一种微波高频介质基板图形的激光切割方法与流程

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1.本发明属于微波设备制造技术领域，特别是涉及一种微波高频介质基板图形的激光切割方法。

背景技术：

2.印制电路基板切割成型工艺是印制电路加工制作的主要步骤，其目的是按预先设计的尺寸，完成基板的内槽和外形的切割，制作出满足装配要求的产品。现有的印制电路基板切割批量加工方法主要采用的是数控铣床机械成型工艺，包括如下步骤：印制电路基板、来料检验、基板贴膜、基板打靶标孔、切割文件编辑、切割文件互检及确认、机型铣床盘面定位、设备台面打定位孔上销钉、基板上料、基板上酚醛盖板并纸胶带固定、工艺参数调用并确认、开始切割、下料并撕膜、图形检验、筛选和包装出货。其中，印制电路基板成型通常可以采用4轴数控铣床设备，搭配专用的高速钨钢刀具，可满足常规基板的成型要求，具体的，采用铣床机械成型工艺，首先需对基板表面进行前处理，正背面都上贴黏度适中的白膜，起到保护图形的作用，然后用打靶机在基板定位孔处打上销钉孔，便于后续安装定位销钉，接着进行成型文件编辑，此时需要编辑下刀位置、成型轨迹、断点连接点位等，成型文件编辑好后进行基板上料、上销钉孔、上酚醛盖板、纸胶带固定等，最后按产品工艺参数进行成型，该成型步骤为关键步骤，需设置铣刀的转速、进给量、下刀深度、切割次数等；最后成型完毕，取板检验。这种现有的成型方式的成型效率高，切割进给量一般为1—2m/min，适用于量产的民用产品，而且机械成型精度一般为
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50um，基本满足普通fr4民用印制电路基板的品质要求。但是，这种现有的机械成型切割工艺存在两个问题，导致其无法满足军用微波高频介质基板的高要求，主要问题包括：第一，成型精度不高，一般为
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50um，而且在下刀位置易产生“耳朵”圆弧，影响外观质量，随着军用微波、毫米波产品的广泛应用，对信息传输起到关键作用的微波高频介质基板的质量要求也越来越高，安装器件位置的“波针孔”精度及形状、信号传输线必须处于居中位置等，无时无刻不考验着基板加工工艺的水平。随着客户产品质量要求的不断提高，常规机械成型的
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50um精度已无法满足要求，而
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50um已经是数控铣床的极限精度，已无法再做出新的调整，且机械成型的主轴在工作过程中，因其z轴方向在不断的上升下降，极易在下刀位置产生震荡，产生“耳朵”圆弧，造成质量异常，影响客户后段的装配工艺；第二，机械成型走刀轨迹处易生成毛刺，需耗费大量的人力和时间进行手工剔除，部分内槽的位置极难剔除，外观检验质量不达标，这是微波高频介质基板切割成型工艺行业的通病，至今无法彻底解决，这就需要专门配置人员进行手工手术刀剔毛刺，或者利用等离子除胶渣工艺去除，但是无法保证能根除毛刺，因此，对于外观质量要求较高的产品，只能产品筛选交付，导致成品率降低，生产成本增加。

技术实现要素：

3.为解决上述问题，本发明提供了一种微波高频介质基板图形的激光切割方法，能够提高切割精度，提高成品率，降低生产成本。
4.本发明提供的一种微波高频介质基板图形的激光切割方法包括：
5.利用酸洗方式对微波高频介质基板进行前处理和背面贴膜；
6.将所述微波高频介质基板置于真空吸附台上，开启真空将所述微波高频介质基板固定住；
7.获取激光成型文件、激光参数和定位点；
8.利用所述定位点对微波高频介质基板进行定位，利用所述激光成型文件和所述激光参数对所述微波高频介质基板进行激光切割；
9.对切割后的微波高频介质基板背面撕膜，并利用无水乙醇浸泡对表面进行处理。
10.优选的，在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法中，所述利用无水乙醇浸泡对表面进行处理之后，还包括：
11.利用弱酸微蚀、喷砂处理和超声波纯水清洗去除所述微波高频介质基板表面的差。
12.优选的，在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法中，所述利用酸洗方式对微波高频介质基板进行前处理包括：
