一种带隙基准电路的制作方法

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1.本技术涉及电路技术领域，具体涉及一种带隙基准电路。

背景技术：

2.带隙基准电路是一种能够产生对温度变化保持恒定的基准电压信号的电路。带隙基准电路通常包括带隙基准核心电路和启动电路，其中，带隙基准核心电路用于输出基准电压信号，其具有两个工作点，一个工作点是带隙基准核心电路没有被启动时，输出电压为0的情况，另一个工作点是带隙基准核心电路被启动后，输出电压为正常的基准电压信号的情况。在带隙基准核心电路没有被启动时，需要启动电路对带隙基准核心电路进行启动，并在启动后自动关闭启动电路。
3.现有的启动电路通常能够对带隙基准核心电路进行启动，但在启动带隙基准核心电路后，由于外界因素的影响，可能存在无法自动关闭启动电路的情况，从而影响带隙基准核心电路的正常工作。

技术实现要素：

4.本技术提供一种如何使带隙基准电路的启动电路自动关闭。
5.根据本技术的一方面，一种实施例中提供一种一种带隙基准电路，包括：
6.带隙基准核心模块，用于在启动时输出第一电压信号；在关闭时输出第二电压信号；
7.反相器模块，用于获取所述带隙基准核心模块输出的信号以及一反相控制信号，响应于所述反相控制信号对所述带隙基准核心模块输出的信号的电平进行反相操作，输出反相电压信号；其中，在所述带隙基准核心模块输出第一电压信号时，所述反相器模块输出第一反相电压信号作为所述反相电压信号；在所述带隙基准核心模块输出第二电压信号时，所述反相器模块输出第二反相电压信号作为所述反相电压信号；
8.启动控制模块，用于获取所述反相电压信号，在获取的所述反相电压信号为第二反相电压信号时，响应于所述第二反相电压信号而切换至启动状态，并输出第一启动信号，所述第一启动信号用于启动所述带隙基准核心模块；所述启动控制模块在获取的所述反相电压信号为第一反相电压信号时，响应于所述第一反相电压信号而切换至关闭状态；
9.反相器控制模块，用于获取所述第一启动信号，并响应于所述第一启动信号输出第一反相控制信号；其中，所述第一反相控制信号用于在所述反相器模块获取到第一电压信号时，控制所述反相器模块输出所述第一反相电压信号，以使所述启动控制模块切换至关闭状态。
10.一种实施例中，所述反相器控制模块还用于在其关闭后，输出第二反相控制信号。
11.一种实施例中，所述反相器模块包括：
12.第一反相输出单元，用于获取所述带隙基准核心模块输出的信号，在所述带隙基准核心模块输出的信号为所述第二电压信号时，输出所述第二反相电压信号；在所述带隙
基准核心模块输出的信号为所述第一电压信号时，所述第一反相输出单元呈高阻态；
13.第二反相输出单元，用于获取所述反相器控制模块输出的反相控制信号，在所述反相器控制模块输出的反相控制信号为第一反相控制信号时，输出所述第一反相电压信号；在所述反相器控制模块输出的反相控制信号为所述第二反相控制信号时，所述第二反相输出单元呈高阻态。
14.一种实施例中，所述反相器控制模块包括：
15.第一反相控制单元，用于获取所述第一启动信号，并响应于所述第一启动信号，输出所述第一反相控制信号；还用于在其被关闭后，所述第一反相控制单元呈高阻态；
16.第二反相控制单元，用于在所述第一反相控制单元呈高阻态时，输出所述第二反相控制信号。
17.一种实施例中，所述反相器控制模块还包括：
18.反相控制信号调节单元，用于对所述第一反相控制信号的幅度进行调节。
19.一种实施例中，所述第一反相输出单元包括：第一晶体管；
20.所述第一晶体管的第一极用于获取工作电压，所述第一晶体管的第二极用于输出所述第二反相电压信号，所述第一晶体管的控制极用于获取所述带隙基准核心模块输出的信号。
21.一种实施例中，所述第二反相输出单元包括：第二晶体管；
22.所述第二晶体管的第一极连接地，所述第二晶体管的第二极用于输出所述第一反相电压信号，所述第二晶体管的控制极用于获取所述第一反相控制信号或所述第二反相控制信号。
23.一种实施例中，所述第二反相输出单元还包括：第一电容；
24.所述第一电容连接于所述第二晶体管的控制极和第一极之间。
25.一种实施例中，所述第一反相控制单元包括：第三晶体管；
