介孔中空核壳结构及其制备方法、复合材料及电子器件与流程

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1.本公开涉及新材料技术领域，尤其涉及一种介孔中空核壳结构及其制备方法、复合材料及电子器件。

背景技术：

2.为支持第五代移动通信技术(5g)的延时性更低、数据传输量更庞大的技术优势，要求作为通信枢纽的核心路由器(尤其是5g工业路由器)的线路速率愈来愈高，端口密度愈来愈大，体系结构愈来愈完善。
3.5g工业级路由器多用于恶劣复杂的环境下，需要确保5g工业路由器在高温、低温、室外、车载等复杂环境及各种仪器设备的信号干扰的情况下，仍能实现快速高效的多功能数据传输性能和提供安全稳定安心的数据连接共享，因此，要求5g工业级路由器中应用的材料具有高电磁波屏蔽性能。另外，为实现快速高效的数据传输，需要高速运行芯片和电子器件，会导致5g工业级路由器发热更严重，因此，还要求5g工业级路由器中应用的材料具有良好的散热性能。传统单一的散热材料或电磁屏蔽材料已不能够满足5g工业级路由器在复杂环境下长期工作的多功能需求。

技术实现要素：

4.有鉴于此，本公开实施例提供了一种介孔中空核壳结构及其制备方法、复合材料及电子器件，能够同时兼具高导热性能和高电磁屏蔽性能。
5.第一方面，本公开实施例提供了一种介孔中空核壳结构，采用如下技术方案：
6.该介孔中空核壳结构包括：具有纳米结构的二氧化钛内核，以及位于所述二氧化钛内核外部的碳壳体；其中，所述二氧化钛内核和所述碳壳体之间具有空隙；所述碳壳体上分布有多个介孔。
7.可选地，所述二氧化钛内核为二氧化钛纳米线。
8.第二方面，本公开实施例提供一种介孔中空核壳结构的制备方法，采用如下技术方案：
9.所述介孔中空核壳结构的制备方法包括：
10.在二氧化钛纳米材料外部形成二氧化硅硬模板，所述二氧化硅硬模板与所述二氧化钛纳米材料之间具有间隙；
11.在二氧化硅硬模板上生成间苯二酚-甲醛树脂rf，得到tio2@sio2@rf结构；
12.对所述tio2@sio2@rf结构进行碳化处理，将所述间苯二酚-甲醛树脂rf转化为碳；
13.去除碳化处理后的结构中的二氧化硅硬模板，得到tio2@c介孔中空核壳结构，所述碳壳体上分布有多个介孔。
14.可选地，所述在二氧化硅硬模板上生成间苯二酚-甲醛树脂rf，得到tio2@sio2@rf结构包括：
15.将外部包覆有二氧化硅硬模板的二氧化钛纳米材料加入含有乙醇、去离子水和氨
水的混合溶液中，超声搅拌得到第一混合物；
16.将四丁氧基硅烷加入所述第一混合物中，继续搅拌，得到第二混合物；
17.将间苯二酚和甲醛依次加入所述第二混合物中，继续搅拌，得到第三混合物；
18.获取所述第三混合物中的沉淀物，得到tio2@sio2@rf结构。
19.可选地，对所述tio2@sio2@rf结构进行碳化处理包括：在氩气气氛下，在650℃～750℃的碳化温度下，对所述tio2@sio2@rf结构进行碳化处理。
20.可选地，所述去除碳化处理后的结构中的二氧化硅硬模板包括：将所述碳化处理后的结构浸泡在中，去除二氧化硅硬模板。
21.第三方面，本公开实施例提供一种复合材料，采用如下技术方案：
22.所述复合材料包括均匀混合的以上任一项所述的介孔中空核壳结构、导热填料、吸波填料、增稠剂和溶剂。
23.可选地，在所述复合材料中，所述介孔中空核壳结构、所述导热填料、所述吸波填料和所述增稠剂的质量比为：1:(0.1～0.5):(0.05～0.2):(0.02～0.12)。
24.可选地，所述导热填料包括莫来石和sic纤维，所述吸波填料包括batio3纤维。
25.第四方面，本公开实施例提供一种电子器件，采用如下技术方案：
26.所述电子器件包括由以上任一项所述的复合材料制成的主体结构。
27.可选地，所述电子器件还包括：依次包覆于所述主体结构外部的屏蔽底釉和疏水面釉。
28.可选地，所述屏蔽底釉由莫来石、硼硅酸铝、粘土、钛酸钡、碳化硅、金属微粉组成；所述疏水面釉由莫来石、硼硅酸铝、粘土、钛酸钡、碳化硅、ti超细粉和改性二氧化钛组成。
29.本公开实施例提供了介孔中空核壳结构及其制备方法、复合材料及电子器件，该介孔中空核壳结构包括二氧化钛内核，以及位于二氧化钛内核外部的碳壳体，其中，二氧化钛内核和碳壳体之间具有空隙；碳壳体上分布有多个介孔。一方面，碳壳体具有较好的导热性；另一方面，二氧化钛作为传统的陶瓷材料，具有很高的耐磨性、耐高温、耐腐蚀、硬度高且高温下化学稳定性强等优势；再一方面，通过在二氧化钛内核外部包裹碳壳体可以调节其介电常数、热膨胀系数以及阻抗匹配等特性；又一方面，碳壳体上分布的多个介孔，以及内部具有碳-空气-tio2界面，使得其具有优异的电磁波吸收性能和优良的特征阻抗匹配。因此，本公开实施例提供的介孔中空核壳结构能够同时兼具高导热性能和高电磁屏蔽性能。
30.上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为让本公开的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
31.为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
32.图1为本公开实施例提供的介孔中空核壳结构的横截面示意图；
33.图2为本公开实施例提供的介孔中空核壳结构的制备方法流程图；
34.图3为本公开实施例提供的电子器件的横截面示意图。
具体实施方式
35.下面结合附图和实施方式对本公开作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于解释相关内容，而非对本公开的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本公开相关的部分。
