溅射装置以及溅射方法与流程

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1.本公开涉及一种溅射装置以及溅射方法。

背景技术：

2.作为用于制造半导体装置、显示装置等的电子装置的薄膜生成方法，有溅射方法。溅射方法是包含要蒸镀的材料的靶的粒子通过等离子体射出而蒸镀在基材上的方法。靶的种类根据形状包括平面靶和圆柱形靶，其中，圆柱形靶为了提高靶材料的效率而可以旋转。

技术实现要素：

3.本公开用于使得通过使用圆柱形靶的溅射形成的薄膜的特性变得均匀。
4.根据本公开的一实施例的溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子的第二圆柱形靶，所述第一溅射粒子摆动的第一角速度和所述第二溅射粒子摆动的第二角速度不同。
5.可以是，所述多个圆柱形靶的每一个包括至少一个磁体以及能够摆动所述磁体的驱动部。
6.可以是，所述第一圆柱形靶以及所述第二圆柱形靶交替配置。
7.可以是，所述第二角速度是所述第一角速度的aa倍，所述aa是2以上。
8.可以是，所述多个圆柱形靶包括产生两个以上的第三溅射粒子的第三圆柱形靶以及产生两个以上的第四溅射粒子的第四圆柱形靶，所述第三圆柱形靶的相邻的两个所述第三溅射粒子之间的第一角与所述第四圆柱形靶的相邻的两个所述第四溅射粒子之间的第二角不同。
9.可以是，所述第三圆柱形靶的尺寸和所述第四圆柱形靶的尺寸彼此不同。
10.可以是，所述第三圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸和所述第四圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸彼此相同。
11.可以是，所述第三圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸和所述第四圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸彼此不同。
12.可以是，所述多个圆柱形靶的每一个包括多个磁体，所述第三圆柱形靶所包括的所述多个磁体的配置与所述第四圆柱形靶所包括的所述多个磁体的配置不同。
13.可以是，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第三溅射粒子的第三圆柱形靶以及产生一个以上的第四溅射粒子的第四圆柱形靶，来自所述第三溅射粒子的溅射粒子和来自所述第四溅射粒子的溅射粒子在基板上的重叠区域中交叉，所述重叠区域构成为在所述基板上扫描并移动。
14.可以是，所述多个圆柱形靶以虚拟的中心为基准构成圆形或者椭圆形并排列。
15.根据一实施例的溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶的每一个包括一个以上的溅射粒子、至少一个磁体以及能够摆动所述磁体
的驱动部，所述多个圆柱形靶包括所述圆柱形靶的尺寸、所述磁体的尺寸、所述磁体的配置以及所述溅射粒子摆动的角速度中的至少一个彼此不同的第一圆柱形靶以及第二圆柱形靶。
16.可以是，所述第一圆柱形靶以及所述第二圆柱形靶交替配置。
17.可以是，所述多个圆柱形靶包括产生两个以上的第三溅射粒子的第三圆柱形靶以及产生两个以上的第四溅射粒子的第四圆柱形靶，所述第三圆柱形靶的相邻的两个所述第三溅射粒子之间的第一角与所述第四圆柱形靶的相邻的两个所述第四溅射粒子之间的第二角不同。
18.可以是，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第三溅射粒子的第三圆柱形靶以及产生一个以上的第四溅射粒子的第四圆柱形靶，来自所述第三溅射粒子的溅射粒子和来自所述第四溅射粒子的溅射粒子在基板上的重叠区域中交叉，所述重叠区域构成为在所述基板上扫描并移动。
19.可以是，所述多个圆柱形靶以虚拟的中心为基准构成圆形或者椭圆形并排列。
