一种3DNAND闪存参考电压优化调节方法、系统及计算机可读存储介质

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一种3d nand闪存参考电压优化调节方法、系统及计算机可读存储介质
技术领域
1.本发明涉及闪存技术领域，更具体地，涉及一种3d nand闪存参考电压优化调节方法、系统及计算机可读存储介质。

背景技术：

2.3d nand闪存技术是互联网+大数据时代里的主流存储技术，拥有读写速度快、存储密度高等特点。目前的3d nand闪存堆叠层数已经达到176层，随着存储密度的不断提升，存储在3d nand闪存的数据也更容易产生错误，尤其是在经历了多次擦写、长时间放置等噪声影响后，存储的可靠性将大受影响。
3.由于3d nand闪存不可避免的会面临pec噪声、data retention和readdisturb的外部噪声干扰，3d nand闪存需要在使用过程中进行参考电压的调节以降低读取错误的产生，提升3d nand闪存的可靠性。如图1所示，阈值电压分布偏移后，再使用原本的读参考电压读取数据的时候，由于并没有选取在重叠分布最优判决点(即两个分布的交点，使得误判概率的积分区间最小)，两种状态被误判的概率会大大增加。
4.目前的3d nand闪存控制器对于读参考电压的调节方式是被动式调节，即当错误情况差到控制器的差错控制编码(ecc)不能成功译码的情况下才回进行参考电压的偏移，这种方式常被称之为read retry(rrt)。假设阈值电压的偏移情况比较严重，那么大量的rrt操作将会导致nand闪存产生较大的读时延。其流程框图如图2所示，只要出现ecc译码失败的情况，控制器将请求进行rrt操作，对参考电压进行正偏或负偏直至ecc译码成功。
5.为了降低3d nand闪存读时延，现在的读参考电压调整策略越来越多采用动态的调节方式，即当控制器感知到3d nand闪存存在噪声后自发调节读参考电压。这种自发式调节的方法需要控制器知道先验信息，即需要对实际3d nand闪存的阈值电压信道在不同噪声情况下的变化进行实际测量后，计算不同噪声下的最优参考电压(vopt)得出偏移值，才能应用于调节，这一步往往需要实测3d nand 闪存信道并建模，目前主流的动态调节方式实现流程框图如图3所示。
6.现有的阈值电压模型仅仅考虑了pec及data retention的参数，关于3d nand 闪存的读参考电压调节精确度还不够，并没有考虑到read disturb这一外部噪声及layer variation这一内部噪声带来的干扰。同时，现有的pec及dataretention的调节模型中，大部分并没有考虑到pec对3d nand闪存带来的磨损导致的物理特性使得data retention和read disturb的噪声随之产生变化，即 pec噪声与其他噪声的耦合，目前的模型仅仅是分别对各种噪声进行测量、拟合、计算，比较少考虑噪声耦合的情况。当前的3d nand闪存产品已经被大量应用于互联网数据服务器中心，这些服务器每天拥有上万亿次的数据读取请求，单纯只考虑pec和data retention的3d nand闪存阈值电压模型对于重度读请求的 3d nand闪存优化能力有限，重度读请求的3d nand闪存会受到更强烈的 read disturb干扰，一个考虑read disturb的3d nand闪存阈值电压模型是市面上3d nand闪存控制器设
计中亟待需求的；同时，现有方案中对于3d nand 闪存的噪声耦合情况考虑不多，闪存阈值电压模型考虑的场景较为单一，不够准确，也需要得到进一步的提升。
7.除此之外，现有的模型是基于3d fg nand闪存或是3d ct nand闪存的阈值电压模型，各种方案对不同类型的3d nand闪存的测量、建模过程存在差异，市面上没有一个用同样方法针对两种3d nand闪存测量、建模的方案，对于实际市场上3d nand闪存产品的控制器的调节方法设计不够全面。
8.现有技术公开了一种3d闪存中阈值电压的调整方法、系统以及3d闪存，涉及闪存数据读取技术领域。其调整方法的技术要点包括在闪存块内预留部分的存储元作为核对存储元；在核对存储元上写入指定的核对数据；读取核对存储元上核对数据，作为读出数据；比较核对数据和读出数据，获得存储元的检测集合；基于比对检测集合，在七个阈值电压中选出问题阈值电压；并基于计算检测集合，修改问题阈值电压。该方案没有考虑多维度噪声及噪声耦合。

技术实现要素：

9.本发明为克服上述现有的3d nand闪存参考电压调节考虑噪声不全面，没有考虑噪声耦合、不能适用于不同类型的闪存的缺陷，提供一种3d nand闪存参考电压优化调节方法、系统及计算机可读存储介质。
