平，第四晶体管m4、第五晶体管m5和第八晶体管m8导通，即阈值补偿模块300和第一复位模块400导通，以对驱动模块100的控制端进行复位。此外，第八晶体管m8导通，第七晶体管m7为p型晶体管，p型晶体管的截止电平为高电平，第七晶体管m7截止，由于第七晶体管m7和第八晶体管m8串联，此时数据写入模块200仍为截止状态。第二晶体管m2和第六晶体管m6为n型晶体管，此时均为截止状态。参考图6所示，为本技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，在复位阶段，第二晶体管m2、第六晶体管m6和第七晶体管m7均为截止状态，截止状态用
“×”
表示。
61.s102，在数据写入阶段，控制数据写入模块200及阈值补偿模块300导通，数据信号线vdata的数据信号写入驱动模块100的控制端，且阈值补偿模块300对写入驱动模块100的控制端的数据电压进行阈值补偿。
62.具体地，在数据写入阶段，第一子模块201及第二子模块202均导通。在数据写入阶段，发光控制信号线emit为高电平，扫描信号线scan为低电平，第七晶体管m7为p型晶体管，p型晶体管的导通电平为低电平，第七晶体管m7导通，第八晶体管m8为n型晶体管，n型晶体管的导通电平为高电平，第八晶体管m8导通，即数据写入模块200导通。第四晶体管m4为n型晶体管，发光控制信号线emit为高电平，第四晶体管m4导通，即阈值补偿模块300导通。第二晶体管m2和第六晶体管m6为p型晶体管，第五晶体管m5和第一晶体管m1为n型晶体管，第二晶体管m2、第五晶体管m5、第一晶体管m1和第六晶体管m6为截止状态。参考图7所示，为本技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，在数据写入阶段，第二晶体管m2、第五晶体管m5、第一晶体管m1和第六晶体管m6均为截止状态。
63.s103，在发光阶段，控制电源写入模块500及发光控制模块600导通，驱动模块100产生驱动电流并传输至发光模块700，以控制发光模块700发光。
64.具体地，数据写入模块200的至少一个子模块以及阈值补偿模块300是处于截止状态的。在发光阶段，发光控制信号线emit和扫描信号线scan均为低电平，第二晶体管m2和第六晶体管m6为p型晶体管，为导通状态，即电源写入模块500和发光控制模块600导通。第一晶体管m1和第四晶体管m4、第五晶体管m5和第八晶体管m8为n型晶体管，此时为截止状态，即阈值补偿模块300和数据写入模块200中的第二子模块202处于截止状态。参考图8，为本技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，在发光阶段，第一晶体管m1和第四晶体
管m4、第五晶体管m5和第八晶体管m8为截止状态。
65.在本技术实施例中，像素电路还可以包括第二复位模块900，第二复位模块900的控制端与扫描信号线电连接，第二复位模块900用于对发光模块700的第一电极进行复位，第一电极用于连接发光控制模块600，在像素电路的工作过程中，第一复位模块400和第二复位模块900的状态相同，方法还可以包括：在复位阶段，控制第二复位模块900导通，以对发光模块700的第一电极进行复位。
66.具体地，在像素电路包括第二复位模块900时，发光阶段还可以包括交替的第一阶段和第二阶段，在第一阶段，第二复位模块900导通，对发光模块700的第一电极进行复位，电源写入模块500及发光控制模块600导通，驱动模块100产生驱动电流并传输至第二复位模块900，发光模块700不发光，且第一复位模块400导通，阈值补偿模块300截止；在第二阶段，第二复位模块900截止，电源写入模块500及发光控制模块600导通，驱动模块100产生驱动电流并传输至发光模块700，发光模块700发光。
67.这样，可利用第二复位模块900使发光模块700在不发光与发光之间进行切换，进行形成插黑改善低灰阶画面的亮度，此外，在第一阶段，第二复位模块900也对发光模块700的第一电极进行复位，避免插黑期间发光模块700无法达到完全插黑的问题，且驱动模块100仍产生驱动电流，只不过驱动电流由流经发光模块700改为流经第二复位模块900，因此驱动模块100的状态没有改变，能够提高显示画面的均匀性，提升显示品质。