36.需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施方式来详细说明本公开的技术方案。
37.除非另有说明，否则示出的示例性实施方式/实施例将被理解为提供可以在实践中实施本公开的技术构思的一些方式的各种细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本公开的技术构思的情况下，各种实施方式/实施例的特征可以另外地组合、分离、互换和/或重新布置。
38.本公开实施例提供了一种介孔中空核壳结构，具体地，如图1所示，该介孔中空核壳结构包括：具有纳米结构的二氧化钛内核10，以及位于二氧化钛内核10外部的碳壳体20；其中，二氧化钛内核10和碳壳体20之间具有空隙30；碳壳体20上分布有多个介孔21。以上介孔21指的是孔径在2nm～50nm范围内的孔。
39.可选地，二氧化钛内核10可以为二氧化钛纳米粒子、二氧化钛纳米线等各种纳米结构，优选为二氧化钛纳米线。一维结构的二氧化钛纳米线具有较高的电荷载流子传输效率和离子分散能力，使其具有较强的电荷收集效率，可使热量和电磁波入射后沿着二氧化钛纳米线的长轴方向传递，不仅能够提供散热通道，还能有效吸收和削弱入射电磁波。另外，二氧化钛纳米线具有更大的比表面积，可以增大导热面积，并提高电磁波的吸附性。
40.可选地，二氧化钛纳米线的直径为0.5μm～1μm，碳壳体20的厚度为40nm～60nm，空隙30的厚度为100nm～200nm；碳壳体20上介孔21的直径为15nm～20nm。
41.由于该介孔中空核壳结构具有上述结构，因此，其能够同时兼具优异的耐高温性能和高电磁屏蔽性能，具体理由如下：
42.一方面，碳壳体具有较好的导热性；
43.另一方面，二氧化钛tio2作为传统的陶瓷材料，具有很高的耐磨性、耐高温、耐腐蚀、硬度高且高温下化学稳定性强等优势，另外，二氧化钛介电常数较高，具有优良的电学性能，有助于提高电磁屏蔽性能；
44.再一方面，通过在二氧化钛内核10外部包裹碳壳体20可以调节其介电常数、热膨胀系数以及阻抗匹配等特性；
45.又一方面，碳壳体20上分布的多个介孔21，以及内部具有碳-空气-tio2界面，使得其具有优异的电磁波吸收性能和优良的特征阻抗匹配，具体地，(1)二氧化钛内核10和碳壳体20之间的空隙30(也可以称为内腔)的设置，不仅可以在交变电磁场下引起电磁波的多次反射和散射，而且还可以引发界面极化，进而提高电磁波吸收性能；(2)每个介孔中空核壳结构由具有介孔21的碳壳体20、空隙30和二氧化钛内核10组成，共同产生介电损耗并可与tio2及周围的基质实现良好匹配的特性阻抗。
46.因此，本公开实施例提供的介孔中空核壳结构能够同时兼具高导热性能和高电磁屏蔽性能。
47.另外，此介孔中空核壳结构中由于介孔21的存在，使得其具有较低的密度，可进一步满足材料轻量化特性的要求。
48.以上介孔中空核壳结构的制备方法可能有多种，只要能成功制备出具有以上结构的介孔中空核壳结构即可。为了便于本领域技术人员理解和实施，下面本公开实施例提供一种介孔中空核壳结构的制备方法，具体地，如图2所示，该介孔中空核壳结构的制备方法包括：
49.步骤s1、在二氧化钛纳米材料外部形成二氧化硅硬模板，二氧化硅硬模板与二氧化钛纳米材料之间具有间隙。
50.其中，步骤s1中的二氧化钛纳米材料可以为现成的，也可以为通过某种方法制备得到的。示例性地，以二氧化钛纳米材料为二氧化钛纳米线为例，本公开实施例中，二氧化钛纳米线的制备方法包括：
51.(1)将tio2纳米微球前驱体加入到naoh溶液中，搅拌一段时间后移入聚四氟乙烯水热釜中进行水热反应后，自然冷却至室温。例如，将2.5g tio2纳米微球前驱体加入80ml 10m naoh溶液中，磁力搅拌器1.5h后移入聚四氟乙烯水热釜中，水热反应条件为在200℃的条件下反应12h。
52.(2)将水热反应后得到的粉体用抽滤机过滤、洗涤并放入烘箱干燥，制得h2ti3o7纳米线粉体。例如，将水热反应后得到的粉体用抽滤机过滤后，水洗至中性，再乙醇洗2次，然后将粉体放入烘箱50℃干燥16h，制得h2ti3o7纳米线粉体。
53.(3)将h2ti3o7纳米线粉体加入到配置好的hcl溶液中浸泡，再离心，洗涤，干燥后放入马弗炉中高温烧结，然后自然冷却至室温，制得一维tio2纳米线。例如，将h2ti3o7纳米线粉体加入到100ml 0.1mol/l的hcl溶液中浸泡12h，再离心，洗涤，干燥后放入马弗炉中高温烧结，高温烧结过程的升温速度可以为3℃～8℃/min，温度到达600℃后，保温4h后，自然冷却至室温，制得一维tio2纳米线。
54.示例性地，仍以二氧化钛纳米材料为二氧化钛纳米线为例，本公开实施例中，步骤s1中在二氧化钛纳米材料外部形成二氧化硅硬模板的具体方式可以为：以二氧化钛纳米线为核，在无表面活性剂的条件下原位生成sio2粒子作为硬模板。本领域技术人员必然可以理解的是，二氧化硅硬模板上具有相应的三维孔道。
55.步骤s2、在二氧化硅硬模板上生成间苯二酚-甲醛树脂(rf，resorcinol-formaldehyde resin)，得到tio2@sio2@rf结构。
56.其中，tio2@sio2@rf结构指的是，以二氧化钛纳米材料为内核，外部依次包裹二氧化硅硬模板和间苯二酚-甲醛树脂形成的核壳结构。在此过程中，部分间苯二酚-甲醛树脂可进入二氧化硅硬模板中的三维孔道，甚至通过三维孔道进入二氧化硅硬模板内侧。
57.可选地，如图3所示，在二氧化硅硬模板上生成间苯二酚-甲醛树脂rf，得到tio2@sio2@rf结构包括：