10.本发明的首要目的是为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：
11.本发明第一方面提供一种3d nand闪存参考电压优化调节方法，包括以下步骤：
12.s1：随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声、read噪声，对添加噪声后的nand闪存块分别进行pec-ret阈值电压检测和 pec-ret-read阈值电压检测得到对应的最优参考电压；
13.s2：利用pec-ret最优参考电压和pec-ret-read最优参考电压建立参考电压调节模型；
14.s3：利用参考电压调节模型计算参考电压偏移值，利用参考电压偏移值从 nand闪存块读取数据。
15.进一步的，所述随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声、read噪声，对添加噪声后的nand闪存块分别进行pec-ret阈值电压检测和pec-ret-read阈值电压检测得到对应的最优参考电压，具体步骤为：
16.随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声得到的闪存块记为第一闪存块，对第一闪存块添加read噪声记为第二闪存块；
17.检测第一闪存块的pec-ret阈值电压计数，利用pec-ret阈值电压计数拟合 pec-ret阈值电压分布，求解pec-ret阈值电压分布中相邻存储状态的交点，得到pec-ret最优参考电压；
18.检测第二闪存块的pec-ret-read阈值电压计数，利用pec-ret-read阈值电压计数拟合pec-ret-read阈值电压分布，求解pec-ret-read阈值电压分布中相邻存储状态的交点，得到pec-ret-read最优参考电压。
19.进一步的，利用pec-ret阈值电压和pec-ret-read阈值电压建立参考电压调节模型具体步骤为：
20.将pec-ret最优参考电压、pec和ret输入至第一数学模型进行拟合，输出系数a、b、c、f和i，其中，a为常数，b表示pec噪声系数，c表示data retention 时长对数的噪声系数，f表示pec和data retention时长对数噪声的耦合系数，i 表示pec和data retention时长对数噪声的耦合系数，所述pec表示闪存擦写次数，ret表示data retetnion时长；
21.将pec-ret-read最优参考电压pec、read、关于pec的已知系数b和系数 a输入至第二数学模型进行拟合，输出系数d、g，其中，d表示read disturb噪声系数，g表示pec和readdisturb噪声耦合系数；
22.将pec-ret最优参考电压pec、layer、关于pec的已知系数和系数a输入至第三数学模型进行拟合，输出系数e、h，e表示layer variation噪声系数，h 表示pec和layer variation噪声的耦合系数，layer表示闪存层数；
23.将求得的系数a-i输入至原始数学模型，得到最终参考电压调节模型。
24.进一步的，所述第一数学模型表达式为：
[0025][0026]
进一步的，所述第二数学模型表达式为：
[0027]vopt
＝a+b*pec+d*read+g*pec*read。
[0028]
进一步的，第三数学模型表达式为：
[0029]vout
＝a+b*pec+e*layer+h*pec*layer。
[0030]
进一步的，原始模型数学表达式为：
[0031]vopt
＝a+b*pec+c*logret.+d*read+e*layer+f*pec*logret. +g*pec*read+h*pec*layer+i*log2ret。
[0032][0033]
本发明第二方面提供了一种3d nand闪存参考电压优化调节系统，该系统包括：存储器、处理器，所述存储器中包括3d nand闪存参考电压优化调节方法程序，所述3dnand闪存参考电压优化调节方法程序被所述处理器执行时实现如下步骤：
[0034]
s1：随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声、read噪声，对添加噪声后的nand闪存块分别进行pec-ret阈值电压检测和 pec-ret-read阈值电压检测得到对应的最优参考电压；
[0035]
s2：利用pec-ret最优参考电压和pec-ret-read最优参考电压建立参考电压调节模型；
[0036]
s3：利用参考电压调节模型计算参考电压偏移值，分别利用参考电压偏移值和默认参考电压从nand闪存块读取数据，比较两种数据读取方式的误码率。
[0037]
