用于含银金属膜的蚀刻液组合物的制作方法

1.本发明涉及一种用于含银金属膜的蚀刻液组合物，更具体地，涉及一种能够抑制鼠咬(mouse bite)现象的发生且防止透明导电膜的蚀刻速率由于外部污染源而降低的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物。

背景技术：

2.由于oled本身发光，并且可以在低电压下驱动，因此已广泛应用于便携式设备等小型显示器以及大型电视。
3.此外，氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)等导电金属具有比较优异的透光率和导电性，因此被广泛用作平板显示装置中使用的滤器的电极。
4.此外，在反射板的情况下，过去主要在产品中使用铝(al)反射板，但是为了通过提高亮度来实现低功耗，正在寻求将材料更改为具有更高反射率的金属。
5.因此，提出了将与应用于平板显示装置的金属相比电阻率低、亮度高的银(ag：比电阻约1.59μω
·
cm)或银合金用作滤器的电极、lcd或oled布线的布线以及反射板的材料的方法，并且需要开发用于应用银或银合金的蚀刻液。
6.然而，在银(ag)或银合金使用现有的蚀刻液时，存在以下问题：银(ag)被过度蚀刻或蚀刻不均匀，从而导致布线翘起或剥落现象，并且布线的侧面轮廓不良。此外，难以实现低偏斜(low skew)以实现高分辨率。
7.特别是，银(ag)的氧化/还原电位低，因此蚀刻后会产生再吸附、残留物等，在这种情况下，相邻的导电图案之间可能会发生短路等。
8.此外，当使用现有的蚀刻液同时蚀刻由银(ag)或银合金制成的膜和透明导电膜构成的多层膜时，由于蚀刻工艺中产生的外部污染源(例如有机螯合剂)，可能会出现透明导电膜的蚀刻速率降低的现象。当出现这种透明导电膜的蚀刻速率降低的现象时，存在以问题：无法在相同的工艺时间内形成所需的布线，并且产生银残留物的概率增加。
9.此外，当使用现有的蚀刻液同时蚀刻由银(ag)或银合金制成的膜和透明导电膜组成的多层膜时，由于银薄膜的局部过度蚀刻现象而出现老鼠咬现象而可能会导致后续工艺的缺陷。
10.韩国专利公开第10-2013-0130515号涉及一种用于含银图案的蚀刻液，并公开了一种蚀刻液，其包括硝酸、草酸、乙酸、作为氧化剂的硫酸盐类化合物和作为缓蚀剂的唑类化合物，并且能够同时蚀刻由银(ag)或银合金制成的单层膜、以及由所述单层膜和透明导电膜组成的多层膜。
11.然而，上述蚀刻液并不能完全解决鼠咬现象和透明导电膜的蚀刻速率降低的问题。