20.根据一实施例的溅射方法通过溅射装置执行，所述溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子的第二圆柱形靶，所述第一溅射粒子摆动的第一角速度和所述第二溅射粒子摆动的第二角速度不同。
21.可以是，所述多个圆柱形靶的每一个包括至少一个磁体以及能够摆动所述磁体的驱动部。
22.可以是，所述第二角速度是所述第一角速度的aa倍，所述aa是2以上。
23.根据一实施例的溅射装置包括：腔体；以及圆柱形靶，位于所述腔体中，基板位于所述腔体中，所述圆柱形靶包括一个以上的溅射粒子、至少一个磁体以及能够摆动所述磁体的驱动部，所述基板以与所述圆柱形靶的中心相同或不同的基准点为中心构成圆形或者椭圆形的曲面。
24.根据一实施例的溅射方法通过溅射装置执行，所述溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子的第二圆柱形靶，来自所述第一溅射粒子的溅射粒子和来自所述第二溅射粒子的溅射粒子在基板上的重叠区域中交叉，所述重叠区域构成为在所述基板上扫描并移动。
25.根据本公开的实施例，可以使得通过使用圆柱形靶的溅射形成的薄膜的特性变得均匀。
附图说明
26.图1示出根据一实施例的溅射装置，
27.图2概念性地示出根据一实施例的溅射方法，
28.图3概念性地示出根据一实施例的利用溅射装置的溅射方法，
29.图4示出根据一实施例的溅射装置的尺寸不同的圆柱形靶，
30.图5示出根据一实施例的溅射装置的彼此不同的圆柱形靶，
31.图6以及图7分别概念性地示出根据一实施例的溅射方法，
32.图8示出根据一实施例的包括多个圆柱形靶的溅射装置，
33.图9示出根据一实施例的包括一个圆柱形靶的溅射装置。
34.(附图标记说明)
35.100：溅射腔体
36.110、110a、110b、110c、110d、110e、110f、110g、110h、110i：圆柱形靶
37.115：驱动部
38.120、120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g、120h、120i：溅射粒子
39.200：基板
40.210：薄膜
41.a1、a2、ac、ad、ae、af、ag：角
42.cla：重叠区域
43.da、db、dc、dd：隔开距离
44.m1、m2、m3：磁体
45.oh：中心
46.sp：溅射粒子
47.w1、w2：摆动角速度
具体实施方式
48.以下，参照所附附图详细说明本公开的各实施例，以使本公开所属技术领域中具有通常知识的人能够容易实施。本公开能够以多种不同方式来实现，但并不限于在此说明的实施例。
49.为了清楚地说明本公开，省略了与说明无关的部分，在说明书全文中对相同或相似的构成要件标注相同的附图标记。
50.附图中示出的各个结构的大小和厚度是为了方便说明而任意示出的，因此本公开并不是必须限定于图示那样的。在附图中，为了清楚地表达多个层及区域，放大示出厚度。另外，在附图中，为了方便说明，将一部分层及区域的厚度夸张地示出。
51.另外，当表述为层、膜、区域、板等部分在另一部分“之上”或“上”时，其不仅包括“直接”在另一部分“之上”的情况，还包括其中间有又另一部分的情况。相反，当表述为某一部分“直接”在另一部分“之上”时，意指中间没有又另一部分的情况。另外，表述为“在”成为基准的部分“之上”或“上”的情况是位于成为基准的部分之上或之下的情况，并不意指必须以向重力相反方向侧位于“之上”或“上”。
52.在整个说明书中，当表述为某一部分“包括”某一构成要件时，只要没有特别相反的记载，意指不是将其它构成要件除外而是还可以包括其它构成要件。
53.在整个说明书中，当表述为“平面上”时，其意指从上方观看对象部分时的情况，当表述为“截面上”时，其意指在侧方观看将对象部分垂直截取的截面的情况。
54.在整个说明书中，当表述为“连接”时，其不仅意指两个以上的构成要件直接连接的情况，而且还意指两个以上的构成要件通过其它构成要件间接连接的情况、物理连接和电连接的情况或者虽然根据位置或功能用不同的名称来指代但为实质一体的各部分彼此连接的情况。
55.参照图1说明根据一实施例的溅射装置。