进一步的，所述随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声、read噪声，对添加噪声后的nand闪存块分别进行pec-ret阈值电压检测和pec-ret-read阈值电压检测得到对应的最优参考电压，具体步骤为：
[0038]
随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声得到的闪存块记为第一闪存块，对第一闪存块添加read噪声记为第二闪存块；
[0039]
检测第一闪存块的pec-ret阈值电压计数，利用pec-ret阈值电压计数拟合pec-ret阈值电压分布，求解pec-ret阈值电压分布中相邻存储状态的交点，得到pec-ret最优
参考电压；
[0040]
检测第二闪存块的pec-ret-read阈值电压计数，利用pec-ret-read阈值电压计数拟合pec-ret-read阈值电压分布，求解pec-ret-read阈值电压分布中相邻存储状态的交点，得到pec-ret-read最优参考电压。
[0041]
本发明第三方面提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中包括3d nand闪存参考电压优化调节方法程序，所述一种3d nand闪存参考电压优化调节方法程序被处理器执行时，实现所述的一种3d nand闪存参考电压优化调节方法的步骤。
[0042]
与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：
[0043]
本发明在构建参考电压调节模型时综合多维度噪声及噪声耦合，同时在利用最优参考电压建立参考电压调节模型采用了不同阶数的模型拟合并添加相应的约束，本发明提高了参考电压调节的准确性，适用于不同类型的闪存。
附图说明
[0044]
图1为现有技术中3d nand闪存阈值电压分布的两种偏移情况示意图。
[0045]
图2为现有技术中3d nand闪存参考电压调节策略流程图。
[0046]
图3为现有的动态调节读参考电压的流程图。
[0047]
图4为本发明一种3d nand闪存参考电压优化调节方法流程图。
[0048]
图5为本发明3d nand闪存参考电压优化调节系统框图。
[0049]
图6为本发明实施例中两种不同类型3d nand闪存读取数据误码率对比图。
具体实施方式
[0050]
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0051]
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0052]
名词解释：
[0053]
pec噪声：闪存阈值电压信道建模过程中，由于多次擦写pec错误导致电压发生变化的噪声。
[0054]
retention噪声：闪存阈值电压信道建模中，由于长时间放置的data retention 错误导致电压发生变化的噪声。
[0055]
read噪声：闪存阈值电压信道建模中，由于多次读带来的read disturb错误导致电压发生变化的噪声。
[0056]
pec-ret阈值电压检测：闪存阈值电压信道建模过程中，多次擦写后pec 错误和长时间放置带来的data retention错误共同作用带来的耦合噪声。
[0057]
pec-ret-read阈值电压检测：闪存阈值电压信道建模过程中，多次擦写后 pec错误，长时间放置带来的data retention错误，多次读取带来的read disturb 错误，这三者共同作用带来的耦合噪声。
read阈值电压计数进行高斯拟合，得到pec-ret-read阈值电压分布，求解pec-ret-read阈值电压分布中相邻存储状态的交点，交点的横坐标即为 pec-ret-read最优参考电压。
[0071]
进一步的，利用pec-ret阈值电压和pec-ret-read阈值电压建立参考电压调节模型具体步骤为：
[0072]
将pec-ret最优参考电压、pec和ret输入至第一数学模型进行拟合，输出系数a、b、c、f和i，其中，a为常数，b表示pec噪声系数，c表示data retention 时长对数的噪声系数，f表示pec和data retention时长对数噪声的耦合系数，i 表示pec和data retention时长对数噪声的耦合系数，所述pec表示闪存擦写次数，ret表示data retetnion时长；
[0073]
将pec-ret-read最优参考电压pec、read、关于pec的已知系数b和系数 a输入至第二数学模型进行拟合，输出系数d、g，其中，d表示read disturb噪声系数，g表示pec和readdisturb噪声耦合系数；
[0074]