技术实现要素：

12.【要解决的问题】
13.本发明的一个目的是提供一种能够抑制鼠咬现象的发生且防止透明导电膜的蚀刻速率由于外部污染源而降低的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物。
14.本发明的另一目的在于提供一种使用上述用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物形成的含银(ag)金属布线。
15.本发明的另一个目的是提供一种制造含银(ag)金属布线的方法，该方法包括使用用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物进行的蚀刻工艺。
16.【解决问题的方法】
17.此外，本发明提供一种用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其包括硝酸、有机酸和金属盐化合物，并且所述金属盐化合物包含选自由铌(nb)、钴(co)、锆(zr)、铪(hf)、铋(bi)、钯(pd)和铀(u)组成的组中的至少一种金属。
18.在本发明的一个实施方式中，所述含银(ag)金属膜可以是由银(ag)或银合金制成的单层膜、或者是由该单层膜和透明导电膜构成的多层膜。
19.在本发明的一个实施方式中，所述透明导电膜可以是包含氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(itzo)和氧化镓锌(igzo)中的至少一种的膜。.
20.在本发明的一个实施方式中，所述有机酸可以包括碳原子数为1至3的烷基磺酸以及除烷基磺酸以外的有机酸。
21.在本发明的一个实施方式中，所述碳原子数为1至3的烷基磺酸可以包括：选自由甲磺酸、乙磺酸及丙磺酸组成的组中的至少一种。
22.在本发明的一个实施方式中，所述除烷基磺酸以外的有机酸可以包括：选自由乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸及酒石酸组成的组中的至少一种。
23.在本发明的一个实施方式中，所述金属盐化合物可以包括：选自由锆(zr)及铋(bi)组成的组中的至少一种金属。
24.在本发明的一个实施方式中，所述金属盐化合物相对于组合物的总重量的含量可以为0.01至0.5重量％。
25.根据本发明实施方式的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物还可以包括硫酸盐化合物。
26.在本发明的一个实施方式中，所述硫酸盐化合物可以包括：选自由硫酸的碱金属盐、硫酸的碱土金属盐及硫酸的铵盐组成的组中的至少一种。
27.根据本发明实施方式的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物可以包含相对于组合物的总重量的含量为8至15重量％的硝酸、30至63重量％的有机酸以及0.01至0.5重量％的金属盐化合物，并且可以包含剩余量的水以使得组合物的总重量为100重量％。
28.根据本发明的实施方式的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物可以包含相对于组合物的总重量的含量为8至15重量％的硝酸、30至63重量％的有机酸、7至25重量％的硫酸盐化合物以及0.01至0.5重量％的金属盐化合物，并且可以包含剩余量的水以使得组合物的总重量为100重量％。
29.此外，本发明提供一种使用所述用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物形成的含银(ag)金属布线。
30.此外，本发明提供了一种制造含银(ag)金属布线的方法，包括使用用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物进行的蚀刻工艺。
31.【发明效果】
32.根据本发明的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物能够抑制鼠咬现象的发生且防止透明导电膜的蚀刻速率由于外部污染源而降低。
具体实施方式
33.在下文中，将更详细地描述本发明。
34.本发明的一个实施方式涉及一种用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其包括硝酸、有机酸和金属盐化合物，并且所述金属盐化合物包含选自由铌(nb)、钴(co)、锆(zr)、铪(hf)、铋(bi)、钯(pd)和铀(u)组成的组中的至少一种金属。
