STM32内部FLASH打包读写
最近做到的项⽬在运⾏需要把⼀组uint8_t(unsigned char)的数据进⾏掉电储存，想到单⽚机STM32f030f4p6内部flash可以直接由程序操作，写了以下代码⽤于uint8_t数据打包保存和读取。 1、程序清单与测试结果
本程序包含5个⽂件，分别是：
1、Flash.c：内部flash读取储存相关函数
2、Flash.h：flash头⽂件
3、USART1.c：STM32F030F4P6的串⼝驱动，串⼝仅⽤于打印数据观察。
4、USART1.h：串⼝头⽂件
5、main.c：防⽌程序主⼊⼝
1、Flash.c
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2、Flash.h
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3、USART1.c
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4、USART1.h
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5、main.c
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测试结果：
第54-199省略..
2、程序详解
2.1、内存结构：
STM32F0xx的flash结构如下：最多具有64页，每页1KByte⼤⼩。
我使⽤的STM32F030F4P6 flash区域有16K，所以实际上只有0-15页，本程序中把需要保存的数据数据存放在最后⼀页（第15页）中。
2.2、定义数据包结构
为了保证储存和读出flash的数据是正确的，本程序将写⼊flash数据分为3个区域
1. 报头区：写⼊数据的时候，将第15页的第1、2字节写⼊0xaa55，在读出的时候如果此位置不是0xaa55，则表⽰这段数据数据⽆效，不 是由⾃⼰存⼊的数据或者程序出现了异常；
2. 长度：写⼊数据的时候，第15页的第3、4字节写⼊有效数据的长度，读出这个字段，就知道上次⾃⼰⼀共存⼊了多少数据；
3. 数据段：从第15页的第5字节开始，全部字节（1020byte）⽤于储存uint8_t类型的数据；
2.3、写操作
写操作有如下步骤：
保护：由于我们只有1Kbyte空间，出去4个字节的报头和长度，实际只能存储1020个u8类型，写太多返回失败。
解flash锁
页擦除
写⼊数据包
上锁
/*******************************************************************************
* Function Name : Flash_eeprom_WriteWithPacked
* Description : Write a group of datas to flash.
* Input : buff:pointer of first data, length: write length
* Output :
* Return : true/false
*******************************************************************************/
bool writeMessageToFlash( uint8_t *buff , uint16_t length)
{
uint16_t temp;
int i;
/*Protection*/
if( (length+4) > STM32F0xx_PAGE_SIZE )
{
return false;
}
FLASH_Unlock( );
/*Clear all flags*/
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPERR );
/*Erase first . Do not rember.*/
if(FLASH_COMPLETE != FLASH_ErasePage(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR))//°üº¬Á˵ȴýbusy
{
return false;
}
/*Write head*/
FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR, EEPPROM_PACKAGEHEAD );
/*Write length*/
FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+2 , length );
/*Write datas*/
for(i=0 ;i<length/2 ;i++)
{
temp = buff[2*i]|(uint16_t)buff[2*i+1]<<8;
FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+4+2*i , temp);
}
if( isItOddNumber(length) )//Write one more if length is odd number.
{
temp = (uint16_t)buff[length-1];
FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+4+(length-1) , temp);
}
/*Read out and check*/
for(i=0 ;i<length ;i++)
{
if( *(uint8_t*)(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+4+i) != buff[i] )
{
FLASH_Lock();
return false;
}
}
FLASH_Lock();
return true;
}
2.3.1、解锁操作：
⽤户⼿册描述如下：
在（芯⽚）重置过后，为了防⽌多余的擦写操作flash会被保护。除了OBL_LAUNCH位⽤于重载option
bit，FLASH_CR寄存器的其他部分都不可以访问。 需要把以下两个解锁序列写⼊FLASH_KEY寄存器，才能访问FLASH_CR：
0x45670123
0xCDEF89AB
检索官⽅库定位FLASH_Unlock()这个函数，它的底层实现与⽂档描述相符，另外增加了防⽌重复解锁的操作，直接使⽤FLASH_Unlock()这个函数即可以完成解锁。
2.3.2、页擦除
⽤户⼿册描述如下：
1、通过检查FLASH_SR寄存器的BSY位来确认flash没有使⽤ 2、把FLASH_CR寄存器的PER位置SET
3、通过编写FLASH_AR寄存器来确认要擦除的页
4、将FLASH_CR寄存器的STRT位置SET
5、等待BSY位rst
6、检查FLASH_SR寄存器中的EOP标记（成功会置SET）（流程图没有、库函数没检查） 7、清除EOP标记（流程图没有、库函数没清除）
检索官⽅库定位到FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)这个函数，它的底层实现与⽂档流程图描述相符，值得注意的是，⼿册描述中6、7步并没有出现在⼿册的流程图和库函数中(库版本V1.2.0)。但在使⽤中没有出现问题，这⾥先记录看以后使⽤中会不会出现问题
2.3.3、往flash中写⼊数据
⽤户⼿册描述如下
1、通过检查FLASH_SR寄存器的BSY位来确认flash没有使⽤
2、设置FLASH_CR寄存器的PG位
3、在⽬标地址上写⼊半个word的数据
4、等BSY位reset
5、检查FLASH_SR寄存器的EOP标记（SET表⽰成功）（流程图没有出现、库函数中没检查）
检索官⽅库定位到FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)这个函数，它的底层实现与⽂档流程图描述相符，同样地，库函数没有检查第五步的EOP标记
2.3.4、上锁操作
根据⼿册提⽰，定位到库函数void FLASH_Lock(void)。只要置位LOCK位就上锁了。
2.4、读操作
程序如下
/*******************************************************************************
* Function Name : readPackedMessageFromFlash
* Description : Read packed message form flash
* Input : buff:point to first location of received buffer.length:Maxmum length of reception
* Output :
* Return : reception length
*******************************************************************************/
uint16_t readPackedMessageFromFlash( uint8_t *buff , uint16_t length)
{
int i;
