雾化芯、雾化器、气溶胶发生装置及雾化芯制备方法与流程

阅读：评论：0

1.本发明属于雾化技术领域，特别地，涉及一种雾化芯、雾化器、气溶胶发生装置及雾化芯制备方法。

背景技术：

2.气溶胶发生装置使用的陶瓷雾化芯，通常是在多孔陶瓷的雾化面上附着一层发热膜，通过发热膜对雾化面上的气溶胶形成基质进行加热，使气溶胶形成基质雾化形成气溶胶。当前，在采用w等金属材料在多孔陶瓷上加工形成满足电阻值规范要求的发热膜时，一般需要在多孔陶瓷上加工形成厚达5～10μm的发热膜。由于在多孔陶瓷上加工形成的发热膜厚度较厚，存在加工工艺较复杂、加工难度较大、加工时间较长和加工耗材较多的一系列问题，从而导致发热膜的加工周期长及加工成本高。

技术实现要素：

3.基于现有技术中存在的上述问题，本发明实施例的目的之一在于提供一种雾化芯，以解决现有技术中存在的采用w等金属在多孔陶瓷上加工形成发热膜，需要加工形成厚度较厚的发热膜，导致加工周期长及加工成本高的问题。
4.为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种雾化芯，包括：
5.多孔基体，用于储存及传输气溶胶形成基质；以及
6.发热件，用于在通电后加热并雾化气溶胶形成基质；
7.其中，所述发热件包括设置于所述多孔基体上的贵金属层，所述贵金属层构成所述发热件的第一发热层，所述发热件的厚度为所述发热件的电阻值为0.3～2ω。
8.可选的，所述贵金属层为ag层，所述ag层的厚度为
9.可选的，所述发热层还包括用于与所述多孔基体形成化学键以将所述贵金属层结合于所述多孔基体上的结合层，所述结合层层叠设置于所述多孔基体上，所述贵金属层层叠设置于所述结合层背离所述多孔基体的一面上；所述结合层为金属层或合金层，以使所述结合层可构成所述发热件的第二发热层。
10.可选的，所述贵金属层为ag层，所述结合层为nicr合金层，所述ag层的厚度为所述nicr合金层的厚度为
11.可选的，所述贵金属层为au层，所述结合层为ti金属层，所述au层的厚度为所述ti金属层的厚度为
12.基于现有技术中存在的上述问题，本发明实施例的目的之二在于提供一种具有上述任一方案提供的雾化芯的雾化器。
13.为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种雾化器，包括上述任一方案提供的所述雾化芯。
14.基于现有技术中存在的上述问题，本发明实施例的目的之三在于提供一种具有上
述任一方案提供的雾化芯或雾化器的气溶胶发生装置。
15.为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种气溶胶发生装置，包括上述任一方案提供的所述雾化芯或所述雾化器。
16.本发明实施例中的上述一个或多个技术方案，与现有技术相比，至少具有如下有益效果之一：
17.本发明实施例中的雾化芯、雾化器及气溶胶发生装置，雾化芯结构中，发热件包括设置于多孔基体上的贵金属层，贵金属层构成发热件的第一发热层，以在多孔基体上形成包括贵金属层的发热件。这样，仅需将发热件的厚度控制在的范围内，就可使得发热件的电阻值稳定地控制在0.3～2ω的范围内，达到减薄发热件的厚度且使得发热件的电阻值处于使用规定的电阻范围内的目的，可有效缩短发热件的加工形成时间，减少加工形成发热件所需的靶材，从而使得发热件的加工周期较短及加工生产成本较低。因此，能够良好地克服现有技术中存在的采用w等金属在多孔陶瓷上加工形成发热膜，需要加工形成厚度较厚的发热膜，导致加工周期长及加工生产成本高的缺陷。
18.基于现有技术中存在的上述问题，本发明实施例的目的之四在于提供一种雾化芯制备方法。
19.为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种雾化芯制备方法，包括如下步骤：
20.步骤s01：将多孔基体放入磁控溅射机中进行预热；
21.步骤s02：通过磁控溅射工艺，在所述多孔基体上沉积贵金属层；
22.或者，
23.步骤s01：将多孔基体放入磁控溅射机中进行预热；
24.步骤s02：通过磁控溅射工艺，在所述多孔基体上沉积结合层，所述结合层为金属层或合金层，所述结合层与所述多孔基体形成化学键；
25.步骤s03：通过磁控溅射工艺，在所述结合层上沉积贵金属层，所述贵金属层与所述结合层形成化学键。
26.可选的，所述磁控溅射的溅射功率为50～150w，所述磁控溅射的总溅射时间为40～106分钟。
27.可选的，所述磁控溅射的溅射温度为25～28℃，所述磁控溅射的溅射压力为2～3mt。
28.本发明实施例中的上述一个或多个技术方案，与现有技术相比，至少具有如下有益效果之一：
