偏置电压提供电路、偏置电压提供方法及非易失存储芯片与流程

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1.本技术涉及电路控制技术领域，特别是涉及偏置电压提供电路、偏置电压提供方法及非易失存储芯片。

背景技术：

2.非易失存储芯片读出的时候一般会在其字线(word line，wl)、位线(bit line，bl)上加电压，然后感测模块通过判断存储单元的电流来分辨存储的数据。因此，在读出过程中，存储单元会流过电流，该电流的路径为从感测模块流出，经bl、存储单元，再通过存储器的公共源端的源极线到非易失存储芯片的地。
3.非易失存储芯片的源极线一般是用于互联的金属线，需要连接整个非易失存储芯片中的存储阵列，存在一定的内阻，除此之外，在源极线通路上一般会有开关管用于控制源极线的电压，从而进一步加大源极线的等效电阻，造成的结果是，在读出的时候，所有被读取的存储单元的电流流过源极线时会产生压降v
sl
，这种情况在读出位宽较宽时更严重。由于阵列存储不同数据时存储单元的电流不一样，因此源极线压降v
sl
随存储单元内存储的数据变化而变化，可以看作是一种影响存储单元电流值的噪声。

技术实现要素：

4.本技术主要解决的技术问题是提供偏置电压提供电路、偏置电压提供方法及非易失存储芯片，能够在选择补偿电压时，使调整偏置电压得到的第二类型偏置电压能够对噪声进行补偿，在选择参考地电压时，对无需补偿的模块提供第一类型偏置电压。
5.为了解决上述问题，本技术采用的一种技术方案是提供一种偏置电压提供电路，包括：基准电压提供模块，用于基于参考地电压提供基准电压；偏置电压产生模块，连接基准电压提供模块以根据基准电压产生偏置电压；输出调整模块，连接偏置电压产生模块，并选择性地连接参考地电压或补偿电压，以基于选中的参考地电压调整偏置电压为基于参考地电压的第一类型偏置电压，或基于选中的补偿电压调整偏置电压为基于补偿电压的第二类型偏置电压。
6.其中，输出调整模块包括：选择单元，接收参考地电压和补偿电压，并选择性地输出参考地电压或补偿电压；加法单元，连接偏置电压产生模块和选择单元，以基于选择单元选择输出的参考地电压或补偿电压调整偏置电压，从而输出基于参考地电压的第一类型偏置电压或基于补偿电压的第二类型偏置电压。
7.其中，加法单元包括：第一运算放大器，其中，第一运算放大器的反相输入端通过第一电阻连接选择单元，且第一电阻与第一运算放大器的反相输入端之间的第一节点通过第二电阻连接偏置电压产生模块，并通过第三电阻连接第一运算放大器的输出端；第一运算放大器的正相输入端接收第一公共电压；第二运算放大器，其中，第二运算放大器的反相输入端通过第四电阻连接第一运算放大器的输出端，且第四电阻与第二运算放大器的反相输入端之间的第二节点通过第五电阻连接第二运算放大器的输出端；第二运算放大器的正
相输入端接收第二公共电压；其中，第二运算放大器的输出端作为加法单元的输出端以输出基于参考地电压的第一类型偏置电压或基于补偿电压的第二类型偏置电压。
8.其中，第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻的阻值相等。
9.其中，第二公共电压为第一公共电压的1.5倍。
10.其中，选择单元包括：第一开关，连接在加法单元和参考地电压之间，其中，当第一开关导通时，加法单元连接参考地电压和偏置电压产生模块，以基于参考地电压调整偏置电压产生基于参考地电压的第一类型偏置电压；第二开关，连接在加法单元和补偿电压之间，其中，当第二开关导通时，加法单元连接补偿电压和偏置电压产生模块，以基于补偿电压调整偏置电压产生基于补偿电压的第二类型偏置电压。
11.其中，参考地电压为非易失存储芯片的参考地电压，补偿电压为非易失存储芯片的源极线上的噪声电压，偏置电压提供电路用于为非易失存储芯片中基于参考地电压的第一类型工作模块提供第一类型偏置电压，并为受补偿电压影响的第二类型工作模块提供第二类型偏置电压。
12.为了解决上述问题，本技术采用的另一种技术方案是提供一种偏置电压提供方法，包括：提供基于参考地电压的基准电压；根据基准电压产生偏置电压；选择参考地电压或补偿电压为基准，基于选中的参考地电压调整偏置电压以产生基于参考地电压的第一类型偏置电压，或基于选中的补偿电压调整偏置电压以产生基于补偿电压的第二类型偏置电压。