68.本技术实施例提供了一种像素电路的驱动方法，用于驱动像素电路，在复位阶段，控制所述第一复位模块和所述阈值补偿模块导通，以对所述驱动模块的控制端进行复位，在数据写入阶段，控制所述数据写入模块及所述阈值补偿模块导通，所述数据信号线的数据信号写入所述驱动模块的控制端，且所述阈值补偿模块对写入所述驱动模块的控制端的数据电压进行阈值补偿，在发光阶段，控制所述电源写入模块及所述发光控制模块导通，所述驱动模块产生驱动电流并传输至所述发光模块，以控制所述发光模块发光。在数据写入模块中包括铟镓锌氧化物晶体管时，可以提高数据写入模块的透光率，进而提高像素电路的透光率，能够提升cup区域的透光率，提高显示面板及成像质量。
69.本技术实施例还提供了一种显示面板，包括如上所述的像素电路，显示面板具有显示区和非显示区，像素电路设置于显示面板的显示区域。具体地，像素电路设置于显示面板的显示区域中的屏下摄像区域。参考图9所示，为本技术实施例中一种显示面板的俯视示意图，显示面板可以具有显示区域aa和非显示区域na，显示区域aa具有显示功能，用于设置显示单元，以实现对待显示内容的显示，非显示区域na不用于显示，可以设置电路单元、走线等结构，电路单元可以包括驱动电路，用于对显示区域aa的显示单元进行控制，以使其进行待显示内容的显示，驱动电路例如可以包括vsr电路。通常来说，非显示区域na设置在显示区域aa的外围。
70.在显示区域aa中，显示单元可以包括液晶显示单元或有机发光二极管，显示单元可以连接薄膜晶体管，用于控制显示单元的供电，从而控制显示单元的显示。在非显示区域na中，驱动电路可以包括薄膜晶体管，用于与显示单元连接，从而控制显示单元的供电，从而控制显示单元的显示。
71.基于以上实施例提供的一种显示面板，本技术实施例还提供了一种显示装置，参考图10所示，为本技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括如上所述的显示面
板，该显示面板具有显示区aa和非显示区na，非显示区包围显示区设置。
72.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于装置实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见装置实施例的部分说明即可。
73.以上所述仅是本技术的优选实施方式，虽然本技术已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本技术。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本技术技术方案保护的范围内。

技术特征：

1.一种像素电路，其特征在于，包括驱动模块、数据写入模块、阈值补偿模块、第一复位模块、电源写入模块、发光控制模块、发光模块及存储模块；其中，所述电源写入模块、所述驱动模块、所述发光控制模块及所述发光模块依次串联在第一电源线及第二电源线之间，所述电源写入模块连接所述驱动模块的第一端，所述发光控制模块连接所述驱动模块的第二端；所述数据写入模块包括第一子模块和第二子模块，所述第一子模块和所述第二子模块串联在所述驱动模块的第一端及数据信号线之间，所述第一子模块和所述第二子模块的至少一个包括铟镓锌氧化物晶体管；所述阈值补偿模块连接在所述驱动模块的控制端和所述驱动模块的第二端之间；所述第一复位模块连接所述驱动模块的第二端，用于通过所述阈值补偿模块对所述驱动模块的控制端复位；所述存储模块连接在所述驱动模块的控制端与所述第一电源线之间；所述电源写入模块、所述发光控制模块、所述第二子模块及所述阈值补偿模块的控制端与发光控制信号线电连接，所述第一子模块及所述第一复位模块的控制端均与扫描信号线电连接。2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，还包括第二复位模块，所述第二复位模块的控制端与所述扫描信号线电连接，所述第二复位模块用于对所述发光模块的第一电极进行复位，所述第一电极用于连接所述发光控制模块；在所述像素电路的工作过程中，所述第一复位模块和所述第二复位模块的状态相同。3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述第二复位模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与参考信号线连接，所述第一晶体管的第二极与所述发光模块的第一电极电连接。4.根据权利要求3所述的像素电路，所述第一晶体管为n型晶体管，所述第一晶体管为铟镓锌氧化物晶体管。5.根据权利要求1-3任一项所述的像素电路，其特征在于，在所述像素电路的工作过程中，所述第二子模块、所述阈值补偿模块为导通状态时，所述电源写入模块和所述发光控制模块为截止状态；所述第二子模块、所述阈值补偿模块为截止状态时，所述电源写入模块和所述发光控制模块为导通状态；所述第一复位模块为导通状态时，所述第一子模块为截止状态，所述第一复位模块为截止状态时，所述第一子模块为导通状态。