顶发射叠层白光器件及其制备方法与流程

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1.本发明涉及oled器件技术领域，尤其涉及顶发射叠层白光器件及其制备方法。

背景技术：

2.与传统的amoled显示技术相比，硅基oled微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的cmos工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基oled微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。
3.硅基oled由于产品像素密度较大(一般》2000ppi)，传统独立rgb发光层彩化蒸镀方式很难实现，主流工艺为白光+彩胶实现彩化，其中单层白光oled器件要获得高亮度，就会因驱动电流过大而引起热量激增，从而降低器件的性能和工作寿命。因此，在较低的电流密度下实现高的发光亮度和效率，同时提高器件的工作寿命，是实现硅基oled产业化的关键因素。
4.现有技术中，叠层白光器件由于共用一个微腔，导致无法有效调控rgb的最优微腔厚度，只能选择折中微腔，以满足rgb微腔的要求。通常，红光发光层对应的二阶微腔厚度约为红光发光层对应的一阶微腔厚度约为绿光发光层对应的二阶微腔厚度约为绿光发光层对应的一阶微腔厚度约为蓝光发光层对应的二阶微腔厚度约为蓝光发光层对应的一阶微腔厚度约为微腔不合适时，rgb的独立光谱不能完全显示出来，易导致出现肩缝甚至多峰的情况，多峰出现时，顶发射叠层白光器件在经过彩滤光片之后，单的光谱也会出现多峰或肩峰，进而使单坐标变差，最终影响域。