13.其中，选择参考地电压或补偿电压为基准，基于选中的参考地电压调整偏置电压以产生基于参考地电压的第一类型偏置电压，或基于选中的补偿电压调整偏置电压以产生基于补偿电压的第二类型偏置电压的步骤，包括：选择参考地电压或补偿电压为基准；叠加选中的参考地电压和偏置电压，以产生基于参考地电压的第一类型偏置电压，或叠加选中的补偿电压和偏置电压，以产生基于补偿电压的第二类型偏置电压。
14.为了解决上述问题，本技术采用的另一种技术方案是提供一种非易失存储芯片，包括如上述技术方案提供的偏置电压提供电路。
15.本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术提供的偏置电压提供电路，利用基准电压提供模块提供基于参考地电压的基准电压；利用偏置电压产生模块连接基准电压提供模块以根据基准电压产生偏置电压；然后利用输出调整模块连接偏置电压产生模块，以选择性地连接参考地电压或补偿电压，以基于选中的参考地电压调整偏置电压为基于参考地电压的第一类型偏置电压，或基于选中的补偿电压调整偏置电压为基于补偿电压的第二类型偏置电压，能够利用输出调整模块动态的选择参考地电压或补偿电压，以此来调整偏置电压，产生第一类型偏置电压或第二类型偏置电压，在选择补偿电压时，使调整偏置电压得到的第二类型偏置电压能够对噪声进行补偿，在选择参考地电压时，对无需补偿的模块提供第一类型偏置电压。相比于现有技术，本技术提供的偏置电压提供电路的工艺兼容性更好，且无需额外的基准源，即可产生两种类型的偏置电压，减少成本和功耗。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于
本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
17.图1是本技术提供的偏置电压提供电路一实施例的结构示意图；
18.图2是本技术提供的偏置电压提供电路应用场景示意图；
19.图3是本技术提供的偏置电压提供电路另一实施例的结构示意图；
20.图4是本技术提供的偏置电压提供方法一实施例的流程示意图；
21.图5是本技术提供的偏置电压提供方法另一实施例的结构示意图；
22.图6是本技术提供的非易失存储芯片一实施例的结构示意图；
23.图7-图9是本技术提供的偏置电压提供电路应用场景示意图。
具体实施方式
24.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
25.本技术中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
26.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
27.参阅图1，图1是本技术提供的偏置电压提供电路一实施例的结构示意图。该偏置电压提供电路100包括基准电压提供模块10、偏置电压产生模块20和输出调整模块30。
28.其中，基准电压提供模块10用于基于参考地电压40提供基准电压。偏置电压产生模块20连接基准电压提供模块10以根据基准电压产生偏置电压。输出调整模块30连接偏置电压产生模块20，并选择性地连接参考地电压40或补偿电压50，以基于选中的参考地电压40调整偏置电压为基于参考地电压40的第一类型偏置电压，或基于选中的补偿电压50调整偏置电压为基于补偿电压50的第二类型偏置电压。
29.在一些实施例中，偏置电压产生模块20可以上拉电路或者下拉电路。
30.在一应用场景中，结合图2进行说明：
31.非易失存储芯片进行数据读出的时候一般会在其字线(word line，wl)、位线(bit line，bl)上加电压，然后如图2中的感测模块1、感测模块2以及感测模块n通过判断对应连接的存储单元1、存储单元2以及存储单元n的电流来分辨存储的数据。其中，n为大于2的整数。因此，在数据读出过程中，存储单元1和/或存储单元2和/或存储单元n会流过电流i，其路径为从对应的感测模块1和/或感测模块2和/或感测模块n流出，经bl、存储单元1和/或存
储单元2和/或存储单元n，再通过非易失存储芯片的公共源端的源极线到非易失存储芯片的地。
32.非易失存储芯片的源极线一般是用于互联的金属线，需要连接整个非易失存储芯片中的存储阵列，存在一定的内阻，如图2中的rs1，除此之外，在源极线通路上一般会有开关管用于控制源极线的电压，非读出操作下可能会偏置为其他的电压，从而进一步加大源极线的等效电阻，上述因素造成的结果是，在读出的时候，所有被读取的存储单元1和/或存储单元2和/或存储单元n的电流流过源极线时产生压降v