26.所述第三晶体管的第一极用于获取工作电压，所述第三晶体管的第二极用于输出所述第一反相控制信号，所述第三晶体管的控制极用于获取所述第一启动信号。
27.一种实施例中，所述第二反相控制单元包括：第二电阻；
28.所述第二电阻的一端连接地，第二电阻的另一端连接所述第三晶体管的第二极，所述第二电阻与所述第三晶体管的第二极相连的一端用于输出所述第二反相控制信号。
29.一种实施例中，所述反相控制信号调节单元包括：第一电阻；
30.所述第一电阻的一端与所述第三晶体管的第二极连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻连接于用于输出所述第二反相控制信号的那一端连接。
31.一种实施例中，所述启动控制模块包括第四晶体管；
32.所述第四晶体管的第一极连接地，所述第四晶体管的第二极用于输出所述第一启动信号，所述第四晶体管的控制极用于获取所述反相电压信号。
33.一种实施例中，所述启动控制模块还包括：第二电容；
34.所述第二电容连接于所述第四晶体管的控制极和第二极之间。
35.依据上述实施例的带隙基准电路，包括带隙基准核心模块、反相器模块、启动控制模块和反相器控制模块，由于在带隙基准核心模块被启动后，反相器控制模块能够输出第一反相控制信号至反相器模块，控制反相器模块输出第一反相电压信号，以使启动控制模
块切换至关闭状态，从而关闭整个带隙基准电路的启动电路，实现了带隙基准电路被启动后，其启动电路的自动关闭。
附图说明
36.图1为一个例子的带隙基准电路的电路示意图；
37.图2为本实用新型提供的一种带隙基准电路的结构示意图；
38.图3为本实用新型提供的一种带隙基准电路的电路示意图。
具体实施方式
39.下面通过具体实施方式结合附图对本技术作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中，很多细节描述是为了使得本技术能被更好的理解。然而，本领域技术人员可以毫不费力的认识到，其中部分特征在不同情况下是可以省略的，或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下，本技术相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述，这是为了避免本技术的核心部分被过多的描述所淹没，而对于本领域技术人员而言，详细描述这些相关操作并不是必要的，他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。
40.另外，说明书中所描述的特点、操作或者特征可以以任意适当的方式结合形成各种实施方式，各实施例所涉及的操作步骤也可以按照本领域技术人员所能显而易见的方式进行顺序调换或调整。因此，说明书和附图只是为了清楚描述某一个实施例，并不意味着是必须的组成和/或顺序。
41.本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本技术所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。
42.请参考图1，图1示出了带隙基准电路的一个例子，带隙基准电路10包括带隙基准核心电路11和启动电路12，带隙基准核心电路11用于在启动后输出具有恒定电压值的基准电压信号vbg，带隙基准核心电路11在关闭时，也就是在兼并态时，输出的基准电压信号vbg为0，由于带隙基准核心电路11无法自动脱离兼并态，即无法自动启动，从而需要启动电路12对带隙基准核心电路11进行启动，启动电路12用于启动带隙基准核心电路11，使带隙基准核心电路11脱离兼并态。
43.下面对图1所示的带隙基准核心电路11和启动电路12的电路结构和原理进行说明。
44.带隙基准核心电路11包括晶体管pm1、晶体管pm2、晶体管pm3、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、晶体管q1、晶体管q2、晶体管q3和运算放大器a1，晶体管pm1、晶体管pm2、晶体管pm3的控制极、运算放大器a1的输出端用于接收启动电路12输出的启动信号，晶体管pm1的第一极连接一工作电压提供端vdd，晶体管pm1的第二极通过电阻r1连接运算放大器a1的同相输入端，晶体管pm2的第一极连接工作电压提供端vdd，晶体管pm2的第二极通过电阻r2连接运算放大器a1的反相输入端，电阻r3的一端连接运算放大器a1的同相输入端，电阻r3的另一端连接晶体管q1的第一极，晶体管q1的控制极和第二极连接地，晶体管q2的第一极连接运算放大器a1的反相输入端，晶体管q2的控制极和第二极连接地，晶体管pm3的第一极