29.本发明实施例中的雾化芯制备方法，采用薄膜物理相沉积工艺中的磁控溅射工艺，将贵金属靶材磁控溅射于多孔基体上，以在多孔基体上形成包括贵金属层的发热件，使得发热件的电阻值可控制在0.3～2ω的范围内，且使得发热件的厚度可控制在的范围内，可实现大幅度减薄发热件的厚度，可有效缩短发热件的加工形成时间，减少加工形成发热件所需的靶材，从而使得发热件的加工周期较短及加工生产成本较低。此外，本发明实施例中的雾化芯制备方法，采用薄膜物理相沉积工艺中的磁控溅射工艺，将贵金属靶材磁控溅射于多孔基体上，以在多孔基体上形成包括贵金属层的发热件，便于对发热件的厚度与电阻值进行协同调控，保证发热件在使用规定的电阻范围内实现减
薄发热件的厚度。
附图说明
30.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
31.图1为本发明实施例提供的雾化芯的立体结构示意图；
32.图2为图1中所示的雾化芯的爆炸图；
33.图3为本发明另一实施例提供的雾化芯的立体结构示意图；
34.图4为图3中所示的雾化芯的爆炸图；
35.图5为本发明实施例提供的多孔基体的立体结构示意图。
36.其中，图中各附图标记：
37.1-多孔基体；11-吸液面；12-储液槽；13-雾化面；
38.2-发热件；21-贵金属层；22-结合层；
39.3-电极。
具体实施方式
40.为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
41.需要说明的是，当元件被称为“连接于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“多个”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
42.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
43.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电性连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
44.在整个说明书中参考“一个实施例”或“实施例”意味着结合实施例描述的特定特
征，结构或特性包括在本技术的至少一个实施例中。因此，“在一个实施例中”、“在一些实施例中”或“在其中一些实施例中”的短语出现在整个说明书的各个地方，并非所有的指代都是相同的实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何合适的方式组合特定的特征，结构或特性。
45.请一并参阅图1至5，现对本发明实施例提供的雾化芯进行说明。本发明实施例提供的雾化芯用于雾化器，其可在气溶胶发生装置的电源装置的电驱动下发热，将雾化器的储液腔中的气溶胶形成基质加热雾化形成气溶胶，由气溶胶形成基质雾化形成气溶胶可供用户吸食。
46.请进一步结合参阅图1、图2和图5，本发明实施例提供的雾化芯包括多孔基体1和发热件2，多孔基体1，用于储存及传输气溶胶形成基质，发热件2用于在通电后加热并雾化气溶胶形成基质。具体地，多孔基体1的表面形成有用于供气溶胶形成基质加热雾化的雾化面13，可以理解地，多孔基体1的表面形成有雾化面，是指多孔基体1的至少部分外表面形成有雾化面，即多孔基体1一侧外表面或多侧外表面形成有雾化面13。需要注意的是，上述至少部分外表面还可以指多孔基体1一侧外表面上的部分表面形成有雾化面13，即雾化面13的面积小于该侧外表面的面积的情形。多孔基体1上海设有吸液面11，吸液面11上凹设有可储存气溶胶形成基质的储液槽12，多孔基体1内部和/或多孔基体1的表面具有毛细吸附作用的微孔，多孔基体1可通过吸液面11吸附气溶胶形成基质，且多孔基体1吸附、存储的气溶胶形成基质可经由微孔持续传输至雾化面13或发热件2。由于储液槽12的设置，可缩短气溶胶形成基质传输至雾化面13或发热件2的传输距离，有利于充分快速向发热件2供液，避免发热件2发生干烧。上述多孔基体1可以是但不限于多孔陶瓷、多孔玻璃、多孔塑料、多孔纤维或多孔金属等。在多孔基体1为多孔陶瓷时，多孔陶瓷的孔隙率范围可以是但不限于45～65％，进一步的是45％～52.08％，多孔陶瓷的微孔的孔径大小可以是但不限于25～31.33μm，多孔陶瓷的比表面积可以是但不限于0.037～0.049m2/g，进一步的是0.04～0.0433m2/g，静观密度为1.52～1.64g/cm3、比孔容为0.28～0.36ml/g，中值孔径为15～40μm。
