专利名称：线切割后清洗晶圆的方法和清洗装置专利类型：发明专利 发明人：姜镕
申请号：CN201811610269.6
申请日：20181227
公开号：CN109590266A
公开日：
20190409
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种线切割后清洗晶圆的方法和清洗装置，线切割后清洗晶圆的方法包括以下步骤：将晶圆置于移动结构上以带动所述晶圆在上下方向上移动并倾斜；向所述晶圆上喷洒清洗液。根据本发明的线切割后清洗晶圆的方法，将晶圆置于移动结构上以带动晶圆在上下方向上移动并倾斜，向晶圆上喷洒清洗液对晶圆进行清洗，通过上述方法能够有效清洗晶圆与晶圆之间的污染物，减小污染物对晶圆的影响，避免污染物影响晶圆的后续工序，提高清洗效率，减少清洗时间，降低成本。通过清洗装置能够实现上述清洗晶圆的方法，有效清洗晶圆与晶圆之间的污染物。
申请人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
地址：710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
国籍：CN
代理机构：北京银龙知识产权代理有限公司
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