连接工作电源提供端vdd，晶体管pm3的第二极连接电阻r4的一端，电阻r4的另一端连接晶体管q3的第一极，晶体管q3的控制极和第二极连接地；其中，晶体管pm3的第二极与电阻r4相连的一端为带隙基准核心电路11的输出端，其用于输出基准电压信号vbg。
45.基于上述带隙基准核心电路11的电路结构，由于晶体管pm1、晶体管pm2、晶体管pm3的控制极和运算放大器a1的输出端均用于获取启动电路12输出的启动信号，当启动电路12输出启动信号，晶体管pm1、晶体管pm2和晶体管pm3均导通，由于晶体管q1和晶体管q2的控制极和第二极相连，晶体管q1和晶体管q2分别相当于一个二极管，当晶体管pm1和晶体管pm2导通后，晶体管q1和晶体管q2随之导通，同理，晶体管pm3导通后，晶体管q3随之导通，此时带隙基准核心电路11输出具有一恒定电压值的基准电压信号vbg，这样，带隙基准核心电路11被启动。另一方面，当带隙基准核心电路11处于关闭时，带隙基准核心电路11的输出端的输出为0。
46.启动电路12包括晶体管pm14、晶体管nm11和晶体管nm12，晶体管pm14和晶体管nm11的控制极用于获取带隙基准核心电路11输出的信号，晶体管pm14的第一极连接工作电压提供端vdd，晶体管pm14的第二极连接晶体管nm11的第二极、晶体管nm12的控制极，晶体管nm11的第一极连接地，晶体管nm12的第一极连接地，晶体管nm12的第二极为启动电路12的输出端，其用于输出启动信号至带隙基准核心电路11。
47.基于上述启动电路12的电路结构，由于晶体管pm14和晶体管nm11的控制极用于获取带隙基准核心电路11输出的信号，当带隙基准核心电路11关闭时，其输出为0，晶体管pm14导通，晶体管nm11关断，此时晶体管pm14的第二极输出高电平的电压信号至晶体管nm12的控制极，晶体管nm12随之导通，晶体管nm12的第二极输出低电平的电压信号作为启动信号至带隙基准核心电路11，以使晶体管pm1、晶体管pm2和晶体管pm3导通，从而启动带隙基准核心电路11；当带隙基准核心电路12被启动后，带隙基准核心电路12输出基准电压信号vbg，此时启动电路12中的晶体管pm14关断，晶体管nm11导通，晶体管nm11的第二极输出低电平的电压信号至晶体管nm12，晶体管nm12关断，使得整个启动电路12关闭。由此，实现了启动电路12在带隙基准核心电路11关闭时能够输出启动信号以启动带隙基准核心电路11，并在带隙基准核心电路11被启动后，启动电路12能够自动关闭，从而不影响带隙基准核心电路11的正常工作。
48.图1所示例子中的启动电路12虽然能够进行带隙基准核心电路11的启动以及启动后的自动关闭，然而，启动电路12中的晶体管pm14和晶体管nm11均由带隙基准核心电路11输出端输出的信号来控制其导通和关断，而晶体管pm14和晶体管nm11由于受工艺、温度和电源电压的影响，其阈值电压的变化会比较大，在晶体管pm14和晶体管nm11的阈值电压接近或者晶体管pm14的阈值电压低于晶体管nm11的阈值电压的时候，图1所示的启动电路12存在无法启动或者启动后不能关闭的风险。
49.基于上述问题，本技术提供的带隙基准核心电路中的启动电路对晶体管pm14和晶体管nm11通过不同路信号分别进行控制，解决了启动电路因晶体管阈值电压变化导致的无法启动或启动后不能关闭的问题。
50.请参考图2，图2为一种实施例的带隙基准核心电路的结构示意图，带隙基准核心电路20包括：带隙基准核心模块21、反相器模块22、启动控制模块23和反相器控制模块24，其中，带隙基准核心模块21与图1所示的带隙基准核心电路11为具有相同电路结构的电路