47.请进一步结合参阅图1和图2，发热件2包括设置于多孔基体1上的贵金属层21，贵金属层21构成发热件2的第一发热层，发热件2的厚度为3900～发热件2的电阻值为0.3～2ω。根据电阻计算公式可知，发热件2的厚度和导电率决定了发热件2的电阻值大小。在发热件2的导电率一定时，发热件2的厚度越薄时电阻值越大，发热件2的厚度越厚时电阻值越小，故可通过调节与控制发热件2的厚度以达到调节发热件2电阻值的目的。同时，在研发过程中，通过大量的实验发现：当发热件2的厚度太厚的话；一方面，发热件2所需形成时间较长，从而大幅降低生产效率；另一方面，发热件2的应力越大，发热件2在通电使用过程中微观结构遭到破坏，影响发热件2电阻值的稳定性；再一方面，加工形成的发热件2所需的靶材越多，从而大幅提高生产成本。以及考虑到发热件2的电阻太低存在发热件2短路过载的安全隐患，而发热件2的电阻太高存在达不到所需发热功率的问题，因此发热件2的常用电阻为0.2～2ω。考虑发热件2的厚度对发热件2电阻的稳定性的影响，以及考虑发热件2的厚度与形成时长的正向关联，并结合发热件2的常用电阻为0.2～2ω，综合上述考虑，将发热件2的电阻值控制在0.3～2ω。此时，为了达到将发热件2的电阻值控制在0.3～2ω的规范要求之内，通过采用贵金属层21构成发热件2的第一发热层，由于贵金属的电阻率较小，仅需将发热件2的厚度设置在即可满足将发热件2的电阻值控制在
0.3～2ω的规范要求。将发热件2的厚度设置在使得发热件2的厚度处于较薄的厚度范围之内；一方面，发热件2所需形成时间较短，从而大幅提高生产效率；另一方面，发热件2的应力相应减小，避免发热件2在通电使用过程中微观结构遭到破坏，影响发热件2电阻值的稳定性；再一方面，加工形成的发热件2所需的靶材也相应减少，从而大幅降低生产成本。本发明实施例中，选用，贵金属作为发热件2的第一发热层，将发热件2的厚度设置在即可使得发热件2的电阻处于使用规定的电阻范围内。由于大幅度减薄了发热件2的厚度，可有效缩短发热件2的加工形成时间，减少加工形成发热件2所需的材料，从而使得发热件2的加工周期短及加工生产成本低。因此，良好地克服了现有技术中存在的采用w等金属在多孔陶瓷上加工形成发热膜，需要加工形成厚度较厚的发热膜，导致加工周期长及加工生产成本高的缺陷。
48.本发明实施例提供的雾化芯制备方法，与现有技术相比，雾化芯结构中，发热件2包括设置于多孔基体1上的贵金属层21，贵金属层21构成发热件2的第一发热层，以在多孔基体1上形成包括贵金属层21的发热件2。这样，仅需将发热件2的厚度控制在的范围内，就可使得发热件2的电阻值稳定地控制在0.3～2ω的范围内，达到减薄发热件2的厚度且使得发热件2的电阻值处于使用规定的电阻范围内的目的，可有效缩短发热件2的加工形成时间，减少加工形成发热件2所需的靶材，从而使得发热件2的加工周期较短及加工生产成本较低。因此，能够良好地克服现有技术中存在的采用w等金属在多孔陶瓷上加工形成发热膜，需要加工形成厚度较厚的发热膜，导致加工周期长及加工生产成本高的缺陷。
49.在其中一些实施例中，贵金属层21为ag层，ag层的厚度为14000～该实施例中，采用导电率较小的贵金属ag材料，由于贵金属ag材料的导电率较小，将发热件2的厚度设置在即可使得发热件2的电阻处于使用规定的电阻范围内，有利于缩短发热件2的加工周期短及降低发热件2的加工生产成本。需要注意的是，在ag层的厚度大于时，发热件2的电阻值小于0.3ω，而在ag层的厚度小于时，发热件2的电阻值大于2ω，均不能使得发热件2的电阻处于使用规定的电阻范围内，从而使得发热件2无法实现加热雾化气溶胶形成基质的功能。
50.请进一步结合参阅图3和图4，在其中一些实施例中，发热层还包括用于将贵金属层21结合于多孔基体1上的结合层22，结合层22层叠设置于多孔基体1上，贵金属层21层叠设置于结合层22背离多孔基体1的一面上，结合层22可分别与多孔基体1和贵金属层21形成化学键，增强贵金属层21结合于多孔基体1上的稳固性。结合层22为金属层或合金层，以使结合层22可构成发热件2的第二发热层，用于形成金属层或合金层的材料的实例包括诸如ti、cr、ni等金属元素及其合金。可以理解地，能够使得结合层22可分别与多孔基体1和贵金属层21形成化学键的材料，都可以作为结合层22的制作材料。结合层22可分别与多孔基体1和贵金属层21形成化学键，可以是但不限于金属键、共价键和离子键中的至少一种。
51.在其中一些实施例中，贵金属层21为ag层，结合层22为nicr合金层，ag层的厚度为nicr合金层的厚度为该实施例中，采用nicr合金层作为结合层22，并将nicr合金层的厚度为能够增强ag层结合于多孔基体1上的稳固性。需要注意的是，在nicr合金层的厚度小于时，nicr合金层结合ag层的结