35.在本发明的一个实施方式中，所述含银(ag)金属膜可以是由银(ag)或银合金制成的单层膜、或者是由该单层膜和透明导电膜构成的多层膜。即，本发明的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物不仅可以蚀刻由银(ag)或银合金构成的单层膜，还可以同时蚀刻由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜。
36.银合金可以是以银为主要成分且包含nd、cu、pd、nb、ni、mo、ni、cr、mg、w、pa、ti等其他金属的合金形态；以及银的氮化物、硅化物、碳化物和氧化物形态等各种形态。
37.在本发明的一个实施方式中，所述透明导电膜可以是包含氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(itzo)和氧化镓锌(igzo)中的至少一种的膜。.
38.所述多层膜可以由透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或透明导电膜/银合金/透明导电膜形成。
39.在下文中，将更详细地描述根据本发明实施方式的蚀刻液组合物的组分。
40.硝酸(a)
41.在本发明的一个实施方式中，硝酸(a)作为氧化剂可以用于氧化由银(ag)或银合金制成的单层膜，即，银薄膜和透明导电膜。
42.所述硝酸相对于组合物的总重量的含量可以为8至15重量％，优选为8至12重量％。当所述硝酸包含在上述含量范围内时，容易控制蚀刻速率，从而可以均匀地蚀刻所述银薄膜和所述透明导电膜。
43.有机酸(b)
44.在本发明的一个实施方式中，有机酸(b)可用作银薄膜的蚀刻剂，以蚀刻被硝酸氧化的银薄膜。
45.所述有机酸可以包括碳原子数为1至3的烷基磺酸(b-1)和除烷基磺酸以外的有机酸(b-2)。
46.所述有机酸相对于组合物的总重量的含量可以为30至63重量％。当所述有机酸包含在上述含量范围内时，由于容易控制银薄膜的蚀刻速率，因此可以防止由于银残留和银再吸附而造成的缺陷。
47.碳原子数为1至3的烷基磺酸(b-1)
48.所述碳原子数为1至3的烷基磺酸(b-1)可以与被硝酸氧化的银薄膜一起用于蚀刻透明导电膜。
49.作为碳原子数1至3的烷基磺酸，例如可以举出甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸等，它们可以单独使用，也可以两种以上混合使用。优选地，甲磺酸可以用作所述碳原子数为1至3的烷
基磺酸。
50.所述碳原子数为1至3的烷基磺酸相对于组合物的总重量的含量可以为3至8重量％。当所述烷基磺酸包含在上述含量范围内时，易于控制所述银薄膜的蚀刻速率和透明导电膜的蚀刻速率，并且可以防止由于银残留和银再吸附而造成的缺陷。
51.除烷基磺酸以外的有机酸(b-2)
52.所述除烷基磺酸以外的有机酸(b-2)作为所述银薄膜的蚀刻剂，可以用于蚀刻被硝酸氧化的银薄膜。
53.作为所述除烷基磺酸以外的有机酸，例如可以举出乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸、酒石酸等，它们可以单独使用，也可以两种以上混合使用。优选地，乙酸和柠檬酸可以用作所述除烷基磺酸以外的有机酸。
54.所述除烷基磺酸以外的有机酸相对于组合物的总重量的含量可以为25至55重量％。当所述有机酸包含在上述含量范围内时，易于控制所述银薄膜的蚀刻速率，并且可以防止由于银残留和银再吸附而造成的缺陷。
55.金属盐化合物(c)
56.在本发明的一个实施方式中，所述金属盐化合物(c)作为针对所述透明导电膜的蚀刻速率保持剂，可用于防止在蚀刻工艺中可能出现的外部污染源(有机螯合剂等有机物)导致透明导电膜的蚀刻速率下降。具体而言，金属盐化合物(c)通过吸附蚀刻工艺中产生的外部污染物来防止所述外部污染物被吸附到透明导电膜。
57.事实上，在蚀刻工艺中使用的蚀刻设备中可能存在由于光刻胶残留物、基板内的有机材料或者各种杂质引起的污染物，由于这样的污染物可能被吸附到透明导电膜上而导致干扰蚀刻的现象。
58.作为所述金属盐化合物，不包括能够氧化银薄膜的金属盐化合物(例如，包含铁、钼等金属的金属盐化合物)。
59.此外，由于根据本发明的一个实施方式的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物可以氧化银薄膜，因此优选不包含铁、钼等金属成分。
60.所述金属盐化合物是选自由铌(nb)、钴(co)、锆(zr)、铪(hf)、铋(bi)、钯(pd)和铀(u)组成的组中的至少一种金属，优选包含选自锆(zr)和铋(bi)中的至少一种金属。
61.例如，所述金属盐化合物可以是磷酸锆、硫酸锆、硝酸铋、铌酸锂、乙酸钴、氧化铪(hfo2)、乙酸钯、硝酸铀等，它们可以单独使用，也可以两种以上混合使用。优选地，作为所述金属盐化合物，可以使用磷酸锆、硫酸锆和/或硝酸铋。