56.图1示出根据一实施例的溅射装置。
57.根据一实施例的溅射装置包括溅射腔体100以及位于其中的一个以上的圆柱形靶110。
58.溅射腔体100可以在溅射工艺时内部保持为实质性真空状态，并可以包含形成等离子体的氩(ar)等的电离气体。可以是，等离子体与施加有电压的圆柱形靶110碰撞，从而靶材料的粒子构成一个以上的溅射粒子(sputtered particle group)120而向垂直于圆柱形靶110的曲面的方向射出。
59.可以是，基板200位于溅射腔体100中，通过在基板200之上累积溅射粒子120的粒子来形成薄膜210。如图所示，基板200的上面可以是平坦的，也可以构成曲面。当基板200构成曲面时，与此相对应地，多个圆柱形靶110也可以排列成圆形或者椭圆形。对此，将在下面进行说明。
60.在溅射工艺时，圆柱形靶110可以以中心轴为基准进行旋转。由此，可以提高圆柱形靶110的消耗效率。
61.在圆柱形靶110中可以包括一个以上的磁体m1、m2、m3。这种靶称为磁性增强靶。图1示出各圆柱形靶110在内部包括多个磁体m1、m2、m3的例。
62.磁体m1、m2、m3可以与圆柱形靶110的边缘相邻配置，由此靶材料的更多部分可以朝向基板200侧。靶材料可以通过多个磁体m1、m2、m3以中央的磁体m2为基准以预定角扩展而溅射在基板200之上。
63.在各圆柱形靶110中，溅射粒子120的位置可以根据等离子体的产生位置来确定。在由磁体m1、m2、m3产生的磁场中，在磁力线的方向与圆柱形靶110的曲面的切线重合处可以产生等离子体并发生溅射。
64.例如，相邻的溅射粒子120的中心线之间的角(称为溅射粒子120之间的角)可以是90度以上，但不限于此。相邻的溅射粒子120之间的角可以通过调节磁体m1、m2、m3的配置来控制。
65.多个磁体m1、m2、m3可以沿着圆柱形靶110的边缘以大致弓形配置，但不限于此。
66.在溅射时，在圆柱形靶110中磁体m1、m2、m3可以左右摆动。由此，从圆柱形靶110射出的溅射粒子120也可以左右摆动。由此，可以在基板200上形成更加均匀的薄膜210。
67.根据一实施例的溅射装置可以还包括用于摆动磁体m1、m2、m3的驱动部115。如图1所示，驱动部115可以位于圆柱形靶110中，但位置不限于此。
68.图2概念性地示出根据一实施例的溅射方法。
69.参照图2，在溅射工艺时，来自根据一实施例的溅射装置所包括的多个圆柱形靶110的溅射粒子120可以以两个以上的彼此不同的摆动角速度w1、w2摆动。
70.具体地，来自彼此不同的圆柱形靶110的溅射粒子120的摆动角速度w1、w2可以彼此不同。以彼此不同的摆动角速度w1、w2摆动的溅射粒子120的圆柱形靶110可以以一个以上的圆柱形靶110为单位交替配置。
71.彼此不同的摆动角速度w1、w2中的一个摆动角速度w1可以是另一个摆动角速度w2的aa倍，例如，aa可以是2倍以上。
72.在溅射工艺时，在多个溅射粒子120在基板200上重叠的区域中，与其它区域相
比溅射压力变高。因此，在以往，即使圆柱形靶110内部的磁体摆动，形成在基板200上的薄膜210中也会交替产生高压缩(compressive)区域和低压缩(tensile)区域，若溅射工艺后温度急剧减小，则这两个区域的膜密度存在差异。结果，如此，在包括将彼此不同的膜密度的区域包含的薄膜的显示装置等的电子装置的特性中可能会产生散布或者可能会产生斑点(mura)等的污点。
73.但是，根据本公开的实施例，来自以彼此不同的摆动角速度w1、w2摆动的圆柱形靶110的两个溅射粒子120的溅射粒子sp重叠的基板200上的重叠区域cla可以在两个圆柱形靶110之间生成多个。尤其，当彼此不同的摆动角速度w1、w2中的一个摆动角速度w1是另一个摆动角速度w2的aa倍时，随着aa增大，位于两个圆柱形靶110之间的重叠区域cla可以进一步增加其程度。
74.由此，通过溅射形成的薄膜210中可能生成的高压缩(compressive)区域和低压缩(tensile)区域可以在两个圆柱形靶110之间生成多个，并随着其数量增多，可以生成具有更加均匀的膜特性的薄膜210。