合力差，容易造成ag层发生分层脱落。在nicr合金层的厚度大于时，虽然可进一步提高nicr合金层结合ag层的结合力，但不利于发热件2的厚度减薄。因此，综合考虑nicr合金层结合ag层的结合力与发热件2的厚度减薄需求，将nicr合金层的厚度限定为该实施例，采用导电率较小的贵金属ag材料，由于贵金属ag材料的导电率较小，在采用nicr合金层作为结合层22的基础上，仅需将贵金属ag层的厚度设置在即可使得发热件2的电阻处于使用规定的电阻范围内，有利于进一步缩短发热件2的加工周期短及降低发热件2的加工生产成本。需要注意的是，在ag层的厚度大于时，发热件2的电阻值小于0.3ω，而在ag层的厚度小于时，发热件2的电阻值大于2ω，均不能使得发热件2的电阻处于使用规定的电阻范围内，从而使得发热件2无法实现加热雾化气溶胶形成基质的功能。
52.在其中一些实施例中，贵金属层21为au层，结合层22为ti金属层，au层的厚度为ti金属层的厚度为该实施例中，采用ti金属层作为结合层22，并将ti金属层的厚度为不仅能够增强au层结合于多孔基体1上的稳固性，还能进一步减薄结合层22的厚度。需要注意的是，在ti金属层的厚度小于时，ti金属层结合au层的结合力差，容易造成au层发生分层脱落。在ti金属层的厚度大于时，虽然可进一步提高ti金属层结合au层的结合力，但不利于发热件2的厚度减薄。因此，综合考虑ti金属层结合au层的结合力与发热件2的厚度减薄需求，将ti金属层的厚度限定为该实施例，采用导电率较小的贵金属au材料，由于贵金属au材料的导电率较小，在采用ti金属层作为结合层22的基础上，仅需将贵金属au层的厚度设置在即可使得发热件2的电阻处于使用规定的电阻范围内，有利于进一步缩短发热件2的加工周期短及降低发热件2的加工生产成本。需要注意的是，在au层的厚度大于时，发热件2的电阻值小于0.3ω，而在au层的厚度小于时，发热件2的电阻值大于2ω，均不能使得发热件2的电阻处于使用规定的电阻范围内，从而使得发热件2无法实现加热雾化气溶胶形成基质的功能。
53.请进一步结合参阅图1、图2和图4，在其中一些实施例中，雾化芯还包括用于供引线或导电弹针电性连接的电极3，电极3设置于多孔基体1或发热件2的贵金属层21上，电极3与贵金属层21电性相连，则可通过电极3将发热件2的贵金属层21电性连接于电源装置，以通过电源装置向发热件2的贵金属层21供电。需要注意的是，电极3成对设置，电极3可以是但不限于采用银、钯或银钯合金等贵金属材料制成的贵金属电极。贵金属电极可以是通过磁控溅射工艺形成于发热件2的贵金属层21上的贵金属电极层，以使贵金属电极与贵金属层21形成化学键，增强贵金属电极与贵金属层21结合的牢固性。
54.本发明实施例还提供一种雾化器，雾化器包括上述任一实施例提供的雾化芯。因雾化器具有上述任一实施例提供的雾化芯的全部技术特征，故其具有雾化芯相同的技术效果。
55.本发明实施例还提供一种气溶胶发生装置，气溶胶发生装置包括上述任一实施例提供的雾化芯或上述任一实施例提供的的雾化器。因气溶胶发生装置具有上述任一实施例提供的雾化芯或雾化器的全部技术特征，故其具有雾化芯相同的技术效果。
56.本发明实施例还提供一种制备上述任一实施例提供的雾化芯的雾化芯制备方法，其包括如下步骤：
57.步骤s01：将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热。
58.步骤s02：通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积贵金属层21。其中，磁控溅射的溅射功率为50～150w，磁控溅射的总溅射时间为54～106分钟，磁控溅射的溅射温度为25～28℃，磁控溅射的溅射压力为2～3mt。
59.或者，本发明实施例还提供一种制备上述任一实施例提供的雾化芯的雾化芯制备方法，其包括如下步骤：
60.步骤s01：将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热。
61.步骤s02：通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积结合层22，结合层22为金属层或合金层，结合层22与多孔基体1形成化学键。其中，磁控溅射的溅射功率为50～150w，磁控溅射的总溅射时间为40～106分钟，磁控溅射的溅射温度为25～28℃，磁控溅射的溅射压力为2～3mt。
62.步骤s03：通过磁控溅射工艺，在结合层22上沉积贵金属层21，贵金属层21与结合层22形成化学键。其中，磁控溅射的溅射功率为50～150w，磁控溅射的总溅射时间为54～106分钟，磁控溅射的溅射温度为25～28℃，磁控溅射的溅射压力为2～3mt。