62.所述金属盐化合物相对于组合物的总重量的含量可以为0.01至0.5重量％。当所述金属盐化合物包含在上述含量范围内时，可以防止由于外部污染源导致的透明导电膜的蚀刻速率降低，而不会由于使用金属盐化合物而导致某些布线的局部过度蚀刻现象，即鼠咬现象。
63.硫酸盐化合物(d)
64.根据本发明实施方式的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物还可以包括硫酸盐化合物(d)。
65.在本发明的一个实施方式中，所述硫酸盐化合物(d)作为针对所述透明导电膜的蚀刻剂，可以用于蚀刻透明导电膜。此外，所述硫酸盐化合物(d)引起银薄膜的蚀刻停止现
象，因此即使在蚀刻工艺期间蚀刻时间增加的情况下也可以防止侧蚀刻(side etch)增加。换言之，所述硫酸盐化合物(d)可以控制蚀刻停止(etch stop)现象的发生，从而控制蚀刻速率，并控制侧蚀刻。
66.所述硫酸盐化合物可以包括选自由硫酸的碱金属盐、硫酸的碱土金属盐和硫酸的铵盐组成的组中的至少一种。
67.例如，作为所述硫酸盐化合物，可以是例如硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸氢铵等。它们可以单独使用，也可以两种以上混合使用。
68.所述硫酸盐化合物相对于组合物的总重量的含量可以为7至25重量％。当所述硫酸盐化合物在所述含量范围内时，易于控制蚀刻速率(即控制蚀刻工艺中的蚀刻时间)，刻蚀停止现象有规律地表现出来，从而可以均匀地刻蚀银薄膜和透明导电膜。
69.水(e)
70.此外，根据本发明的一个实施方式的蚀刻液组合物可以包含剩余量的水，以使得组合物的总重量为100重量％。在本发明中，对水没有特别限制，但优选用于半导体加工的去离子水，更优选为显示离子从水中去除的程度的水的比电阻为18mω
·
cm以上去离子水。
71.本发明的“剩余量”是指使包含本发明的必要成分和其他附加组分的总组合物的重量变为100重量％的剩余量，由于“剩余量”的含义，本发明的组合物不限于不含附加成分。
72.根据本发明的一个实施方式的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物可以包含相对于组合物的总重量的含量为8至15重量％的硝酸、30至63重量％的有机酸以及0.01至0.5重量％的金属盐化合物，并且可以包含剩余量的水以使得组合物的总重量为100重量％。
73.根据本发明的一个实施方式的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物可以包含相对于组合物的总重量的含量为8至15重量％的硝酸、碳原子数为1至3的3至8重量％的烷基磺酸、25至55重量％的除烷基磺酸以外的有机酸以及0.01至0.5重量％的金属盐化合物，并且可以包含剩余量的水以使得组合物的总重量为100重量％。
74.根据本发明的一个实施方式的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物可以包含相对于组合物的总重量的含量为8至15重量％的硝酸、30至63重量％的有机酸、7至25重量％的硫酸盐化合物以及0.01至0.5重量％的金属盐化合物，并且可以包含剩余量的水以使得组合物的总重量为100重量％。
75.根据本发明的一个实施方式的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物可以包含相对于组合物的总重量的含量为8至15重量％的硝酸、碳原子数为1至3的3至8重量％烷基磺酸、25至55重量％的除烷基磺酸以外的有机酸、7至25重量％的硫酸盐化合物、以及0.01至0.5重量％的金属盐化合物，并且可以包含剩余量的水以使得组合物的总重量为100重量％。
76.根据本发明的一个实施方式的用于蚀刻液组合物的成分可以通过以往公知的方法制备，优选具有半导体工艺用的纯度。
77.根据本发明的一个实施方式的蚀刻液组合物可以抑制老鼠咬现象的发生并且可以防止由于外部污染源而导致透明导电膜的蚀刻速率降低。
78.此外，根据本发明的一个实施方式的蚀刻液组合物可产生蚀刻停止现象，从而控制蚀刻速率并控制侧蚀刻。因此，在根据本发明的一个实施方式的蚀刻液组合物中，可以实
现多层膜的精细图案。
79.此外，在根据本发明的一个实施方式的蚀刻液组合物中，即使增加处理片材的数量也可以维持蚀刻性能。
80.本发明的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物可用于形成用于反射膜的oled tft阵列基板、用于触摸屏面板的迹线或纳米线布线，但不限于此，并且可以用于包括单层膜和多层膜的电子元件材料。
81.因此，本发明的一个实施方式涉及一种使用上述用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物形成的含银(ag)金属布线。
