二极管全面分析

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              二极管全面分析
1 二极管
1 二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V发光二极管正向管压降为随不同发光颜而不同。
二极管的电压电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
2 二极管的应用
  1整流二极管
  利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
  2、开关元件
  二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。
  3、限幅元件
  二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。
机电在线  4、继流二极管
  在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
  5、检波二极管
  在收音机中起检波作用。
  6变容二极管
  使用于电视机的高频头中。
  7、显示元件
  用于VCDDVD、计算器等显示器上。
  8稳压二极管
  反向击穿电压恒定,且击穿后可恢复,利用这一特性可以实现稳压电路。
3 二极管的工作原理
 
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2 二极管实物
3 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电
场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
4 二极管的导电特性
二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
多功能按摩垫正向特性
  在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为门坎电压,又称死区电压,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能直正
导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的正向压降
反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
  1最大整流电流
  是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为14
1左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如,常用的IN40014007型锗二极管的额定正向工作电流为1A
  2、最高反向工作电压
  加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50VIN4007反向耐压为1000V
  3、反向电流
  反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25时反向电流若为250uA,温度升高到35,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅
二极管,25时反向电流仅为5uA,温度升高到75时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
  4.动态电阻Rd
  二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
肖特基二极管
4 反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安
5 合于在低压、大电流输出场合用作高频整流
稳压二极管
稳压二极管工作在反向击穿状态时,其两端的电压是基本不变的。利用这一性质,在电路里常用于构成稳压电路。
稳压二极管构成的稳压电路,虽然稳定度不很高,输出电流也较小,但却具有简单、经济实用的优点,因而应用非常广泛。在实际电路中,要使用好稳压二极管,应注意如下几个问题。
      1、要注意一般二极管与稳压二极管的区别方法。不少的一般二极管,特别是玻璃封装的管,外形颜等与稳压二极管较相似,如不细心区别,就会使用错误。区别方法是:看外形,不少稳压二极管为园柱形,较短粗,而一般二极管若为园柱形的则较细长;看标志,稳 压二极管的外表面上都标有稳压值,如5V6,表示稳压值为5.6V;用万用表进行测量,根据单向导电性,用X1K挡先把被测二极管的正负极性判断出来,然后用X10K挡,黑表笔接二极管负极,红表笔接二极管正极,测的阻值与X1K挡时相比,若出现的反向阻值很大,为一般二极管的可能性很大,若出现的反向阻值变得很小,则为稳压二极管。
      2、注意稳压二极管正向使用与反向使用的区别。稳压二极管正向导通使用时,与一般二极管正向导通使用时基本相同,正向导通后两端电压也是基本不变的,都约为0.7V。从理论上讲,稳压二极管也可正向使用做稳压管用,但其稳压值将低于1V,且稳压性能也不好,一般不单独用稳压管的正向导通特性来稳压,而是用反向击穿特性来稳压。反向击穿
电压值即为稳压值。有时将两个稳压管串联使用,一个利用它的正向特性,另一个利用它的反向特性,则既能稳压又可起温度补偿作用,以提高稳压效果。
    3、要注意限流电阻的作用及阻值大小的影响。在稳压二极管稳压电路中,一般都要串接一个电阻R,如图12示。该电阻在电路中起限流和提高稳压效果的作用。若不加该电阻即当R=0时,容易烧坏稳压管,稳压效果也会极差。限流电阻的阻值越大,电路稳压性能越好,但输入与输出压差也会过大,耗电也就越多。
  4、要注意输入与输出的压差。正常使用时,稳压二极管稳压电路的输出电压等于稳压管反向击穿后两端的稳压值,若输入到稳压电路中的电压值小于稳压管的稳压值,则电路将失去稳压作用,只有是大于关系时,才有稳压作用,并且压差越大,限流电阻的阻值也应越大,否则会损坏稳压管。
    5、稳压管可串联使用。几个稳压管串联后,可获得多个不同的稳压值,故串联使用较常见。下面举例说明两个稳压管串联使用后,如何求得稳压值。若一个稳压管的稳压值为5.6V,另一个稳压值为3.6V,设稳压管正向导通时电压均为0.7V,则串联后共有四种不同的稳压值,如图1示。
    6、稳压管一般不并联使用。几个稳压管并联后,稳压值将由最低(包括正向导通后的电压值)的一个来决定。还是以上述两个稳压管为例,来说明稳压值的计算方法。两个并联后共有四种情况,稳压值只有两个,如图2示。除非特殊情况,稳压二极管都不并联使用。
CT---势垒电容
  Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容
  Cjv---偏压结电容
  Co---零偏压电容
  Cjo---零偏压结电容
  Cjo/Cjn---结电容变化
  Cs---管壳电容或封装电容
  Ct---总电容
  CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
  CTC---电容温度系数
  除垢器Cvn---标称电容
  IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
  IFAV---正向平均电流
  IFMIM---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
  IH---恒定电流、维持电流。
  Ii--- 发光二极管起辉电流
  IFRM---正向重复峰值电流
  IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)
  Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
气动滑板  IF(ov)---正向过载电流
  IL---光电流或稳流二极管极限电流
  ID---暗电流
  IB2---单结晶体管中的基极调制电流
  IEM---发射极峰值电流
  IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
  IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
  ICM---最大输出平均电流
  IFMP---正向脉冲电流
  IP---峰点电流
  IV---谷点电流
  IGT---晶闸管控制极触发电流
  IGD---晶闸管控制极不触发电流
  IGFM---控制极正向峰值电流
数字均衡器
  IRAV---反向平均电流
  IRIn---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

本文发布于:2023-06-07 03:38:39,感谢您对本站的认可!

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