钙锌复合稳定剂第48卷第12期人工晶体学扌艮V c I.48No12 2019年12月JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS001113X0,2°19化学气相沉积法制备氧化2纳米线 王汐71"2，庄文昌打张凯惠3，付博4，贾志泰4，罗新泽2高压水冲
(1.徐州工程学院化学化工学院，徐州221111,2.伊犁师范大学化学与环境科学学院，伊宁835000,
3.太原理工大学材料科学与工程学院，太原030024, 4.山东大学晶体材料国家重点实验室，济南250100)
摘要:/3-Ga2O3纳米线是一种新型具有强发光特性的宽带隙半导体材料，作为探测器性能稳定且可靠，近年来受到了极大的关注。本文主要采用化学气相沉积法(CVD)，以Ag纳米颗粒为催化剂，在Si(100)衬底上生长了炉GaO s纳米线，经EDS、SEM、TEM等技术表征，证明其大部分遵循VLS生长机理，少许遵循VS机制。其中遵循VLS生长机制的炉GaO s纳米线更细更长，其形貌均匀一致，长度约为230~260j m，直径约为150~180nm，且Ag颗粒皆在纳米线顶部+关键词：氧化8纳米线；纳米银颗粒；化学气相沉积法 中图分类号:TN304文献标识码:A文章编号：1000固85X(2019)12固174固5 Preparation of Ga2O3Nanowires by Chemical Vapor Deposition
W4NG Xi-qiu1，2,ZHUANG Wen-chang1,ZHANG Kai-gui3,FU Bo4,J Zhi-tai4,LUO Xii-ze2
(1.School of Chemistro and Chemical Engineering,Xuzhou University of Technology,Xuzhou221111,China；
2.School of Chemistro and Environmental Sciences,Yili Normal University,Yining835000,China；
服务器平台3.Collepc of Materials Science and Engineering,Taiyuan University of Technology,Taiyuan030024,China；自保温砖
4.State Key Laboratoro of Crystal Materials,Jinan250100,China)
Abstract:j8-Ga2O3nanowiras,as a new type of wide band gap semiconductoo material,have strong luminescent properties.
Due te the stable and reliable performance of detectors,C has attracted great attention in recent years.Cn this papeo,/3-B c2O3 nanowiras were grown on Si(100)substrate by chemical vapos deposition(CVD)with Ag nanoparticles as catalyst.The results of EDS,SEM and TEM showed that most of them follow VLS growth mechanism and some follow the VS.Among them, j8-Ga2O3nanowircs,which follow the VLS growth mechanism,are thinnes and longcs,the morphologc of
0固82。3nano w ires was uniform with length230-260j m,diameter150-180nm and Ag particles were all on the top of nano w ire.
Key words：0固82。3nano w ire；Ag nanoparticlc；CVD
1引言
Ga2O3具有五种同分异构体，其中单斜晶型的&-Ga2O3是最稳定的相结构之一#1B&+&-Ga2O3是一种宽带隙半导体材料，宽频带隙高达4.9eV，具有从深紫外到可见光波段透明导电、高迁移率、耐高压、耐辐照等优异特性#4固&+这意味着&-Ga2O3纳米线拥有更大的实际应用领域，可用于透明导电材料、日盲型紫外探测、场效应晶体管、气敏传感器及高压功率器件等光电子器件#9固2&+研究人员发现由于氧空位和Ga间隙,0-Ga2O3具有固有的n型导电性，因此可使用可控掺杂和缺陷工程等手段，通过控制生长过程中的条件(气体、温度等)和掺杂剂、催化剂的类型，改变其导电性和复合活性等，也可直接影响其功能性的表面缺陷(例如氧空位、表面原子配位或局部应变区域)的浓度#13固+
易制备和大规模生产是两个基于0-Ga2O3纳米线应用的先决条件。其制备方法多种多样，主要包括物理蒸发、碳热还原反应、水热法、化学气相沉积法(CVD)、电弧放电法、微波等离子体法等[16-20]+其中大多数方法因其较低的生长速率，且需要较长的处理时间，阻碍了其进一步的研究应用+CVD技术相较于其他生
基金项目：国家自然科学基金(21703194)；国家重点研发计划(2018YFB0406502)，徐州市推动科技创新专项资金项目(KC17080)作者简介：王汐31(1994-)，女，江苏省人，硕士研究生。E-mail：1332866504@qq
隔离桩通讯作者：庄文昌，博士，副教授+E-mait:windchant@xzit.edu.a
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