阻隔膜及包含该阻隔膜的量子点膜的制作方法

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1.本发明涉及量子点膜技术领域，具体涉及阻隔膜及包含该阻隔膜的量子点膜。

背景技术：

2.量子点是一种半导体纳米颗粒，其粒径在1～10nm之间，由于其较小的物理结构，可以把导电粒子、空穴和激子在三个方向上束缚住，从而具有量子效应。量子点基于其结构特性可以应用于诸多领域，诸如发光器件、太阳能电池、生物荧光标记等领域，具有广泛的应用前景。
3.目前，量子点最为广泛而深刻的应用领域是在光学领域上。将量子点与光固化胶水混合固化成膜后做成的量子点膜，应用于液晶显示器(liquid crystal display)上，可以将ntsc域提高到110％及以上，而目前的液晶显示器的ntsc域只能做到72％左右，从而表现出极佳的彩表现力和逼真度。而有机发光二极管oled，其域水准也逊于量子点且生产成本极高。因此量子点在显示领域的应用无疑更具备广阔的前景和增长力。
4.量子点膜是通过将量子点分散于树脂材料内然后膜片化所得。目前市面上的量子点膜大都采用阻隔膜封装技术，将量子点树脂层用2张阻隔膜夹在中间。这是由于量子点本身的耐水氧性能不佳，很容易在有水氧的条件下发生光化学反应，降低荧光量子产率。
5.现有阻隔膜包括依次层叠设置的聚合物基材层、阻隔层、胶粘剂层、聚合物基材层、扩散层，现有阻隔膜为多层复合膜结构，成本高，产品制备工序复杂，阻隔膜制备加工过程中表观性能不易控制，成品率大受影响，光学性能也降低较多。

技术实现要素：

6.本发明的目的是克服上述不足，提供了一种阻隔膜，结构简单，阻水性能优异，雾度高，透光率提高至90％以上，且与量子点膜之间的胶接性能优异。
7.为实现上述目的，本发明第一方面提供了一种阻隔膜，包括依次层叠设置高聚物基材层、阻隔层、扩散层。
8.优选地，所述高聚物基材层为pet基材层。
9.优选地，所述阻隔层为真空沉积于所述高聚物基材层一面的致密无机氧化物层。
10.优选地，所述致密无机氧化物层为氧化硅层或氧化铝层。
11.优选地，所述阻隔层的厚度为10～200nm。
12.优选地，所述扩散层为掺杂有无机纳米粒子的光固化树脂层。
13.通过在光固化树脂内掺杂无机纳米粒子，使得本发明中的阻隔膜的雾度能够达到3％～6％，实现光均匀扩散。
14.进一步地，所述扩散层由含有掺杂有无机纳米粒子的光固化树脂通过涂布工艺设置于阻隔层。
15.优选地，所述无机纳米粒子为二氧化硅纳米粒子或二氧化钛纳米粒子。
16.优选地，所述光固化树脂层为聚氨酯丙烯酸酯层、聚酯丙烯酸酯层、环氧丙烯酸酯
层、多元醇丙烯酸酯层、环氧树脂层中的任意一种。
17.本发明中的扩散层不仅能够起到对光进行扩散形成均匀的面光源的作用，而且还能起到对阻隔层进行保护的作用。
18.优选地，所述扩散层的厚度为1～10μm。
19.本发明第二方面提供了一种量子点膜，包括量子点层，还包括上述的阻隔膜，所述量子点层两面均设有所述阻隔膜。
20.与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
21.1、本发明中的阻隔膜，结构简单，阻水性能优异，雾度高，透光率提高至90％以上，且pet基材层与量子点膜之间的胶接性能优异。
22.2、本发明中的阻隔膜具体使用时，通过改变高聚物基材层的厚度，即可满足不同量子点的需求，大大促进了量子点膜在光电显示器上的应用，加快了量子点显示屏的市场化进程。
附图说明
23.图1为本发明中的阻隔膜。
24.各标记与部件名称对应关系如下：
25.高聚物基材层1、阻隔层2、扩散层3。
具体实施方式
26.以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
27.实施例1
28.参照图1所示，本实施例公开了一种阻隔膜，包括依次层叠设置高聚物基材层1、阻隔层2、扩散层3。
29.其中，本实施例中的高聚物基材层为pet基材层，本实施例中的高聚物基材层的厚度为12～188um。
30.其中，本实施例中的阻隔层为氧化硅层，氧化硅层的厚度为10nm。
31.其中，本实施例中的扩散层为掺杂有无机纳米粒子的聚酯丙烯酸酯层，本实施例中的扩散层的厚度为10μm；其中，无机纳米粒子为二氧化硅纳米粒子。
32.本实施例中的阻隔膜通过以下步骤制备而成：
33.s1、在pet基材层通过磁控溅射方法沉积一层10nm厚的氧化硅层，再利用涂布设备在氧化硅层上涂敷一层掺杂有无机纳米粒子的聚酯丙烯酸酯层，其中聚酯丙烯酸酯层的厚度为10μm，即得阻隔膜。
34.其中，本实施例中的涂布工艺可以为刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、喷涂发、凹版涂布法中的任意一种。需要注意的是，本实施例中的涂布工艺并不局限于上述选择，本领域技术人员可以根据本领域现有技术、公知常识及惯用手段进行合理设置。
35.实施例2
36.参照图1所示，本实施例公开了一种阻隔膜，包括依次层叠设置高聚物基材层1、阻隔层2、扩散层3。
37.其中，本实施例中的高聚物基材层为pet基材层，本实施例中的高聚物基材层的厚度为12～188um。
38.其中，本实施例中的阻隔层为氧化铝层，氧化硅层的厚度为200nm。
39.其中，本实施例中的扩散层为掺杂有无机纳米粒子的聚酯丙烯酸酯层，本实施例中的扩散层的厚度为1μm；其中，无机纳米粒子为二氧化硅纳米粒子。
40.本实施例中的阻隔膜通过以下步骤制备而成：
41.s1、在pet基材层通过磁控溅射方法沉积一层200nm厚的氧化硅层，再利用涂布设备在氧化硅层上涂敷一层掺杂有无机纳米粒子的聚酯丙烯酸酯层，其中聚酯丙烯酸酯层的厚度为1μm，即得阻隔膜。
42.其中，本实施例中的涂布工艺可以为刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、喷涂发、凹版涂布法中的任意一种。需要注意的是，本实施例中的涂布工艺并不局限于上述选择，本领域技术人员可以根据本领域现有技术、公知常识及惯用手段进行合理设置。
43.实施例3
44.本实施例公开了一种量子点膜，包括量子点层，还包括实施例1中的阻隔膜；其中，量子点层两面均设有阻隔膜。
45.试验例
46.对实施例1、实施例2中的阻隔膜的阻水性、透光率及雾度进行检测。其中，阻水性通过mocon水率测试仪测试，透光率及雾度通过雾度计层测试。
47.经检测，实施例1中所制得的阻隔膜的阻水为0.4g/m2·
day、透光率为91％、雾度为3％。
48.经检测，实施例2中所制得的阻隔膜的阻水性为0.1g/m2·
day、透光率为90％、雾度为6％。
49.综上所述，本发明中的一种阻隔膜，结构简单，阻水性能优异，透光率高，雾度高。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
50.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