58.子步骤s21、将外部包覆有二氧化硅硬模板的二氧化钛纳米材料加入含有乙醇、去离子水和氨水的混合溶液中，超声搅拌得到第一混合物。例如，将外部包覆有二氧化硅硬模板的二氧化钛纳米线加入含有乙醇80ml、去离子水13ml、氨水5ml(27wt％)的混合溶液中，超声分散20min后继续在室温下搅拌10min得到第一混合物。
59.子步骤s22、将四丁氧基硅烷(tpos)加入第一混合物中，继续搅拌，得到第二混合
物。例如，将2.083g四丁氧基硅烷加入到第一混合物中，继续搅拌45min，得到第二混合物。
60.子步骤s23、将间苯二酚和甲醛依次加入第二混合物中，继续搅拌，得到第三混合物。例如，将1g间苯二酚和0.6ml甲醛(37wt％)依次加入第二混合物中，继续搅拌20h，得到第三混合物。
61.子步骤s24、获取第三混合物中的沉淀物，得到tio2@sio2@rf结构。
62.本公开实施例中可以通过用抽滤泵抽滤，洗涤和干燥的方式，或者，反应结束后静置，再用烘箱真空干燥的方式获取第三混合物中的沉淀物，得到tio2@sio2@rf结构。例如，子步骤s23中反应结束后静置2h，80℃烘箱真空干燥18h。获取第三混合物中的沉淀物，得到tio2@sio2@rf结构。
63.步骤s3、对tio2@sio2@rf结构进行碳化处理，将间苯二酚-甲醛树脂rf转化为碳。
64.可选地，本公开实施例中，对tio2@sio2@rf结构进行碳化处理包括：在氩气气氛下，在650℃～750℃的碳化温度下，对tio2@sio2@rf结构进行碳化处理。处理时间可以为5.5h。
65.步骤s4、去除碳化处理后的结构中的二氧化硅硬模板，得到tio2@c介孔中空核壳结构，碳壳体上分布有多个介孔。
66.以上tio2@c介孔中空核壳结构指的就是，具有纳米结构的二氧化钛内核10外部具有碳壳体20，二氧化钛内核10和碳壳体20之间具有空隙30，碳壳体20上分布有多个介孔21的结构。
67.可选地，本公开实施例中，去除碳化处理后的结构中的二氧化硅硬模板包括：将碳化处理后的结构浸泡在中，去除二氧化硅硬模板。例如，将碳化处理后的结构浸泡在浓度8wt％～10wt％的中，浸泡1h，去除二氧化硅硬模板。
68.此外，本公开实施例还提供一种复合材料，具体地，该复合材料包括均匀混合的以上任一项的介孔中空核壳结构、导热填料、吸波填料、增稠剂和溶剂。在复合材料中，导热填料、吸波填料与介孔中空核壳结构可以增强成型后得到的结构(也可称为陶瓷基体)的骨架的作用，改善了陶瓷的脆性问题，减小了干燥过程中的收缩率，使得成型后得到的结构具有较好的高温化学稳定性和导热性能。
69.可选地，在复合材料中，介孔中空核壳结构、导热填料、吸波填料和增稠剂的质量比为：1:(0.1～0.5):(0.05～0.2):(0.02～0.12)。例如，介孔中空核壳结构、导热填料、吸波填料和增稠剂的质量比为1：0.15：0.25：0.15：0.1，或者，1：0.15：0.25：0.15：0.1，或者，1：0.15：0.25：0.15：0.1，或者，1：0.1：0.17：0.1：0.07，或者，1：0.075：0.125：0.075：0.025，或者，1：0.06：0.1：0.06：0.02。复合材料中溶剂的具体含量可以根据实际需要进行选择，只要能达到使复合材料均匀的效果，并适配对应的成型工艺即可。
70.可选地，以上导热填料包括莫来石、sic纤维、氧化铝、氧化镁、氮化硅、氮化硼等中的一种或几种，例如，莫来石和sic纤维，其中莫来石也可以具有一定的吸波效果。吸波填料包括batio3纤维、bafeo3纤维、碳纤维、石墨等中的一种或几种，例如，batio3纤维。以上增稠剂为羟乙基纤维素、甲基纤维素、羧甲基纤维素、羟丙基甲基纤维素等中的一种或几种，例如，羟乙基纤维素。以上溶剂包括去离子水和硝酸。
71.制备该复合材料的方法可以有多种，可选地，将介孔中空核壳结构粉体加入去离子水中超声加磁力搅拌混合均匀，然后加入hno3搅拌均匀，然后加入导热填料和吸波填料，最后，加入增稠剂并在搅拌下水浴，制得复合材料。其中，hno3可提供h3o
+
，h
+
离子，在粒子表
面形成正电荷，使正电粒子之间相互排斥力，有助于形成均匀的悬浮液。
72.示例性地，在以上方法中，介孔中空核壳结构粉体与去离子水的重量比为20～50：80，超声加磁力搅拌的时间为10min；hno3的重量是介孔中空核壳结构粉体重量的18％，hno3的浓度为5mol/l～7mol/l，加入hno3后的搅拌时间为30min；3wt％(占介孔中空核壳结构粉体的重量百分比)的莫来石，5wt％(占介孔中空核壳结构粉体的重量百分比)的sic纤维以及3wt％(占介孔中空核壳结构粉体的重量百分比)的batio3纤维；加入2wt％(占介孔中空核壳结构粉体的重量百分比)羟乙基纤维素后，通过电动搅拌器在水浴60℃下搅拌1h。
73.以上复合材料可以通过3d打印等方式成型，此时该复合材料也可以被称为3d打印凝胶，例如，通过下沉式陶瓷3d打印机进行打印成型。例如，通过下沉式陶瓷3d打印机进行打印成型时，打印范围150mm*80mm*220mm，打印速度z方向大于80～100层/h，功耗小于250w，无支撑直立结构(长*宽*高，1500mm*1000mm*600mm)。
74.以上复合材料成型后，可以通过如下方式进行固化和干燥：将成型后的部件(或称为生坯模型)，依次浸入聚乙二醇2000和乙醇中(可防止后续烘干过程中因溶剂蒸发导致的收缩和/或变形)，然后将部件在室温下干燥，最后将干燥后的部件放入马弗炉高温热处理，即可得到具有耐高温高导热及优异的电磁屏蔽性能的部件。例如，首先，将成型后的部件在80℃下浸入聚乙二醇2000中6h，然后，将其再浸入40℃～60℃的乙醇2h～4h，然后在室温下干燥2h～4h，然后，将干燥后的部件放入马弗炉中进行高温热处理，高温热处理的过程为：先加热至600℃，速率为1℃/min并保温1h～3h，然后，以3℃/min的升温速率升至650℃，然后以2℃/min的速率升至1250～1425℃，最后以1℃/min的速率升至1500～1650℃并保温1h～3h。以上分段式的高温热处理工艺可以促进粒子的二次生长，使得到的部件结构更加致密。