82.根据本发明实施方式的含银(ag)金属布线可以通过使用上述蚀刻溶液组合物进行本领域公知的蚀刻工艺来制造。
83.本发明的一个实施方式涉及一种制造含银(ag)金属布线的方法，该方法包括使用上述用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物进行的蚀刻工艺。
84.具体地，制造所述含银(ag)金属布线的方法可以包括以下步骤：i)在基板上形成由银或银合金制成的单层膜、或由该单层膜和透明导电膜组成的多层膜；ii)在所述单层膜或所述多层膜上形成光刻胶膜后进行图案化；以及iii)使用上述蚀刻液组合物蚀刻所述单层膜或所述多层膜。
85.在下文中，将通过实施例、比较例和实验例更详细地描述本发明。这些实施例、比较例和实验例仅用于说明本发明，对于本领域技术人员显而易见的是，本发明的范围不限于此。
86.实施例1至实施例5及比较例1至比较例5：
87.如下表1所示，混合各成分，通过添加剩余量的去离子水使得总量为100重量％(单位：重量％)来制备蚀刻液组合物。
88.【表1】
[0089][0090]
实验例1：
[0091]
针对上述制备的实施例和比较例的蚀刻液组合物的银(ag)再吸附、透明导电膜蚀刻速率降低以及鼠咬现象按以下方式进行评估，其结果示于下表2中。
[0092]
(1)银(ag)再吸附
[0093]
在基板上形成ito/银/ito三层膜之后，在三层膜上图案化光刻胶。
[0094]
将实施例和比较例的蚀刻液组合物分别放入喷射式蚀刻法的实验装置(型号：etcher(tft)，semes公司)中，将温度设定为40℃来升温后，当温度达到40
±
0.1℃时进行样品的蚀刻处理。总蚀刻时间为85秒。放置基板(4
×
4cm)并进行喷涂，当85秒的蚀刻时间结束时取出，用去离子水洗涤，并用热风干燥机干燥。在清洗和干燥之后，将基板切割以获得分析样品(0.5
×
0.5cm)，使用扫描电子显微镜(sem；型号：su-8010，由hitachi公司制造)对其进行测量。根据以下评估标准测量和评估：由于蚀刻工艺而吸附到暴露在基板内的源/漏极部的ti/al/ti三层膜的上部ti的银颗粒的数量。
[0095]
《评估标准》
[0096]
良好：银吸附的数量为10以下
[0097]
不良：银吸附的数量超过10个
[0098]
(2)透明导电膜蚀刻速率降低现象
[0099]
在基板上形成ito/银/ito三层膜后，将实施例和对比例的蚀刻液组合物分别放入喷射式蚀刻法的实验装置(型号：etcher(tft)，semes公司)中，将温度设定为40℃来升温后，当温度达到40
±
0.1℃时进行样品的蚀刻处理。为了模拟外部污染物的作用，使用浓度分别为100ppm和50ppm的乙二胺和聚乙烯醇缩丁醛作为人工有机污染物。通过比较添加有机污染物之前/之后最上面的ito膜的蚀刻时间来确认蚀刻速率是否降低。当以初始上层
ito膜的蚀刻完成时间(epd)为基准减慢5％以上时，则判断为蚀刻速率降低并用
○
标记，当减慢小于5％，则判断为实验误差并用
×
标记。
[0100]
(3)鼠咬现象(布线局部过度蚀刻)
[0101]
鼠咬现象是一种蚀刻工艺中出现的局部过度蚀刻现象，因为图案化后的布线形状看起来像是被老鼠吞噬了一样而得名。
[0102]
这是因为蚀刻液组合物渗透到由于上部氧化铟膜的不均匀形成和灰尘等杂质而存在的针孔中导致局部过度蚀刻而发生，并且是在如一些金属和一些金属盐之类的含有银薄膜的氧化剂的蚀刻溶液中看到的现象。
[0103]
在基板上形成ito/银/ito三层膜后，将实施例和对比例的蚀刻液组合物分别放入喷射式蚀刻法的实验装置(型号：etcher(tft)，semes公司)中，将温度设定为40℃来升温后，当温度达到40
±
0.1℃时进行样品的蚀刻处理。
[0104]
蚀刻处理后，使用光学显微镜(型号：ols5000，olympus公司)观察是否发生鼠咬现象。
[0105]
○
：发生鼠咬现象
[0106]
×
：不发生鼠咬现象
[0107]
【表2】
[0108][0109]
由上述表2可知，含有特定金属盐化合物的实施例1至实施例5的蚀刻液组合物未发生鼠咬现象，也未发现透明导电膜的蚀刻速率降低现象。
[0110]
相反，在不包含特定金属盐化合物或超出上述含量范围的比较例1至3的蚀刻液组合物中，发生透明导电膜的蚀刻速率降低现象，或者由于过量使用金属盐而在蚀刻液中出现沉淀物。
[0111]
此外，发现使用钼或铁盐的比较例4至5的蚀刻液组合物通过使银氧化而发生鼠咬现象。
[0112]
以上对本发明的特定部分进行了详细描述，对于本发明所属领域的普通技术人员来说，显然这些具体技术只是较佳实施例，本发明的保护范围不限于此。本发明所属领域的普通技术人员将能够基于上述内容在本发明的范围内进行各种应用和修改。
[0113]
因此，本发明的实质范围将由所附权利要求及其等同物来定义。

