一种显示面板及其制造方法、显示装置与流程

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1.本技术涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。

背景技术：

2.随着显示技术的不断发展，显示面板的视觉效果不断提高，给用户带来了越来越好的视觉体验。
3.随着发光二极管(light-emitting diode,led)的发展,迷你发光二极管(mini-led,mini-light-emitting diode)和微型发光二极管(micro-led,micro-light-emitting diode)由于成本,显示效果等因素成为下一代显示技术的主要构成。mini-led或micro-led显示面板成本较低、更加轻薄，具备大规模量产能力，而且寿命更长、功耗更低，受到了各大面板厂商的关注。
4.然而mini-led或micro-led显示面板由于制造工艺的问题，显示面板发光显示往往会产生一定的偏，如偏黄或偏青等，影响了显示面板的显示效果。
5.因此，如何有效的改善显示面板发光显示的偏，提升显示面板的显示效果，是本领域需要解决的技术问题。

技术实现要素：

6.有鉴于此，提供该发明内容部分以便以简要的形式介绍构思，这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。该发明内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。
7.本技术的目的在于提供一种显示面板及其制造方法、显示装置，可以有效改善显示面板发光显示的偏，提升显示面板的显示效果。
8.为实现上述目的，本技术有如下技术方案：
9.第一方面，本技术实施例提供了一种显示面板，包括：
10.驱动基板；
11.位于所述驱动基板一侧的发光二极管组；所述发光二级管组包括红发光二极管、绿发光二极管和蓝发光二极管；
12.位于所述发光二极管组远离所述驱动基板一侧的封装层；
13.位于所述封装层与所述驱动基板之间的吸热发光层；所述红发光二极管与所述吸热发光层接触；所述吸热发光层包括第一导电材料和第二导电材料，所述第一导电材料连接电源负极，所述第二导电材料与所述第一导电材料电连接，和/或，所述第二导电材料连接电源正极，所述第一导电材料与所述第二导电材料电连接，所述第一导电材料的功函数大于所述第二导电材料的功函数；所述吸热发光层包括发红光的第三材料。
14.第二方面，本技术实施例提供了一种显示面板的制造方法，包括：
15.提供驱动基板；
16.形成发光二极管组和吸热发光层并绑定在所述驱动基板上；所述发光二级管组包
括红发光二极管、绿发光二极管和蓝发光二极管；
17.形成所述发光二极管组远离所述驱动基板一侧的封装层；所述吸热发光层位于所述封装层和所述驱动基板之间，所述红发光二极管与所述吸热发光层接触形成；
18.所述吸热发光层包括第一导电材料和第二导电材料，所述第一导电材料连接电源负极，所述第二导电材料与所述第一导电材料电连接，和/或，所述第二导电材料连接电源正极，所述第一导电材料与所述第二导电材料电连接，所述第一导电材料的功函数大于所述第二导电材料的功函数；所述吸热发光层包括发红光的第三材料。
19.第三方面，本技术实施例提供了一种显示装置，包括如上述所述的显示面板。
20.与现有技术相比，本技术实施例具有以下有益效果：
21.本技术实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，该显示面板包括:驱动基板；位于驱动基板一侧的发光二极管组；发光二级管组包括红发光二极管、绿发光二极管和蓝发光二极管；位于发光二极管组远离驱动基板一侧的封装层；位于封装层与驱动基板之间的吸热发光层；红发光二极管与吸热发光层接触；吸热发光层包括第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料连接电源负极，第二导电材料与第一导电材料电连接，和/或，第二导电材料连接电源正极，第一导电材料与第二导电材料电连接，第一导电材料的功函数大于第二导电材料的功函数；吸热发光层包括发红光的第三材料。即本技术利用吸热发光层可以吸收红发光二极管的热量热致发光，不仅可以增加红发光二极管的发光亮度，同时降低红发光二极管的发光温度，减少红发光二极管发光效率衰减，从而有效改善显示面板发光显示的偏，提升显示面板的显示效果。
附图说明