75.这种彼此不同的摆动角速度w1、w2可以通过摆动图1所示的圆柱形靶110中的磁体m1、m2、m3的驱动部115来控制。
76.相邻的圆柱形靶110之间的隔开距离da、db可以一定，但不限于此。当相邻的圆柱形靶110之间的隔开距离da、db不一定时，彼此不同的隔开距离da、db可以交替配置。
77.图3概念性地示出根据一实施例的利用溅射装置的溅射方法。
78.根据本实施例的溅射装置与在上面说明的图1所示的实施例的溅射装置大部分相同，但是多个圆柱形靶110可以包括第一圆柱形靶110a以及第二圆柱形靶110b。
79.第一圆柱形靶110a的相邻的两个溅射粒子120a之间的角a1和第二圆柱形靶110b的相邻的两个溅射粒子120b之间的角a2可以彼此不同。其中，角a1、a2可以是各圆柱形靶110a、110b的溅射粒子120a、120b的中心线之间的角。
80.由此，可以将第一圆柱形靶110a的溅射粒子120a所扫描的区域和第二圆柱形靶110b的溅射粒子120b所扫描的区域控制成窄或宽，并可以控制来自彼此不同的圆柱形靶110a、110b的两个溅射粒子120a、120b的溅射粒子sp在基板200上重叠的区域。
81.这种第一圆柱形靶110a和第二圆柱形靶110b也可以交替配置。
82.在本实施例中，来自第一圆柱形靶110a的溅射粒子120a的摆动角速度w1和来自第二圆柱形靶110b的溅射粒子120b的摆动角速度w2也可以彼此相同，如图2所示的实施例，也可以彼此不同。当两个摆动角速度w1、w2彼此不同时，并且随着两个摆动角速度w1、w2的差异增大，可以生成具有更加均匀的膜特性的薄膜210。
83.第一圆柱形靶110a的尺寸(或者直径)和第二圆柱形靶110b的尺寸(或者直径)也可以彼此不同，也可以相同。图3示出了第一圆柱形靶110a的尺寸(或者直径)和第二圆柱形靶110b的尺寸(或者直径)彼此不同的例，但不限于此。
84.相邻的圆柱形靶110之间的隔开距离dc、dd可以一定，但不限于此。当相邻的圆柱形靶110之间的隔开距离dc、dd不一定时，彼此不同的隔开距离dc、dd可以交替配置。
85.将与图3一起参照图4以及图5，说明将第一圆柱形靶110a的相邻的两个溅射粒子120a之间的角a1和第二圆柱形靶110b的相邻的两个溅射粒子120b之间的角a2控制成彼此不同的方法。
86.图4示出根据一实施例的溅射装置的尺寸不同的圆柱形靶，图5示出根据一实施例的溅射装置的彼此不同的圆柱形靶。
87.进一步具体参照图4观察尺寸彼此不同的圆柱形靶110c、110d、110e。
88.首先，左侧的圆柱形靶110c和圆柱形靶110d是圆柱的尺寸彼此不同但磁体m1、m2、m3的尺寸彼此相同的情况。此时，来自圆柱的尺寸更小的圆柱形靶110d的相邻的两个溅射粒子120d之间的角ad可以变得比来自圆柱的尺寸更大的圆柱形靶110c的相邻的两个溅射粒子120c之间的角ac更大。当将其适用于图3时，第一圆柱形靶110a可以成为图4所示的圆柱形靶110d，第二圆柱形靶110b可以成为图4所示的圆柱形靶110c。此时，图3所示的第一以及第二圆柱形靶110a、110b的尺寸互换。
89.接着，若比较右侧的圆柱形靶110e和左侧的圆柱形靶110c或者圆柱形靶110d，则圆柱形靶110e的磁体m1、m2、m3小于圆柱形靶110c或者圆柱形靶110d的磁体m1、m2、m3。由此，来自圆柱形靶110e的相邻的两个溅射粒子120e之间的角ae可以变得比来自具有更大的磁体m1、m2、m3的圆柱形靶110c、110d的相邻的两个溅射粒子120c、120d之间的角ac、ad小。其中，即使包括小的磁体m1、m2、m3的圆柱形靶110e的尺寸(或者直径)与包括大的磁体m1、m2、m3的圆柱形靶110c、110d的尺寸(或者直径)相同，同样，来自圆柱形靶110e的相邻的两个溅射粒子120e之间的角ae也可以变得比来自圆柱形靶110c、110d的相邻的两个溅射粒子120c、120d之间的角ac、ad小。