13.将所述微波高频介质基板在草酸里面浸泡25分钟至35分钟，然后在盐酸里面浸泡20分钟至25分钟。
14.优选的，在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法中，所述对微波高频介质基板进行背面贴膜为：
15.在微波高频介质基板的背面贴软胶材质膜。
16.优选的，在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法中，所述真空吸附台上具有25个至30个宽度为100mm至105mm的正方形打孔区域，每个所述打孔区域设置有45个至55个直径为1.8mm至2.2mm的真空吸附孔。
17.优选的，在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法中，所述真空吸附台的厚度为10mm至12mm。
18.优选的，在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法中，当所述微波高频介质基板的厚度为0.127mm且无工艺线时，所述激光参数为一次切割：切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为13.5w至14.0w，振镜扫描次数为40至45，焦距偏移为0μm。
19.优选的，在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法中，当所述微波高频介质基板的厚度为0.127mm且有工艺线、内槽断面切金时，所述激光参数分二次切割：第一次切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为13.5w至14.0w，振镜扫描次数为40至45，焦距偏移为0μm；第二次切割速度为700mm/s至800mm/s，功率为14.5w至15.0w，振镜扫描次数为25至30，焦距偏移为120μm。
20.优选的，在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法中，当所述微波高频介质基板的厚度为0.254mm且无工艺线时，所述激光参数为一次切割：切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为15.2w至15.8w，振镜扫描次数为40至45，焦距偏移为0μm。
21.优选的，在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法中，当所述微波高频介质基板的厚度为0.254mm且有工艺线、内槽断面切金时，所述激光参数分二次切割：第一次切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为15.2w至15.8w，振镜扫描次数为55至60，焦距偏移为0μm；第二次切割速度为700mm/s至800mm/s，功率为15.5w至16.2w，振镜扫描次数为25至30，焦
距偏移为120μm。
22.通过上述描述可知，本发明提供的上述微波高频介质基板图形的激光切割方法，由于包括利用酸洗方式对微波高频介质基板进行前处理和背面贴膜；将所述微波高频介质基板置于真空吸附台上，开启真空将所述微波高频介质基板固定住；获取激光成型文件、激光参数和定位点；利用所述定位点对微波高频介质基板进行定位，利用所述激光成型文件和所述激光参数对所述微波高频介质基板进行激光切割；对切割后的微波高频介质基板背面撕膜，并利用无水乙醇浸泡对表面进行处理，可见采用了这种激光切割的方式，就能够提高切割精度，提高成品率，降低生产成本。
附图说明
23.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
24.图1为本发明提供的一种微波高频介质基板图形的激光切割方法的实施例的示意图；
25.图2为本技术提供的一种真空吸附台的示意图。
具体实施方式
26.本发明的核心是提供一种微波高频介质基板图形的激光切割方法，能够提高切割精度，提高成品率，降低生产成本。
27.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
28.本发明提供的一种微波高频介质基板图形的激光切割方法的实施例如图1所示，图1为本发明提供的一种微波高频介质基板图形的激光切割方法的实施例的示意图，该方法可以包括如下步骤：
29.s1：利用酸洗方式对微波高频介质基板进行前处理和背面贴膜；