将pec-ret最优参考电压pec、layer、关于pec的已知系数和系数a输入至第三数学模型进行拟合，输出系数e、h，e表示layer variation噪声系数，h 表示pec和layer variation噪声的耦合系数，layer表示闪存层数。
[0075]
将求得的系数a-i输入至原始数学模型，得到最终参考电压调节模型。
[0076]
进一步的，所述第一数学模型表达式为：
[0077][0078]
进一步的，所述第二数学模型表达式为：
[0079]vopt
＝a+b*pec+d*read+g*pec*read。
[0080]
进一步的，第三数学模型表达式为：
[0081]vopt
＝a+b*pec+e*layer+h*pec*layer。
[0082]
进一步的，原始模型数学表达式为：
[0083]vopt
＝a+b*pec+c*logret.+d*read+e*layer+f*pec*logret. +g*pec*read+h*pec*layer+i*log2ret。
[0084][0085]
需要说明的是，本发明提出的参考电压调节模型是一个关于多维参数的模型，在模型建立上采用拟合实际测量值的方法进行，同时由于多维模型拟合复杂性大，在模型建立上可以采用分布拟合，即先拟合影响大的噪声，得到该参数后再将参数带入得到一个带约束的模型后，再拟合影响较小的噪声。本发明提出的原始模型的数学表示，通过分步拟合得到每个系数的值。
[0086]
首先，将pec-ret最优参考电压vopt(即在在pec-retention噪声下得到的最优参考电压)、pec和ret输入至第一数学模型进行拟合，其中，模型中与 pec和data retention无关的参数均设置为0，仅考虑pec和data retention的噪声及耦合，则进行拟合的表达式为：
[0087]vopt
＝a+b*pec+c*logret.+f*pec*logret +i*log2ret
[0088]
输出系数为a、b、c、f和i，需要说明的是，上式模型为pec一阶、ret.二阶的线性回归模型。通过选取二阶模型，相比与传统的一阶模型，能更好地拟合当今3d nand闪存中存在的early loss现象。
[0089]
将pec-ret-read最优参考电压(在pec-retention-read噪声下得到的最优参考电压)、pec、read、关于pec的已知系数和系数a输入至第二数学模型进行拟合，需要说明的是，该拟合仅考虑pec和read的噪声及耦合，此时模型拟合选取的是retention固定的数据，所以此时关于ret的系数设置为0，拟合的表达式为：
[0090]vopt
＝a+b*pec+d*read+g*pec*read
[0091]
输出系数d、g，read表示read噪声，需要说明的是，第二数学模型为pec 一阶、read一阶的线性回归模型。
[0092]
将pec-ret最优参考电压vopt(即在在pec-retention噪声下得到的最优参考电压)、pec、layer、关于pec的已知系数和系数a输入至第三数学模型进行拟合，仅考虑pec和layer的噪声及耦合，由于此时模型拟合选取的是 retention固定的数据，所以此时关于ret.的系数设置为0，拟合的表达式为：
[0093]vopt
＝a+b*pec+e*layer+h*pec*layer
[0094]
其中，输出系数e、h，需要说明的是，第三数学模型为pec一阶、layer一阶的线性回归模型。
[0095]
将求得的系数a到i输入至原始数学模型，得到最终参考电压调节模型。该模型的拟合考虑了噪声影响性的排序，先对影响最大的噪声组合进行拟合，得到相关系数后再带入下一组噪声组合进行约束拟合，提高了模型准确性。
[0096]
实施例2
[0097]
本发明第二方面提供一种3d nand闪存参考电压优化调节系统，该系统包括：存储器、处理器，所述存储器中包括3d nand闪存参考电压优化调节方法程序，所述3d nand闪存参考电压优化调节方法程序被所述处理器执行时实现如下步骤：
[0098]
s1：随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声、read噪声，对添加噪声后的nand闪存块分别进行pec-ret阈值电压检测和 pec-ret-read阈值电压检测得到对应的最优参考电压；
[0099]
s2：利用pec-ret最优参考电压和pec-ret-read最优参考电压建立参考电压调节模型；
[0100]
s3：利用参考电压调节模型计算参考电压偏移值，利用参考电压偏移值从 nand闪存块读取数据。
[0101]