sl
，这种情况在读出位宽较宽时尤为严重。由于阵列存储不同数据时存储单元电流不一样，因此源极线压降v
sl
随存储单元内存储的数据变化而变化，其可以看作是一种影响存储单元电流值的噪声，由于源极线上会存在源极线压降v
sl
这样的噪声，因此，施加到存储单元上的字线电压与源极线电压之间的电压差，或施加到感测模块上的位线电压与源极线电压之间的电压差，会由于源极线压降v
sl
这样的噪声而减小，从而导致存储单元电流减小，由于感测模块通过存储单元电流大小来分辨存储的数据，因此存储单元的电流减小可能导致无法正确地读取存储单元的数据。
33.此时，可应用上述的偏置电压提供电路100进行处理，将源极线压降v
sl
作为补偿电压50。在非易失存储芯片进行数据读取时，偏置电压提供电路100中的基准电压提供模块10基于参考地电压40提供基准电压。偏置电压产生模块20连接基准电压提供模块10以根据基准电压产生偏置电压。输出调整模块30连接偏置电压产生模块20，并选择连接补偿电压50，即连接源极线，以基于选中的补偿电压50调整偏置电压为基于补偿电压50的第二类型偏置电压。
34.此时，第二类型偏置电压可作为基准参考电压，输入至位线电压发生器以及字线电压发生器来产生相应的位线电压v
blc
或字线电压v
wl
，从而使位线电压发生器输出的位线电压v
blc
以及字线电压发生器输出的字线电压v
wl
基于补偿电压50(源极线压降v
sl
)而对应增加，则相当于部分抵消了源极线处的压降v
sl
，使得感测模块上读出的电流受压降v
sl
的影响降低，则可以读到数据。
35.另外，非易失存储芯片芯片中很多模块，如产生擦写电压的各种功能模块，如charge pump(电荷泵)、产生内部控制逻辑电路电源电压的ldo(low dropout regulator，低压差线性稳压器)，都需要偏置电压，但是这些偏置电压是不需要以补偿电压50作为参考电压的，而是以参考地电压40作为参考电压。因此，在这些模块需要偏置电压时，可以控制偏置电压产生模块20连接基准电压提供模块10以根据基准电压产生偏置电压。输出调整模块30连接偏置电压产生模块20，并选择性地连接参考地电压40，以基于选中的参考地电压40调整偏置电压为基于参考地电压40的第一类型偏置电压。
36.在本实施例中，偏置电压提供电路100利用基准电压提供模块10提供基于参考地电压的基准电压；利用偏置电压产生模块20连接基准电压提供模块10以根据基准电压产生偏置电压；然后利用输出调整模块30连接偏置电压产生模块20，以选择性地连接参考地电压40或补偿电压50，以基于选中的参考地电压40调整偏置电压为基于参考地电压40的第一类型偏置电压，或基于选中的补偿电压50调整偏置电压为基于补偿电压50的第二类型偏置电压，能够利用输出调整模块30动态的选择参考地电压40或补偿电压50，以此来调整偏置电压，产生第一类型偏置电压或第二类型偏置电压，在选择补偿电压50时，使调整偏置电压得到的第二类型偏置电压能够对噪声进行补偿，在选择参考地电压40时，对无需补偿的模
块提供第一类型偏置电压。相比于现有技术，本实施例中的偏置电压提供电路的工艺兼容性更好，且无需额外的基准源即可产生两种类型的偏置电压，减少成本和功耗。
37.在一些实施例中，参阅图3，该偏置电压提供电路100包括基准电压提供模块10、偏置电压产生模块20和输出调整模块30。输出调整模块30包括选择单元31和加法单元32。加法单元32包括第一运算放大器321、第一电阻322、第二电阻323、第三电阻324、第二运算放大器325、第四电阻326和第五电阻327。选择单元31包括第一开关311和第二开关312。
38.其中，第一运算放大器321的反相输入端通过第一电阻322连接选择单元31，且第一电阻322与第一运算放大器321的反相输入端之间的第一节点通过第二电阻323连接偏置电压产生模块20，并通过第三电阻324连接第一运算放大器321的输出端。
39.第一运算放大器321的正相输入端接收第一公共电压v
com1
。
40.其中，第二运算放大器325的反相输入端通过第四电阻326连接第一运算放大器321的输出端，且第四电阻326与第二运算放大器325的反相输入端之间的第二节点通过第五电阻327连接第二运算放大器325的输出端；第二运算放大器325的正相输入端接收第二公共电压v