30.需要说明的是，这种酸洗方式不仅不会对基板本身造成影响，且对铜层氧化和基板表面变有很好的祛除作用，操作方便，这样处理之后更加适合激光靶标定位。
31.s2：将微波高频介质基板置于真空吸附台上，开启真空将微波高频介质基板固定住；
32.需要说明的是，利用这种真空吸附台能够将微波高频介质基板牢牢固定住，保证在激光切割过程中不会发生偏移，从而能够保证激光切割的精度更高。
33.s3：获取激光成型文件、激光参数和定位点；
34.具体的，在编辑激光成型文件时，首先，靶标和成型轨迹不能有重复线段，激光成型轨迹是完全按cad图的轨迹线运行，如有重复线段，系统会默认多次加工，选择任一定位靶标，按基点复制后的内外铣文件，内外铣文件合并没有问题，未出现重复多余轨迹，但是
靶标点复制过去后轨迹会乘以2倍，导致靶标定位软件无法识别报错，同样，如果成型文件有重复轨迹，激光加工扫描次数也会乘以相应的倍数，增加热效应产生的可能性，因此靶标和成型轨迹要删除多余的重复线段；其次，用cam350编辑激光成型文件转化后不能设置让刀距离；再次，对位靶标选择1.5mm的靶标，表面清晰明亮，断点个数无需太多，每条边不要超过1个，断点间距设置为0.5mm，以免用户不好切割，具体的，识别光刻线路图和成型路径图，将光刻线路图删除，保留成型路径图，将成型路径图周围多余定位孔删除，只保留左右各2个定位圆，如图形涨缩过大，图形中间可适当增加定位圆，此时需检查定位圆圆弧是否平滑和具有圆心，然后需按工艺要求设置图形断点，在命令框输入“br”命令，在用鼠标左键点击需要打断点的线路，输入断点尺寸0.5mm，然后按“回车”键，断点位置需打在直线区域内，保证后续去除的便利性，断点全部设置完成后，保存文件为*.dxf2004格式；然后进行激光器软件参数确认，激光器控制参数如关机重开后需输入远程控制命令，开启激光器后，用功率计测量激光器实际功率，需满足工艺技术标准；再进行定位点编辑，激光器参数设置完，cad成型文件按要求制作完成后，这时需导入图形软件，目的是靶标选择和切割文件格式转换，首先导入格式为.dxf的成型文件，然后选择直径为1.5mm的铜盘设置为整体定位靶标，最后输出相应格式的切割文件，完成本流程，激光成型切割轨迹尽量不要和振镜的虚线重合，以免影响成型质量；最后进行工艺参数确认及加工：第1步是输入铝合金打孔垫板+待成型基板总的材料厚度，基板成型前用卡尺测量，一般情况下，0.127mm基板设置材料厚度为1830mm；0.254mm基板设置材料厚度为1950mm；设置后进行ccd聚焦，保证图像清晰，否则调整z值；第2步是基板上片，尽量保证除基片外区域真空吸附孔都用纸板遮挡，保证真空吸附强度《＝-20.0，真空吸附后可用手适当移动，一般情况下无需再贴纸胶带；第3步是盘面定位，将ccd镜头慢慢移动到左下角第一定位靶标，然后逐个完成全部靶标的识别及抓取，并进行靶标抓取测试，识别精度误差需控制在
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0.005um以内；第4步是设置切割工艺参数，适合激光切割加工的微波高频介质基板厚度主要有0.127mm和0.254mm，其中又分为切割含工艺线产品和无工艺线产品。
35.s4：利用定位点对微波高频介质基板进行定位，利用激光成型文件和激光参数对微波高频介质基板进行激光切割；
36.该步骤可以但不限于采用30w的紫外皮秒激光加工设备进行激光切割。
37.s5：对切割后的微波高频介质基板背面撕膜，并利用无水乙醇浸泡对表面进行处理。
38.以一个具体例子对该步骤进行说明如下：基板加工完后背面撕膜，此时基板切割边缘可能因热效应而变发黑，原因是当皮秒激光作用于基板表面切割作业时，虽在振镜作用下，扫描速度高于400mm/s，但是激光光线瞬时温度还是会高于600℃，微波高频介质基板是双面覆铜，中间一般为聚四氟乙烯材料的介质板，在高温作用下，介质材料会发生炭化引起发黑，一旦发现激光切割后材料有变发黑的现象，需采取如下措施：用无尘布蘸取99％的无水乙醇溶液，轻轻擦拭基板的正面、背面和侧面，擦拭力度不要造成基板表面划伤，无水乙醇溶液处理后，基板发黑现象基本可以解决。
39.通过上述描述可知，本发明提供的上述微波高频介质基板图形的激光切割方法的实施例中，由于包括利用酸洗方式对微波高频介质基板进行前处理和背面贴膜；将微波高频介质基板置于真空吸附台上，开启真空将微波高频介质基板固定住；获取激光成型文件、
激光参数和定位点；利用定位点对微波高频介质基板进行定位，利用激光成型文件和激光参数对微波高频介质基板进行激光切割；对切割后的微波高频介质基板背面撕膜，并利用无水乙醇浸泡对表面进行处理，可见采用了这种激光切割的方式，就能够提高切割精度，提高成品率，降低生产成本。
