1.本发明涉及一种流平剂，可用于降低通过半加法工艺(semi-additive process,sap)和改进的半加法工艺(modified semi-additive process,msap)等
图案化工艺形成的
电路图案的平整度(即电路图案的高度偏差率)，并最大限度地减少电路图案的镀层厚度差异，以及包含所述流平剂的电镀
组合物。
背景技术：
2.随着电子产品小型化、集成化的趋势，印刷电路板也实现了小型化和集成化。用于在印刷电路板上形成电路图案的各种工艺是已知的，例如：减法、半加法(semi-additive,sap)和改进的半加法工艺(semi-additive processes,msap)。
3.根据减法工艺，电解铜用于覆铜板(copper clad laminate,ccl)中现有的铜箔上的面板电镀，导致铜箔的总厚度增加。由于蚀刻因素，蚀刻厚铜箔以形成精细电路图案受到限制。
4.因此，目前使用sap或msap工艺来形成精细的电路图案。根据sap或msap工艺，通过化学镀形成种子层，在其上形成光刻胶(photoresist,pr)电路图案，然后电镀形成电路图案。
5.通过上述工艺形成的电路图案可以具有如图3所示的各种线宽w1、w2和w3。具有较窄的宽度w1的线被电镀以具有所需的高度，而不显著地受电流密度强度的影响。相比之下，具有宽度w2和w3的线由于电流密度的强度不同而没有镀到所需的高度，结果，电路图案中的线路高度不恒定，导致电路图案的高度偏差。随着电路图案的高度偏差增加，电路图案的均匀性劣化。这成为降低印刷电路板的性能和可靠性的因素。
6.现有技术文件
7.专利文献
8.(专利文献1)韩国专利公开第2012-0095888号
技术实现要素：
9.本发明的目的在于提供一种在形成电路图案的电镀时能够控制电路图案的高度偏差的流平剂。
10.本发明的目的还在于提供一种包含所述流平剂的电镀组合物。
11.本发明的一个方面提供了一种由式1表示的流平剂：
[0012][0013]
其中，x1和y1各自独立地选自由c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，a1是单键或选自由氧(o)、硫(s)、羰基(c＝o)、nr1、c
1-c
10
亚烷基、c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂亚芳基组成的组，r1选自由氢(h)、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，并且n和m各自独立地为0至10的整数，条件是n和m中的至少一个为1或更大，
[0014]
或包含至少一种结构单元，所述结构单元选自由式2至5所表示的组成的组：
[0015][0016][0017][0018][0019]
其中，a2至a5各自独立地为单键或选自由氧(o)、硫(s)、nr2、羰基(c＝o)、c
1-c
10
亚烷基、c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，r2选自由氢(h)、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，l1和l2各自独立地选自由c
1-c
10
亚烷基、c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂亚芳基组成的组，每个r3独立地选自由氢(h)、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，n和m各自独立地为0至10的整数，条件是n和m中的至少一个为1或更大，并且每个z独立地为1至10的整数，条件是x1和y1中的每一个的烷基、芳基或杂芳基，a1的亚烷基、亚芳基或杂亚芳基，a2至a5中的每一个的亚烷基、亚芳基或杂亚芳基、l1和l2中的每一个的亚烷基、亚芳基或杂芳基以及r1至r3中的每一个的烷基、芳基或杂芳基各自独立地任选被一个或多个选自由卤素基团、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组的取代基取代。