进一步的，所述随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声、read噪声，对添加噪声后的nand闪存块分别进行pec-ret阈值电压检测和pec-ret-read阈值电压检测得到对应的最优参考电压，具体步骤为：
[0102]
随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声得到的闪存块记为第一闪存块，对第一闪存块添加read噪声记为第二闪存块；
[0103]
检测第一闪存块的pec-ret阈值电压计数，利用pec-ret阈值电压计数拟合 pec-ret阈值电压分布，求解pec-ret阈值电压分布中相邻存储状态的交点，得到pec-ret最优参考电压；
[0104]
检测第二闪存块的pec-ret-read阈值电压计数，利用pec-ret-read阈值电压计数拟合pec-ret-read阈值电压分布，求解pec-ret-read阈值电压分布中相邻存储状态的交点，得到pec-ret-read最优参考电压。
[0105]
实施例3
[0106]
本发明第三方面提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中包括3d nand闪存参考电压优化调节方法程序，所述一种3d nand闪存参考电压优化调节方法程序被处理器执行时，实现所述的一种3d nand闪存参考电压优化调节方法的步骤。
[0107]
验证与分析
[0108]
本实施例通过重新随机选取3d nand闪存块，对闪存块添加噪声，应用最优参考电压和默认参考电压读取数据，对比两者的误码率，验证模型计算的最优参考电压对3d nand闪存可靠性能的提升。由于目前的3d nand闪存的参考电压仅支持块调整，而根据3d nand闪存的原始误码率(rber)层间差异性的趋势变化较为线性，所以该方程的layer参数将取3d nand闪存存储的中位数带入计算，本发明中采用的是64层工艺的3d nand闪存，中位数取32。最优参考电压模型对于3d fg tlc nand闪存原始误码率平均降低了20％，对于 3d ct tlc nand闪存原始误码率平均降低了30％，如图6所示，验证了本发明模型是有效的，其中图6中，左侧为为3d fg tlc nand闪存采用本发明方法与采用默认电压读取数据误码率对比，右侧为3d ct tlc nand闪存采用本发明方法与采用默认电压读取数据误码率对比。
[0109]
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

技术特征：

1.一种3d nand闪存参考电压优化调节方法，其特征在于，包括以下步骤：s1：随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声、read噪声，对添加噪声后的nand闪存块分别进行pec-ret阈值电压检测和pec-ret-read阈值电压检测得到对应的最优参考电压；s2：利用pec-ret最优参考电压和pec-ret-read最优参考电压建立参考电压调节模型；s3：利用参考电压调节模型计算参考电压偏移值，利用参考电压偏移值从nand闪存块读取数据。2.根据权利要求1所述的一种3d nand闪存参考电压优化调节方法，其特征在于，所述随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声、read噪声，对添加噪声后的nand闪存块分别进行pec-ret阈值电压检测和pec-ret-read阈值电压检测得到对应的最优参考电压，具体步骤为：随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声得到的闪存块记为第一闪存块，对第一闪存块添加read噪声记为第二闪存块；检测第一闪存块的pec-ret阈值电压计数，利用pec-ret阈值电压计数拟合pec-ret阈值电压分布，求解pec-ret阈值电压分布中相邻存储状态的交点，得到pec-ret最优参考电压；检测第二闪存块的pec-ret-read阈值电压计数，利用pec-ret-read阈值电压计数拟合pec-ret-read阈值电压分布，求解pec-ret-read阈值电压分布中相邻存储状态的交点，得到pec-ret-read最优参考电压。3.