22.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
23.结合附图并参考以下具体实施方式，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。贯穿附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素。应当理解附图是示意性的，原件和元素不一定按照比例绘制。
24.图1示出了本技术实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
25.图2示出了本技术实施例提供的一种吸热发光层的剖面结构示意图；
26.图3示出了本技术实施例提供的又一种吸热发光层的剖面结构示意图；
27.图4示出了本技术实施例提供的再一种吸热发光层的剖面结构示意图；
28.图5示出了本技术实施例提供的另一种吸热发光层的剖面结构示意图；
29.图6示出了本技术实施例提供的一种吸热发光层中不同结构之间的接触面的电势示意图；
30.图7示出了本技术实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图；
31.图8示出了本技术实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图；
32.图9示出了本技术实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
33.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。
34.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
35.正如背景技术中的描述，随着显示技术的不断发展，给用户带来了越来越好的视觉体验。
36.随着发光二极管(light-emitting diode,led)的发展,迷你发光二极管(mini-led,mini-light-emitting diode)和微型发光二极管(micro-led,micro-light-emitting diode)由于成本,显示效果等因素成为下一代显示技术的主要构成。mini-led或micro-led显示面板成本较低、更加轻薄，具备大规模量产能力，而且寿命更长、功耗更低，受到了各大面板厂商的关注。
37.然而mini-led或micro-led显示面板由于制造工艺的问题，显示面板发光显示往往会产生一定的偏，如偏黄或偏青等，影响了显示面板的显示效果。
38.在显示面板中，由于材料本身问题，红发光二极管的发光效率比绿发光二极管和蓝发光二极管的效率较低，且发光过程中温度升高会导致发光效率降低，从而带来严重的偏。
39.为了解决以上技术问题，本技术实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，该显示面板包括:驱动基板；位于驱动基板一侧的发光二极管组；发光二级管组包括红发光二极管、绿发光二极管和蓝发光二极管；位于发光二极管组远离驱动基板一侧的封装层；位于封装层与驱动基板之间的吸热发光层；红发光二极管与吸热发光层接触；吸热发光层包括第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料连接电源负极，第二导电材料与第一导电材料电连接，和/或，第二导电材料连接电源正极，第一导电材料与第二导电材料电连接，第一导电材料的功函数大于第二导电材料的功函数；吸热发光层包括发红光的第三材料。即本技术利用吸热发光层可以吸收红发光二极管的热量热致发光，不仅可以增加红发光二极管的发光亮度，同时降低红发光二极管的发光温度，减少红发光二极管发光效率衰减，从而有效改善显示面板发光显示的偏，提升显示面板的显示效果。
40.为了更好地理解本技术的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的描述。
41.参见图1所示，图1为本技术实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图，本技术实施例提供的一种显示面板，包括：
42.驱动基板1；
43.位于驱动基板1一侧的发光二极管组；发光二级管组包括红发光二极管2、绿发光二极管3和蓝发光二极管4；
44.位于发光二极管组远离驱动基板1一侧的封装层5；