模块，其用于在启动时输出第一电压信号，在关闭时输出第二电压信号，本实施例中，第一电压信号为具有一定电压值的基准电压信号vbg，第二电压信号为0；反相器模块22、启动控制模块23和反相器控制模块24组成了本技术提供的启动电路。由于带隙基准核心电路11的电路结构和原理在上述实施例中已经进行了详细说明，此处不再赘述，下面对本技术提供的启动电路中的反相器模块22、启动控制模块23和反相器控制模块24进行说明。需要说明的是，本技术中带隙基准核心模块11在启动时输出第一电压信号是指带隙基准核心模块11被启动后在正常工作的情况下输出第一电压信号，带隙基准核心模块11在关闭时输出第二电压信号是指带隙基准核心模块11在被关闭后处于兼并态情况下输出第二电压信号。
51.反相器模块22包括输入端和控制端，输入端连接带隙基准核心模块21的输出端，输入端用于获取带隙基准核心模块21输出的信号，控制端用于获取反相器控制模块24输出的反相控制信号，反相器模块22用于响应于反相控制信号对带隙基准核心模块21输出的信号的电平进行反相操作，输出反相电压信号；其中，在带隙基准核心模块21输出第一电压信号时，反相器模块22输出第一反相电压信号作为反相电压信号；在带隙基准核心模块21输出第二电压信号时，反相器模块22输出第二反相电压信号作为反相电压信号。在本实施例中，带隙基准核心模块21输出的第一电压信号为具有高电平的电压信号，经过反相器模块22进行反相操作后，输出的第一反相电压信号为具有低电平的电压信号；反之，带隙基准核心模块21输出的第二电压信号为0时，经过反相器模块22进行反相操作后，输出的第二反相电压信号为具有高电平的电压信号。本实施例中反相器模块22的反相操作是对于电压信号的电平进行反相，其中涉及的高电平和低电平是相对于某个阈值电压来说的，例如将大于阈值电压的电压信号作为具有高电平的电压信号，将小于或等于阈值电压的电压信号作为具有低电平的电压信号。
52.启动控制模块23用于获取反相电压信号，在获取的反相电压信号为第二反相电压信号时，响应于第二反相电压信号而切换至启动状态，并输出第一启动信号，第一启动信号用于启动带隙基准核心模块21；启动控制模块在获取的反相电压信号为第一反相电压信号时，响应于第一反相电压信号而切换至关闭状态。本实施例中的启动控制模块23包括两种工作状态，分别为启动状态和关闭状态，在启动状态下，启动控制模块23输出第一启动信号作为启动信号以启动带隙基准核心模块21；在关闭状态下，启动控制模块23处于高阻态，需要说明的是，启动控制模块23在关闭状态(高阻态)下时，不对带隙基准核心模块21的正常工作产生任何影响，也就是，启动控制模块23在其启动状态下能够启动带隙基准核心模块21，但在关闭状态下不影响带隙基准核心模块21的正常工作，其中，带隙基准核心模块21跟随整个带隙基准电路的关闭而关闭。
53.反相器控制模块24用于获取第一启动信号，并响应于第一启动信号输出第一反相控制信号；其中，第一反相控制信号用于在反相器模块22获取到第一电压信号时，控制反相器模块22输出第一反相电压信号，以使启动控制模块23切换至关闭状态。
54.下面对上述启动电路中的各个模块对带隙基准核心模块21进行启动的过程进行说明：
55.当带隙基准核心模块21处于关闭时，带隙基准核心模块21输出第二电压信号，反相器模块22响应于接收的第二电压信号而输出第二反相电压信号，启动控制模块23响应于第二反相电压信号而处于启动状态，当启动控制模块23处于启动状态时，输出第一启动信
号至带隙基准核心模块21和反相器控制模块24，带隙基准核心模块21响应于第一启动信号而启动，输出第一电压信号；同时，反相器控制模块24响应于第一启动信号而输出第一反相控制信号至反相器模块23，反相器模块23基于其输入端接收启动后的带隙基准核心模块21输出的第一电压信号以及其控制端接收的第一反相控制信号，而输出第一反相电压信号至启动控制模块23，启动控制模块23响应于第一反相电压信号后进入关闭状态，从而关闭整个启动电路，这样，本技术提供的带隙基准电路20实现了对带隙基准核心模块21的启动，并在启动后关闭启动控制模块23，从而关闭整个启动电路。
56.此外，在本实施例中，当带隙基准核心模块21被关闭后，反相器控制模块24随之也被关闭，反相器控制模块24在被关闭后，输出第二反相控制信号至反相器模块22，以等待当带隙基准核心模块21需要再次被启动时，反相器模块22能够基于带隙基准核心模块21关闭时输出的第二电压信号输出第二反相电压信号，以再次启动处于关闭状态下的启动控制模块23。
57.因此，本技术提供的带隙基准电路20不但能够正常启动带隙基准核心模块21，还能够在启动后自动关闭启动控制模块23，以关闭整个启动电路。