63.本发明实施例提供的雾化芯制备方法，与现有技术相比，采用薄膜物理相沉积工艺中的磁控溅射工艺，将贵金属靶材磁控溅射于多孔基体1上，以在多孔基体1上形成包括贵金属层21的发热件2，使得发热件2的电阻值可控制在0.3～2ω的范围内，且使得发热件2的厚度可控制在的范围内，可实现大幅度减薄发热件2的厚度，可有效缩短发热件2的加工形成时间，减少加工形成发热件2所需的靶材，从而使得发热件2的加工周期较短及加工生产成本较低。因此，良好地克服了现有技术中存在的采用w等金属在多孔陶瓷上加工形成发热膜，需要加工形成厚度较厚的发热膜，导致加工周期长及加工生产成本高的缺陷。此外，本发明实施例中的雾化芯制备方法，采用薄膜物理相沉积工艺中的磁控溅射工艺，将贵金属靶材磁控溅射于多孔基体1上，以在多孔基体1上形成包括贵金属层21的发热件2，便于对发热件2的厚度与电阻值进行协同调控，在有效减薄发热件2厚度的基础上，使得发热件2的电阻处于使用规定的电阻范围内，并具有良好的加热雾化效果。
64.为使本发明上述实施细节和操作能清楚地被本领域技术人员理解，以及本发明雾化芯及其制备方法的进步性能显著地体现，以下通过实施例对本发明的实施进行举例说明。
65.实施例1
66.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积ag层。其中，磁控溅射的溅射功率为50w，磁控溅射的总溅射时间为80分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
67.实施例2
68.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积ag层。其中，磁控溅射的溅射功率为55w，磁控溅射的总溅射时间为93分钟，磁控溅射的溅射温度为27℃，磁控溅射的溅射压力为2.5mt。
69.实施例3
70.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积ag层。其中，磁控溅射的溅射功率为60w，磁控溅射的总溅射时间为106分钟，磁控溅射的溅射温度为28℃，磁控溅射的溅射压力为2mt。
71.实施例4
72.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积nicr层，磁控溅射的溅射功率为60w，磁控溅射的总溅射时间为30分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
73.在nicr层上沉积ag层，磁控溅射的溅射功率为40w，磁控溅射的总溅射时间为36分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
74.实施例5
75.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积nicr层，磁控溅射的溅射功率为80w，磁控溅射的总溅射时间为36分钟，磁控溅射的溅射温度为27℃，磁控溅射的溅射压力为2.5mt。
76.在nicr层上沉积ag层，磁控溅射的溅射功率为50w，磁控溅射的总溅射时间为40分钟，磁控溅射的溅射温度为27℃，磁控溅射的溅射压力为2.5mt。
77.实施例6
78.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积nicr层，磁控溅射的溅射功率为100w，磁控溅射的总溅射时间为39分钟，磁控溅射的溅射温度为28℃，磁控溅射的溅射压力为2mt。
79.在nicr层上沉积ag层，磁控溅射的溅射功率为60w，磁控溅射的总溅射时间为43分钟，磁控溅射的溅射温度为28℃，磁控溅射的溅射压力为2mt。
80.实施例7
81.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积ti层，磁控溅射的溅射功率为100w，磁控溅射的总溅射时间为20分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
82.在nicr层上沉积ag层，磁控溅射的溅射功率为40w，磁控溅射的总溅射时间为20分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
83.实施例8
84.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积ti层，磁控溅射的溅射功率为130w，磁控溅射的总溅射时间为23分钟，磁控溅射的溅射温度为27℃，磁控溅射的溅射压力为2.5mt。