75.此外，本公开实施例还提供一种电子器件，该电子器件包括由以上任一项的复合材料制成的主体结构。本公开实施例未对该主体结构的具体形状、尺寸和应用场景等进行限定，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
76.可选地，如图3所示，该电子器件还包括：依次包覆于主体结构40外部的屏蔽底釉50和疏水面釉60。屏蔽底釉50具有提高主体结构40表面的平整度和双重电磁屏蔽效果，且疏水面釉60具有疏水性，提高了电子器件在室外环境的防尘及自清洁能力。
77.可选地，屏蔽底釉50由莫来石、硼硅酸铝、粘土、钛酸钡、碳化硅和金属微粉组成；疏水面釉60由莫来石、硼硅酸铝、粘土、钛酸钡、碳化硅、ti超细粉和改性二氧化钛组成。
78.可选地，主体结构40外部的屏蔽底釉50和疏水面釉60的总厚度为1mm，其中，疏水面釉60的厚度与屏蔽底釉50的厚度比为1：1.5。
79.示例性地，主体结构外部的屏蔽底釉50和疏水面釉60的制作方法包括：
80.(1)将屏蔽底釉50的原料按重量份分别称取、混合和研磨。
81.例如，屏蔽底釉50的原料为莫来石10份，硼硅酸铝12份，粘土8份，钛酸钡15份，碳化硅12份，金属微粉10份。可选地，金属微粉为银超细粉、铂超细粉、铜超细粉、镍超细粉、铁超细粉、钼超细粉、钛超细粉等超细粉中的一种或几种。屏蔽底釉50的原料可以通过球磨的方式进行混合和研磨，球磨过程中料、球、水的质量比为1.0：2.0：0.65。屏蔽底釉50的原料均为粉体，粉体粒径大小为0.5μm～1.0μm。
82.(2)制备改性二氧化钛。
83.具体地，将球状二氧化钛先用无水乙醇处理，然后将乙醇处理后的二氧化钛粉体放入十六烷基三甲基溴化铵溶液中恒温水浴处理，得到改性的二氧化钛粉体。
84.例如，将一定量的球状二氧化钛放入无水乙醇中溶液中，超声加搅拌30min，然后抽滤，并放入60℃烘箱中干燥，得到处理后二氧化钛粉体备用，然后将二氧化钛粉体放入100ml 15wt％的十六烷基三甲基溴化铵溶液中，超声搅拌30min后，用浓氨水调节ph值至8～9，然后恒温水浴80℃下搅拌反应1h，然后自然冷却至室温后抽滤、洗涤粉体至中性，并用乙醇洗涤2次，最后置于60℃烘箱内干燥后研磨，得到改性的二氧化钛粉体。
85.(3)将疏水面釉60的原料按重量份分别称取、混合和研磨。
86.例如，疏水面釉60的原料：莫来石10份，硼硅酸铝10份，粘土7份，钛酸钡12份，碳化硅10份，ti超细粉10份，改性二氧化钛15份。疏水面釉60的原料可以通过球磨的方式进行混合和研磨，球磨过程中料、球、水的质量比为1.0：2.0：0.75。疏水面釉60的原料均为粉体，粉体粒径大小为0.5μm～1.0μm。
87.(4)将主体结构40低温干燥处理，然后采用淋釉的方式施加(1)中制备的屏蔽底釉50的釉浆和(3)中制备的疏水面釉60的釉浆。
88.例如，低温热处理的条件为：200℃下干燥4h。淋釉的方式为：先施加(1)制备的屏蔽底釉50的釉浆，室温干燥2h后，在60℃烘箱内干燥1h，在此基础上重复上述步骤再施加(3)中制备的疏水面釉60的釉浆，室温干燥2.5h后，60℃烘箱内干燥1h。
89.主体结构的施釉总厚度为1mm，其中，屏蔽底釉50的厚度与疏水面釉60的厚度比为1：1.5。
90.(5)将(4)中得到的结构移至马弗炉中，进行高温热处理，进而得到屏蔽底釉和疏水面釉。
91.高温热处理过程可以为：以8℃/min的速率升温至650℃，保温40min，再以15℃/min的速率升温至1150℃，并在温度保温30min，最后以2.0℃/min的速率升温至1450℃，保温25min，自然冷却至室温。
92.下面本公开实施例提供多个具体实施例，以供本领域技术人员更清楚地了解本公开实施例中的技术方案的实现方式及技术效果。
93.实施例1
94.(1)取2.5g tio2纳米微球前驱体加入到80ml naoh(10m)溶液中用磁力搅拌器搅拌1.5h后移入100ml聚四氟乙烯水热釜中，在200℃的条件下进行水热反应12h，将得到的粉体用抽滤机过滤并洗涤(水洗至中性，再醇洗2次)，然后将粉体放入烘箱60℃干燥16h，制得h2ti3o7纳米线粉体。
95.(2)配置0.1mol/l的hcl溶液，将干燥后的h2ti3o7纳米线粉体加入到100ml配置好的hcl溶液中浸泡12h，再离心，洗涤(用去离子水洗涤至溶液为ph＝7后，再用乙醇洗涤2次)，干燥后将其放入马弗炉中，升温速度10℃/min，600℃保温4h后，自然降温室温，得到一维tio2纳米线。
96.(3)采用硬模板法，以tio2纳米线为核，以sio2为模板制备中空核壳结构。首先将包覆有二氧化硅硬模板的tio2纳米线加入含有80ml乙醇、13ml去离子水和5ml(27wt％)氨水溶液中，超声分散20min后继续在室温下搅拌10min，然后将4ml的四丁氧基硅烷tpos加入到上述溶液中，继续搅拌45min后，将1g间苯二酚和0.6ml甲醛(37wt％)加入上述溶液中，继续
搅拌20h。反应结束后静置2h，然后将得到的沉淀物用抽滤泵抽滤和洗涤(去离子水洗3次，乙醇洗涤两次)至中性，然后80℃烘箱真空干燥18h，得到tio2@sio2@rf粉体。
97.(4)将得到的粉体在氩气气氛下750℃碳化7h，得到tio2@sio2@c核壳结构粉体。
98.实施例2
99.(1)取2.5g tio2纳米微球前驱体加入到80ml naoh(10m)溶液中用磁力搅拌器搅拌1.5h后移入100ml聚四氟乙烯水热釜中，在200℃的条件下进行水热反应12h，将得到的粉体用抽滤机过滤并洗涤(水洗至中性，再醇洗2次)，然后将粉体放入烘箱60℃干燥16h，制得h2ti3o7纳米线粉体。