90.当将其适用于图3时，第一圆柱形靶110a可以成为图4所示的圆柱形靶110c、110d，第二圆柱形靶110b可以成为图4所示的圆柱形靶110e。
91.接着，参照图5，来自磁体m1、m2、m3的配置彼此不同的圆柱形靶110f、110g的溅射粒子120f、120g之间的角af、ag可以彼此不同。
92.例如，如图5所示，左侧的圆柱形靶110f所包括的磁体m1、m2、m3中的位于中间的磁体m2配置为比右侧的圆柱形靶110g所包括的中间的磁体m2更靠近圆柱形靶110f的边缘，即配置为更低。此时，来自圆柱形靶110f的相邻的溅射粒子120f之间的角af可以变得比来自圆柱形靶110g的相邻的溅射粒子120g之间的角ag大。
93.更具体地，当圆柱形靶110f、110g所包括的多个磁体m1、m2、m3按顺序配置时，位于中间的磁体m2配置为比位于两侧的两个磁体m1、m3低而更靠近圆柱形靶110f、110g的边缘时，随着其程度变大，相邻的溅射粒子120f、120g之间的角af、ag可以变得更大。
94.当将其适用于图3时，第一圆柱形靶110a可以成为图5所示的圆柱形靶110f，第二圆柱形靶110b可以成为图5所示的圆柱形靶110g。
95.图6以及图7分别概念性地示出根据一实施例的溅射方法。
96.参照图6以及图7，来自隔开的两个溅射粒子120h、120i的溅射粒子sp在基板200上的重叠区域cla中交叉。在本实施例中，可以控制来自两个圆柱形靶110h、110i的溅射粒子120h、120i的摆动角速度w1、w2，以使重叠区域cla可以在基板200上扫描并移动。由此，由于压力相对高而膜密度可以变高的重叠区域cla扫描基板200之上，因此形成在整个基板200上的膜的密度等的特性变得均匀。
97.形成重叠区域cla的两个隔开的圆柱形靶110h、110i可以彼此直接相邻，如图6以及图7所示，在其之间也可以配置有一个以上的圆柱形靶。图6以及图7示出了在形成重叠区域cla的两个隔开的圆柱形靶110h、110i之间配置有其它两个圆柱形靶的例。
98.两个圆柱形靶110h、110i的溅射粒子120h、120i的摆动方向可以是相同的方向。即，可以是，当圆柱形靶110h的溅射粒子120h向右侧摆动时，圆柱形靶110i的溅射粒子120i也向右侧摆动，当圆柱形靶110h的溅射粒子120h向左侧摆动时，圆柱形靶110i的溅射粒子120i也向左侧摆动。
99.为了使得隔开的两个圆柱形靶110h、110i的溅射粒子120h、120i的溅射粒子sp的重叠区域cla可以在基板200上扫描并移动，摆动角速度w1、w2可以针对基板200上的每个位置发生变化。
100.参照图6，当圆柱形靶110h和基板200之间的距离与圆柱形靶110i和基板200之间的距离相同时，可以在任何时刻满足下述数学式1，以使圆柱形靶110h的溅射粒子120h的溅射粒子sp和圆柱形靶110i的溅射粒子120i的溅射粒子sp可以在基板200上交叉。
101.【数学式1】
102.r1*cos(a3)＝r2*cos(a4)
103.在上式中，r1表示从圆柱形靶110h的中心o1到重叠区域cla的距离，r2表示从圆柱形靶110i的中心o2到重叠区域cla的距离，a3表示从圆柱形靶110h的中心o1下降到基板200上的垂线ax1和溅射粒子120h的中心线之间的角，并且，a4表示从圆柱形靶110i的中心o2下降到基板200上的垂线ax2和溅射粒子120i的中心线之间的角。
104.r1、r2、a3以及a4可以分别是时间的函数。
105.参照图7，圆柱形靶110h和基板200之间的距离与圆柱形靶110i和基板200之间的距离也可以不同，此时，若一般化，则可以在任何时刻满足下述数学式2，以使圆柱形靶110h的溅射粒子120h的溅射粒子sp和圆柱形靶110i的溅射粒子120i的溅射粒子sp可以在基板200上交叉。
106.【数学式2】
107.d1*tan(a5)+d2*tan(a6)＝tw