85.在nicr层上沉积ag层，磁控溅射的溅射功率为45w，磁控溅射的总溅射时间为25分钟，磁控溅射的溅射温度为27℃，磁控溅射的溅射压力为2.5mt。
86.实施例9
87.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积ti层，磁控溅射的溅射功率为150w，磁控溅射的总溅射时间为26分钟，磁控溅射的溅射温度为28℃，磁控溅射的溅射压力为2mt。
88.在nicr层上沉积ag层，磁控溅射的溅射功率为50w，磁控溅射的总溅射时间为28分钟，磁控溅射的溅射温度为28℃，磁控溅射的溅射压力为2mt。
89.对比例1
90.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积w层。其中，磁控溅射的溅射功率为250w，磁控溅射的总溅射时间为250分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
91.对比例2
92.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积w层。其中，磁控溅射的溅射功率为300w，磁控溅射的总溅射时间为300分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
93.对比例3
94.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积w层。其中，磁控溅射的溅射功率为400w，磁控溅射的总溅射时间为350分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
95.对比例4
96.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积w层。其中，磁控溅射的溅射功率为250w，磁控溅射的总溅射时间为250分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
97.对比例5
98.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积w层。其中，磁控溅射的溅射功率为300w，磁控溅射的总溅射时间为300分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
99.对比例6
100.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积w层。其中，磁控溅射的溅射功率为400w，磁控溅射的总溅射时间为350分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
101.对比例7
102.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积tiw层。其中，磁控溅射的溅射功率为250w，磁控溅射的总溅射时间为250分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
103.对比例8
104.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积tiw层。其中，磁控溅射的溅射功率为300w，磁控溅射的总溅射时间为300分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
105.对比例9
106.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积tiw层。其中，磁控溅射的溅射功率为400w，磁控溅射的总溅射时间为350分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
107.对比例10
108.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积nicr层。其中，磁控溅射的溅射功率为250w，磁控溅射的总溅射时间为250
分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
109.对比例11
110.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积nicr层。其中，磁控溅射的溅射功率为300w，磁控溅射的总溅射时间为300分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