100.(2)配置0.1mol/l的hcl溶液，将干燥后的h2ti3o7纳米线粉体加入到100ml配置好的hcl溶液中浸泡12h，再离心，洗涤(用去离子水洗涤至溶液为ph＝7后，再用乙醇洗涤2次)，干燥后将其放入马弗炉中，升温速度10℃/min，600℃保温4h后，自然降温室温，得到一维tio2纳米线。
101.(3)采用硬模板法，以tio2纳米线为核，以sio2为模板制备中空核壳结构。首先将包覆有二氧化硅硬模板的tio2纳米线加入含有80ml乙醇、13ml去离子水和5ml(27wt％)氨水溶液中，超声分散20min后继续在室温下搅拌10min，然后将3.46ml的四丁氧基硅烷tpos加入到上述溶液中，继续搅拌1.5h后，将1g间苯二酚和0.6ml甲醛(37wt％)加入上述溶液中，继续搅拌20h。反应结束后静置2h，然后将得到的沉淀物用抽滤泵抽滤和洗涤(去离子水洗3次，乙醇洗涤两次)至中性，然后80℃烘箱真空干燥18h，得到tio2@sio2@rf粉体。
102.(4)将得到的粉体在氩气气氛下750℃碳化7h，得到tio2@sio2@c中空核壳结构粉体。
103.(5)将上述粉体通过(hf，8wt％)浸泡1h，去除sio2硬模板，得到tio2@c介孔中空核壳结构粉体。
104.实施例3
105.(1)取2.5g tio2纳米微球前驱体加入到80ml naoh(10m)溶液中用磁力搅拌器搅拌1.5h后移入100ml聚四氟乙烯水热釜中，在200℃的条件下进行水热反应12h，将得到的粉体用抽滤机过滤并洗涤(水洗至中性，再醇洗2次)，然后将粉体放入烘箱60℃干燥16h，制得h2ti3o7纳米线粉体。
106.(2)配置0.1mol/l的hcl溶液，将干燥后的h2ti3o7纳米线粉体加入到100ml配置好的hcl溶液中浸泡12h，再离心，洗涤(用去离子水洗涤至溶液为ph＝7后，再用乙醇洗涤2次)，干燥后将其放入马弗炉中，升温速度10℃/min，600℃保温4h后，自然降温室温，得到一维tio2纳米线。
107.(3)采用硬模板法，以tio2纳米线为核，以sio2为模板制备中空核壳结构。首先将包覆有二氧化硅硬模板的tio2纳米线加入含有80ml乙醇、13ml去离子水和5ml(27wt％)氨水溶液中，超声分散20min后继续在室温下搅拌10min，然后将3.46ml的四丁氧基硅烷tpos加入到上述溶液中，继续搅拌45min后，将1g间苯二酚和0.6ml甲醛(37wt％)加入上述溶液中，继续搅拌20h。反应结束后静置2h，然后将得到的沉淀物用抽滤泵抽滤和洗涤(去离子水洗3次，乙醇洗涤两次)至中性，然后80℃烘箱真空干燥18h，得到tio2@sio2@rf粉体。
108.(4)将得到的粉体在氩气气氛下750℃碳化5.5h，得到tio2@sio2@c中空核壳结构粉体。
109.(5)将上述粉体通过(hf，10wt％)浸泡1h，去除sio2硬模板，得到tio2@c介孔中空核壳结构粉体。
110.实施例4
111.(1)首先将一定量的tio2@sio2@c核壳结构粉体加入去离子水中(tio2@sio2@c核壳结构粉体和去离子水的质量比20：80)超声10min至分散均匀并磁力搅拌混合均匀，然后加入tio2@sio2@c核壳结构粉体重量的18％的5mol/l hno3，搅拌30min。然后依次加入3wt％莫来石、5wt％sic纤维和3wt％batio3纤维，搅拌30min，最后，加入2wt％羟乙基纤维素并通过电动搅拌器在水浴60℃下搅拌1h以获得复合材料。
112.(2)成型工艺选用下沉式陶瓷3d打印机，打印范围150*80*220mm，打印速度z方向大于80层/h，功耗小于250w，无支撑直立结构(长*宽*高，1500mm*1000mm*600mm)。
113.(3)将打印好的生胚模型，在80℃下浸入聚乙二醇2000中6h，然后，将其浸入50℃的乙醇中3h，然后，将其在室温下干燥3h，然后，将干燥后的生胚模型放入马弗炉中先加热至600℃，速率为1℃/min并保持温1.5h，然后，以3℃/min的升温速率升至650℃，然后以2℃/min的速率升至1250℃，最后以1℃/min的速率升至1500℃并保温1.5h，自然冷却至室温，得到具有耐高温高导热及优异的电磁屏蔽性能的电子器件。
114.实施例5
115.(1)首先将一定量的tio2@c介孔中空核壳结构粉体加入去离子水中(tio2@c介孔中空核壳结构粉体和去离子水的质量比20：80)超声10min至分散均匀并磁力搅拌混合均匀，然后加入tio2@c介孔中空核壳结构粉体重量的18％的5mol/l hno3，搅拌30min。然后依次加入3wt％莫来石、5wt％sic纤维和3wt％batio3纤维，搅拌30min，最后，加入2wt％羟乙基纤维素并通过电动搅拌器在水浴60℃下搅拌1h以获得复合材料。
116.(2)成型工艺选用下沉式陶瓷3d打印机，打印范围150*80*220mm，打印速度z方向大于80层/小时，功耗小于250w，无支撑直立结构(长*宽*高，1500mm*1000mm*600mm)。
117.(3)将打印好的生胚模型，在80℃下浸入聚乙二醇2000中6h，然后，将其浸入50℃的乙醇中3h，然后，将其在室温下干燥3h，然后，将干燥后的生胚模型放入马弗炉中先加热至600℃，速率为1℃/min并保温1.5h，然后，以3℃/min的升温速率升至650℃，然后以2℃/min的速率升至1250℃，最后以1℃/min的速率升至1500℃并保温1.5h，自然冷却至室温，得到具有耐高温高导热及优异的电磁屏蔽性能的电子器件。
118.实施例6