[0020]
式1中的a1可以选自由咪唑、苯并咪唑和吡啶基组成的组。
[0021]
式2中的a2可以由s-1或s-2表示：
[0022][0023]
其中，a2’
选自由c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂亚芳基组成的组，并且l3和l4各自独立地为c
1-c
10
亚烷基。
[0024]
式3中的a3可以是nr2，其中r2可以是c
2-c
20
杂芳基。
[0025]
式4中的a4可以是nr2，其中r2可以是c
2-c
20
杂芳基并且式4中的l1和l2可以各自独立地是c
1-c
10
亚烷基。
[0026]
式5中的a5可以是羰基(c＝o)，并且式5中的l1和l2可以各自独立地为c
1-c
10
亚烷基。
[0027]
本发明的另一方面提供了一种电镀组合物，包括金属离子源和所述流平剂。
[0028]
烷基旨在包括直链和支链的。烷基的具体实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、丁基和戊基。
[0029]
芳基可以是例如：苯基、萘基、联苯基、蒽基和菲基，但不限于此。
[0030]
杂芳基可以是被至少一个杂原子如n、o、s或f中断的一价芳族环状基。
[0031]
亚烷基旨在包括直链和支链的。亚烷基的具体实例包括但不限于亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基和亚戊基。
[0032]
亚芳基可以是例如：亚苯基、亚萘基和亚联苯基，但不限于此。
[0033]
杂亚芳基可以是被至少一个杂原子如n、o、s或f中断的二价芳族环状基。
[0034]
卤素团基可以是例如：氟、溴、氯和碘基。
[0035]
本发明的流平剂由于分子结构中存在烷基结构和氮原子，可以均匀地控制金属离子在目标基材上的吸附程度。因此，即使当根据电路图案的线宽施加不同的电流密度时，金属离子也可以均匀地吸附在用包含根据本发明的流平剂的电镀组合物形成的电路图案中，使得电路图案具有最小高度偏差(恒定的高度)。综上所述，所述电镀组合物的使用可以提供具有改进的性能和可靠性的印刷电路板。
附图说明
[0036]
本发明的这些和/或其他方面和优点将从下面结合附图对实施例的描述中变得显而易见和更容易理解，其中：
[0037]
图1和图2是用于说明实验例1的图；和
[0038]
图3是用于说明现有技术的参考图。
具体实施方式
[0039]
应当理解，说明书和权利要求书中使用的术语和词语不应被解释为具有通常的和字典的含义，而是鉴于以下原则被解释为具有与本发明的技术精神相对应的含义和概念：发明人可以适当地定义术语和词语的概念，以便用最好的方法描述他/她的发明。
[0040]
本发明的目的在于提供一种流平剂，以及包含所述流平剂的电镀组合物，所述流平剂可以控制电镀过程中金属离子的吸附程度，以形成电路图案，即使所述电路图案有各种的线条宽度，也能使电路图案具有均匀(恒定)的高度和正方形形状。
[0041]
现在将详细描述本发明。
[0042]
具体地，本发明提供了一种由式1表示的流平剂：
[0043][0044]
其中，x1和y1各自独立地选自由c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，a1是单键或选自由氧(o)、硫(s)、羰基(c＝o)、nr1、c
1-c
10
亚烷基、c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂亚芳基组成的组，r1选自由氢(h)、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，并且n和m各自独立地为0至10的整数，条件是n和m中的至少一个为1或更大，
[0045]
或包含至少一种结构单元，所述结构单元选自由式2至5所表示的组成的组：
[0046][0047][0048][0049][0050]
其中，a2至a5各自独立地为单键或选自由氧(o)、硫(s)、nr2、羰基(c＝o)、c