108.在上式中，tw表示在平行于基板200的面的水平方向上的圆柱形靶110h的中心o1和圆柱形靶110i的中心o2之间的距离，d1表示从圆柱形靶110h的中心o1下降到基板200上的垂线ax1的长度，d2表示从圆柱形靶110i的中心o2下降到基板200上的垂线ax2的长度，a5表示从圆柱形靶110h的中心o1下降到基板200上的垂线ax1和溅射粒子120h的中心线之间的角，并且，a6表示从圆柱形靶110i的中心o2下降到基板200上的垂线ax2和溅射粒子120i的中心线之间的角。
109.在上面说明的图3至图5所示的实施例的特征也可以同时适用于图6以及图7所示的实施例中。
110.将与在上面说明的图一起参照图8以及图9说明根据一实施例的溅射装置。
111.图8示出根据一实施例的包括多个圆柱形靶的溅射装置。
112.根据一实施例的溅射装置可以包括多个圆柱形靶110。多个圆柱形靶110可以以虚拟的中心oh为基准构成圆形或者椭圆形并排列。与此相对应地，基板200也可以以中心oh为基准构成曲面以构成大致圆形或者椭圆形。
113.由此，使得两个圆柱形靶110的溅射粒子120的溅射粒子sp在基板200上的重叠区域cla容易沿着基板200的上面进行扫描。另外，薄膜210的高压缩(compressive)区域和低压缩(tensile)区域之间的压力差可以变小。
114.根据图8所示的实施例的溅射装置可以用于在上面说明的图2至图7所示的溅射方法。
115.例如，在上面说明的图6所示的实施例的情况下，若适用图8的结构，则r1、r2、w1以及w2中的至少一部分也可以一定而与时间无关。
116.图9示出根据一实施例的包括一个圆柱形靶的溅射装置。
117.根据一实施例的溅射装置可以包括一个圆柱形靶110，基板200可以以与圆柱形靶110的中心oa重合或不同的(错开的)基准点ob为中心构成大致圆形或者椭圆形的曲面。基准点ob可以是不脱离圆柱形靶110的边缘周边而位于内部的点。图9示出了形成在基板200上的薄膜210整体形成在以基准点ob为中心的半径ra距离的例。另外，图9示出了基板200弯曲的中心即基准点ob与圆柱形靶110的中心oa不重合的例，但不限于此，基准点ob与中心oa也可以重合。
118.根据本实施例，可以不生成在上面说明那样的重叠区域cla并形成具有整体均匀的膜特性的薄膜210。
119.以上，针对本公开的实施例详细地进行了说明，但是本公开的权利范围不限于此，本领域技术人员利用权利要求书中所定义的本公开的基本概念进行的多种变形和改良形式也属于本公开的权利范围。

技术特征：

1.一种溅射装置，其中，包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子的第二圆柱形靶，所述第一溅射粒子摆动的第一角速度和所述第二溅射粒子摆动的第二角速度不同。2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶的每一个包括至少一个磁体以及能够摆动所述磁体的驱动部。3.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，所述第一圆柱形靶以及所述第二圆柱形靶交替配置。4.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，所述第二角速度是所述第一角速度的aa倍，所述aa是2以上。5.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶包括产生两个以上的第三溅射粒子的第三圆柱形靶以及产生两个以上的第四溅射粒子的第四圆柱形靶，所述第三圆柱形靶的相邻的两个所述第三溅射粒子之间的第一角与所述第四圆柱形靶的相邻的两个所述第四溅射粒子之间的第二角不同。6.根据权利要求5所述的溅射装置，其中，所述第三圆柱形靶的尺寸和所述第四圆柱形靶的尺寸彼此不同。7.根据权利要求6所述的溅射装置，其中，所述第三圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸和所述第四圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸彼此相同。8.