119.(1)首先将一定量的tio2@c介孔中空核壳结构粉体加入去离子水中(tio2@c介孔中空核壳结构粉体和去离子水的质量比20：80)超声10min至分散均匀并磁力搅拌混合均匀，然后加入tio2@c介孔中空核壳结构粉体重量的18wt％5mol/l hno3，搅拌30min。然后依次加入3wt％莫来石，5wt％sic和3wt％batio3，搅拌30min，然后，加入2wt％羟乙基纤维素并通过电动搅拌器在水浴60℃下搅拌1h得到复合材料。
120.(2)成型工艺选用下沉式陶瓷3d打印机，打印范围150*80*220mm，打印速度z方向大于100层/h，功耗小于250w，无支撑直立结构(长*宽*高，1500mm*1000mm*600mm)。
121.(3)将打印好的生胚模型，在80℃下浸入聚乙二醇2000中6h。然后，将其浸入50℃的乙醇中干燥3h，然后将其在室温下干燥3h，然后，将干燥后的生胚模型放入马弗炉中先加热至600℃，速率为1℃/min并温保1.5h。然后，以3℃/min的升温速率升至650℃，然后以2
℃/min的速率升至1250℃，最后以1℃/min的速率升至1500℃并保温1.5h，自然冷却至室温，得到具有耐高温高导热及电磁屏蔽性能的电子器件。
122.实施例7
123.(1)首先将一定量的tio2@c介孔中空核壳结构粉体加入去离子水中(tio2@c介孔中空核壳结构粉体和去离子水的质量比30：80)超声10min至分散均匀并磁力搅拌混合均匀，然后加入tio2@c介孔中空核壳结构粉体重量的18wt％5mol/l的hno3，搅拌30min。然后依次加入3wt％莫来石，5wt％sic纤维和3wt％batio3，搅拌30min，然后，加入2wt％羟乙基纤维素并通过电动搅拌器在水浴60℃下搅拌1h以获得复合材料。
124.(2)成型工艺选用下沉式陶瓷3d打印机，打印范围150*80*220mm，打印速度z方向大于100层/h，功耗小于250w，无支撑直立结构(长*宽*高，1500mm*1000mm*600mm)。
125.(3)将打印好的生胚模型，在80℃下浸入聚乙二醇2000中6h。然后，将其浸入50℃的乙醇中干燥3h，然后，将其在室温下干燥3h。然后，将干燥后的生胚模型放入马弗炉中先加热至600℃，速率为1℃/min并保温1.5h，然后，以3℃/min的升温速率升至650℃，然后以2℃/min的速率升至1250℃，最后以1℃/min的速率升至1500℃并保温1.5h，自然冷却至室温，得到具有耐高温高导热及电磁屏蔽性能的电子器件。
126.实施例8
127.(1)首先将一定量的tio2@c介孔中空核壳结构粉体加入去离子水中(tio2@c介孔中空核壳结构粉体和去离子水的重量比40：80)超声10min至分散均匀并磁力搅拌混合均匀，然后加入tio2@c介孔中空核壳结构粉体重量的18wt％5mol/l hno3，搅拌30min。然后依次加入3wt％莫来石，5wt％sic纤维，3wt％batio3，搅拌30min，最后，加入1wt％羟乙基纤维素并通过电动搅拌器在水浴60℃下搅拌1h以获得复合材料。
128.(2)成型工艺选用下沉式陶瓷3d打印机，打印范围150*80*220mm，打印速度z方向大于100层/h，功耗小于250w，无支撑直立结构(长*宽*高，1500mm*1000mm*600mm)。
129.(3)将打印好的生胚模型，在80℃下浸入聚乙二醇2000中6h。然后，将其浸入50℃的乙醇中干燥3h，然后，将其在室温下干燥3h。然后，将干燥后的生胚模型放入马弗炉中先加热至600℃，速率为1℃/min并保温1.5h，然后，以3℃/min的升温速率升至650℃，然后以2℃/min的速率升至1250℃，最后以1℃/min的速率升至1500℃并保温1.5h，自然冷却至室温，得到具有耐高温高导热及电磁屏蔽性能的电子器件。
130.实施例9
131.(1)首先将一定量的tio2@c介孔中空核壳结构粉体加入去离子水中(tio2@c介孔中空核壳结构粉体和去离子水的重量比50：80)超声10min至分散均匀并磁力搅拌混合均匀，然后加入tio2@c介孔中空核壳结构粉体重量的18wt％5mol/l hno3，搅拌30min。然后依次加入3wt％莫来石，5wt％sic纤维，3wt％batio3，搅拌30min，最后加入1wt％羟乙基纤维素并通过电动搅拌器在水浴60℃下搅拌1h以获得复合材料。
132.(2)成型工艺选用下沉式陶瓷3d打印机，打印范围150*80*220mm，打印速度z方向大于100层/h，功耗小于250w，无支撑直立结构(长*宽*高，1500mm*1000mm*600mm)。
133.(3)将打印好的生胚模型，在80℃下浸入聚乙二醇2000中6h。然后，将其浸入50℃的乙醇中干燥3h，然后，将其在室温下干燥3h。将干燥后的生胚模型放入马弗炉中先加热至600℃，速率为1℃/min并保温1.5h，然后，以3℃/min的升温速率升至650℃，然后以2℃/min
的速率升至1250℃，最后以1℃/min的速率升至1500℃并保温1.5h，自然冷却至室温，得到具有耐高温高导热及电磁屏蔽性能的电子器件。
134.实施例10
135.(1)将屏蔽底釉原料按重量份分别称取，具体为：莫来石10份，硼硅酸铝12份，粘土8份，钛酸钡15份，碳化硅12份，ti超细粉10份。屏蔽底釉的釉浆球磨过程中料、球、水的质量比为1.0：2.0：0.65。屏蔽底釉原料为粉体，粉体粒径大小0.5-1.0μm。
136.(2)将一定量的球状二氧化钛放入无水乙醇溶液中，超声加搅拌30min，然后抽滤，并放入60℃烘箱中干燥，得到处理后二氧化钛粉体备用。然后将处理后的二氧化钛粉体，放入100ml十六烷基三甲基溴化铵溶液中，超声加搅拌30min后，用浓氨水调节ph值至8-9，然后恒温水浴80℃搅拌反应1h。自然冷却至室温后抽滤、洗涤粉体至中性，并乙醇洗涤2次，然后60℃烘箱干燥后研磨，得到改性的二氧化钛粉体。