58.请参考图3，图3为一种实施例的带隙基准电路的电路示意图，反相器模块22包括第一反相输出单元和第二反相输出单元，第一反相输出单元用于获取带隙基准核心模块21输出的信号，在带隙基准核心模块21输出的信号为第二电压信号时，输出第二反相电压信号；在带隙基准核心模块21输出的信号为第一电压信号时，第一反相输出单元呈高阻态。第二反相输出单元用于获取反相器控制模块24输出的反相控制信号，在反相器控制模块24输出的反相控制信号为第一反相控制信号时，输出第一反相电压信号；在反相器控制模块24输出的反相控制信号为第二反相控制信号时，第二反相输出单元呈高阻态。
59.本实施例中，第一反相输出单元和第二反相输出单元均包括两种工作态，一种是导通态，此时输出信号(第一反相电压信号和第二反相电压信号)，另一种是高阻态。并且，第一反相输出单元和第二反相输出单元是通过不同路的信号来控制其在导通态和高阻态之间进行切换，其中，第一反相输出单元通过带隙基准核心模块21的输出信号进行控制，第二反相输出单元通过反相器控制模块24输出的信号进行控制。由此，采用不同路的信号来分别控制第一反相输出单元和第二反相输出单元，更加稳定可靠。
60.在一实施例中，第一反相输出单元包括：第一晶体管pm24,第一晶体管pm24的第一极连接工作电压提供端vdd，其用于获取工作电压，第一晶体管pm24的第二极用于输出第二反相电压信号，第一晶体管pm24的控制极用于获取带隙基准核心模块21输出的信号。当带隙基准核心模块21关闭时输出第二电压信号，第一晶体管pm24导通，使得第一晶体管pm24的第二极与工作电压提供端vdd连通，第一晶体管pm24的第二极输出具有高电平的电压信号(第二反相电压信号)。并且，此时第二反相输出单元由于之前获取的是第二反相控制信号而处于高阻态。
61.在一实施例中，第二反相输出单元包括：第二晶体管nm21；第二晶体管nm21的第一极连接地，第二晶体管nm21的第二极用于输出第一反相电压信号，第二晶体管nm21的控制极用于获取第一反相控制信号或第二反相控制信号。当带隙基准核心模块21启动后，输出第一电压信号，第二晶体管nm21导通，使得第二晶体管nm21的第二极与地相连通，第二晶体管nm21的第二极输出具有低电平的电压信号(第一反相电压信号)。并且，此时第一反相输
出单元由于带隙基准核心模块21输出的是第一电压信号而处于高阻态。此外，本实施例提供的第二反相输出单元还包括：第一电容c21，第一电容c21连接于第二晶体管nm21的控制极和第一极之间，用于在启动控制模块23处于关闭状态时，降低第二晶体管nm21的控制极上的电压，以加强关闭启动控制模块23，降低启动控制模块23对带隙基准核心模块21的干扰。
62.反相器控制模块24包括：第一反相控制单元和第二反相控制单元；第一反相控制单元用于获取第一启动信号，在获取到第一启动信号后，响应于第一启动信号输出第一反相控制信号；第一反相控制单元还用于在其被关闭后，第一反相控制单元呈高阻态；第二反相控制单元用于在第一反相控制单元呈高阻态时，输出第二反相控制信号。由此，第一反相控制单元和第二反相控制单元分别输出第一反相控制信号或者第二反相控制信号至反相器模块22的控制端，使得反相器模块22在第一反相控制信号或者第二反相控制信号的控制下，对带隙基准核心模块21输出的信号进行反相操作。在本实施例中，第一反相控制单元跟随整个带隙基准电路的关闭而关闭，其关闭并不受启动控制模块23输出的信号控制。
63.在一实施例中，第一反相控制单元包括：第三晶体管pm25；第三晶体管pm25的第一极用于连接工作电压提供端vdd，第三晶体管pm25的第二极用于输出第一反相控制信号，第三晶体管pm25的控制极用于获取第一启动信号。响应于第一启动信号，第三晶体管pm25导通，第三晶体管pm25的第二极与工作电压提供端vdd连通，输出具有高电平的电压信号(第一反相控制信号)；当第三晶体管pm25关断(第一反相控制单元被关闭)，第三晶体管pm25处于高阻态，此时，第二反相控制单元输出第二反相控制信号。