1-c
10
亚烷基、c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，r2选自由氢(h)、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，l1和l2各自独立地选自由c
1-c
10
亚烷基、c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂亚芳基组成的组，每个r3独立地选自由氢(h)、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，n和m各自独立地为0至10的整数，条件是n和m中的至少一个为1或更大，并且每个z独立地为1至10的整数，条件是x1和y1中的每一个的烷基、芳基或杂芳基，a1的亚烷基、亚芳基或杂亚芳基，a2至a5中的每一个的亚烷基、亚芳基或杂亚芳基、l1和l2中的每一个的亚烷基、亚芳基或杂芳基以及r1至r3中的每一个的烷基、芳基或杂芳基各自独立地任选被一个或多个选自由卤素基团、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组的取代基取代。
[0051]
具体地，式1中的a1可以选自由咪唑、苯并咪唑和吡啶基组成的组。
[0052]
式2中的a2可以用s-1或s-2表示：
[0053][0054]
其中，a2’
选自由c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂亚芳基组成的组，并且l3和l4各自独立地为c
1-c
10
亚烷基。具体地，a2’可以是亚苯基并且l3和l4可以各自独立地是亚乙基或亚丙基。
[0055]
在s-1或s-2表示的结构中，星号(*)表示键合位置，但此处省略。
[0056]
式3中的a3可以是nr2，其中r2可以是c
2-c
20
杂芳基。具体而言，r2可以是吡啶基。
[0057]
式4中的a4可以是nr2，其中r2可以是c
2-c
20
杂芳基。具体而言，r2可以是吡啶基。式4中的l1和l2可以各自独立地为c
1-c
10
亚烷基。具体而言，l1和l2可以各自独立地为亚乙基或亚丙基。
[0058]
式5中的a5可以是羰基(c＝o)并且式5中的l1和l2可以各自独立地为c
1-c
10
亚烷基。具体而言，l1和l2可以各自独立地为亚乙基、亚丙基、亚丁基或亚戊基。
[0059]
氢原子(h)可以键合到由式2至5表示的每个结构单元的两端。
[0060]
在一个具体的实施方案中，本发明的流平剂可以是包含至少一种选自由c-1至c-6的结构单元的化合物：
[0061][0062]
其中每个z独立地为1至10的整数，但不限于此。
[0063]
本发明的流平剂的合成方法没有特别限制。本发明的流平剂可以通过在溶剂的存在下使烷基化剂与胺化合物反应而高效地合成。具体而言，本发明的流平剂可以通过将烷基化剂溶解在溶剂中，向溶液中添加胺化合物，进行反应来合成。在此，烷基化剂可以定义为通过与胺化合物的取代反应将烷基或亚烷基加成到胺化合物的分子中的化合物。
[0064]
烷基化剂没有特别限制并且可以选自由1,2-双(2-氯乙氧基)乙烷、二氯-间二甲苯、1,3-二氯-2-丙醇、1,4-丁二醇、聚(丙二醇)二缩水甘油醚、1,6-己二醇及其混合物组成的组。
[0065]
胺类化合物没有特别限制，可以选自由苯并咪唑、氨基吡啶、2,6-二氨基吡啶、脲、硫脲、苯胺、1,3-二苯基脲及其混合物组成的组。
[0066]
对于烷基化剂在溶剂中的溶解温度没有特别限制。溶解温度可以是45至110℃，具
体为50至100℃。
[0067]
烷基化剂可以与胺化合物以4:1至3:2的重量比反应。但是，烷基化剂与胺化合物反应的比例没有特别限制。
[0068]
烷基化剂可以与胺化合物反应9至12小时，但反应时间没有特别限制。
[0069]
用于溶解烷基化剂的溶剂没有特别限制并且可以是本领域公知的任何溶剂。例如，考虑到烷基化剂的溶解度和流平剂的合成效率，溶剂可以选自由水性溶剂(例如：水、纯化水和去离子水)、醇溶剂(例如：乙醇和甲醇)、基于二醇的溶剂(例如：乙二醇和丙二醇)和它们的混合物组成的组。