137.(3)将疏水面釉原料按重量份分别称取，具体为：莫来石10份，硼硅酸铝10份，粘土7份，钛酸钡12份，碳化硅10份，ti超细粉10份，(2)中制备的改性二氧化钛15份。疏水面釉的釉浆球磨过程中料、球、水的质量比为1.0：2.0：0.75。疏水面釉原料为粉体，粉体粒径大小为0.5-1.0μm。
138.(4)将实施例8中制备好的生胚模型在温度为200℃的条件下干燥4h，然后采用淋釉的方式施加(1)中制备的屏蔽底釉釉浆，室温干燥2小时后，60℃烘箱干燥1h。在此基础上重复上述步骤施加(3)中制备的疏水面釉釉浆，室温干燥2.5小时后，60℃烘箱干燥1h。施釉总厚度为0.6mm，其中，疏水面釉厚度与屏蔽底釉厚度比为1：1.5。
139.(5)将(4)中最终得到的坯体移至马弗炉中，以10℃/min的速率升温至650℃，保温40min，再以20℃/min的速率升温至1150℃，并在温度保温30min，最后以2.0℃/min的速率升温至1450℃，保温25min，自然冷却至室温，即得具有电磁屏蔽及自清洁功能的电子器件。
140.实施例11
141.(1)将屏蔽底釉原料按重量份分别称取，具体为：莫来石10份，硼硅酸铝12份，粘土8份，钛酸钡15份，碳化硅12份，ti超细粉10份。屏蔽底釉的釉浆球磨过程中料、球、水的质量比为1.0：2.0：0.65。屏蔽底釉原料为粉体，粉体粒径大小0.5-1.0μm。
142.(2)将一定量的球状二氧化钛放入无水乙醇溶液中，超声加搅拌30min，然后抽滤，并放入60℃烘箱中干燥，得到处理后二氧化钛粉体备用。然后将处理后的二氧化钛粉体，放入100ml十六烷基三甲基溴化铵溶液中，超声加搅拌30min后，用浓氨水调节ph值至8-9，然后恒温水浴80℃搅拌反应1h。自然冷却至室温后抽滤、洗涤粉体至中性，并乙醇洗涤2次，然后60℃烘箱干燥后研磨，得到改性的二氧化钛粉体。
143.(3)将疏水面釉原料按重量份分别称取，具体为：莫来石10份，硼硅酸铝10份，粘土7份，钛酸钡12份，碳化硅10份，ti超细粉10份，(2)中制备的改性二氧化钛15份。疏水面釉的釉浆球磨过程中料、球、水的质量比为1.0：2.0：0.75。疏水面釉原料为粉体，粉体粒径大小为0.5-1.0μm。
144.(4)将实施例8中制备好的生胚模型在温度为200℃的条件下干燥4h，然后采用淋釉的方式施加(1)中制备的屏蔽底釉釉浆，室温干燥2小时后，60℃烘箱干燥1h。在此基础上重复上述步骤施加(3)中制备的疏水面釉釉浆，室温干燥2.5小时后，60℃烘箱干燥1h。施釉总厚度为0.8mm，其中，疏水面釉厚度与屏蔽底釉厚度比为1：1.5。
145.(5)将(4)中最终得到的坯体移至马弗炉中，以8℃/min的速率升温至650℃，保温40min，再以15℃/min的速率升温至1150℃，并在温度保温30min，最后以2.0℃/min的速率升温至1450℃，保温25min，自然冷却至室温，即得具有电磁屏蔽及自清洁功能的电子器件。
146.实施例12
147.(1)将屏蔽底釉原料按重量份分别称取，具体为：莫来石10份，硼硅酸铝12份，粘土8份，钛酸钡15份，碳化硅12份，ti超细粉10份。屏蔽底釉釉浆球磨过程中料、球、水的质量比为1.0：2.0：0.65。屏蔽底釉原料为粉体，粉体粒径大小0.5-1.0μm。
148.(2)将一定量的球状二氧化钛放入无水乙醇溶液中，超声加搅拌30min，然后抽滤，并放入60℃烘箱中干燥，得到处理后二氧化钛粉体备用。然后将处理后的二氧化钛粉体，放入100ml十六烷基三甲基溴化铵溶液中，超声加搅拌30min后，用浓氨水调节ph值至8-9，然后恒温水浴80℃搅拌反应1h。自然冷却至室温后抽滤、洗涤粉体至中性，并乙醇洗涤2次，然后60℃烘箱干燥后研磨，得到改性的二氧化钛粉体。
149.(3)将疏水面釉原料按重量份分别称取，具体为：莫来石10份，硼硅酸铝10份，粘土7份，钛酸钡12份，碳化硅10份，ti超细粉10份，(2)中制备的改性二氧化钛15份。疏水面釉的釉浆球磨过程中料、球、水的质量比为1.0：2.0：0.75。疏水面釉原料为粉体，粉体粒径大小为0.5-1.0μm。
150.(4)将实施例8中制备好的生胚模型在温度为200℃的条件下干燥4h，然后采用淋釉的方式施加(1)中制备的屏蔽底釉釉浆，室温干燥2小时后，60℃烘箱干燥1h。在此基础上重复上述步骤施加(3)中制备的疏水面釉釉浆，室温干燥2.5小时后，60℃烘箱干燥1h。施釉总厚度为1mm，其中，疏水面釉厚度与屏蔽底釉厚度比为1：1.5。
151.(5)将(4)中最终得到的坯体移至马弗炉中，以8℃/min的速率升温至650℃，保温40min，再以15℃/min的速率升温至1150℃，并在温度保温30min，最后以2.0℃/min的速率升温至1450℃，保温25min，自然冷却至室温，即得具有电磁屏蔽及自清洁功能的电子器件。
152.通过以下方式测试上述实施例4～12的性能：(1)按照astm d5470测得材料厚度方向上的导热系数；(2)按照矢量网络分析仪上测得材料在2～18ghz频率范围内的电磁参数；(3)疏水性能采用接触角测试：在室温下测试器件表面与水的静态接触角，cosθ＝(δ
sv-δ
sl
)/δ
lv
。(注：δ
sv
、δ
sl
和δ
lv
分别为固-气、固-液和液-气间的界面张力。θ为固、液、气三相平衡时的接触角。当θ＜90
°
时，表现为亲水性；当θ＞90
°
时，表现为疏水性；当θ＜5
°
时，表现为超亲水性表面；当θ＞120
°
时，表现为超疏水性表面。)
153.上述实施例4-12制得的结构或器件的导热性能、吸波性能及疏水性能，如下表1所示：
154.表1
[0155][0156]