com2
；其中，第二运算放大器325的输出端作为加法单元32的输出端以输出基于参考地电压40的第一类型偏置电压或基于补偿电压50的第二类型偏置电压。
41.在一应用场景中，可以用以下第一公式求出v
01
。其中，v
reg
表示基准电压，v
com1
表示第一公共电压，v
sw
表示选择单元31输入的电压。r1表示第一电阻322的电阻值，r2表示第二电,323的电阻值，r3表示第三电阻324的电阻值用v
out
表示输出的偏置电压。
42.进一步，可以用以下第二公式求出v
out
。其中，r4表示第四电阻326的电阻值，r5表示第五电阻327的电阻值，v
com2
表示第二公共电压。
43.在一些实施例中，第一电阻322、第二电阻323、第三电阻324、第四电阻326和第五电阻327的阻值相等。则将上述第一公式化简得到第三公式：
[0044]v01
＝3v
com1-(v
reg
+v
sw
)。
[0045]
将上述第二公式化简得到第四公式：v
out
＝2v
com2-v
01
。
[0046]
在一些实施例中，第二公共电压v
com2
为第一公共电压v
com1
的1.5倍。则将上述第四公式化简得到第五公式：v
out
＝v
reg
+v
sw
。
[0047]
在一应用场景中，第一开关311连接在加法单元32和参考地电压40之间，其中，当第一开关311导通时，加法单元32连接参考地电压40和偏置电压产生模块，以基于参考地电压40调整偏置电压产生基于参考地电压40的第一类型偏置电压。
[0048]
若第一电阻322、第二电阻323、第三电阻324、第四电阻326和第五电阻327的阻值相等，第二公共电压v
com2
为第一公共电压v
com1
的1.5倍，结合上述第五公式，因参考地电压40为0，则第一类型偏置电压v
out
＝v
reg
。
[0049]
第二开关312连接在加法单元32和补偿电压50之间，其中，当第二开关312导通时，加法单元32连接补偿电压50和偏置电压产生模块20，以基于补偿电压50调整偏置电压产生基于补偿电压50的第二类型偏置电压。
[0050]
若第一电阻322、第二电阻323、第三电阻324、第四电阻326和第五电阻327的阻值
相等，第二公共电压v
com2
为第一公共电压v
com1
的1.5倍，结合上述第五公式，因补偿电压50为v
sl
，则第一类型偏置电压v
out
＝v
reg
+v
sl
。可以理解，此时选择单元31因第二开关312的导通，v
sw
等于v
sl
。
[0051]
可以理解，第一开关311在导通时，第二开关312截止，或者，第一开关311在截止时，第二开关312导通。
[0052]
在一应用场景中，上述偏置电压提供电路100应用于非易失存储芯片，此时，上述实施例中提及的参考地电压40为非易失存储芯片的参考地电压，补偿电压50为非易失存储芯片的源极线上的噪声电压。
[0053]
偏置电压提供电路100用于为非易失存储芯片中基于参考地电压的第一类型工作模块提供第一类型偏置电压，并为受补偿电压影响的第二类型工作模块提供第二类型偏置电压。
[0054]
第一类型工作模块可以是产生擦写电压的各种功能模块，如charge pump(电荷泵)、产生内部控制逻辑电路电源电压的ldo(low dropout regulator，低压差线性稳压器)。
[0055]
第二类型工作模块可以是上述如图2所示配合进行数据读取或写入的感测模块、位线电压发生器、字线电压发生器。
[0056]
其中，基准电压提供模块10可以为带隙基准源电路，输出基准电压v
ref
，通过偏置电压产生模块20产生一个偏置电压v
ref
。
[0057]
第一运算放大器321、第一电阻322、第二电阻323、第三电阻324、第二运算放大器325、第四电阻326和第五电阻327构成的加法单元32，利用第一运算放大器321和第二运算放大器325的负反馈的原理，在第一电阻322、第二电阻323、第三电阻324、第四电阻326和第五电阻327的电阻值相等的情况下，其第一级输出v
01
＝3v
com1-(v
reg
+v
sw
)，第二级输出v
out
＝2v
com2-v
01
。
[0058]vcom1
和v
com2
的值的作用是调整第一运算放大器321和第二运算放大器325的输入直流电平以及第一级输出v
01
的值，使得这些电压值在合理的范围内，保证加法单元32的正常工作。
