P 型 GaN | 负极 |
P 型 AIGaN | |
InGaN 量子阱(well ) | |
N 型 InGaN | |
N 型 AIGaN | |
N 型 GaN | |
P 型 GaN | |
GaN 缓冲层(buffer ) | |
蓝宝石衬底(subatrate ) | |
流程站别 | 使用设备及工具 | 作业条件 | 备注 |
固晶 | 4•储存银胶冰箱 2.银胶搅拌机 3.扩晶机 4•固晶机(如AD809) 5•烤箱 6离子风扇 | 工艺钟表1 •储存银胶:O'C —下保存。2 •银 胶退冰:室温4小时3 •扩•晶机温度: 50°C± 10°C 4・点银胶髙度为晶片厚度 的1/4 5・作业时静电环必须做测试记 录6・固晶时须使用离子风扇,离子 风扇 正面与晶片距离为20cm~ 140cm之间o 7•晶片固于支架杯子正中央,偏移呈 小于1/4晶片宽度,具体参考固晶 图。 8 •烤银胶条件:150C+ 10t /2小 时。 | |
焊线 | 1.339EG焊线机 2.1.2mil的瓷嘴 3.智能热量表大功率打线制具 | 1 • 339EG焊线机热板温度:150C± 1O°C,焊线方式参固晶焊线图。 2・瓷嘴42K更换一次。注:焊线时第 二焊点一定要按照固晶焊线图上第二焊点位 S (打斜线区域)焊线。 | |
点胶 | 1•电子称 2•烤箱 3.抽真空机 4 •点胶机 | 1•抽气时间:1个大气压/5mins。 2•荧光胶烘烤条件:120C± 10 °C /2Hrs。 | 荧光胶配比参考实验 数据。 |
套盖 | 1•镶子 | 1 •在套Lens前材料要用150GC+ 10°C 烘烤15分钟,然而lens也要烘烤 80°C± 10t /20min ,然后套 Lens。 2.夹起Lens,判别双耳朵位萱后,放 置于支架上白壳配合孔内,并压到 位。 | 注意不要压塌金线, 否则送到返修站,并 记录事故率。 |
灌胶 | 1•电子称 2•烤箱 3.抽真空机 4•点胶机 5•锡子 6.棉花棒 7.不锈钢盘 | 1.以 Silicone 乔越 OE-6250(A):乔越 OE-6250(B)=1:1 进行配胶。 2.抽气:1个大气压/5mins。 3.以锡子压制lens上方,再将针头插 至lens耳朵孔位进行灌胶 > 在点胶 时点胶机气压先调至0.15MPA,然 后根据胶的粘度来做调整,直至胶 由对面孔位少量溢出。 4•将整片支架倒置水平后,用力压 实。 5.用棉花棒将多胶部分擦拭干净。 6•灌好胶后不用烘烤,在常温下将支 架水平倒叠整齐存放在不锈钢盘内 24小时即可o | 配好的胶要在30分钟 内用完,且一次不宜 配太多胶。 |
切脚&弯脚 | 4 •手动弯脚机 | 1•弯脚后,Pin脚总长度为14.5mm士 0.2mm (注:弯脚时要注意Pin脚 的长度及平整度)。 | |
外观检验 | 1 •静电环 | 1 •有无汽泡、杂物、铜柱发黄。 2.PIN脚变形、多胶.缺脚。 | 磨煤机衬板 作业前做静电环测 试。 |
测试 | 1.维明658H测试机 2.积分球 | 1.测试:IF=350mA,VF>4.0V 为不良 VR=5VJR>10uA 为不良。 2.测试机只能开单向电源测试(详情 请参TS)。 | |
包装 | 1 .Tapping 机 2.静电袋 | 使用 Carrier Tape 包装,1000PCS/ 卷,1卷/袋,10电动袋/箱。 | |
QA | 1.维明658H测试机 | 1.测试:IF=350mA,VF>4.0V 为不 良,VR=5V > IR>10uA 为不良。 2•测试后外观:有无汽泡•杂物、铜 柱发黄° 3.型号、数呈、包装方式正确,包装 外观无缺损。 | |
本文发布于:2023-05-18 21:19:02,感谢您对本站的认可!
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