45.位于封装层5与驱动基板1之间的吸热发光层6；红发光二极管2与吸热发光层6接触；吸热发光层6包括第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料连接电源负极，第二
导电材料与第一导电材料电连接，和/或，第二导电材料连接电源正极，第一导电材料与第二导电材料电连接，第一导电材料的功函数大于第二导电材料的功函数；吸热发光层6包括发红光的第三材料。
46.即在本技术实施例中，可以利用吸热发光层6吸收红发光二极管2的热量热致发光，不仅可以增加红发光二极管2的发光亮度，同时降低红发光二极管的发光温度，减少红发光二极管2发光效率衰减，从而有效改善显示面板发光显示的偏，提升显示面板的显示效果。
47.具体的，在本技术实施例中，驱动基板1的材料可以包括玻璃或透明陶瓷或透明塑料或各种柔性的或可弯曲的材料，例如，聚合物树脂，诸如聚醚砜(polyethersulfone，pes)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，par)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，pei)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，pen)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，pps)、聚芳酯、聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)或醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate，cap)，当驱动基板1为柔性材料时，本技术实施例提供的显示面板可以包括柔性显示面板，利于实现各种折叠屏、卷曲屏等新显示形态，折叠屏、卷曲屏等的工作场景包含在弯折状态下的发光显示。
48.此外，位于发光二极管组远离驱动基板1一侧的封装层5用于防止显示面板受到外界的水氧侵害，封装层5可以是由无机层、有机层和无机层依次堆叠的结构，本技术实施例在此不作具体限定，具体可由本领域技术人员根据实际情况进行设置。
49.在实际生产中，位于驱动基板1一侧的发光二极管组三种灯的发光效率是不均等的，即红发光二极管2、绿发光二极管3和蓝发光二极管4三者的发光效率并不完全一样。一般来说，红发光二极管2的发光效率较低，从而会导致绿发光二极管3和蓝发光二极管4发出的光较强，从而产生画面偏发青(绿+蓝)。而为了避免红发光二极管2、绿发光二极管3和蓝发光二极管4之间的亮度差异太大，需要增大红发光二极管2的驱动电流或者驱动电流的占空比，较大的驱动电流和占空比又导致红发光二极管2的亮度衰减比蓝和绿发光二极管更快，随着点亮后红发光二极管2的温度上升，红发光二极管2的发光效率又进一步衰减，可能超过50％。
50.因此，在本技术实施例中，可以在封装层5与驱动基板1之间设置与红发光二极管2接触的吸热发光层6，从而降低红发光二极管2的温度，提高其发光效率，另外该层可以吸热发光，提高红发光二极管2的发光亮度，弥补红发光二极管2发光效率低的问题。
51.具体的，由于不同导电材料之间的接触会产生电子扩散，总是从低功函数材料向高功函数材料扩散。在环境温度下达到平衡时就会产生接触电势，低功函数金属为正电位，高功函数金属为负电位。如果有电流通过，电子从正电位流向负电位时该接触面发热，电子从负电位流向正电位时该接触面吸热。
52.因此，在本技术实施例中，参见图2所示，图2为本技术实施例提供的一种吸热发光层的剖面结构示意图，吸热发光层6可以包括第一导电材料11和第二导电材料12，第一导电材料11连接电源负极，第二导电材料12与第一导电材料11电连接，即此时电子从第一导电材料11流向第二导电材料12。
53.同时，由于第一导电材料11的功函数大于第二导电材料12的功函数，即此时电子
从负电位的高功函数第一导电材料11流向正电位的低功函数第二导电材料12，此时电子从负电位流向正电位时该接触面吸热。
54.并且，吸热发光层6包括发红光的第三材料13，从而可以在吸热的同时进行发光，降低红发光二极管2的温度的同时提高红发光二极管2的发光亮度，提高其发光效率，以便有效改善显示面板发光显示的偏，提升显示面板的显示效果。可选的，可以在第三材料13靠近正极的一侧设置电极材料，以便实现第三材料13在电流的作用下发光。