[0059]
当第一开关311导通时，v
sw
＝0，输出电压v
out
＝v
reg
，这个值等于希望加到存储单元的第一类型偏置电压。
[0060]
当第二开关312导通时，v
sw
＝v
sl
，输出电压v
out
＝v
reg
+v
sl
，即所需的电压加上源极线的噪声电压，完成了对源极线噪声电压的补偿，保证实际加到存储单元栅源或漏源的电压不受源极线噪声电压的影响。
[0061]
参阅图4，图4是本技术提供的偏置电压提供方法一实施例的流程示意图。该方法包括：
[0062]
步骤41：提供基于参考地电压的基准电压。
[0063]
在本实施例，可以基于上述任一实施例中的偏置电压提供电路100进行说明。在需要提供偏置电压时，控制偏置电压提供电路100中的基准电压提供模块10基于参考地电压提供基准电压。
[0064]
步骤42：根据基准电压产生偏置电压。
[0065]
控制偏置电压提供电路100中的偏置电压产生模块20连接基准电压提供模块10以
根据基准电压产生偏置电压。
[0066]
步骤43：选择参考地电压或补偿电压为基准，基于选中的参考地电压调整偏置电压以产生基于参考地电压的第一类型偏置电压，或基于选中的补偿电压调整偏置电压以产生基于补偿电压的第二类型偏置电压。
[0067]
在一些实施例中，在需要提供偏置电压时，已经确定好选择参考地电压或补偿电压为基准。因此，若选择参考地电压为基准，则基于选中参考地电压调整偏置电压以产生基于参考地电压的第一类型偏置电压。因此，若选择补偿电压为基准，则基于选中的补偿电压调整偏置电压以产生基于补偿电压的第二类型偏置电压。
[0068]
在本实施例中，通过选择参考地电压或补偿电压为基准，动态的根据参考地电压或补偿电压来调整偏置电压，以产生第一类型偏置电压或第二类型偏置电压，在选择补偿电压时，使第二类型偏置电压能够对噪声进行补偿，在选择参考地电压时，对无需补偿的模块提供第一类型偏置电压。
[0069]
参阅图5，图5是本技术提供的偏置电压提供方法另一实施例的流程示意图。该方法包括：
[0070]
步骤51：提供基于参考地电压的基准电压。
[0071]
步骤52：根据基准电压产生偏置电压。
[0072]
步骤51-步骤52与上述实施例具有相同或相似的技术方案，这里不做赘述。
[0073]
步骤53：选择参考地电压或补偿电压为基准。
[0074]
步骤54：叠加选中的参考地电压和偏置电压，以产生基于参考地电压的第一类型偏置电压，或叠加选中的补偿电压和偏置电压，以产生基于补偿电压的第二类型偏置电压。
[0075]
在本实施例，可以基于上述任一实施例中的偏置电压提供电路100进行说明。
[0076]
在需要提供偏置电压时，已经确定好选择参考地电压或补偿电压为基准。若第一开关311导通，则选择参考地电压为基准，加法单元32连接参考地电压40和偏置电压产生模块，以基于参考地电压40调整偏置电压产生基于参考地电压40的第一类型偏置电压。具体的计算方式可以参阅上述任一实施例中的描述，这里不再赘述。
[0077]
若第二开关312导通，则加法单元32连接补偿电压50和偏置电压产生模块20，以基于补偿电压50调整偏置电压产生基于补偿电压50的第二类型偏置电压。具体的计算方式可以参阅上述任一实施例中的描述，这里不再赘述。
[0078]
参阅图6，图6是本技术提供的非易失存储芯片一实施例的结构示意图。该非易失存储芯片700包括偏置电压提供电路100。
[0079]
偏置电压提供电路100可以如上述任一实施例中的偏置电压提供电路100，这里不做赘述。
[0080]
可以理解，非易失存储芯片700还包括如图2所示的存储单元、感测模块、位线电压发生器、字线电压发生器等。
[0081]
基于上述任一技术方案，发明人通过模拟软件，模拟2k byte存储单元同时读出、每个存储单元电流约为1ua的情况下，源极线噪声对于非易失存储芯片700电流的影响。
[0082]
在不考虑源极线电阻的理想情况下，如图7所示，v
reg_wl
、v
reg_blc
为偏置电压产生模块20的输出，即理想情况下希望加在存储单元wl、bl的偏置电压，分别为2.9v、1.8v，en为使能信号，在使能信号有效之后，由于不存在源极线电阻，源极线电压v
sl
＝0，加法单元的一端
输入为0，因此输出的字线偏置电压v
wl
＝v
reg_wl
＝2.9v，用于为非易失存储芯片700的栅极提供偏置电压，位线偏置电压v
blc
＝v
reg_blc
