专利类型：发明专利
发明人：王艳，党治伟，罗庆，吕舒贤，陈美文
申请号：CN202210090285.7
申请日：20220125
公开号：CN114512488A
公开日：
20220517
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本公开提供一种铁电存储器的制造方法，包括：在衬底上形成依次叠设的底电极和铁电层，其中，铁电层为掺杂的氧化铪基铁电层；在铁电层上形成顶电极，其中，所述顶电极为氮化钛材料的顶电极，在形成顶电极的过程中，通过调节氮气的流量，以调节顶电极中氮原子和钛原子的比率。该制造方法可以改善铁电存储器疲劳特性并提高铁电存储器的耐久性。本公开还提供一种铁电存储器及包括铁电存储器的电子设备。 申请人：北京超弦存储器研究院，中国科学院微电子研究所
地址：100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十街京东贝科技园11栋4层
国籍：CN
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