40.在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法的一个具体实施例中，利用无水乙醇浸泡对表面进行处理之后，还可以包括如下步骤：利用弱酸微蚀、喷砂处理和超声波纯水清洗去除微波高频介质基板表面的差。下面以一个具体的例子对该步骤进行详细说明：将无水乙醇擦拭后的基板进行喷砂处理，喷砂处理主要是消除酒精作用于基板表面产生的差，对基板热效应也有一定去除作用，表面质量更优，喷砂速度可以选择800-1200mm/min，先过弱酸微蚀段，后过喷砂处理段，最后过超声波纯水清洗段，出片烘干后基板表面热效应可彻底解决。
41.在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法的另一个具体实施例中，利用酸洗方式对微波高频介质基板进行前处理可以包括如下步骤：
42.将微波高频介质基板在草酸里面浸泡25分钟至35分钟，然后在盐酸里面浸泡20分钟至25分钟。下面以一个具体的例子对该实施例进行说明如下：对于军用微波高频介质基板来说，因后续装配打金丝要求，表面一般电镀2um左右的薄金，而底层铜金属厚度一般为35um以上，光刻图形一段时间后，基板表面会出现各种脏污和变，在激光成型前，基板表面脏污会影响ccd对定位孔的识别，造成激光成型精度的偏差，因此在激光成型前，用草酸浸泡30分钟，然后再用盐酸浸泡20分钟，因为微波高频介质基板表面采用的沉金或者电镀薄金工艺，金层厚度一般都在2um以下，在加工过程中，因金厚度较薄，底层铜金属极易迁移到表面，造成表面出现花，且因成本原因，一般都只会在图形区域镀金，非图形及靶标区域表面金属是铜，铜是一种暴露在空气中极易氧化的金属，如果不处理极易变发黄或发红，普通机械成型打靶标孔没有影响，但是激光成型是用机器自动识别靶标孔位的，如果靶标图案不清晰可见，就无法识别。本酸洗方案采用草酸及盐酸浸泡处理后，不仅不会对基板本身造成影响，且对铜层氧化和基板表面变有极强的祛除作用，且操作起来十分方便，清洗后就可以进行下步的工艺。
43.在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法的又一个具体实施例中，对微波高频介质基板进行背面贴膜可以为：在微波高频介质基板的背面贴软胶材质膜。软胶材质膜具备一定黏度和柔软性，保证膜能和基板背面紧密贴附。下面以一个具体例子对该实施例进行说明：贴膜时，只需将背面进行保护，因为激光加工时产生的热能和基板背面作用，会造成严重的热效应，背面贴膜保护，激光成型完后撕膜，此种方式热效应较低，喷砂处理后基本可祛除，可以采用软胶材质的蓝膜，参数如下：粘度为12n/25mm，弹性模量为1.5gpa，这样不仅可以起到保护作用，而且去除较为方便。
44.在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法的一个优选实施例中，真空吸附台上具有25个至30个宽度为100mm至105mm的正方形打孔区域，每个打孔区域设置有45个至55个直径为1.8mm至2.2mm的真空吸附孔。进一步的，该真空吸附台的厚度可优选为10mm至12mm。以一个具体例子对该实施例进行说明如下：如图2所示，图2为本技术提供的一种真空吸附台的示意图，基板在切割加工过程中，表面越平整，和底部托板接触得越紧密，加工效果越好，因此，采用这种打孔的真空吸附台，通过外接真空机实现真空吸附效果，真空吸附
台的材质可以优选为304不锈钢，设计宽度为105mm的正方形打孔区域，共5*6个，每个区域设计直径为2.0mm的真空吸附孔49个，真空吸附台的厚度优选为12mm，这种真空吸附台的厚度、孔径、阵列孔位设计能够在激光加工过程中既能保证强度和耐用性，且孔径大小在保证真空吸附效果的同时，可有效对基板激光切割后的材料碎屑进行吸附并收集到集尘桶，如果孔径过大会造成真空吸附孔位处基板塌陷，导致加工精度不佳，孔径过小会导致激光切割后的碎屑堵塞孔位，造成真空吸附效果不佳，在切割过程中极易发生基板移位，无法保证基板加工精度。该真空吸附台经过长期产品验证，能够满足各个尺寸的基板加工要求，该304不锈钢材质不仅可以保证吸附基板，且可以在激光加工过程中对产生的热量进行发散，并且收集加工碎屑，能有效减少激光加工后基板表面的发黑现象。