＝1.8v，用于为非易失存储芯片700的漏端提供偏置电压，非易失存储芯片700的存储单元电流i＝973na，由于不存在源极线电阻，因此该电流完全由非易失存储芯片700的特性、偏置电压v
wl
、v
blc
来决定，可以看作对于理想情况的模拟，感测模块根据这个电流i来判断非易失存储芯片700所存储的数据值。
[0083]
在考虑源极线电阻为5欧姆，且不做补偿的情况下，如图8所示，在使能信号有效之后，源极线电阻的存在使得上面存在压降，源极线电压v
sl
＝73mv，该电压使得存储单元的参考电平抬升，由于字线偏置电压v
wl
与位线偏置电压v
blc
电压值不变，实际加在存储单元字线、位线与参考电位之间的电压降低，从而导致非易失存储芯片700的存储单元电流i由973na降低到890na，即相对于立项情况降低了8.5％，影响对于非易失存储芯片所存储数据的分辨。
[0084]
在考虑源极线电阻为5欧姆，且使用本技术上述的技术方案的情况下，如图9所示，在使能信号有效之后，源极线电压v
sl
＝79mv，该补偿方法是一种正反馈的方式，v
wl
、v
blc
电压的抬高也会进一步提升v
sl
的值，因此相比无补偿的情况，v
sl
会略高，由于补偿方式的存在，字线偏置电压v
wl
由2.9v提高到2.98v，位线偏置电压v
blc
由1.8v提高到1.88v，这两个偏置电压的提高在很大程度上补偿了v
sl
电压，使得实际加在存储单元字线、位线与参考电位之间的电压不受v
sl
的影响，非易失存储芯片700的存储单元电流i由无补偿的890na提高到956na，与理想电流的差值由8.5％降低到1.7％，有效降低了源极线电压对于非易失存储芯片700中数据的影响。
[0085]
综上，本技术提供的偏置电压提供电路，利用基准电压提供模块提供基于参考地电压的基准电压；利用偏置电压产生模块连接基准电压提供模块以根据基准电压产生偏置电压；然后利用输出调整模块连接偏置电压产生模块，以选择性地连接参考地电压或补偿电压，以基于选中的参考地电压调整偏置电压为基于参考地电压的第一类型偏置电压，或基于选中的补偿电压调整偏置电压为基于补偿电压的第二类型偏置电压，能够利用输出调整模块动态的选择参考地电压或补偿电压，以此来调整偏置电压，产生第一类型偏置电压或第二类型偏置电压，在选择补偿电压时，使调整偏置电压得到的第二类型偏置电压能够对噪声进行补偿，在选择参考地电压时，对无需补偿的模块提供第一类型偏置电压。相比于现有技术，本技术提供的偏置电压提供电路的工艺兼容性更好，且无需额外的基准源即可产生两种类型的偏置电压，减少成本和功耗。
[0086]
在本技术所提供的几个实施方式中，应该理解到，所揭露的方法以及设备，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的设备实施方式仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。
[0087]
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施方式方案的目的。
[0088]
另外，在本技术各个实施方式中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的
单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
[0089]
上述其他实施方式中的集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本技术各个实施方式所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0090]
以上所述仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。

技术特征：