64.由于工作电压提供端vdd提供的工作电压可能出现电压过高的情况，因此为了给第二晶体管nm21提供合适的偏置电压，反相器控制模块24还包括反相控制信号调节单元，其用于对第一反相控制信号的幅度进行调节。在一实施例中，反相控制信号调节单元包括第一电阻r25，第一电阻r25的一端与第三晶体管pm25的第二极连接，第一电阻r25的另一端与第二电阻r26连接于用于输出第二反相控制信号的那一端连接。
65.在一实施例中，第二反相控制单元包括：第二电阻r26；第二电阻r26的一端连接地，第二电阻r26的另一端连接第三晶体管pm25的第二极，第二电阻与第三晶体管pm25的第二极相连的一端用于输出第二反相控制信号。当第三晶体管pm25处于高阻态，第二电阻r26与第三晶体管pm25的第二极相连的一端输出具有低电平的电压信号(第二反相控制信号)。在本实施例中，第二电阻r26还能够辅助第一电阻r25，调节第一反相控制信号的幅度大小。
66.在一实施例中，启动控制模块23包括第四晶体管nm22；第四晶体管nm22的第一极连接地，第四晶体管nm22的第二极用于输出第一启动信号，第四晶体管nm22的控制极用于获取反相电压信号。当第四晶体管nm22获取的反相电压信号为第一反相电压信号时，第四晶体管nm22关断，处于关闭状态；当第四晶体管nm22获取的反相电压信号为第二反相电压信号时，第四晶体管nm22导通，处于启动状态，将第四晶体管nm22的第二极与第一极连接的地相连通，第四晶体管nm22的第二极输出具有低电平的电压信号作为第一启动信号，以启动带隙基准核心模块21。本实施例提供的启动控制模块23还包括：第二电容c22；第二电容c22连接于第四晶体管nm22的控制极和第二极之间，用于提升第四晶体管nm22的控制极上的电压，以提高启动控制模块23的可靠性。
67.本技术中的晶体管的类型(p型或n型)可根据实际电路的不同进行调整，并且本申
请中的晶体管为三端子晶体管，其三个端子为控制极、第一极和第二极。晶体管可以为双极型晶体管或场效应晶体管等。例如当晶体管为双极型晶体管时，其控制极是指双极型晶体管的基极，第一极可以为双极型晶体管的集电极或发射极，对应的第二极可以为双极型晶体管的发射极或集电极；当晶体管为场效应晶体管时，其控制极是指场效应晶体管的栅极，第一极可以为场效应晶体管的漏极或源极，对应的第二极可以为场效应晶体管的源极或漏极。
68.在本技术中，通过增加反相器控制模块形成的支路，对反相器模块中的两个晶体管(pm24和nm21)通过不同的偏置电路进行控制，使得反相器模块不受晶体管工艺、工作温度和电源电压变化而导致偏置电压的变化的影响，使得启动控制模块对带隙基准核心模块启动后，能够稳定地自动关闭，从而不影响启动后的带隙基准核心模块的正常工作。
69.以上应用了具体个例对本实用新型进行阐述，只是用于帮助理解本实用新型，并不用以限制本实用新型。对于本实用新型所属技术领域的技术人员，依据本实用新型的思想，还可以做出若干简单推演、变形或替换。

技术特征：

1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：带隙基准核心模块，用于在启动时输出第一电压信号；在关闭时输出第二电压信号；反相器模块，用于获取所述带隙基准核心模块输出的信号以及一反相控制信号，响应于所述反相控制信号对所述带隙基准核心模块输出的信号的电平进行反相操作，输出反相电压信号；其中，在所述带隙基准核心模块输出第一电压信号时，所述反相器模块输出第一反相电压信号作为所述反相电压信号；在所述带隙基准核心模块输出第二电压信号时，所述反相器模块输出第二反相电压信号作为所述反相电压信号；启动控制模块，用于获取所述反相电压信号，在获取的所述反相电压信号为第二反相电压信号时，响应于所述第二反相电压信号而切换至启动状态，并输出第一启动信号，所述第一启动信号用于启动所述带隙基准核心模块；所述启动控制模块在获取的所述反相电压信号为第一反相电压信号时，响应于所述第一反相电压信号而切换至关闭状态；反相器控制模块，用于获取所述第一启动信号，并响应于所述第一启动信号输出第一反相控制信号作为反相控制信号；其中，所述第一反相控制信号用于在所述反相器模块获取到第一电压信号时，控制所述反相器模块输出所述第一反相电压信号，以使所述启动控制模块切换至关闭状态。2.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述反相器控制模块还用于在其关闭后，输出第二反相控制信号作为反相控制信号。