6.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，所述电源写入模块包括第二晶体管，所述驱动模块包括第三晶体管，所述阈值补偿模块包括第四晶体管，所述第一复位模块包括第五晶体管，所述发光控制模块包括第六晶体管，所述第一子模块包括第七晶体管，所述第二子模块包括第八晶体管；所述发光模块包括发光二极管，所述存储模块包括存储电容；所述第七晶体管与所述第八晶体管串联在所述数据信号线与所述第三晶体管的第一极之间；所述第二晶体管的第一极与所述第一电源线连接，所述第二晶体管的第二极与所述第三晶体管的第一极连接；所述第六晶体管的第一极和所述第三晶体管的第二极连接，所述第六晶体管的第二极和所述发光二极管的第一极连接；所述发光二极管的第二极连接所述第二电源线；
所述存储电容的第一极与所述第一电源线连接，所述存储电容的第二极与所述第三晶体管的栅极连接；所述第四晶体管的第一极连接所述第三晶体管的栅极，所述第四晶体管的第二极连接所述第三晶体管的第二极；所述第五晶体管的第一极连接所述第三晶体管的第二极，所述第五晶体管的第二极与所述参考信号线电连接。7.根据权利要求6所述的像素电路，所述第二晶体管、所述第七晶体管、所述第三晶体管、所述第六晶体管为p型晶体管，所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第八晶体管为n型晶体管；或所述第二晶体管、所述第七晶体管、所述第三晶体管、所述第六晶体管为n型晶体管，所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第八晶体管为p型晶体管。8.根据权利要求7所述的像素电路，其特征在于，所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第八晶体管为n型晶体管，其中，所述第八晶体管为铟镓锌氧化物晶体管；所述第四晶体管和所述第五晶体管均为硅晶体管，或，所述第四晶体管和所述第五晶体管中至少一个为铟镓锌氧化物晶体管。9.一种像素电路的驱动方法，其特征在于，用于驱动如权利要求1-8任一项所述的像素电路，所述驱动方法包括：在复位阶段，控制所述第一复位模块和所述阈值补偿模块导通，以对所述驱动模块的控制端进行复位；在数据写入阶段，控制所述数据写入模块及所述阈值补偿模块导通，所述数据信号线的数据信号写入所述驱动模块的控制端，且所述阈值补偿模块对写入所述驱动模块的控制端的数据电压进行阈值补偿；在发光阶段，控制所述电源写入模块及所述发光控制模块导通，所述驱动模块产生驱动电流并传输至所述发光模块，以控制所述发光模块发光。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述像素电路还包括第二复位模块，所述第二复位模块的控制端与所述扫描信号线电连接，所述第二复位模块用于对所述发光模块的第一电极进行复位，所述第一电极用于连接所述发光控制模块；在所述像素电路的工作过程中，所述第一复位模块和所述第二复位模块的状态相同；所述方法还包括：在所述复位阶段，控制所述第二复位模块导通，以对所述发光模块的第一电极进行复位。11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的像素电路，所述像素电路设置于所述显示面板的显示区域。12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路设置于所述显示面板的显示区域中的屏下摄像区域。13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11或12所述的显示面板。

技术总结

本申请提供一种像素电路、像素电路的驱动方法、显示面板及装置，像素电路包括驱动模块、数据写入模块、阈值补偿模块、第一复位模块、电源写入模块、发光控制模块、发光模块及存储模块，其中，电源写入模块、驱动模块、发光控制模块及发光模块依次串联在第一电源线及第二电源线之间，数据写入模块包括第一子模块和第二子模块，第一子模块和第二子模块串联在驱动模块的第一端及数据信号线之间，第一子模块和第二子模块的至少一个包括铟镓锌氧化物晶体管，铟镓锌氧化物晶体管是一种LTPO晶体管，LTPO的透光率高于LTPS的透光率，铟镓锌氧化物为透明结构，铟镓锌氧化物的透光率高于LTPS的透光率，能够提升CUP区域的透光率。能够提升CUP区域的透光率。能够提升CUP区域的透光率。