55.在一种可能的实现方式中，参见图3所示，图3为本技术实施例提供的又一种吸热发光层的剖面结构示意图，本技术实施例提供的第一导电材料11包括第一金属铜111，第二导电材料12包括金属钡121，第一金属铜111和金属钡121层叠设置，第一金属铜111连接电源负极，金属钡121位于第一金属铜111远离电源负极的一侧；
56.第二导电材料12包括第二金属铜122，第一导电材料11包括金属铂112，第二金属铜122和金属铂112层叠设置，第二金属铜122连接电源正极，金属铂112位于第二金属铜122远离电源正极的一侧。即在本技术实施例中，第一导电材料11可以与电源负极连接，第二导电材料12与第一导电材料11电连接；和/或，第二导电材料12可以与电源正极连接，第一导电材料11与第二导电材料12电连接。
57.由于金属钡的功函数为2.5ev，金属铜的功函数为4.65ev，金属铂的功函数为5.65ev。因此在电源负极端第一金属铜111和金属钡121接触面上，电子是从高功函数的第一金属铜111流向低功函数的金属钡121，即电子是从负电位流向正电位，因此该接触面吸热；在电源正极端第二金属铜122和金属铂112接触面上，电子也是从高功函数的金属铂112流向低功函数的第二金属铜122，即电子也是从负电位流向正电位，因此该接触面同样吸热，从而实现吸热发光层的吸热，减缓了红发光二极管的温度升高带来的发光效率降低，有效改善了显示面板的偏。
58.需要说明的是，图3仅示出了一种可能的第一导电材料11、第二导电材料12和第三材料13之间的相对位置，还可以有其他堆叠方式，本技术实施例在此不作具体限定，具体可由本领域技术人员根据实际情况进行设定。
59.在一种可能的实现方式中，参见图4所示，图4为本技术实施例提供的再一种吸热发光层的剖面结构示意图,本技术实施例提供的第三材料13可以包括与第一导电材料11接触的p型半导体材料131，与第二导电材料12接触的n型半导体材料132；n型半导体材料132与p型半导体材料131形成有pn结133，以便在电流的作用下发光。
60.可选的，本技术实施例提供的n型半导体材料132可以包括n型磷化镓或n型磷化砷镓；p型半导体材料131可以包括p型磷化镓或p型磷化砷镓。即可以利用发红光的材料磷化镓或磷化砷镓，以补偿红光发光二极管发红光不足的缺陷。
61.在一种可能的实现方式中，参见图5所示，图5为本技术实施例提供的另一种吸热发光层的剖面结构示意图,本技术实施例提供的n型半导体材料132可以包括依次层叠的重掺杂n型半导体材料1321和低掺杂n型半导体材料1322；p型半导体材料131可以包括依次层叠的重掺杂p型半导体材料1311和低掺杂p型半导体材料1312。
62.举例来说，参见图6所示，图6为示出了本技术实施例提供的一种吸热发光层中不同结构之间的接触面的电势示意图,当重掺杂n型半导体材料1321为重掺杂n型磷化镓(gap)、低掺杂n型半导体材料1322为低掺杂n型磷化镓、重掺杂p型半导体材料1311为重掺
杂p型磷化镓且低掺杂p型半导体材料1312为低掺杂p型磷化镓时：
63.电子从负极向正极流动，在电源负极端第一金属铜111和金属钡121接触面(图6中的a-b)上，电子是从负电位流向正电位，该接触面吸热；在金属钡121和重掺杂n型磷化镓1321接触面(b-c)没有电势差是欧姆接触，因为电阻很小，只有很小的发热；重掺杂n型磷化镓1321和低掺杂n型磷化镓1322接触面(c-d)也存在着浓度电子扩散，产生的电势差较低，电子电流是从正电位流向负电位，该接触面发热，发热量较小；p-n结(d-e)处电子与空穴结合发出光(属于耗能与发热相当)；低掺杂p型磷化镓1312和重掺杂p型磷化镓1311接触面(e-f)存在空穴的浓度扩散，产生的电势差也较低，空穴电流是从负电位流向正电位，该接触面发热，发热量较小(由于是空穴移动可以等效于电子反向移动，在图6中为了表示电位，采用了等效电子电流的方式)；重掺杂p型磷化镓1311和金属铂112接触面(f-g)也没有电势差是欧姆接触，因为电阻很小，只有很小的发热；高功函数金属铂112和正端引线第二金属铜122接触面(g-h)上也是电子是从负电位流向正电位，该接触面吸热。
64.从而吸热发光层总体对外表现出来是吸热，有利于红发光二极管的温度的降低。
65.可选的，参见图5和图7所示，图7为本技术实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图,低掺杂n型半导体材料1322位于重掺杂n型半导体材料1321远离驱动基板1的一侧；低掺杂p型半导体材料1312位于重掺杂p型半导体材料1311远离封装层5的一侧。