[0070]
本发明的流平剂可以是通过上述合成方法得到的单体，也可以是通过聚合所述单体得到的聚合物。
[0071]
本发明还提供了一种包含该流平剂的电镀组合物。具体地，本发明的电镀组合物包括流平剂和金属离子源。
[0072]
本发明的电镀组合物中所含的流平剂已经在上面进行了描述，因此将省略。流平剂的浓度(含量)没有特别限制，例如，考虑到电路图案的均匀性和电镀效率，可以为5至20ml/l，具体为8至12ml/l。
[0073]
本发明的电镀组合物中包含的金属离子源用作组合物中金属离子的源并且可以是本领域公知的那些中的任何一种。具体地，金属离子源可以是铜离子源。金属离子源的浓度(含量)没有特别限制，例如，考虑到电路图案的均匀性和密度，可以为50至250g/l，具体地为100至150g/l。
[0074]
本发明的电镀组合物还可包含至少一种选自由强酸、卤素离子源、光亮剂和载体组成的组的组分，其可用于提高电镀组合物的物理性能。
[0075]
本发明的电镀组合物可以进一步包含用作电解质的强酸以及ph调节剂。强酸可以是本领域公知的任何一种。具体地，强酸可以选自由硫酸、盐酸、甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、三氟甲磺酸、磺酸、氢溴酸、氟硼酸及其混合物组成的组。强酸的浓度(含量)没有特别限制，例如，考虑到电镀组合物的ph值，可以为50至250g/l，具体为100至150g/l。
[0076]
本发明的电镀组合物还可以包含卤素离子源，其作为组合物中的卤素离子源。卤素离子源可以是本领域公知的任何那些，具体为氯离子源。卤素离子源的浓度(含量)没有特别限制，例如，考虑到电路图案的均匀性和密度，可以为30至60mg/l，具体为40至50mg/l。
[0077]
本发明的电镀组合物可进一步包含增加金属离子还原率以用于快速电镀的光亮剂。光亮剂可以是本领域公知的任何那些。具体地，所述光亮剂可以选自由双(3-磺丙基)二硫化物(钠盐)、3-巯基-1-丙磺酸(钠盐)、3-氨基-1-丙磺酸、o-乙基-s-(3-磺丙基)二硫代碳酸酯(钠盐)、3-(2-苯并噻唑基-1-硫代)-1-丙磺酸(钠盐)、n,n-二甲基二硫代氨基甲酸-(3-磺丙基)酯(钠盐))，以及它们的混合物组成的组。光亮剂的浓度(含量)没有特别限制，例如，考虑到组合物的镀覆速度，可以为0.5至5ml/l，具体为1至3.5ml/l。
[0078]
本发明的电镀组合物可以进一步包括用于增加电路图案的表面平整度的载体。载体可以是本领域公知的任何那些。载体的浓度(含量)没有特别限制，例如，考虑到电路图案的均匀性和镀覆效率，可以为5至15ml/l，具体为8至12ml/l。
[0079]
本发明的电镀组合物可用于形成电路图案的各种工艺中。具体而言，本发明的电镀组合物可用于sap或msap工艺以形成电路图案。然而，本发明的电镀组合物也可用于形成
具有均匀厚度的镀膜的电镀工艺以及用于形成电路图案的电镀工艺。
[0080]
[实施例1]
[0081]
在约90-100℃的温度下，将1,2-双(2-氯乙氧基)乙烷(a)加入并完全溶解在乙二醇中。接着，以相对于1,2-双(2-氯乙氧基)乙烷的4:1(a:b)的重量比添加苯并咪唑(b)。使反应进行约9-12小时以合成流平剂。
[0082]
[实施例2]
[0083]
除了分别使用二氯间二甲苯和氨基吡啶代替1,2-双(2-氯乙氧基)乙烷和苯并咪唑之外，以与实施例1相同的方式合成流平剂。
[0084]
[实施例3]
[0085]
除了分别用1,3-二氯-2-丙醇和2,6-二氨基吡啶代替1,2-双(2-氯乙氧基)乙烷和苯并咪唑外，其余同实施例1合成流平剂。
[0086]
[实施例4]
[0087]
将1,3-二氯-2-丙醇(a)添加到水中并在约100℃下回流以完全溶解。接着，以相对于1,3-二氯-2-丙醇为4:1(a:b)的重量比添加2,6-二氨基吡啶(b)。使反应进行约9-12小时以合成流平剂。
[0088]