技术特征：

1.阻隔膜，其特征在于，包括依次层叠设置高聚物基材层、阻隔层、扩散层。2.如权利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述高聚物基材层为pet基材层。3.如权利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述阻隔层为真空沉积于所述高聚物基材层一面的致密无机氧化物层。4.如权利要求3所述的阻隔膜，其特征在于，所述致密无机氧化物层为氧化硅层或氧化铝层。5.如权利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述阻隔层的厚度为10～200nm。6.如权利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述扩散层为掺杂有无机纳米粒子的光固化树脂层。7.如权利要求6所述的阻隔膜，其特征在于，所述无机纳米粒子为二氧化硅纳米粒子或二氧化钛纳米粒子。8.如权利要求6所述的阻隔膜，其特征在于，所述光固化树脂层为聚氨酯丙烯酸酯层、聚酯丙烯酸酯层、环氧丙烯酸酯层、多元醇丙烯酸酯层、环氧树脂层中的任意一种。9.如权利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述扩散层的厚度为1～10μm。10.量子点膜，包括量子点层，其特征在于，还包括如权利要求1-9任一项所述的阻隔膜，所述量子点层两面均设有所述阻隔膜。

技术总结

本发明公开了阻隔膜及包含该阻隔膜的量子点膜，所述阻隔膜包括依次层叠设置的高聚物基材层、阻隔层、扩散层；其中，所述高聚物基材层为PET基材层，所述阻隔层为真空沉积于所述高聚物基材层一面的致密无机氧化物层，所述扩散层为掺杂有无机纳米粒子的光固化树脂层。本发明中的阻隔膜，结构简单，阻水性能优异，雾度高，透光率提高至90％以上，且与量子点膜之间的胶接性能优异。的胶接性能优异。的胶接性能优异。