1，输入电压Vin（Input Voltage）。 不要超出输入电压上限使用。关于输入电压的上限通常有两个，一个是工作电压的额定值，超过了工作状态就会不稳定，性能难以保证；另一个是绝对最大上限，超过了会对器件造成永久性的不可恢复性损害，甚至烧毁。
低于输入电压下限可能会导致工作状态不稳定，甚至无法工作。当输入电压下降到一定程度时输出电压将不再维持在一个恒定的电压。该点发生在输入电压不断接近输出电压时。此时误差放大器会进入完全导通状态，使环路的增益变为零，对负载的稳压能力会变得很差，电源抑制比也大幅度降低。如果输入电压过小，彩钢板屋顶
即Uin<UOUT+△U 时，LDO将失去稳压功能，输出电压会随输入电压而改变，此时UOUT就等于输入电压减去调整管导通电阻(RON)与负载电流的乘积，即UOUT=Uin-RON*IO。 使用LDO设计电路时，输入电压满足必须Uin≥ UOUT + △U。需要注意输入电压可能降低时的性能变化，要预留足够余量。
2，输出电压Vout（Output Voltage）。
LDO的输出电压有固定型和可调型两种。固定型的输出电压在IC内部锁定，无法更改。可调型的，可以通过ADJ管脚(adjust )结合外部的分压电阻来调节输出电压。
固定输出电压稳压器使用比较方便，而且由于输出电压是经过厂家精密调整的，所以稳压器精度很高，但是外接元件数值的变化将影响稳定精度。
5，输出电压精度（Output Voltage Accuracy）。
很多因素都会对LDO输出有影响。对LDO输出电压变化影响最大的是温度，因为参考电压和误差放大器对温度的变化比较敏感。其次是电阻的精度。而线性调整率、负载调整率、增益误差对精度的影响只有1%到3%.
4，压差Vdif（Dropout Voltage）。
压差=Uin-Uout，它被定义为输入电压与输出电压之间的差。
带不同负载时有不同的Drop电压。在LDO的参数表中可以有多个甚至多组压差数据，例如在轻载、中等负载、满载条件下压差的最小值、典型值和最大值。其中，典型值仅供设计时参考，最具有实际意义的应是满载条件下压差的最大值，该参数值是在最不利的情况下测得的。设计时应以此为依据，以便留出足够的余量，确保LDO在最坏的情况下也能正常工作。另外，压差还会随输出电流的增加而增大，随温度升高而增加。为可靠起见，可按留够20~30%的压差余量来选型。
多功能按摩垫在LDO中，产生压差的主要原因是在调整元件中有一个P沟道的MOS管。当LDO工作时MOS管道通等效为一个电阻，Rds(on)。
二、LDO电流相关参数。
1，最大输出电流Imax（Maximum Output Current）。
烧烤车LDO类似于一个恒压源，在输出电压不变的情况下，根据负载情况来调整电流大小。LDO必须能在最不利的工作条件下给负载提供足够的电流。要注意所选择LDO负载电流的瞬态特性，以用于那些更高的瞬时峰值电流场合，需有足够余量。
用电设备的功率不同，要求稳压器输出的最大电流也不相同。通常，输出电流越大的稳压器成本越高。
2，静态电流。
静态电流等于输出电流与输入电流的差，Iq= Iin-Iout。静态电流主要由参考电压消耗电流、采样电阻消耗电流、误差放大器消耗电流和驱动晶体管基级的电流几部分组成。即使无负载时，静态电流也是存在的。
对于双极型晶体管，是电流驱动器件，静态电流IQ不但随负载电流变化，而且在Vin降低时也会有所增加。对于MOS管，因为MOS管是电压驱动器件，静态电流几乎不随负载的变化而变化。
静态电流也就是地引脚的电流(Ground Pin Current)，但是不多，一般为uA手动调速永磁耦合器级别。做低功耗产品的时候要注意下。一般情况下可忽略，可直接按照输入电流等于输出电流来粗略的计算。需要留意在规格书中对IQ是如何规定的，要了解测试条件。
在轻载电流时，系统效率是Iq 对系统性能产生的影响之一。基本来说，具有低Iq 的LDO 只在轻载时效率较高。这是因为负载电流增加时，Iq 只占Iin 总电流的很小一部分。
具有较高Iq 的LDO 可以大大提高系统的线路和负载阶跃响应性能。由于Iq 被LDO 用来实现稳压工作，Iq 较高的LDO 对负载需求或线路电压的突变可作出更快的响应。
3，关断电流（Shutdown Supply Current），
铁氧体电感关断电流是指带有使能信号的LDO来说的，当使能关闭的时候LDO消耗的静态电流。这种使能关闭状态下的静态电流会更小，因为使能关闭时，参考电压和误差放大器处于不供电的状态。
4，短路电流限制Ilim（Current Limit）。
短路限流保护是在过载后保持恒流Ilim输出，输出电压降低。随着芯片温度进一步升高，还会到达过温保护从而芯片关断。芯片设置保护就是不让芯片烧掉。
5. 反向泄漏保护。
通常在有些LDO内晶体管的Vin引脚和Vout引脚之间会有一个寄生二极管效应，当Vout高于Vin时寄生二极管会正向导通，结果电流就从VOUT引脚流向了VDD引脚，造成了反向泄露。
有的LDO集成了反向输入保护功能，在某些LDO的输出端上的电压高于输入端的电压的特
殊应用中，反向泄漏保护可以有效防止电流从LDO的输出端流向输入端。如果忽视这点，这种反向泄漏会损坏输入电源，特别是当输入电源为电池的时候，尤其需要重视。
三、发热相关参数。
1，效率。
LDO是降压型的DC转换器，因此Vin＞Vout，它的工作效率计算公式：
η= Pout/Pin=(Iout*Vout)/(Iin*Vin) ，
其中Iin =Iout+Ignd，
在忽略 LDO 静态电流(Ignd)的情况下，LDO的工作效率可以简单采用 Vout / Vin来计算。在同样条件下，静态电流小的效率会好一些。
2，热耗散功率PD(Power Dissipation)
为了保证节点温度不至于过高，LDO的功耗必须限定在一定的范围之内。有必要计算最大允许功耗PDMAX和实际功耗PD，显然PD必须小于等于PDMAX。
实际热耗散功率的计算公式为：PD=(Vin-Vout)*Iout+Vin*Ignd，
式中，Ignd为接地电流，有时也记作静态电流Iq。由于一般Ignd很小，所以热耗散功率常估算为：PD=(Vin-Vout)*Iout。
另外说明下，器件的耗散功率与功耗(功率)是两个不同的概念，总的功率包含耗散功率。Power dissipation只是芯片自己的热耗散功率，Power consumption是总的功率。以LDO来举例，输入5V转换3.3V输出，输出1A电流，那么Power consumption是5V*1A=5W，LDO本身的Power dissipation是(5V-3.3V)*1A逆变器制作=1.7W。