45.在上述微波高频介质基板图形的激光切割方法的各个实施例基础上，当微波高频介质基板的厚度为0.127mm且无工艺线时，激光参数为一次切割：切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为13.5w至14.0w，振镜扫描次数为40至45，焦距偏移为0μm。
46.而且，当微波高频介质基板的厚度为0.127mm且有工艺线、内槽断面切金时，激光参数分二次切割：第一次切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为13.5w至14.0w，振镜扫描次数为40至45，焦距偏移为0μm；第二次切割速度为700mm/s至800mm/s，功率为14.5w至15.0w，振镜扫描次数为25至30，焦距偏移为120μm。需要说明的是，第二次激光切割的作用是工艺线修边。
47.另一种情况下，当微波高频介质基板的厚度为0.254mm且无工艺线时，激光参数为一次切割：切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为15.2w至15.8w，振镜扫描次数为40至45，焦距偏移为0μm。
48.还有一种情况下，当微波高频介质基板的厚度为0.254mm且有工艺线、内槽断面切金时，激光参数分二次切割：第一次切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为15.2w至15.8w，振镜扫描次数为55至60，焦距偏移为0μm；第二次切割速度为700mm/s至800mm/s，功率为15.5w至16.2w，振镜扫描次数为25至30，焦距偏移为120μm。需要说明的是，第二次激光切割的作用是工艺线修边。
49.还需要说明的是，上述工艺参数是微波高频介质基板激光切割的关键，在每次产品切割过程中，需做首件验证，选取该产品的试验部分进行切割验证，首件效果必须满足激光加工工艺质量要求时，才可进行正式批量生产。
50.综上所述，上述微波高频介质基板图形的激光切割方法可以直接通过cad软件进行切割轨迹编辑，并通过特殊断点连接点方式，保证微波基板在切割完成的情况下，基板主体和边框保持整体连接，后续作业时只需将断点轻轻切割即可，更方便产品在后道工序应用和传递，且在检查编辑激光成型文件时，需要注意检查处理重复线段，此方法可保证激光扫描次数及作用力按工艺要求执行，不会出现重复叠加作用的情况，切割后产品热效应更少，表面质量更优；而且，采用的上述激光加工工艺参数达到了激光加工切割基板的最佳工艺，在保证微波基板能切割穿透的前提下，激光扫描次数和热效应最小，不仅提高了产品加工效率，且能充分保证切割后产品质量；另外，对基板切割后，进行了表面热效应的消除，因高频介质材料本身体质激光切割会产生“炭化”现象，本方案是用无尘布蘸取99％的无水乙醇溶液，轻轻擦拭基板(正、背、侧面)，但前提是必须保证使用最佳的切割工艺条件，如果发黑程度过于严重(超过60％黑度或边缘发黑区域超过0.1mm)，无水乙醇有50％概率处理不
掉，而且必须在切割完成后5min内进行处理，此时基板热效应位置，因激光切割后仍保留一定的温度残留，一般在40℃左右，无水乙醇更容易处理干净，如果基板冷却时处理，那处理效果将大大折扣，且无水乙醇处理后的基板表面容易发花，产生印渍无法处理，此时通过弱酸溶液微蚀喷砂处理后，基本可达到完全祛除，需要注意的是处理激光切割的热效应，处理关键点如下：首先是加工切割工艺条件，保证基板发黑程度不要过于严重；其次是切割后第一时间处理，防止材料炭化后冷却难以祛除；最后需要处理无水乙醇擦拭浸泡造成的表面发花，可通过弱酸溶液微蚀喷砂处理干净。
51.上述微波高频介质基板图形的激光切割方法提高了微波高频介质基板的加工精度，特别适用于对精度要求较高的产品，行业内普通机械成型产品精度只能达到
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50um公差，在排版紧凑的特殊产品成型时，特别容易切割到图形边缘或造成孔内偏差，而激光成型精度可以达到
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30um，图形切割成型精度更高，更能满足后道装配工艺要求。微波高频材料在机械切割成型后，行业内通病无法避免的是图形边缘会产生各种毛刺或毛边，特别是在内槽或孔内，手工难以去除，严重时会影响到后续装配效果和微波参数。毛刺或毛边机械切割成型工艺的问题根节，而本技术提供的上述激光切割方法可有效解决毛刺或毛边问题，基板切割成型后表面质量优，基板边缘无毛刺或毛边，有利于后道装配工艺，微波参数调试效果更佳。机械成型主轴因高速旋转在z轴方向的频繁上下，极易在下刀过程中，造成基板产生“耳朵”异常，对内槽装配工艺要求较高的安装孔或波针孔，无法满足其装配工艺要求，激光切割成型