由表1可知，本公开实施例中的结构或器件兼具高的导热性能和高的电磁屏蔽性能，另外，疏水面釉可以起到非常好的疏水效果，而且介孔中空核壳结构的反射损耗要明显高于普通核壳结构的反射损耗。
[0157]
另外，现有技术中提供的导热材料，例如专利201410774275.0中实施案例4提供的石墨烯增强有机硅导热材料，其包括有机硅树脂20份、氧化铝45份、石墨烯(厚度1～3nm、尺寸为2～10μm)4份、铂金催化剂0.2份、含氢量为0.4％的含氢硅油0.3份、硅烷偶联剂5份、阻燃剂2份，脱模剂1份，制备方法：将密炼后得混合原料、铂金催化剂、含氢硅油依次加入分散搅拌机，以转速500r/min搅拌2小时后，取出物料，经除气、压延，制得厚度为1.0mm的石墨烯增强有机硅导热材料。导热材料的导热系数为2.0185w/m
·
k。
[0158]
现有技术中提供的电磁屏蔽材料，例如专利202210847652.3实施例5提供的核壳结构吸波剂，其包括核体以及包覆于核体表面的壳材；按质量计，包括11.11g fe3o4、3g碳黑、3.89g甲基丙烯酸甲酯和12g丙烯酸酯以及0.0389g过硫酸钾，最终制得核壳结构吸波剂fc5@a4。其中，铁基芯材为fe3o4，碳基材料为碳黑，壳材为丙烯酸酯，引发剂为过硫酸钾。采用同轴法，通过矢量网络分析仪测得fc5@a4的吸波性能最好，最低反射损耗rlmin为-38.60db。
[0159]
由此可以加以证明，本发明实施例中的材料、器件或部件同时兼具优异的导热性能和电磁屏蔽性能，其导热性能可优于现有导热材料，且同时电磁屏蔽性能可优于现有电磁屏蔽材料。
[0160]
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例/方式”、“一些实施例/方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例/方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例/方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例/方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例/方式或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例/方式或
示例以及不同实施例/方式或示例的特征进行结合和组合。
[0161]
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0162]
本领域的技术人员应当理解，上述实施方式仅仅是为了清楚地说明本公开，而并非是对本公开的范围进行限定。对于所属领域的技术人员而言，在上述公开的基础上还可以做出其它变化或变型，并且这些变化或变型仍处于本公开的范围内。

技术特征：

1.一种介孔中空核壳结构，其特征在于，包括：具有纳米结构的二氧化钛内核，以及位于所述二氧化钛内核外部的碳壳体；其中，所述二氧化钛内核和所述碳壳体之间具有空隙；所述碳壳体上分布有多个介孔。2.根据权利要求1所述的介孔中空核壳结构，其特征在于，所述二氧化钛内核为二氧化钛纳米线。3.一种介孔中空核壳结构的制备方法，其特征在于，包括：在二氧化钛纳米材料外部形成二氧化硅硬模板，所述二氧化硅硬模板与所述二氧化钛纳米材料之间具有间隙；在二氧化硅硬模板上生成间苯二酚-甲醛树脂rf，得到tio2@sio2@rf结构；对所述tio2@sio2@rf结构进行碳化处理，将所述间苯二酚-甲醛树脂rf转化为碳；去除碳化处理后的结构中的二氧化硅硬模板，得到tio2@c介孔中空核壳结构，所述碳壳体上分布有多个介孔。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述在二氧化硅硬模板上生成间苯二酚-甲醛树脂rf，得到tio2@sio2@rf结构包括：将外部包覆有二氧化硅硬模板的二氧化钛纳米材料加入含有乙醇、去离子水和氨水的混合溶液中，超声搅拌得到第一混合物；将四丁氧基硅烷加入所述第一混合物中，继续搅拌，得到第二混合物；将间苯二酚和甲醛依次加入所述第二混合物中，继续搅拌，得到第三混合物；获取所述第三混合物中的沉淀物，得到tio2@sio2@rf结构。5.一种复合材料，其特征在于，包括均匀混合的如权利要求1～2任一项所述的介孔中空核壳结构、导热填料、吸波填料、增稠剂和溶剂。6.根据权利要求5所述的复合材料，其特征在于，在所述复合材料中，所述介孔中空核壳结构、所述导热填料、所述吸波填料和所述增稠剂的质量比为：1:(0.1～0.5):(0.05～0.2):(0.02～0.12)。7.根据权利要求6所述的复合材料，其特征在于，所述导热填料包括莫来石和sic纤维，所述吸波填料包括batio3纤维。8.一种电子器件，其特征在于，包括由权利要求5～7任一项所述的复合材料制成的主体结构。9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，还包括：依次包覆于所述主体结构外部的屏蔽底釉和疏水面釉。10.根据权利要求9所述的电子器件，其特征在于，所述屏蔽底釉由莫来石、硼硅酸铝、粘土、钛酸钡、碳化硅、金属微粉组成；所述疏水面釉由莫来石、硼硅酸铝、粘土、钛酸钡、碳化硅、ti超细粉和改性二氧化钛组成。

技术总结

本公开实施例公开了一种介孔中空核壳结构及其制备方法、复合材料及电子器件。其中，介孔中空核壳结构包括：具有纳米结构的二氧化钛内核，以及位于所述二氧化钛内核外部的碳壳体；其中，所述二氧化钛内核和所述碳壳体之间具有空隙；所述碳壳体上分布有多个介孔。本公开实施例中的技术方案能够同时兼具高导热性能和高电磁屏蔽性能。能和高电磁屏蔽性能。能和高电磁屏蔽性能。