1.一种偏置电压提供电路，其特征在于，包括：基准电压提供模块，用于基于参考地电压提供基准电压；偏置电压产生模块，连接所述基准电压提供模块以根据所述基准电压产生偏置电压；输出调整模块，连接所述偏置电压产生模块，并选择性地连接所述参考地电压或补偿电压，以基于选中的所述参考地电压调整所述偏置电压为基于所述参考地电压的第一类型偏置电压，或基于选中的所述补偿电压调整所述偏置电压为基于所述补偿电压的第二类型偏置电压。2.根据权利要求1所述的偏置电压提供电路，其特征在于，所述输出调整模块包括：选择单元，接收所述参考地电压和所述补偿电压，并选择性地输出所述参考地电压或所述补偿电压；加法单元，连接所述偏置电压产生模块和所述选择单元，以基于所述选择单元选择输出的所述参考地电压或所述补偿电压调整所述偏置电压，从而输出基于所述参考地电压的所述第一类型偏置电压或基于所述补偿电压的所述第二类型偏置电压。3.根据权利要求2所述的偏置电压提供电路，其特征在于，所述加法单元包括：第一运算放大器，其中，所述第一运算放大器的反相输入端通过第一电阻连接所述选择单元，且所述第一电阻与所述第一运算放大器的反相输入端之间的第一节点通过第二电阻连接所述偏置电压产生模块，并通过第三电阻连接所述第一运算放大器的输出端；所述第一运算放大器的正相输入端接收第一公共电压；第二运算放大器，其中，所述第二运算放大器的反相输入端通过第四电阻连接所述第一运算放大器的输出端，且所述第四电阻与所述第二运算放大器的反相输入端之间的第二节点通过第五电阻连接所述第二运算放大器的输出端；所述第二运算放大器的正相输入端接收第二公共电压；其中，所述第二运算放大器的输出端作为所述加法单元的输出端以输出基于所述参考地电压的所述第一类型偏置电压或基于所述补偿电压的所述第二类型偏置电压。4.根据权利要求3所述的偏置电压提供电路，其特征在于，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻、所述第四电阻和所述第五电阻的阻值相等。5.根据权利要求4所述的偏置电压提供电路，其特征在于，所述第二公共电压为所述第一公共电压的1.5倍。6.根据权利要求2所述的偏置电压提供电路，其特征在于，所述选择单元包括：第一开关，连接在所述加法单元和所述参考地电压之间，其中，当所述第一开关导通时，所述加法单元连接所述参考地电压和所述偏置电压产生模块，以基于所述参考地电压调整所述偏置电压产生基于所述参考地电压的所述第一类型偏置电压；第二开关，连接在所述加法单元和所述补偿电压之间，其中，当所述第二开关导通时，所述加法单元连接所述补偿电压和所述偏置电压产生模块，以基于所述补偿电压调整所述偏置电压产生基于所述补偿电压的所述第二类型偏置电压。7.根据权利要求1所述的偏置电压提供电路，其特征在于，所述参考地电压为非易失存储芯片的参考地电压，所述补偿电压为所述非易失存储芯片的源极线上的噪声电压，所述偏置电压提供电路用于为所述非易失存储芯片中基于所述参考地电压的第一类型工作模块提供所述第一类型偏置电压，并为受所述补偿电压影响的第二类型工作模块提供所述第
二类型偏置电压。8.一种偏置电压提供方法，其特征在于，包括：提供基于参考地电压的基准电压；根据所述基准电压产生偏置电压；选择所述参考地电压或补偿电压为基准，基于选中的所述参考地电压调整所述偏置电压以产生基于所述参考地电压的第一类型偏置电压，或基于选中的所述补偿电压调整所述偏置电压以产生基于所述补偿电压的第二类型偏置电压。9.根据权利要求8所述的偏置电压提供方法，其特征在于，所述选择所述参考地电压或补偿电压为基准，基于选中的所述参考地电压调整所述偏置电压以产生基于所述参考地电压的第一类型偏置电压，或基于选中的所述补偿电压调整所述偏置电压以产生基于所述补偿电压的第二类型偏置电压的步骤，包括：选择所述参考地电压或补偿电压为基准；叠加选中的所述参考地电压和所述偏置电压，以产生基于所述参考地电压的所述第一类型偏置电压，或叠加选中的所述补偿电压和所述偏置电压，以产生基于所述补偿电压的所述第二类型偏置电压。10.一种非易失存储芯片，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的偏置电压提供电路。

技术总结

本申请涉及电路控制技术领域，公开了偏置电压提供电路、偏置电压提供方法及非易失存储芯片。该偏置电压提供电路包括：基准电压提供模块，用于基于参考地电压提供基准电压；偏置电压产生模块，连接基准电压提供模块以根据基准电压产生偏置电压；输出调整模块，连接偏置电压产生模块，并选择性地连接参考地电压或补偿电压，以基于选中的参考地电压调整偏置电压为基于参考地电压的第一类型偏置电压，或基于选中的补偿电压调整偏置电压为基于补偿电压的第二类型偏置电压。通过上述方式，能够在选择补偿电压时，使调整偏置电压得到的第二类型偏置电压能够对噪声进行补偿，在选择参考地电压时，对无需补偿的模块提供第一类型偏置电压。压。压。