根据权利要求2所述的一种3d nand闪存参考电压优化调节方法，其特征在于，利用pec-ret阈值电压和pec-ret-read阈值电压建立参考电压调节模型具体步骤为：将pec-ret最优参考电压、pec和ret输入至第一数学模型进行拟合，输出系数a、b、c、f和i，其中，a为常数，b表示pec噪声系数，c表示data retention时长对数的噪声系数，f表示pec和data retention时长对数噪声的耦合系数，i表示pec和data retention时长对数噪声的耦合系数，所述pec表示闪存擦写次数，ret表示data retetnion时长；将pec-ret-read最优参考电压pec、read、关于pec的已知系数b和系数a输入至第二数学模型进行拟合，输出系数d、g，其中，d表示read disturb噪声系数，g表示pec和read disturb噪声耦合系数；将pec-ret最优参考电压pec、layer、关于pec的已知系数和系数a输入至第三数学模型进行拟合，输出系数e、h，e表示layer variation噪声系数，h表示pec和layer variation噪声的耦合系数，layer表示闪存层数；将求得的系数a-i输入至原始数学模型，得到最终参考电压调节模型。4.根据权利要求3所述的一种3d nand闪存参考电压优化调节方法，其特征在于，所述第一数学模型表达式为：5.根据权利要求3所述的一种3d nand闪存参考电压优化调节方法，其特征在于，所述第二数学模型表达式为：v
opt
＝a+b*pec+d*read+g*pec*read。
6.根据权利要求3所述的一种3d nand闪存参考电压优化调节方法，其特征在于，第三数学模型表达式为：v
opt
＝a+b*pec+e*layer+h*pec*layer。7.根据权利要求3所述的一种3d nand闪存参考电压优化调节方法，其特征在于，原始模型数学表达式为：v
opt
＝a+b*pec+c*log ret+d*read+e*layer+f*pec*log ret+g*pec*read+h*pec*layer+i*log2ret。8.一种3d nand闪存参考电压优化调节系统，其特征在于，该系统包括：存储器、处理器，所述存储器中包括3d nand闪存参考电压优化调节方法程序，所述3d nand闪存参考电压优化调节方法程序被所述处理器执行时实现如下步骤：s1：随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声、read噪声，对添加噪声后的nand闪存块分别进行pec-ret阈值电压检测和pec-ret-read阈值电压检测得到对应的最优参考电压；s2：利用pec-ret最优参考电压和pec-ret-read最优参考电压建立参考电压调节模型；s3：利用参考电压调节模型计算参考电压偏移值，分别利用参考电压偏移值和默认参考电压从nand闪存块读取数据，比较两种数据读取方式的误码率。9.根据权利要求8所述的一种3d nand闪存参考电压优化调节系统，其特征在于，所述随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声、read噪声，对添加噪声后的nand闪存块分别进行pec-ret阈值电压检测和pec-ret-read阈值电压检测得到对应的最优参考电压，具体步骤为：随机选择nand闪存块并依次添加pec噪声、retention噪声得到的闪存块记为第一闪存块，对第一闪存块添加read噪声记为第二闪存块；检测第一闪存块的pec-ret阈值电压计数，利用pec-ret阈值电压计数拟合pec-ret阈值电压分布，求解pec-ret阈值电压分布中相邻存储状态的交点，得到pec-ret最优参考电压；检测第二闪存块的pec-ret-read阈值电压计数，利用pec-ret-read阈值电压计数拟合pec-ret-read阈值电压分布，求解pec-ret-read阈值电压分布中相邻存储状态的交点，得到pec-ret-read最优参考电压。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中包括3d nand闪存参考电压优化调节方法程序，所述一种3d nand闪存参考电压优化调节方法程序被处理器执行时，实现如权利要求1至7中任一项所述的一种3d nand闪存参考电压优化调节方法的步骤。

技术总结

本发明公开了一种3D NAND闪存参考电压优化调节方法、系统及计算机可读存储介质，方法包括以下步骤：S1：随机选择NAND闪存块并依次添加PEC噪声、Retention噪声、Read噪声，对添加噪声后的NAND闪存块分别进行PEC-Ret阈值电压检测和PEC-Ret-Read阈值电压检测；S2：利用PEC-Ret阈值电压和PEC-Ret-Read阈值电压建立参考电压调节模型；S3：利用参考电压调节模型计算参考电压偏移值，利用参考电压偏移值从NAND闪存块读取数据。本发明在构建参考电压调节模型时综合多维度噪声及噪声耦合，同时利用最优参考电压建立参考电压调节模型采用了不同阶数的模型拟合并添加相应的约束，本发明提高了参考电压调节的准确性，适用于不同类型的闪存。闪存。闪存。