[实施例5]
[0089]
除了分别使用1,4-丁二醇和脲代替1,3-二氯-2-丙醇和2,6-二氨基吡啶之外，以与实施例4相同的方式合成流平剂。
[0090]
[实施例6]
[0091]
除了分别使用聚(丙二醇)二缩水甘油醚(分子量：380g/mol)和硫脲代替1,3-二氯-2-丙醇和2,6-二氨基吡啶之外，以与实施例4相同的方式合成流平剂。
[0092]
[实施例7]
[0093]
除了分别使用1,4-丁二醇和苯胺代替1,3-二氯-2-丙醇和2,6-二氨基吡啶之外，以与实施例4相同的方式合成流平剂。
[0094]
[实施例8]
[0095]
在大约50-70℃的温度下，将1,3-二氯-2-丙醇(a)添加到甲醇中并完全溶解在甲醇中。接着，以相对于1,3-二氯-2-丙醇的4:1(a:b)的重量比添加苯胺(b)。使反应进行约9-12小时以合成流平剂。
[0096]
[实施例9]
[0097]
除了分别使用1,4-丁二醇和1,3-二苯基脲代替1,3-二氯-2-丙醇和苯胺之外，以与实施例8相同的方式合成流平剂。
[0098]
[实施例10]
[0099]
除了分别使用1,6-己二醇和1,3-二苯基脲代替1,3-二氯-2-丙醇和苯胺之外，以与实施例8相同的方式合成流平剂。
[0100]
[制备例1]
[0101]
制备包括以下组分的电镀组合物：五水硫酸铜100-150g/l、硫酸100-150g/l、盐酸40-50mg/l、双(磺丙基)二硫化钠1-3.5ml/l、载体10ml/l、实施例1合成的流平剂10ml/l。
[0102]
[制备例2]
[0103]
除了使用实施例2的流平剂代替实施例1的流平剂之外，以与制备例1相同的方式
制备电镀组合物。
[0104]
[比较制备例1]
[0105]
除了使用1,1
’‑
二芐基-4,4
’‑
联吡啶二氯化水合物代替实施例1的流平剂之外，以与制备例1相同的方式制备电镀组合物。
[0106]
[比较制备例2]
[0107]
除了使用伊文思蓝作为染料流平剂代替实施例1的流平剂之外，以与制备例1中相同的方式制备电镀组合物。
[0108]
[比较制备例3]
[0109]
除了使用2-巯基吡啶代替实施例1的流平剂之外，以与制备例1相同的方式制备电镀组合物。
[0110]
[比较制备例4]
[0111]
除了使用kdy2代替实施例1的流平剂之外，以与制备实施例1中相同的方式制备电镀组合物。
[0112]
[实验例1]
[0113]
在基板上形成化学镀铜种子层，然后进行一系列固化/曝光/显影/蚀刻工艺以形成光刻胶电路图案。然后，用制备例1-2和比较制备例1-4中制备的每种电镀组合物对光刻胶电路图案进行电镀。此后，去除光刻胶以形成铜电路图案。电镀条件设定如下：
[0114]-电镀组合物的温度：21-24℃
[0115]-搅拌：0.5-1.5lpm/con。
[0116]-应用电流：1-5asd
[0117]-电极：不溶性电极
[0118]
用光学显微镜观察铜电路图案的横截面。结果如图1和图2所示。
[0119]
图1显示了用制备实施例1和2的电镀组合物形成的电路图案，每个都包括本发明的流平剂。如图1所示，电路图案的厚度是恒定的，无论它们的线宽是窄还是宽。图2显示了用比较制备实施例1-4的电镀组合物形成的电路图案，其中不包括本发明的流平剂。在宽度较宽的线条中，中央部分的高度小于边缘部分。
[0120]
[实验例2]
[0121]
实验例1中形成的铜电路图案的厚度偏差、电路图案在窄幅线处的平整度、以及电路图案在宽幅线处的平整度根据以下等式计算：
[0122]
厚度偏差(μm)＝a-b(1)
[0123]
窄幅线的电路图案平整度(％)＝(a-b)/a
×
100(2)
[0124]
宽幅线的电路图案平整度(％)＝(c-d)/c
×
100(3)
[0125]
其中a：窄幅线中心部分的高度
[0126]
b：窄幅线边缘部分的高度
[0127]
c：宽幅线中心部分的高度
[0128]
d：宽幅线边缘部分的高度
[0129]
结果如表1所示。
[0130]
表1
[0131][0132]