根据权利要求5所述的溅射装置，其中，所述第三圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸和所述第四圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸彼此不同。9.根据权利要求5所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶的每一个包括多个磁体，所述第三圆柱形靶所包括的所述多个磁体的配置与所述第四圆柱形靶所包括的所述多个磁体的配置不同。10.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第三溅射粒子的第三圆柱形靶以及产生一个以上的第四溅射粒子的第四圆柱形靶，来自所述第三溅射粒子的溅射粒子和来自所述第四溅射粒子的溅射粒子在基板上的重叠区域中交叉，所述重叠区域构成为在所述基板上扫描并移动。11.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶以虚拟的中心为基准构成圆形或者椭圆形并排列。
12.一种溅射装置，其中，包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶的每一个包括一个以上的溅射粒子、至少一个磁体以及能够摆动所述磁体的驱动部，所述多个圆柱形靶包括所述圆柱形靶的尺寸、所述磁体的尺寸、所述磁体的配置以及所述溅射粒子摆动的角速度中的至少一个彼此不同的第一圆柱形靶以及第二圆柱形靶。13.根据权利要求12所述的溅射装置，其中，所述第一圆柱形靶以及所述第二圆柱形靶交替配置。14.根据权利要求12所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶包括产生两个以上的第三溅射粒子的第三圆柱形靶以及产生两个以上的第四溅射粒子的第四圆柱形靶，所述第三圆柱形靶的相邻的两个所述第三溅射粒子之间的第一角与所述第四圆柱形靶的相邻的两个所述第四溅射粒子之间的第二角不同。15.根据权利要求12所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第三溅射粒子的第三圆柱形靶以及产生一个以上的第四溅射粒子的第四圆柱形靶，来自所述第三溅射粒子的溅射粒子和来自所述第四溅射粒子的溅射粒子在基板上的重叠区域中交叉，所述重叠区域构成为在所述基板上扫描并移动。16.根据权利要求12所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶以虚拟的中心为基准构成圆形或者椭圆形并排列。17.一种溅射方法，其中，所述溅射方法通过溅射装置执行，所述溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子的第二圆柱形靶，所述第一溅射粒子摆动的第一角速度和所述第二溅射粒子摆动的第二角速度不同。18.根据权利要求17所述的溅射方法，其中，所述多个圆柱形靶的每一个包括至少一个磁体以及能够摆动所述磁体的驱动部。19.一种溅射装置，其中，包括：腔体；以及圆柱形靶，位于所述腔体中，基板位于所述腔体中，所述圆柱形靶包括一个以上的溅射粒子、至少一个磁体以及能够摆动所述磁体的驱动部，所述基板以与所述圆柱形靶的中心相同或不同的基准点为中心构成圆形或者椭圆形的曲面。
20.一种溅射方法，其中，所述溅射方法通过溅射装置执行，所述溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子的第二圆柱形靶，来自所述第一溅射粒子的溅射粒子和来自所述第二溅射粒子的溅射粒子在基板上的重叠区域中交叉，所述重叠区域构成为在所述基板上扫描并移动。

技术总结

本公开涉及一种溅射装置以及溅射方法，根据本公开的一实施例的溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子的第二圆柱形靶，所述第一溅射粒子摆动的第一角速度和所述第二溅射粒子摆动的第二角速度不同。二角速度不同。二角速度不同。