66.即本技术实施例提供的吸热发光层6可以位于红发光二极管2和封装层5之间，红发光二极管2的正负电极和驱动基板1上的正负电源焊接，吸热发光层6的正负电极可以分别通过第一沟槽61和第二沟槽62与驱动基板1上的正负电源焊接，为了避免短路，可以在第一沟槽61和第二沟槽62的侧壁上设置绝缘材料，从而实现了吸热发光层6的吸热发光。
67.需要说明的是，红发光二极管2和吸热发光层6还可以通过其他方式实现与驱动基板1上的正负电源的连接，例如可以将红发光二极管2和吸热发光层6分开绑定在驱动基板1上不同的正负电源焊盘，也可以通过跨桥的方式实现吸热发光层6与驱动基板1上正负电源的连接，本技术实施例在此不作具体限定，具体可由本领域技术人员根据实际情况进行设定。
68.可选的，参见图7所示，本技术实施例提供的显示面板还可以包括位于红发光二极管2远离驱动基板1一侧的颜转换层9；吸热发光层6位于颜转换层9与红发光二极管2之间，设置颜转换层9从而可以使发光二极管组发出的光更纯，提高显示面板的显示效果，增强用户的使用体验。
69.在一种可能的实现方式中，参见图1所示，本技术实施例提供的吸热发光层6可以位于红发光二极管2和驱动基板1之间，红发光二极管的透射率大于或等于预设阈值。
70.即可以将吸热发光层6和红发光二极管2共用同一个衬底形成，吸热发光层6的正负电极和驱动基板1上的正负电源焊接，红发光二极管2的正负电极可以分别通过第一沟槽61和第二沟槽62与驱动基板1上的正负电源焊接，为了避免短路，可以在第一沟槽61和第二沟槽62的侧壁上设置绝缘材料，从而实现了吸热发光层6的吸热发光。
71.需要说明的是，红发光二极管2和吸热发光层6还可以通过其他方式实现与驱动基板1上的正负电源的连接，例如可以将红发光二极管2和吸热发光层6分开绑定在驱动基板1上不同的正负电源焊盘，也可以通过跨桥的方式实现红发光二极管2与驱动基板1
上正负电源的连接，本技术实施例在此不作具体限定，具体可由本领域技术人员根据实际情况进行设定。
72.此外，为了使吸热发光层6发出的光能透过红发光二极管2，红发光二极管的透射率可以大于或等于预设阈值。可选的，红发光二极管2的衬底可以包括蓝宝石衬底，可透光。衬底上的缓冲层可以为氮化镓材料，其为半透明材料，从而吸热发光层6可以透过红发光二极管2发光。
73.需要说明的是，上述吸热发光层6的出光量取决于材料的透射率，以及吸热发光层6的光强，本技术实施例在此不作具体限定，具体可由本领域技术人员根据实际情况进行设置。
74.此外，参见图1和图7所示，本技术实施例提供的显示面板还可以包括覆盖发光二极管组的第一绝缘层7，以及封装层5和第一绝缘层7之间的黑矩阵(bm，black matrix)8等结构。
75.本技术实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括:驱动基板；位于驱动基板一侧的发光二极管组；发光二级管组包括红发光二极管、绿发光二极管和蓝发光二极管；位于发光二极管组远离驱动基板一侧的封装层；位于封装层与驱动基板之间的吸热发光层；红发光二极管与吸热发光层接触；吸热发光层包括第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料连接电源负极，第二导电材料与第一导电材料电连接，和/或，第二导电材料连接电源正极，第一导电材料与第二导电材料电连接，第一导电材料的功函数大于第二导电材料的功函数；吸热发光层包括发红光的第三材料。即本技术利用吸热发光层可以吸收红发光二极管的热量热致发光，不仅可以增加红发光二极管的发光亮度，同时降低红发光二极管的发光温度，减少红发光二极管发光效率衰减，从而有效改善显示面板发光显示的偏，提升显示面板的显示效果。
76.参见图8所示，图8为本技术实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图，包括：
77.s101：提供驱动基板；
78.s102：形成发光二极管组和吸热发光层并绑定在所述驱动基板上；所述发光二级管组包括红发光二极管、绿发光二极管和蓝发光二极管；
79.s103：形成所述发光二极管组远离所述驱动基板一侧的封装层；所述吸热发光层位于所述封装层和所述驱动基板之间，所述红发光二极管与所述吸热发光层接触形成；
80.所述吸热发光层包括第一导电材料和第二导电材料，所述第一导电材料连接电源负极，所述第二导电材料与所述第一导电材料电连接，和/或，所述第二导电材料连接电源正极，所述第一导电材料与所述第二导电材料电连接，所述第一导电材料的功函数大于所述第二导电材料的功函数；所述吸热发光层包括发红光的第三材料。