从表1的结果可以看出，使用制备例1和2的电镀组合物(均包含本发明的流平剂)形成的电路图案的厚度偏差更小，并且电路图案的平整度更低。这些结果支持使用本发明的流平剂能够形成具有恒定厚度的均匀电路图案。
技术特征：
1.一种由式1表示的流平剂：其中，x1和y1各自独立地选自由c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，a1是单键或选自由氧(o)、硫(s)、羰基(c＝o)、nr1、c
1-c
10
亚烷基、c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂亚芳基组成的组，r1选自由氢(h)、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，并且n和m各自独立地为0至10的整数，条件是n和m中的至少一个为1或更大，或包含至少一种结构单元，所述结构单元选自由式2至5所表示的组成的组：或包含至少一种结构单元，所述结构单元选自由式2至5所表示的组成的组：或包含至少一种结构单元，所述结构单元选自由式2至5所表示的组成的组：或包含至少一种结构单元，所述结构单元选自由式2至5所表示的组成的组：其中，a2至a5各自独立地为单键或选自由氧(o)、硫(s)、nr2、羰基(c＝o)、c
1-c
10
亚烷基、c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，r2选自由氢(h)、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，l1和l2各自独立地选自由c
1-c
10
亚烷基、c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂亚芳基组成的组，每个r3独立地选自由氢(h)、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组，n和m各自独立地为0至10的整数，条件是n和m中的至少一个为1或更大，并且每个z独立地为1至10的整数，条件是x1和y1中的每一个的烷基、芳基或杂芳基，a1的亚烷基、亚芳基或杂亚芳基，a2至a5中的每一个的亚烷基、亚芳基或杂亚芳基、l1和l2中的每一个的亚烷基、亚芳基或杂芳基以及r1至r3中的每一个的烷基、芳基或杂芳基各自独立地任选被一个或多个选自由卤素基团、c
1-c
10
烷基、c
6-c
20
芳基和c
2-c
20
杂芳基组成的组的取代基取代。2.根据权利要求1所述的流平剂，其中，式1中的a1选自由咪唑、苯并咪唑和吡啶基组成的组。3.根据权利要求1所述的流平剂，其中，式2中的a2由s-1或s-2表示：
其中，a2’
选自由c
6-c
20
亚芳基和c
2-c
20
杂亚芳基组成的组，并且l3和l4各自独立地为c
1-c
10
亚烷基。4.根据权利要求1所述的流平剂，其中，式3中的a3是nr2，其中r2是c
2-c
20
杂芳基。5.根据权利要求1所述的流平剂，其中，式4中的a4为nr2，其中r2为c
2-c
20
杂芳基并且式4中的l1和l2各自独立地为c
1-c
10
亚烷基。6.根据权利要求1所述的流平剂，其中，式5中的a5为羰基(c＝o)，并且式5中的l1和l2各自独立地为c
1-c
10
亚烷基。7.一种电镀组合物，其包含金属离子源和根据权利要求1至6中任一项所述的流平剂。8.根据权利要求7所述的电镀组合物，还包含至少一种选自由强酸、卤素离子源、光亮剂和载体组成的组的组分。9.据权利要求7所述的电镀组合物，其中，所述电镀组合物用于sap或msap工艺以形成电路图案。
技术总结
本发明提供了一种流平剂，其控制用于形成电路图案的电镀工艺。即使所述电路图案具有各种线宽，所述流平剂也允许所述电路图案具有均匀的高度和正方形形状。本发明还提供了一种包括所述流平剂的电镀组合物。括所述流平剂的电镀组合物。括所述流平剂的电镀组合物。
技术研发人员：
全星郁 郑补默 金大根 高乐殷 沈主容
受保护的技术使用者：
宏维科技有限公司
技术研发日：
2022.06.24
技术公布日：
2023/3/10