技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种顶发射叠层白光器件及其制备方法，旨在实现rgb独立光谱，解决白光器件经滤光片后域偏低的问题。
6.为达此目的，本发明采用以下技术方案：
7.顶发射叠层白光器件，包括：
8.基板；
9.阳极膜层，蒸镀于所述基板上；
10.发光层，所述发光层包括绿光发光层、红光发光层和蓝光发光层，所述绿光发光层设于所述阳极膜层上，所述红光发光层设于所述绿光发光层上，所述蓝光发光层设于所述红光发光层上；
11.阴极膜层，设于所述蓝光发光层上。
12.可选地，所述顶发射叠层白光器件还包括空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和所述空穴传输层均设于所述阳极膜层和所述绿光发光层之间，所述空穴注入层设于
所述阳极膜层上，所述空穴传输层设于所述空穴注入层上。
13.可选地，所述顶发射叠层白光器件还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层设于所述空穴传输层和所述绿光发光层之间。
14.可选地，所述顶发射叠层白光器件还包括电子传输层，所述电子传输层设于所述红光发光层和所述蓝光发光层之间。
15.可选地，所述顶发射叠层白光器件还包括电荷产生层，所述电荷产生层设于所述电子传输层和所述蓝光发光层之间。
16.可选地，所述电荷产生层的厚度为
17.可选地，所述顶发射叠层白光器件还包括保护膜层，所述保护膜层设于所述蓝光发光层上。
18.可选地，所述绿光发光层由绿光主体材料和绿光染料组成；
19.所述红光发光层由红光主体材料和红光染料组成；
20.所述蓝光发光层由蓝光主体材料和蓝光染料组成。
21.可选地，所述绿光发光层对应的微腔厚度为
22.所述红光发光层对应的微腔厚度为
23.所述蓝光发光层对应的微腔厚度为
24.顶发射叠层白光器件的制备方法，基于如上述任一方案所述的顶发射叠层白光器件，包括：
25.提供一所述基板；
26.在所述基板上蒸镀形成所述阳极膜层；
27.在所述阳极膜层上依次蒸镀形成所述绿光发光层、所述红光发光层和所述蓝光发光层；
28.在所述蓝光发光层上蒸镀形成所述阴极膜层。
29.本发明的有益效果：本发明提供的顶发射叠层白光器件，在阳极膜层上依次蒸镀绿光发光层、红光发光层和蓝光发光层，可使用绿光发光层和红光发光层对应的一阶微腔，能够保证相对合理的rgb微腔效果，实现rgb独立光谱峰，避免出现多峰或肩峰的问题，使经过彩滤光片之后坐标表现较好，域较高。
30.本发明提供的顶发射叠层白光器件的制备方法，在阳极膜层依次蒸镀制备绿光发光层、红光发光层和蓝光发光层，工艺简单，提高了白光器件的制备效率。
附图说明
31.图1是本发明实施例提供的顶发射叠层白光器件的结构示意图。
32.图中：
33.100、基板；200、阳极膜层；310、绿光发光层；320、红光发光层；330、蓝光发光层；400、阴极膜层；500、空穴注入层；600、空穴传输层；700、电子阻挡层；800、电子传输层；900、电荷产生层；1000、保护膜层。
具体实施方式
34.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
35.在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
36.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
37.在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
38.如图1所示，本实施例提供了一种顶发射叠层白光器件，该顶发射叠层白光器件包括基板100、阳极膜层200、发光层和阴极膜层400，阳极膜层200蒸镀于基板100上；发光层包括绿光发光层310、红光发光层320和蓝光发光层330，绿光发光层310设于阳极膜层200上，红光发光层320设于绿光发光层310上，蓝光发光层330设于红光发光层320上；阴极膜层400设于蓝光发光层330上。
39.本发明提供的顶发射叠层白光器件，在阳极膜层200上依次蒸镀绿光发光层310、红光发光层320和蓝光发光层330，可使用绿光发光层310和红光发光层320对应的一阶微腔，能够保证相对合理的rgb微腔效果，实现rgb独立光谱峰，避免出现多峰或肩峰的问题，使经过彩滤光片之后坐标表现较好，域较高。
40.可选地，顶发射叠层白光器件还包括空穴注入层500和空穴传输层600，空穴传输层600和空穴注入层500均设于阳极膜层200和绿光发光层310之间，空穴注入层500设于阳极膜层200上，空穴传输层600设于空穴注入层500上。空穴注入层500能够对器件的阳极进行修饰，并可以使来自阳极的空穴顺利的注入到空穴传输层600；空穴传输层600负责将空穴运输到发光层。
41.进一步地，顶发射叠层白光器件还包括电子阻挡层700，电子阻挡层700设于空穴传输层600与绿光发光层310之间。电子阻挡层700会把来自阴极的电子阻挡在器件的发光层界面处，增大器件发光层界面处电子的浓度。
42.可选地，顶发射叠层白光器件还包括电子传输层800，电子传输层800设于红光发光层320和蓝光发光层330之间。电子传输层800的作用在于从阴极注入的电子能透过电子传输层800流至发光层并且阻绝来自阳极的空穴使之不直接流至阴极。
43.进一步地，顶发射叠层白光器件还包括电荷产生层900，电荷产生层900设于电子传输层800和蓝光发光层330之间。电荷产生层900能产生电子和空穴，产生的电子和空穴分别与从阳极注入的空穴和阴极注入的电子在发光层结合而发光。
44.可选地，蓝光发光层330和电荷产生层900之间也可设有一层空穴传输层600和电子阻挡层700。在其他实施例中，本领域技术人员也可根据实际需要不设定电子阻挡层700。
45.于本实施例中，蓝光发光层330的上方也设有一层电子传输层800，电子传输层800设于蓝光发光层330和阴极膜层400之间。电子传输层800的作用在于使阴极注入的电子透过电子传输层800进入发光层。在实际制备过程中，蓝光发光层330和电子传输层800之间还可选择性地设置空穴阻挡层。
46.可选地，顶发射叠层白光器件还包括保护膜层1000，保护膜层1000设于阴极膜层400上。保护膜层1000可以有效阻挡外部环境中的水和氧，保护oled显示面板不受水氧侵蚀。
47.可选地，绿光发光层310由绿光主体材料和绿光染料组成，红光发光层320由红光主体材料和红光染料组成，蓝光发光层330由蓝光主体材料和蓝光染料组成。示例性地，蓝光发光层330的主体材料可为荧光类型发光材料，绿光发光层310的主体材料可为磷光类型发光材料。在其他实施例中，本领域技术人员也可根据实际需要设定各发光层的具体材料种类。
48.可选地，绿光发光层310对应的微腔厚度是绿光发光层310的厚度红光发光层320对应的微腔厚度为电荷产生层900的厚度蓝光发光层330对应的微腔厚度为以保证相对合理的rgn微腔效果，实现rgb独立光谱峰。优选地，于本实施例中，绿光发光层310对应的微腔厚度是绿光发光层310的厚度红光发光层320对应的微腔厚度为电荷产生层900的厚度蓝光发光层330对应的微腔厚度为
49.在本实施例中，阳极膜层200可利用氧化铟锡(ito)制成，但本发明并不限制于此，例如，阳极膜层200也可以利用导电的金属材料或者其他非金属的导电材料制成。阴极膜层400可以由导电的金属材料制成，但本发明并不限制于此，例如，阴极膜层400也可以利用非金属的导电材料制成。
50.本实施例还提供了一种顶发射叠层白光器件的制备方法，包括：
51.s1.提供一基板100；
52.s2.在基板100上蒸镀形成阳极膜层200；
53.s3.在阳极膜层200上依次蒸镀形成绿光发光层310、红光发光层320和蓝光发光层330；
54.s4.在蓝光发光层330上蒸镀形成阴极膜层400。
55.本发明提供的顶发射叠层白光器件的制备方法，在阳极膜层200依次蒸镀制备绿光发光层310、红光发光层320和蓝光发光层330，工艺简单，提高了白光器件的制备效率。
56.显然，本发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷
举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