81.可选的，所述红发光二极管的衬底的一侧形成有半导体层；所述形成所述吸热发光层，包括：与所述半导体层同一侧以气相外延或液相外延生长方式形成所述吸热发光层。
82.即参见图7所示，当吸热发光层6要形成于红发光二极管2和封装层5之间时，可以采用气相外延或液相外延生长方式形成吸热发光层6。
83.举例来说，即可以用气相外延或液相外延生长方式形成磷化砷镓(gaasp)或磷化
镓(gap)，通用的气相外延工艺采用的就是cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)方法(ga、hcl、ash3和h2法以及ga、ascl3和n2法)。
84.液相外延工艺是用ga或gaas熔池覆盖衬底表面,然后通过降温以生长外延层,也可采用温度梯度生长法或施加直流电的电外延法。目前，磷化砷镓(gaasp)液相外延方法主要用于制造砷化镓双异质结激光器和太阳电池等，少量用于制造器件(微波器件)。故液相外延工艺磷化砷镓(gaasp)满足本技术做涂层需求。
85.可选的，所述红发光二极管的衬底的一侧形成有半导体层；所述形成所述吸热发光层，包括：在所述衬底远离所述半导体层的一侧以电沉积方式形成所述吸热发光层。
86.即参见图1所示，当吸热发光层6要形成于红发光二极管2和驱动基板1之间时，可以采用电沉积方式形成吸热发光层6。
87.即利用电流沉积法制备出纳米磷化砷镓或磷化镓薄膜，满足本案应用于微型级别的发光二极管(micro-led，micro light-emitting diode)中的需求。
88.本技术实施例提供了一种显示面板的制造方法，该方法包括:提供驱动基板；形成发光二极管组和吸热发光层并绑定在驱动基板上；发光二级管组包括红发光二极管、绿发光二极管和蓝发光二极管；形成发光二极管组远离驱动基板一侧的封装层；吸热发光层位于封装层和驱动基板之间，红发光二极管与所述吸热发光层接触形成；吸热发光层包括第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料连接电源负极，第二导电材料与第一导电材料电连接，和/或，第二导电材料连接电源正极，第一导电材料与第二导电材料电连接，第一导电材料的功函数大于第二导电材料的功函数；吸热发光层包括发红光的第三材料。即本技术利用吸热发光层可以吸收红发光二极管的热量热致发光，不仅可以增加红发光二极管的发光亮度，同时降低红发光二极管的发光温度，减少红发光二极管发光效率衰减，从而有效改善显示面板发光显示的偏，提升显示面板的显示效果。
89.参见图9所示，为本技术实施例提供的一种显示装置的平面结构示意图。由图可知，显示装置99包括显示面板1111，显示面板1111为上述任一实施例中描述的显示面板。本技术实施例提供的显示装置99，可以是手机、平板、电脑、电视、车载显示装置以及仪器仪表显示装置等其他具有显示功能的显示装置，本技术实施例不做具体限定。本技术实施例提供的显示装置99，具有本技术实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述实施例对于显示面板的具体说明，本技术实施例在此不再赘述。
90.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于显示面板实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见显示面板实施例的部分说明即可。
91.以上所述仅是本技术的优选实施方式，虽然本技术已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本技术。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本技术技术方案保护的范围内。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括：驱动基板；位于所述驱动基板一侧的发光二极管组；所述发光二级管组包括红发光二极管、绿发光二极管和蓝发光二极管；位于所述发光二极管组远离所述驱动基板一侧的封装层；位于所述封装层与所述驱动基板之间的吸热发光层；所述红发光二极管与所述吸热发光层接触；所述吸热发光层包括第一导电材料和第二导电材料，所述第一导电材料连接电源负极，所述第二导电材料与所述第一导电材料电连接，和/或，所述第二导电材料连接电源正极，所述第一导电材料与所述第二导电材料电连接，所述第一导电材料的功函数大于所述第二导电材料的功函数；所述吸热发光层包括发红光的第三材料。