I C S17.180
G10
内置式永磁同步电机
中华人民共和国国家标准
G B/T37131 2018
N a n o t e c h n o l o g i e s T e s tm e t h o do f s e m i c o n d u c t o r n a n o p o w d e r u s i n g
U V-V i s d i f f u s e r e f l e c t a n c e s p e c t r o s c o p y
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2018-12-28发布2018-12-28实施
国家市场监督管理总局
目 次
前言Ⅲ 引言Ⅳ 1 范围1 2 规范性引用文件1 3 术语和定义1 4 方法原理2 5 仪器3 5.1 紫外-可见分光光度计3 5.2 积分球3 5.3 样品池4 5.4 参比白板4 5.5 仪器校准4 6 样品制备4 7 测试方法4 7.1 测试条件4 7.2 测试步骤4 7.3 主要影响因素5 8 数据处理与结果分析5 9 测试报告5 附录A (资料性附录) 金红石型纳米氧化钛带隙宽度值的计算6 附录B (资料性附录) 操作参数对纳米氧化锌紫外-可见漫反射光谱的影响8 附录C (资料性附录) 测试报告11 参考文献12
前言
本标准按照G B/T1.1 2009给出的规则起草㊂
本标准由中国科学院提出㊂
本标准由全国纳米技术标准化技术委员会(S A C/T C279)归口㊂
本标准起草单位：国家纳米科学中心㊁北京为康环保科技有限公司㊁广州特种承压设备检测研究院㊁北京市理化分析测试中心㊁北京科技大学㊁北京粉体技术协会㊂
本标准主要起草人：朴玲钰㊁吴志娇㊁曹文斌㊁杨麟㊁高峡㊁常怀秋㊁刘文秀㊁尹宗杰㊁高原㊂
G B/T37131 2018
引言
与传统的半导体材料相比，半导体纳米粉体材料呈现出特殊的光学和电学性质，具有优异的光电转化特性，在新能源制备㊁环境保护㊁化工㊁医药㊁航空和军事等领域均得到广泛应用㊂
紫外-可见漫反射光谱是研究半导体纳米粉体材料光学性质的重要表征手段，可用于带隙㊁差分析，
表面吸附㊁粉体之间的反应，以及其他一些重要性质的研究㊂在半导体纳米粉体材料的紫外-可见漫反射光谱中，特征漫反射峰位置与其带隙直接相关㊂带隙是半导体纳米粉体材料非常重要的物理特性，直接影响材料的光学性质与应用领域及范围㊂结合紫外-可见漫反射光谱与库贝尔卡-蒙克(K u b e l k a~ M u n k)方程可计算半导体纳米粉体材料的带隙㊂为满足我国科研与生产部门的需求，需要对该测试方法进行规范与标准化㊂
G B/T37131 2018
纳米技术半导体纳米粉体材料
水幕系统紫外-可见漫反射光谱的测试方法
1范围
本标准规定了半导体纳米粉体材料的紫外-可见漫反射光谱测试方法㊂
本标准适用于不透光半导体纳米粉体材料漫反射光谱的测试㊂
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的㊂凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件㊂凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件㊂
J J F1232反射率测定仪校准规范
J J G178紫外㊁可见㊁近红外分光光度计检定规程
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件㊂
3.1
半导体s e m i c o n d u c t o r
实时调试电阻率介于导体与绝缘体之间，其范围为10-3Ω㊃c m~1010Ω㊃c m的一种固体物质㊂电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传输实现的㊂
[G B/T14264 2009，定义3.218]
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3.2
纳米粉体n a n o p o w d e r
离散纳米颗粒的集合体㊂
注：改写自G B/T19619 2004，定义3.2.1.1㊂
3.3
漫反射d i f f u s e r e f l e c t i o n
在宏观尺度上不存在规则反射时，由反射造成的弥散过程㊂
[J J F1032 2005，定义4.5]
3.4
反射率r e f l e c t i v i t y
材料层的厚度达到其反射比不随厚度的增加而变化时的反射比，无量纲㊂
[J J F1032 2005，定义4.42]
3.5
积分球i n t e g r a t i n g s p h e r e
作为辐射计㊁光度计或光谱光度计的部件使用的中空球，其内表面覆以在使用光谱区几乎没有光谱选择性的漫反射材料㊂
[J J F1032 2005，定义3.52]