技术特征：

1.顶发射叠层白光器件，其特征在于，包括：基板(100)；阳极膜层(200)，蒸镀于所述基板(100)上；发光层，所述发光层包括绿光发光层(310)、红光发光层(320)和蓝光发光层(330)，所述绿光发光层(310)设于所述阳极膜层(200)上，所述红光发光层(320)设于所述绿光发光层(310)上，所述蓝光发光层(330)设于所述红光发光层(320)上；阴极膜层(400)，设于所述蓝光发光层(330)上。2.根据权利要求1所述的顶发射叠层白光器件，其特征在于，所述顶发射叠层白光器件还包括空穴注入层(500)和空穴传输层(600)，所述空穴注入层(500)和所述空穴传输层(600)均设于所述阳极膜层(200)和所述绿光发光层(310)之间，所述空穴注入层(500)设于所述阳极膜层(200)上，所述空穴传输层(600)设于所述空穴注入层(500)上。3.根据权利要求2所述的顶发射叠层白光器件，其特征在于，所述顶发射叠层白光器件还包括电子阻挡层(700)，所述电子阻挡层(700)设于所述空穴传输层(600)和所述绿光发光层(310)之间。4.根据权利要求1所述的顶发射叠层白光器件，其特征在于，所述顶发射叠层白光器件还包括电子传输层(800)，所述电子传输层(800)设于所述红光发光层(320)和所述蓝光发光层(330)之间。5.根据权利要求4所述的顶发射叠层白光器件，其特征在于，所述顶发射叠层白光器件还包括电荷产生层(900)，所述电荷产生层(900)设于所述电子传输层(800)和所述蓝光发光层(330)之间。6.根据权利要求5所述的顶发射叠层白光器件，其特征在于，所述电荷产生层(900)的厚度为7.根据权利要求1所述的顶发射叠层白光器件，其特征在于，所述顶发射叠层白光器件还包括保护膜层(1000)，所述保护膜层(1000)设于所述阴极膜层(400)上。8.根据权利要求1所述的顶发射叠层白光器件，其特征在于，所述绿光发光层(310)由绿光主体材料和绿光染料组成；所述红光发光层(320)由红光主体材料和红光染料组成；所述蓝光发光层(330)由蓝光主体材料和蓝光染料组成。9.根据权利要求1所述的顶发射叠层白光器件，其特征在于，所述绿光发光层(310)对应的微腔厚度为所述红光发光层(320)对应的微腔厚度为所述蓝光发光层(330)对应的微腔厚度为10.顶发射叠层白光器件的制备方法，基于如权利要求1-9任一项所述的顶发射叠层白光器件，其特征在于，包括：提供一所述基板(100)；在所述基板(100)上蒸镀形成所述阳极膜层(200)；在所述阳极膜层(200)上依次蒸镀形成所述绿光发光层(310)、所述红光发光层(320)和所述蓝光发光层(330)；
在所述蓝光发光层(330)上蒸镀形成所述阴极膜层(400)。

技术总结

本发明属于OLED器件技术领域，公开了顶发射叠层白光器件及其制备方法。该顶发射叠层白光器件包括基板、阳极膜层、发光层和阴极膜层，阳极膜层蒸镀于基板上；发光层包括绿光发光层、红光发光层和蓝光发光层，绿光发光层设于阳极膜层上，红光发光层设于绿光发光层上，蓝光发光层设于红光发光层上；阴极膜层设于蓝光发光层上。本发明提供的顶发射叠层白光器件，在阳极膜层上依次蒸镀绿光发光层、红光发光层和蓝光发光层，可使用绿光发光层和红光发光层对应的一阶微腔，能够保证相对合理的RGB微腔效果，实现RGB独立光谱峰，避免出现多峰或肩峰的问题，使经过彩滤光片之后坐标表现较好，域较高。域较高。域较高。