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电材料包括第一金属铜，所述第二导电材料包括金属钡，所述第一金属铜和所述金属钡层叠设置，所述第一金属铜连接电源负极，所述金属钡位于所述金属铜远离所述电源负极的一侧；所述第二导电材料包括第二金属铜，所述第一导电材料包括金属铂，所述第二金属铜和所述金属铂层叠设置，所述第二金属铜连接电源正极，所述金属铂位于所述第二金属铜远离所述电源正极的一侧。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第三材料包括与所述第一导电材料接触的p型半导体材料，与所述第二导电材料接触的n型半导体材料；所述n型半导体材料与所述p型半导体材料形成有pn结。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述n型半导体材料包括n型磷化镓或n型磷化砷镓；所述p型半导体材料包括p型磷化镓或p型磷化砷镓。5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述n型半导体材料包括依次层叠的重掺杂n型半导体材料和低掺杂n型半导体材料；所述p型半导体材料包括依次层叠的重掺杂p型半导体材料和低掺杂p型半导体材料；所述低掺杂n型半导体材料位于所述重掺杂n型半导体材料远离所述驱动基板的一侧；所述低掺杂p型半导体材料位于所述重掺杂p型半导体材料远离所述封装层的一侧。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述红发光二极管远离所述驱动基板一侧的颜转换层；所述吸热发光层位于所述颜转换层与所述红发光二极管之间。7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述吸热发光层位于所述红发光二极管和所述驱动基板之间；所述红发光二极管的透射率大于或等于预设阈值。8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述红发光二极管的衬底包括蓝宝石衬底。9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：提供驱动基板；形成发光二极管组和吸热发光层并绑定在所述驱动基板上；所述发光二级管组包括红发光二极管、绿发光二极管和蓝发光二极管；形成所述发光二极管组远离所述驱动基板一侧的封装层；所述吸热发光层位于所述封
装层和所述驱动基板之间，所述红发光二极管与所述吸热发光层接触形成；所述吸热发光层包括第一导电材料和第二导电材料，所述第一导电材料连接电源负极，所述第二导电材料与所述第一导电材料电连接，和/或，所述第二导电材料连接电源正极，所述第一导电材料与所述第二导电材料电连接，所述第一导电材料的功函数大于所述第二导电材料的功函数；所述吸热发光层包括发红光的第三材料。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述红发光二极管的衬底的一侧形成有半导体层；所述形成所述吸热发光层，包括：与所述半导体层同一侧以气相外延或液相外延生长方式形成所述吸热发光层。11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述红发光二极管的衬底的一侧形成有半导体层；所述形成所述吸热发光层，包括：在所述衬底远离所述半导体层的一侧以电沉积方式形成所述吸热发光层。12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的显示面板。

技术总结

本申请提供一种显示面板及其制造方法、显示装置，该显示面板包括：位于驱动基板一侧的发光二极管组；位于发光二极管组远离驱动基板一侧的封装层；位于封装层与驱动基板之间的吸热发光层；红发光二极管与吸热发光层接触；吸热发光层包括第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料连接电源负极，第二导电材料与第一导电材料电连接，和/或，所述第二导电材料连接电源正极，所述第一导电材料与所述第二导电材料电连接，第一导电材料的功函数大于第二导电材料的功函数；吸热发光层包括发红光的第三材料。本申请能够减少红发光二极管发光效率衰减，从而有效改善显示面板发光显示的偏，提升显示面板的显示效果。提升显示面板的显示效果。提升显示面板的显示效果。