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30um的加工精度，和直接光斑作用的原理，不会在加工过程中产生其他异常形状，产品加工效果更佳。
52.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：

1.一种微波高频介质基板图形的激光切割方法，其特征在于，包括：利用酸洗方式对微波高频介质基板进行前处理和背面贴膜；将所述微波高频介质基板置于真空吸附台上，开启真空将所述微波高频介质基板固定住；获取激光成型文件、激光参数和定位点；利用所述定位点对微波高频介质基板进行定位，利用所述激光成型文件和所述激光参数对所述微波高频介质基板进行激光切割；对切割后的微波高频介质基板背面撕膜，并利用无水乙醇浸泡对表面进行处理。2.根据权利要求1所述的微波高频介质基板图形的激光切割方法，其特征在于，所述利用无水乙醇浸泡对表面进行处理之后，还包括：利用弱酸微蚀、喷砂处理和超声波纯水清洗去除所述微波高频介质基板表面的差。3.根据权利要求1所述的微波高频介质基板图形的激光切割方法，其特征在于，所述利用酸洗方式对微波高频介质基板进行前处理包括：将所述微波高频介质基板在草酸里面浸泡25分钟至35分钟，然后在盐酸里面浸泡20分钟至25分钟。4.根据权利要求1所述的微波高频介质基板图形的激光切割方法，其特征在于，所述对微波高频介质基板进行背面贴膜为：在微波高频介质基板的背面贴软胶材质膜。5.根据权利要求1所述的微波高频介质基板图形的激光切割方法，其特征在于，所述真空吸附台上具有25个至30个宽度为100mm至105mm的正方形打孔区域，每个所述打孔区域设置有45个至55个直径为1.8mm至2.2mm的真空吸附孔。6.根据权利要求5所述的微波高频介质基板图形的激光切割方法，其特征在于，所述真空吸附台的厚度为10mm至12mm。7.根据权利要求1-6任一项所述的微波高频介质基板图形的激光切割方法，其特征在于，当所述微波高频介质基板的厚度为0.127mm且无工艺线时，所述激光参数为一次切割：切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为13.5w至14.0w，振镜扫描次数为40至45，焦距偏移为0μm。8.根据权利要求1-6任一项所述的微波高频介质基板图形的激光切割方法，其特征在于，当所述微波高频介质基板的厚度为0.127mm且有工艺线、内槽断面切金时，所述激光参数分二次切割：第一次切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为13.5w至14.0w，振镜扫描次数为40至45，焦距偏移为0μm；第二次切割速度为700mm/s至800mm/s，功率为14.5w至15.0w，振镜扫描次数为25至30，焦距偏移为120μm。9.根据权利要求1-6任一项所述的微波高频介质基板图形的激光切割方法，其特征在于，当所述微波高频介质基板的厚度为0.254mm且无工艺线时，所述激光参数为一次切割：切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为15.2w至15.8w，振镜扫描次数为40至45，焦距偏移为0μm。10.根据权利要求1-6任一项所述的微波高频介质基板图形的激光切割方法，其特征在于，当所述微波高频介质基板的厚度为0.254mm且有工艺线、内槽断面切金时，所述激光参数分二次切割：第一次切割速度为400mm/s至450mm/s，功率为15.2w至15.8w，振镜扫描次数
为55至60，焦距偏移为0μm；第二次切割速度为700mm/s至800mm/s，功率为15.5w至16.2w，振镜扫描次数为25至30，焦距偏移为120μm。

技术总结

本申请公开了一种微波高频介质基板图形的激光切割方法，包括利用酸洗方式对微波高频介质基板进行前处理和背面贴膜；将所述微波高频介质基板置于真空吸附台上，开启真空将所述微波高频介质基板固定住；获取激光成型文件、激光参数和定位点；利用所述定位点对微波高频介质基板进行定位，利用所述激光成型文件和所述激光参数对所述微波高频介质基板进行激光切割；对切割后的微波高频介质基板背面撕膜，并利用无水乙醇浸泡对表面进行处理。本申请公开的上述微波高频介质基板图形的激光切割方法，能够提高切割精度，提高成品率，降低生产成本。本。本。