111.对比例12
112.将多孔基体1放入磁控溅射机中，在真空条件下进行预热；通过磁控溅射工艺，在多孔基体1上沉积nicr层。其中，磁控溅射的溅射功率为400w，磁控溅射的总溅射时间为350分钟，磁控溅射的溅射温度为25℃，磁控溅射的溅射压力为3mt。
113.雾化芯相关性能测试：
114.将上述实施例1至实施例9和对比例1至对比例12中的发热件2，分别进行电阻值与厚度的测试。本技术实施例和对比例均在多孔陶瓷上进行镀膜，并采用万用表对多孔陶瓷上镀膜的电阻值进行测试。在测试电阻值的过程中，采用发热件2常用电阻值的标准样品进行对比，标准样品的电阻值为0.2～2ω。相关测试数据如表1。
115.表1实施例1至实施例9和对比例1至对比例12中的发热件的测试数据表
[0116][0117]
由上述表1可知，实施例1至实施例9中的发热件2的电阻值为0.3～2ω，厚度为而对比例4至12中的发热件2的电阻值为2.4～14ω，厚度为而在多孔陶瓷上镀膜形成发热件2，实施例1至实施例9中的发热件2与对比例4至12中的发热件2相比，具有厚度薄的优点，且电阻值符合常用阻值范围要求，而对比例4至12中的发热件2厚度相对较厚，且电阻值不符合常用阻值范围要求。
[0118]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

1.一种雾化芯，其特征在于，包括：多孔基体，用于储存及传输气溶胶形成基质；以及发热件，用于在通电后加热并雾化气溶胶形成基质；其中，所述发热件包括设置于所述多孔基体上的贵金属层，所述贵金属层构成所述发热件的第一发热层，所述发热件的厚度为所述发热件的电阻值为0.3～2ω。2.如权利要求1所述的雾化芯，其特征在于，所述贵金属层为ag层，所述ag层的厚度为3.如权利要求1所述的雾化芯，其特征在于，所述发热层还包括用于与所述多孔基体形成化学键以将所述贵金属层结合于所述多孔基体上的结合层，所述结合层层叠设置于所述多孔基体上，所述贵金属层层叠设置于所述结合层背离所述多孔基体的一面上；所述结合层为金属层或合金层，以使所述结合层可构成所述发热件的第二发热层。4.如权利要求3所述的雾化芯，其特征在于，所述贵金属层为ag层，所述结合层为nicr合金层，所述ag层的厚度为所述nicr合金层的厚度为5.如权利要求3所述的雾化芯，其特征在于，所述贵金属层为au层，所述结合层为ti金属层，所述au层的厚度为所述ti金属层的厚度为6.一种雾化器，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的雾化芯。7.一种气溶胶发生装置，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的雾化芯或如权利要求6所述的雾化器。8.一种雾化芯制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤s01：将多孔基体放入磁控溅射机中进行预热；步骤s02：通过磁控溅射工艺，在所述多孔基体上沉积贵金属层；或者，步骤s01：将多孔基体放入磁控溅射机中进行预热；步骤s02：通过磁控溅射工艺，在所述多孔基体上沉积结合层，所述结合层为金属层或合金层，所述结合层与所述多孔基体形成化学键；步骤s03：通过磁控溅射工艺，在所述结合层上沉积贵金属层，所述贵金属层与所述结合层形成化学键。9.如权利要求8所述的雾化芯制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的溅射功率为50～150w，所述磁控溅射的总溅射时间为40～106分钟。10.如权利要求8所述的雾化芯制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的溅射温度为25～28℃，所述磁控溅射的溅射压力为2～3mt。

技术总结

本发明提供了一种雾化芯、雾化器、气溶胶发生装置及雾化芯制备方法，雾化芯结构中，发热件包括设置于多孔基体上的贵金属层，贵金属层构成发热件的第一发热层，以在多孔基体上形成包括贵金属层的发热件。这样，仅需将发热件的厚度控制在的范围内，就可使得发热件的电阻值稳定地控制在0.3～2Ω的范围内，达到减薄发热件的厚度且使得发热件的电阻值处于使用规定的电阻范围内的目的，可有效缩短发热件的加工形成时间，减少加工形成发热件所需的靶材，从而使得发热件的加工周期较短及加工生产成本较低。本发明实施例中的雾化芯制备方法，便于对发热件的厚度与电阻值进行协同调控，在使用规定的电阻范围实现减薄发热件的厚度。的厚度。的厚度。