3.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述反相器模块包括：第一反相输出单元，用于获取所述带隙基准核心模块输出的信号，在所述带隙基准核心模块输出的信号为所述第二电压信号时，输出所述第二反相电压信号；在所述带隙基准核心模块输出的信号为所述第一电压信号时，所述第一反相输出单元呈高阻态；第二反相输出单元，用于获取所述反相器控制模块输出的反相控制信号，在所述反相器控制模块输出的反相控制信号为第一反相控制信号时，输出所述第一反相电压信号；在所述反相器控制模块输出的反相控制信号为所述第二反相控制信号时，所述第二反相输出单元呈高阻态。4.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述反相器控制模块包括：第一反相控制单元，用于获取所述第一启动信号，并响应于所述第一启动信号，输出所述第一反相控制信号；还用于在其被关闭后，所述第一反相控制单元呈高阻态；第二反相控制单元，用于在所述第一反相控制单元呈高阻态时，输出所述第二反相控制信号。5.如权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述反相器控制模块还包括：反相控制信号调节单元，用于对所述第一反相控制信号的幅度进行调节。6.如权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一反相输出单元包括：第一晶体管；所述第一晶体管的第一极用于获取工作电压，所述第一晶体管的第二极用于输出所述第二反相电压信号，所述第一晶体管的控制极用于获取所述带隙基准核心模块输出的信号。7.如权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第二反相输出单元包括：第二晶体管；
所述第二晶体管的第一极连接地，所述第二晶体管的第二极用于输出所述第一反相电压信号，所述第二晶体管的控制极用于获取所述第一反相控制信号或所述第二反相控制信号。8.如权利要求7所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第二反相输出单元还包括：第一电容；所述第一电容连接于所述第二晶体管的控制极和第一极之间。9.如权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一反相控制单元包括：第三晶体管；所述第三晶体管的第一极用于获取工作电压，所述第三晶体管的第二极用于输出所述第一反相控制信号，所述第三晶体管的控制极用于获取所述第一启动信号。10.如权利要求9所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第二反相控制单元包括：第二电阻；所述第二电阻的一端连接地，第二电阻的另一端连接所述第三晶体管的第二极，所述第二电阻与所述第三晶体管的第二极相连的一端用于输出所述第二反相控制信号。11.如权利要求10所述的带隙基准电路，其特征在于，所述反相控制信号调节单元包括：第一电阻；所述第一电阻的一端与所述第三晶体管的第二极连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻连接于用于输出所述第二反相控制信号的那一端连接。12.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述启动控制模块包括第四晶体管；所述第四晶体管的第一极连接地，所述第四晶体管的第二极用于输出所述第一启动信号，所述第四晶体管的控制极用于获取所述反相电压信号。13.如权利要求12所述的带隙基准电路，其特征在于，所述启动控制模块还包括：第二电容；所述第二电容连接于所述第四晶体管的控制极和第二极之间。

技术总结

一种带隙基准电路，包括带隙基准核心模块、反相器模块、启动控制模块和反相器控制模块，由于在带隙基准核心模块被启动后，反相器控制模块能够输出第一反相控制信号至反相器模块，控制反相器模块输出第一反相电压信号，以使启动控制模块切换至关闭状态，从而关闭整个带隙基准电路的启动电路，实现了带隙基准电路被启动后，其启动电路的自动关闭。其启动电路的自动关闭。其启动电路的自动关闭。