技术特征：

1.一种用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其包括硝酸、有机酸和金属盐化合物，并且所述金属盐化合物包含选自由铌(nb)、钴(co)、锆(zr)、铪(hf)、铋(bi)、钯(pd)和铀(u)组成的组中的至少一种金属。2.根据权利要求1所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其中，所述含银(ag)金属膜是由银(ag)或银合金制成的单层膜、或者是由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜。3.根据权利要求2所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其中，所述透明导电膜是包含氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(itzo)和氧化镓锌(igzo)中的至少一种的膜。4.根据权利要求1所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其中，所述有机酸包括碳原子数为1至3的烷基磺酸以及除烷基磺酸以外的有机酸。5.根据权利要求4所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其中，所述碳原子数为1至3的烷基磺酸包括：选自由甲磺酸、乙磺酸及丙磺酸组成的组中的至少一种。6.根据权利要求4所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其中，所述除烷基磺酸以外的有机酸包括：选自由乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸及酒石酸组成的组中的至少一种。7.根据权利要求1所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其中，所述金属盐化合物包括：选自由锆(zr)及铋(bi)组成的组中的至少一种金属。8.根据权利要求1所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其中，所述金属盐化合物相对于组合物的总重量的含量为0.01至0.5重量％。9.根据权利要求1所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其还包括硫酸盐化合物。10.根据权利要求9所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其中，所述硫酸盐化合物包括：选自由硫酸的碱金属盐、硫酸的碱土金属盐及硫酸的铵盐组成的组中的至少一种。11.根据权利要求1所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其包含相对于组合物的总重量的含量为8至15重量％的硝酸、30至63重量％的有机酸以及0.01至0.5重量％的金属盐化合物，并且包含剩余量的水以使得组合物的总重量为100重量％。12.根据权利要求9所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物，其包含相对于组合物的总重量的含量为8至15重量％的硝酸、30至63重量％的有机酸、7至25重量％的硫酸盐化合物以及0.01至0.5重量％的金属盐化合物，并且包含剩余量的水以使得组合物的总重量为100重量％。13.一种含银(ag)金属布线，其使用根据权利要求1至12中任一项所述的用于含银(ag)金属膜的蚀刻液组合物形成。14.一种制造含银(ag)金属布线的方法，其包括使用根据权利要求1至12中任一项所述的用于含银(ag)金属层的蚀刻液组合物进行的蚀刻工艺。

技术总结

本发明提供一种用于含银(Ag)金属膜的蚀刻液组合物，其包含特定的金属盐化合物。根据本发明的蚀刻液组合物可以抑制鼠咬现象的发生且防止透明导电膜的蚀刻速率由于外部污染源而降低。源而降低。

技术研发人员：

南基龙 闵庚灿 朴镛云 张晌勋 李昔准

受保护的技术使用者：

东友精细化工有限公司

技术研发日：

2022.07.19

技术公布日：

2023/2/2